JPH04188728A - 湿式エッチング装置 - Google Patents
湿式エッチング装置Info
- Publication number
- JPH04188728A JPH04188728A JP31613190A JP31613190A JPH04188728A JP H04188728 A JPH04188728 A JP H04188728A JP 31613190 A JP31613190 A JP 31613190A JP 31613190 A JP31613190 A JP 31613190A JP H04188728 A JPH04188728 A JP H04188728A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phosphoric acid
- pure water
- concentration
- boiling point
- hot phosphoric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、湿式エツチング技術に関し、特に、半導体装
置の製造プロセスにおける熱リン酸を用いた湿式エツチ
ングなどに適用して有効な技術に関する。
置の製造プロセスにおける熱リン酸を用いた湿式エツチ
ングなどに適用して有効な技術に関する。
たとえば、半導体装置の製造プロセスでは、半導体基板
に形成された窒化珪素薄膜などにエツチングを施す一手
段として、純水によって希釈されたリン酸からなる沸騰
状態の処理液中に、当該半導体基板を浸漬する技術が知
られている。
に形成された窒化珪素薄膜などにエツチングを施す一手
段として、純水によって希釈されたリン酸からなる沸騰
状態の処理液中に、当該半導体基板を浸漬する技術が知
られている。
ところで、このような熱リン酸を用いるエツチングの場
合には、エツチング速度がリン酸の濃度に大きく依存す
るため、所定の処理時間で過不足のない安定なエツチン
グ結果を得るためには、リン酸の濃度を常時一定に維持
することが必要となる。
合には、エツチング速度がリン酸の濃度に大きく依存す
るため、所定の処理時間で過不足のない安定なエツチン
グ結果を得るためには、リン酸の濃度を常時一定に維持
することが必要となる。
このため、従来では、以下のような幾つかの技術か用い
られている。
られている。
(1)、処理槽上部に冷却蛇管を配置し、加熱されるリ
ンー蚕から蒸発した水分を凝結させて処理槽内に還流さ
せる方法。
ンー蚕から蒸発した水分を凝結させて処理槽内に還流さ
せる方法。
(2)、純水を常時一定の流量で処理槽内に注入する方
法。
法。
(3)、水分蒸発を処理液の液面低下の監視によって検
出し、適宜純水を補充する方法。
出し、適宜純水を補充する方法。
(4)、専用の分析システムを用いて、処理槽内のリン
酸の濃度を直接的に監視し、リン酸濃度を制御する方法
。
酸の濃度を直接的に監視し、リン酸濃度を制御する方法
。
なお、半導体装置の製造プロセスにおける湿式エツチン
グ技術に関しては、たとえば、株式会社オーム社、昭和
59年11月30日発行、電子通信学会線rLsIハン
ドブックJ P264、などの文献に記載されている。
グ技術に関しては、たとえば、株式会社オーム社、昭和
59年11月30日発行、電子通信学会線rLsIハン
ドブックJ P264、などの文献に記載されている。
ところが、上記の(1)および(2)の従来技術の場合
には、実際のリン酸の濃度か純水の注入(還流)動作に
フィードバックされないため、濃度の正確な制御を期待
できないという問題ある。
には、実際のリン酸の濃度か純水の注入(還流)動作に
フィードバックされないため、濃度の正確な制御を期待
できないという問題ある。
また、上記(3)の従来技術の場合には、半導体基板な
どに付着して処理槽の外部に持ち去られる、ことなどに
起因するリン酸の消費が考慮されていないため、経時的
なリン酸濃度の変化が発生するという問題がある。
どに付着して処理槽の外部に持ち去られる、ことなどに
起因するリン酸の消費が考慮されていないため、経時的
なリン酸濃度の変化が発生するという問題がある。
さらに、前記(4)の従来技術の場合には、たしかにリ
ン酸濃度の正確な制御を期待てきるものの、分析システ
ムを構成する機器が、必要以上に複雑かつ高価になると
いう他の問題かある。
ン酸濃度の正確な制御を期待てきるものの、分析システ
ムを構成する機器が、必要以上に複雑かつ高価になると
いう他の問題かある。
そこで、本発明の目的は、処理液の濃度を簡便かつ正確
に制御することが可能な湿式エツチング装置を提供する
ことにある。
に制御することが可能な湿式エツチング装置を提供する
ことにある。
本発明の他の目的は、エツチング作用をなす処理液の濃
度を簡便かつ正確に制御して、エツチング速度を安定に
保つことか可能な湿式エツチング装置を提供することに
ある。
度を簡便かつ正確に制御して、エツチング速度を安定に
保つことか可能な湿式エツチング装置を提供することに
ある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、本発明になる湿式エツチング装置は、リン酸
を純水で所望の濃度に希釈した処理液か貯留される処理
槽と、この処理槽に貯留された処理液を所望の温度に加
熱する加熱手段と、処理液の温度を計測する温度計測手
段と、処理槽内に純水を注入する純水供給手段と、温度
計測手段から得られる処理液の測定温度に基づいて、純
水供給手段から処理槽内への純水の供給を制御する制御
手段とを備え、処理液のリン酸濃度を所望の値に一定に
制御するものである。
を純水で所望の濃度に希釈した処理液か貯留される処理
槽と、この処理槽に貯留された処理液を所望の温度に加
熱する加熱手段と、処理液の温度を計測する温度計測手
段と、処理槽内に純水を注入する純水供給手段と、温度
計測手段から得られる処理液の測定温度に基づいて、純
水供給手段から処理槽内への純水の供給を制御する制御
手段とを備え、処理液のリン酸濃度を所望の値に一定に
制御するものである。
上記した本発明の湿式エツチング装置によれば、リン酸
を純水によって希釈してなる処理液の沸点が、リン酸の
濃度に依存することを利用し、リン酸の濃度変化を、比
較的安価な温度計測手段によって計測される温度変化と
して把握し、当該計測温度、すなわち処理液の沸点が所
望の値に一定となるように純水供給手段から処理槽内へ
の純水の注入量を制御することで、簡便かつ正確にリン
酸の濃度を所望の値に一定に維持することが可能となる
。
を純水によって希釈してなる処理液の沸点が、リン酸の
濃度に依存することを利用し、リン酸の濃度変化を、比
較的安価な温度計測手段によって計測される温度変化と
して把握し、当該計測温度、すなわち処理液の沸点が所
望の値に一定となるように純水供給手段から処理槽内へ
の純水の注入量を制御することで、簡便かつ正確にリン
酸の濃度を所望の値に一定に維持することが可能となる
。
これにより、リン酸の濃度などに依存する処理液のエツ
チング速度を安定に維持することができる。
チング速度を安定に維持することができる。
以下、図面を参照しなから、本発明の一実施例である湿
式エツチング装置の一例について詳細に説明する。
式エツチング装置の一例について詳細に説明する。
第1図は、本発明の一実施例である湿式エツチング装置
の構成の一例を模式的に示すブロック図であり、第2図
および第3図は、その作用の一例を示す線図である。
の構成の一例を模式的に示すブロック図であり、第2図
および第3図は、その作用の一例を示す線図である。
耐食性の処理槽lの底部には、ヒータ2が配置されてい
る。処理槽1の内部には、リン酸を純水によって希釈し
て得られる熱リン酸3がヒータ2によって常時沸騰状態
に加熱されている。
る。処理槽1の内部には、リン酸を純水によって希釈し
て得られる熱リン酸3がヒータ2によって常時沸騰状態
に加熱されている。
この場合、処理槽1には、当該処理槽lに貯留されてい
る熱リン酸3の温度を計測する温度センサ4と、当該処
理槽1の内部に開放端が挿入され、他端部か図示しない
純水供給源に接続された純水供給管7と、この純水供給
管7の途中に配置され、当該純水供給管7から処理槽l
の内部に注入される純水8の流量を制御する純水供給バ
ルブ6とが設けられている。
る熱リン酸3の温度を計測する温度センサ4と、当該処
理槽1の内部に開放端が挿入され、他端部か図示しない
純水供給源に接続された純水供給管7と、この純水供給
管7の途中に配置され、当該純水供給管7から処理槽l
の内部に注入される純水8の流量を制御する純水供給バ
ルブ6とが設けられている。
温度センサ4と、純水供給バルブ6との間には、バルブ
制御器5が介設されており、温度センサ4からの沸点上
昇検出信号4aに基づいて、純水供給バルブ6の開度を
制御するバルブ開閉指令信号5aを当該純水供給バルブ
6に与える動作を行う。
制御器5が介設されており、温度センサ4からの沸点上
昇検出信号4aに基づいて、純水供給バルブ6の開度を
制御するバルブ開閉指令信号5aを当該純水供給バルブ
6に与える動作を行う。
以下の本実施例の湿式エツチング装置の作用の一例につ
いて説明する。
いて説明する。
まず、処理槽1には、純水によって約88%の濃度(沸
点:約172°C)に希釈して得られる熱リン酸3が貯
留されており、ヒータ2によって常時沸騰状態に加熱さ
れている。
点:約172°C)に希釈して得られる熱リン酸3が貯
留されており、ヒータ2によって常時沸騰状態に加熱さ
れている。
そして、所定のパターンの図示しないホトレジストによ
ってマスクされた窒化珪素薄膜なとが表面に形成された
図示しない半導体基板を、この沸騰状態の熱リン酸3の
内部に所定の時間だけ浸漬し、当該窒化珪素ivMを選
択的に所望のパターンにエツチング除去する、エツチン
グ処理を行う。
ってマスクされた窒化珪素薄膜なとが表面に形成された
図示しない半導体基板を、この沸騰状態の熱リン酸3の
内部に所定の時間だけ浸漬し、当該窒化珪素ivMを選
択的に所望のパターンにエツチング除去する、エツチン
グ処理を行う。
ここで、熱リン酸3を希釈している純水は、上述のよう
なエツチング処理中などにおけるヒータ2による加熱に
よって蒸発し、この純水の蒸発によって熱リン酸3の沸
点は上昇しようとする。
なエツチング処理中などにおけるヒータ2による加熱に
よって蒸発し、この純水の蒸発によって熱リン酸3の沸
点は上昇しようとする。
この時、本実施例の場合には、この沸点の上昇が温度セ
ンサ4によって検出され、沸点上昇検出信号4aとして
バルブ制御器5に入力され、当該バルブ制纒器5は、純
水供給バルブ6に対してバルブ開閉指令信号5aを送出
し、純水供給管7から処理槽1の内部の熱リン酸3に所
定量の純水8を注入させ、当該熱リン酸3の濃度を引き
下げて、処理槽1の内部の熱リン酸3の沸点上昇(温度
変化)を打ち消すような制御動作を行う。
ンサ4によって検出され、沸点上昇検出信号4aとして
バルブ制御器5に入力され、当該バルブ制纒器5は、純
水供給バルブ6に対してバルブ開閉指令信号5aを送出
し、純水供給管7から処理槽1の内部の熱リン酸3に所
定量の純水8を注入させ、当該熱リン酸3の濃度を引き
下げて、処理槽1の内部の熱リン酸3の沸点上昇(温度
変化)を打ち消すような制御動作を行う。
これにより、処理槽1内の熱リン酸3からの純水の蒸発
や、当該熱リン酸3が図示しない半導体基板なとととも
に外部に持ち去られることなどに起因する、当該熱リン
酸3の濃度変化および沸点変動か確実に防止され、熱リ
ン酸3の湿度および温度が所定の設定値に安定に維持さ
れる。
や、当該熱リン酸3が図示しない半導体基板なとととも
に外部に持ち去られることなどに起因する、当該熱リン
酸3の濃度変化および沸点変動か確実に防止され、熱リ
ン酸3の湿度および温度が所定の設定値に安定に維持さ
れる。
この結果、熱リン酸3の濃度に依存する、図示しない半
導体基板表面の窒化珪素薄膜のエツチング速度や、沸点
に依存するエツチング選択比なとか一定に維持され、所
定のエツチング処理時間で、過不足のない良好なエツチ
ング結果を得ることができる。
導体基板表面の窒化珪素薄膜のエツチング速度や、沸点
に依存するエツチング選択比なとか一定に維持され、所
定のエツチング処理時間で、過不足のない良好なエツチ
ング結果を得ることができる。
すなわち、第2図に示されるように、熱リン酸3の濃度
の変動によって沸点は大きく変動し、また、第3図に示
されるように、熱リン酸3の濃度の変動によって窒化珪
素薄膜のエツチング速度は大きく変化する。
の変動によって沸点は大きく変動し、また、第3図に示
されるように、熱リン酸3の濃度の変動によって窒化珪
素薄膜のエツチング速度は大きく変化する。
このため、従来のように、処理槽1の開放端に配置され
た冷却蛇管によって蒸発した純水を回収したり、常時一
定量の純水を注入したり、さらには熱リン酸3の液面の
変動を検出するなとの比較的大まかな熱リン酸3の濃度
管理では、エツチング速度を決定する濃度や、エツチン
グ選択比に影響する沸点が大きく変動することは避けら
れない。
た冷却蛇管によって蒸発した純水を回収したり、常時一
定量の純水を注入したり、さらには熱リン酸3の液面の
変動を検出するなとの比較的大まかな熱リン酸3の濃度
管理では、エツチング速度を決定する濃度や、エツチン
グ選択比に影響する沸点が大きく変動することは避けら
れない。
これに対して、本実施例の湿式エツチング装置の場合に
は、熱リン酸3の沸点の変動を、高価な分析システムな
どを用いることなく、安価な温度センサ4によって監視
し、この沸点変動を、熱リン酸3に対する純水8の注入
量の制御する純水供給バルブ60閉度に帰還して、簡便
かつ正確に当該熱リン酸3の濃度および沸点を一定に制
御することが可能となる。
は、熱リン酸3の沸点の変動を、高価な分析システムな
どを用いることなく、安価な温度センサ4によって監視
し、この沸点変動を、熱リン酸3に対する純水8の注入
量の制御する純水供給バルブ60閉度に帰還して、簡便
かつ正確に当該熱リン酸3の濃度および沸点を一定に制
御することが可能となる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したか、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したか、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
本願において開示される発明のうち、代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりで
ある。
って得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりで
ある。
すなわち、本発明になる湿式エツチング装置によれば、
リン酸を純水によって希釈してなる処理液の沸点が、リ
ン酸の濃度に依存することを利用し、リン酸の濃度変化
を、比較的安価な温度計測手段によって計測される温度
変化として把握し、当該計測温度、すなわち処理液の沸
点か所望の値に一定となるように純水供給手段から処理
槽内への純水の注入量を制御することで、簡便かつ正確
にリン酸の濃度を所望の値に一定に維持することが可能
となる。
リン酸を純水によって希釈してなる処理液の沸点が、リ
ン酸の濃度に依存することを利用し、リン酸の濃度変化
を、比較的安価な温度計測手段によって計測される温度
変化として把握し、当該計測温度、すなわち処理液の沸
点か所望の値に一定となるように純水供給手段から処理
槽内への純水の注入量を制御することで、簡便かつ正確
にリン酸の濃度を所望の値に一定に維持することが可能
となる。
これにより、リン酸の濃度などに依存する処理液の被処
理物に対するエツチング速度を安定に維持することがで
きる。
理物に対するエツチング速度を安定に維持することがで
きる。
第1図は、本発明の一実施例である湿式エツチング装置
の構成の一例を模式的に示すブロック図、第2図は、そ
の作用の一例を示す線図、第3図は、同じく、その作用
の一例を示す線図である。 l・・・処理槽、2・・・ヒータ、3・・・熱リン酸、
4・・・温度センサ、4a・・・沸点上昇検出信号、5
・・・バルブ制御器、5a・・・バルブ開閉指令信号、
6・・・純水供給バルブ、7・・・純水供給管、8・・
・純水。 第1図 4a:沸点上昇検出@号 8二社2ム第3図 本発明によるエッチレート を 従来技術での1度変動
の構成の一例を模式的に示すブロック図、第2図は、そ
の作用の一例を示す線図、第3図は、同じく、その作用
の一例を示す線図である。 l・・・処理槽、2・・・ヒータ、3・・・熱リン酸、
4・・・温度センサ、4a・・・沸点上昇検出信号、5
・・・バルブ制御器、5a・・・バルブ開閉指令信号、
6・・・純水供給バルブ、7・・・純水供給管、8・・
・純水。 第1図 4a:沸点上昇検出@号 8二社2ム第3図 本発明によるエッチレート を 従来技術での1度変動
Claims (2)
- 1.リン酸を純水で所望の濃度に希釈した処理液が貯留
される処理槽と、この処理槽に貯留された前記処理液を
所望の温度に加熱する加熱手段と、前記処理液の温度を
計測する温度計測手段と、前記処理槽内に純水を注入す
る純水供給手段と、前記温度計測手段から得られる前記
処理液の測定温度に基づいて、前記純水供給手段から前
記処理槽内への前記純水の供給を制御する制御手段とを
備え、前記処理液のリン酸濃度を所望の値に一定に制御
することを特徴とする湿式エッチング装置。 - 2.沸騰状態の前記処理液に半導体基板を浸漬してエッ
チング処理を行うことを特徴とする請求項1記載の湿式
エッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31613190A JPH04188728A (ja) | 1990-11-22 | 1990-11-22 | 湿式エッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31613190A JPH04188728A (ja) | 1990-11-22 | 1990-11-22 | 湿式エッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04188728A true JPH04188728A (ja) | 1992-07-07 |
Family
ID=18073597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31613190A Pending JPH04188728A (ja) | 1990-11-22 | 1990-11-22 | 湿式エッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04188728A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1296132A1 (en) * | 2001-09-21 | 2003-03-26 | Infineon Technologies AG | Sensor cell for measuring the concentration of a component in a two component liquid mixture, apparatus and etching system |
| JP2009231527A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Nec Electronics Corp | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP2014099480A (ja) * | 2012-11-13 | 2014-05-29 | Fujifilm Corp | 半導体基板のエッチング方法及び半導体素子の製造方法 |
| JP2014157934A (ja) * | 2013-02-15 | 2014-08-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2015144221A (ja) * | 2014-01-31 | 2015-08-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
-
1990
- 1990-11-22 JP JP31613190A patent/JPH04188728A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1296132A1 (en) * | 2001-09-21 | 2003-03-26 | Infineon Technologies AG | Sensor cell for measuring the concentration of a component in a two component liquid mixture, apparatus and etching system |
| JP2009231527A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Nec Electronics Corp | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP2014099480A (ja) * | 2012-11-13 | 2014-05-29 | Fujifilm Corp | 半導体基板のエッチング方法及び半導体素子の製造方法 |
| JP2014157934A (ja) * | 2013-02-15 | 2014-08-28 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2015144221A (ja) * | 2014-01-31 | 2015-08-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8153017B2 (en) | Substrate treating method | |
| JP6352385B2 (ja) | 加熱されたエッチング溶液を供する処理システム及び方法 | |
| KR102356420B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| US20180247841A1 (en) | Substrate liquid processing apparatus | |
| US6261845B1 (en) | Methods and systems for determining chemical concentrations and controlling the processing of semiconductor substrates | |
| KR102450184B1 (ko) | 기판 액처리 장치 | |
| US7637029B2 (en) | Vapor drying method, apparatus and recording medium for use in the method | |
| KR940002917B1 (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| JP2004221540A (ja) | 基板処理装置 | |
| US11869780B2 (en) | Substrate liquid processing apparatus | |
| US20020104552A1 (en) | Systems and methods for forming processing streams | |
| JP2018142695A (ja) | 基板液処理装置 | |
| JP3883150B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH11154665A (ja) | 基板の表面処理方法 | |
| JP7304692B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JPH11145107A (ja) | 基板の表面処理方法 | |
| US6996479B2 (en) | Method and apparatus for measuring and controlling the water content of a water-containing liquid mixture | |
| JPH0799175A (ja) | 処理液の供給方法及び供給装置 | |
| JP2008078501A (ja) | 半導体基板の乾燥装置及び乾燥方法 | |
| JP3537302B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR102845349B1 (ko) | 기판 처리용 유동중 약액 혼합 공급 시스템 | |
| KR0137937Y1 (ko) | 반도체 웨이퍼 식각장치 | |
| KR0133943Y1 (ko) | 세정력 향상을 위한 질소공급장치 | |
| JP3492901B2 (ja) | 基板の表面処理方法および表面処理装置 | |
| JP3710676B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 |