JPH04188894A - 電気的・磁気的シールド容器 - Google Patents
電気的・磁気的シールド容器Info
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- JPH04188894A JPH04188894A JP2318729A JP31872990A JPH04188894A JP H04188894 A JPH04188894 A JP H04188894A JP 2318729 A JP2318729 A JP 2318729A JP 31872990 A JP31872990 A JP 31872990A JP H04188894 A JPH04188894 A JP H04188894A
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- JP
- Japan
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- container
- case
- oxide superconductor
- shielding
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は超伝導素子動作時の、電気的・磁気的シールド
容器、およびその製造方法に関するものである。
容器、およびその製造方法に関するものである。
［従来の技術］
ジョセフソン素子に代表される超伝導素子は、電磁気、
磁気に非常に敏感であり、それらに対する高感度な検出
器として利用できる。その一方で、電気的・磁気的な環
境ノイズ中で使用する場合、電気的・磁気的シールドが
不可欠であった。
磁気に非常に敏感であり、それらに対する高感度な検出
器として利用できる。その一方で、電気的・磁気的な環
境ノイズ中で使用する場合、電気的・磁気的シールドが
不可欠であった。
従来から超伝導素子を検出器として利用する場合、高価
で巨大な電磁シールドルームや、磁気シールドルーム、
または磁気的シールド効果を考慮した複雑な素子形状の
工夫が必要であった。また、簡便な磁気シールドの方法
では、超伝導の円筒状またはそれに類するシールド容器
が用いられていた。
で巨大な電磁シールドルームや、磁気シールドルーム、
または磁気的シールド効果を考慮した複雑な素子形状の
工夫が必要であった。また、簡便な磁気シールドの方法
では、超伝導の円筒状またはそれに類するシールド容器
が用いられていた。
［発明が解決しようする課題］
超伝導現象は、巨視的には完全反磁性を示す現象である
にもかかわらず、微視的には１磁束単位での侵入がおこ
り、さらに侵入した磁束は熱的に運動する。簡便な超伝
導磁気シールド容器に磁束が侵入した場合、この熱的ゆ
らぎが超伝導素子の特性に影響し、ノイズとなる。さら
に液体窒素温度で動作させる場合、酸化物超伝導体を用
いることが考えられるが、この酸化物超伝導体は粒界を
多く含み磁束が侵入し易く、また熱的なゆらぎも太きい
ため、シールド効果が低かった。そこで、簡便な方法で
あり、しかも、液体窒素温度でもノイズ遮閉効果の高い
シールド容器を得ることが課題であった。
にもかかわらず、微視的には１磁束単位での侵入がおこ
り、さらに侵入した磁束は熱的に運動する。簡便な超伝
導磁気シールド容器に磁束が侵入した場合、この熱的ゆ
らぎが超伝導素子の特性に影響し、ノイズとなる。さら
に液体窒素温度で動作させる場合、酸化物超伝導体を用
いることが考えられるが、この酸化物超伝導体は粒界を
多く含み磁束が侵入し易く、また熱的なゆらぎも太きい
ため、シールド効果が低かった。そこで、簡便な方法で
あり、しかも、液体窒素温度でもノイズ遮閉効果の高い
シールド容器を得ることが課題であった。
本発明は、前記従来技術を解決するため、酸化物超伝導
体周囲の電磁的、磁気的ノイズを低減し、酸化物超伝導
体に侵入する磁束を減少させることができるシールド容
器を得ることを目的とする。
体周囲の電磁的、磁気的ノイズを低減し、酸化物超伝導
体に侵入する磁束を減少させることができるシールド容
器を得ることを目的とする。
［課題を解決するための手段］
前記目的を達成するため、本発明の電気的パ磁気的シー
ルド容器は、少なくともひとつの開口部を有する中空の
形状より成るシールド容器において、前記シールド容器
の材料に高透磁率を有するＮｉ１または少なくともＮｉ
を含む合金を用い、前記シールド容器内面に酸化物超伝
導体を被覆し、さらに前記シールド容器外面を、高導伝
率を有する薄膜の積層膜で被覆したことを特徴とする。
ルド容器は、少なくともひとつの開口部を有する中空の
形状より成るシールド容器において、前記シールド容器
の材料に高透磁率を有するＮｉ１または少なくともＮｉ
を含む合金を用い、前記シールド容器内面に酸化物超伝
導体を被覆し、さらに前記シールド容器外面を、高導伝
率を有する薄膜の積層膜で被覆したことを特徴とする。
前記本発明の構成においては、シールド容器と酸化物超
伝導体の間にＰｔの緩衝層を用いることが好ましい。
伝導体の間にＰｔの緩衝層を用いることが好ましい。
また本発明の前記構成においては、高導伝率を有する薄
膜を絶縁膜との多層構造とすることが好ましい。
膜を絶縁膜との多層構造とすることが好ましい。
また本発明の前記構成においては、高導伝率を有する薄
膜として、Ａ１またはＣｕを用いるか、またはＡｌかＣ
ｕのうち、少なくともどちらか一方を含む合金を用いる
ことが好ましい。
膜として、Ａ１またはＣｕを用いるか、またはＡｌかＣ
ｕのうち、少なくともどちらか一方を含む合金を用いる
ことが好ましい。
［作用］
前記本発明の構成によれば、シールド容器の材料に高透
磁率を有するＮｉ１または少なくともＮｉを含む合金を
用い、前記シールド容器内面に酸化物超伝導体を被覆し
、さらに前記シールド容器外面を、高導伝率を有する薄
膜の積層膜で被覆したので、酸化物超伝導体に侵入する
磁束が減少し、磁気ノイズ遮閉効果が向上させることが
できる。
磁率を有するＮｉ１または少なくともＮｉを含む合金を
用い、前記シールド容器内面に酸化物超伝導体を被覆し
、さらに前記シールド容器外面を、高導伝率を有する薄
膜の積層膜で被覆したので、酸化物超伝導体に侵入する
磁束が減少し、磁気ノイズ遮閉効果が向上させることが
できる。
さらに、高周波電磁ノイズ低減のための高導伝率の膜を
併用することにより、電磁シールドルーム及び磁気シー
ルドルームを用いずとも、シールド容器内での電気的・
磁気的ノイズが同程度以上低減可能にすることができる
。
併用することにより、電磁シールドルーム及び磁気シー
ルドルームを用いずとも、シールド容器内での電気的・
磁気的ノイズが同程度以上低減可能にすることができる
。
また、シールド容器と酸化物超伝導体の間に、白金ｃＰ
ｔ＞緩衝層を設けるという本発明の好ましい構成によれ
ば、酸化物超伝導体においては酸素の還元がなく、また
高透磁率を有する膜においては酸化することがなく、各
々超伝導特性の劣化、高透磁率の低下を有効に防ぐこと
ができる。
ｔ＞緩衝層を設けるという本発明の好ましい構成によれ
ば、酸化物超伝導体においては酸素の還元がなく、また
高透磁率を有する膜においては酸化することがなく、各
々超伝導特性の劣化、高透磁率の低下を有効に防ぐこと
ができる。
また、高導伝率を有する薄膜を絶縁膜との多層構造にす
るという本発明の好ましい構成によれば、高周波電磁ノ
イズをより効率よく低減できる。
るという本発明の好ましい構成によれば、高周波電磁ノ
イズをより効率よく低減できる。
また、高透磁率を有する薄膜が、Ｎｉまたは少なくとも
Ｎｉを含む合金であり、高導伝率を有する薄膜が、Ａ
Ｉ ＸＣｕ ｚまたはＡｌかＣｕのうち、少なくとも一
方を含む合金であるという本発明の構成によれば、電気
的シールド効果の高い容器とすることができる。
Ｎｉを含む合金であり、高導伝率を有する薄膜が、Ａ
Ｉ ＸＣｕ ｚまたはＡｌかＣｕのうち、少なくとも一
方を含む合金であるという本発明の構成によれば、電気
的シールド効果の高い容器とすることができる。
［実施例コ
発明者らは、シールド容器としてＮｉを含む高透磁率を
有する材料を用い、その内面に酸化物超伝導体を被覆す
ると、酸化物超伝導体周囲の磁場が低減し、さらにその
状態で冷却し酸化物超伝導体を超伝導遷移させると、酸
化物超伝導体に侵入する磁束が減少し、磁気ノイズ遮閉
効果が向上することを見いだした。さらに、高周波電磁
ノイズ低減のための高導伝率の膜を併用することにより
、電磁シールドルーム及び磁気シールドルームを用いず
とも、シールド容器内での電気的・磁気的ノイズが同程
度以上低減可能なことを見いだした。
有する材料を用い、その内面に酸化物超伝導体を被覆す
ると、酸化物超伝導体周囲の磁場が低減し、さらにその
状態で冷却し酸化物超伝導体を超伝導遷移させると、酸
化物超伝導体に侵入する磁束が減少し、磁気ノイズ遮閉
効果が向上することを見いだした。さらに、高周波電磁
ノイズ低減のための高導伝率の膜を併用することにより
、電磁シールドルーム及び磁気シールドルームを用いず
とも、シールド容器内での電気的・磁気的ノイズが同程
度以上低減可能なことを見いだした。
本発明のシールド容器は、液体窒素温度でも効果を示し
、さらに酸化物超伝導体のみのシールド容器より効果が
顕著である。
、さらに酸化物超伝導体のみのシールド容器より効果が
顕著である。
電気的・磁気的シールドとなるシールド容器にＮｉ１ま
たは少なくともＮｉを含む合金などの高透磁率を有する
材料を用いると、高透磁率材料の堆積を容易に大きくで
きるため（シールド容器壁の厚みを大きくてきるため）
、その内部の磁場の大きさを効果的に減衰できる。また
このことは、シールド容器内面を被覆した酸化物超伝導
体への磁束の侵入を減少するため磁気的シールド容器と
して好ましい。さらにシールド容器の外側を高導伝率を
有する薄膜で被覆したばあい、電気的シールド効果が高
まり好ましい。
たは少なくともＮｉを含む合金などの高透磁率を有する
材料を用いると、高透磁率材料の堆積を容易に大きくで
きるため（シールド容器壁の厚みを大きくてきるため）
、その内部の磁場の大きさを効果的に減衰できる。また
このことは、シールド容器内面を被覆した酸化物超伝導
体への磁束の侵入を減少するため磁気的シールド容器と
して好ましい。さらにシールド容器の外側を高導伝率を
有する薄膜で被覆したばあい、電気的シールド効果が高
まり好ましい。
また、酸化物超伝導体とシールド容器との間にＰｔより
なる緩衝層を入れると、酸化物超伝導体においては酸素
の還元がなく、また高透磁率を有する材料よりなるシー
ルド容器においては酸化することがなく、各々超伝導特
性の劣化、高透磁率の低下がなく好ましい。
なる緩衝層を入れると、酸化物超伝導体においては酸素
の還元がなく、また高透磁率を有する材料よりなるシー
ルド容器においては酸化することがなく、各々超伝導特
性の劣化、高透磁率の低下がなく好ましい。
一方、高導伝率を有する薄膜を絶縁膜との多層構造とす
ると、電気的シールド効果が向上し好ましい。
ると、電気的シールド効果が向上し好ましい。
また、ＡｌまたはＣｕ、またはＡ１かＣｕのうち、少な
くともどちらか一方を含む合金は、電気的シールド効果
が高く、高導伝率を有する材料として好ましい。
くともどちらか一方を含む合金は、電気的シールド効果
が高く、高導伝率を有する材料として好ましい。
以下に具体的実施例を挙げて、本発明をより詳細に説明
する。
する。
（具体的実施例）
第１図は本発明の一実施例のシールド容器の概略斜視図
、第２図は第１図の容器の概略断面図である。第１〜２
図において、１は酸化物超伝導体、２はシールド容器基
材、３は高導伝率膜、４は絶縁膜、５はシールド容器、
６は緩衝層である。
、第２図は第１図の容器の概略断面図である。第１〜２
図において、１は酸化物超伝導体、２はシールド容器基
材、３は高導伝率膜、４は絶縁膜、５はシールド容器、
６は緩衝層である。
シールド容器２としてはＮｉ合金であるミューメタル製
のものを用い、内面にスパッタリングで緩衝層６として
のＰｔを１０μｍ１酸化物超伝導体１としてＹ系超伝導
薄膜を３μｍ連続して堆積させた。この際シールド容器
を回転させた。つぎに電子ビーム蒸着により、Ｓ ｉＯ
２よりなる絶縁膜４と、高導伝導率膜３としてのＣｕを
、交互に各５層ずつ成膜し電気的シールド層とした。ミ
ューメタル製シールド容器２の肉厚は１．０ｍｍ。
のものを用い、内面にスパッタリングで緩衝層６として
のＰｔを１０μｍ１酸化物超伝導体１としてＹ系超伝導
薄膜を３μｍ連続して堆積させた。この際シールド容器
を回転させた。つぎに電子ビーム蒸着により、Ｓ ｉＯ
２よりなる絶縁膜４と、高導伝導率膜３としてのＣｕを
、交互に各５層ずつ成膜し電気的シールド層とした。ミ
ューメタル製シールド容器２の肉厚は１．０ｍｍ。
絶縁膜４と高導伝率膜３の膜厚は各々３００ ｎｍであ
る。この際にもシールド容器を回転させている。
る。この際にもシールド容器を回転させている。
このシールド容器全体を液体窒素に浸し、超伝導体を超
伝導状態にした場合、シールド容器内部の磁場の大きさ
をほぼＯにすることかできた。また、磁気的ノイズの値
を、他の方法で作製した超伝導体のみのシールド容器と
比較したところ、より効果的なシールド効果を確認した
。
伝導状態にした場合、シールド容器内部の磁場の大きさ
をほぼＯにすることかできた。また、磁気的ノイズの値
を、他の方法で作製した超伝導体のみのシールド容器と
比較したところ、より効果的なシールド効果を確認した
。
また、高導伝率膜３の材料としてＡｌ薄膜を用いても同
様な効果が得られることを確認した。
様な効果が得られることを確認した。
なお、本実施例の説明では、酸化物超伝導体１にはＹ系
を用いたが、Ｔｌ系、Ｂｉ系、またはＰｂ系でもよいこ
と確認した。
を用いたが、Ｔｌ系、Ｂｉ系、またはＰｂ系でもよいこ
と確認した。
［発明の効果］
以上説明したように、Ｎｉを含む高透磁率を有する材料
をシールド容器に用い、その内面に酸化物超伝導体を被
覆させた磁気シールド容器では、酸化物超伝導体周囲の
磁場が低減し、その状態で冷却し酸化物超伝導体を超伝
導遷移させた場合に、酸化物超伝導体に侵入する磁束が
減少し、シールド容器内部の磁気ノイズが低下する効果
がある。
をシールド容器に用い、その内面に酸化物超伝導体を被
覆させた磁気シールド容器では、酸化物超伝導体周囲の
磁場が低減し、その状態で冷却し酸化物超伝導体を超伝
導遷移させた場合に、酸化物超伝導体に侵入する磁束が
減少し、シールド容器内部の磁気ノイズが低下する効果
がある。
さらに、高周波電磁ノイズ低減のための高導伝率の膜を
シールド容器の外側に成膜、併用することにより、電磁
シールドルーム及び磁気シールドルームを用いずとも、
シールド容器内での電気的・磁気的ノイズが同程度以上
低くなる効果がある。
シールド容器の外側に成膜、併用することにより、電磁
シールドルーム及び磁気シールドルームを用いずとも、
シールド容器内での電気的・磁気的ノイズが同程度以上
低くなる効果がある。
第１図は本発明の一実施例のシールド容器の概略斜視図
、第２図は第１図の容器の概略断面図である。 １・・・酸化物超伝導体、２・・・シールド容器基材、
３・・・高導伝率膜、４・・・絶縁膜、５・・・シール
ド容器、６・・・緩衝層。
、第２図は第１図の容器の概略断面図である。 １・・・酸化物超伝導体、２・・・シールド容器基材、
３・・・高導伝率膜、４・・・絶縁膜、５・・・シール
ド容器、６・・・緩衝層。
Claims (4)
- （１）少なくともひとつの開口部を有する中空の形状よ
り成るシールド容器において、前記シールド容器の材料
に高透磁率を有するＮｉ、または少なくともＮｉを含む
合金を用い、前記シールド容器内面に酸化物超伝導体を
被覆し、さらに前記シールド容器外面を、高導伝率を有
する薄膜の積層膜で被覆したことを特徴とする電気的・
磁気的シールド容器。 - （２）シールド容器と酸化物超伝導体の間にＰｔの緩衝
層を用いる請求項１記載の電気的・磁気的シールド容器
。 - （３）高導伝率を有する薄膜を絶縁膜との多層構造とし
た請求項１または２記載の電気的・磁気的シールド容器
。 - （４）高導伝率を有する薄膜として、ＡｌまたはＣｕを
用いるか、またはＡｌかＣｕのうち、少なくともどちら
か一方を含む合金を用いる請求項１、２、３または４の
電気的・磁気的シールド容器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2318729A JPH04188894A (ja) | 1990-11-22 | 1990-11-22 | 電気的・磁気的シールド容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2318729A JPH04188894A (ja) | 1990-11-22 | 1990-11-22 | 電気的・磁気的シールド容器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04188894A true JPH04188894A (ja) | 1992-07-07 |
Family
ID=18102303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2318729A Pending JPH04188894A (ja) | 1990-11-22 | 1990-11-22 | 電気的・磁気的シールド容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04188894A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010011285A (ko) * | 1999-07-27 | 2001-02-15 | 윤장진 | 플렉시블 실드 케이스 |
| KR20040019689A (ko) * | 2002-08-29 | 2004-03-06 | 주식회사 모우라인 | 유연성을 갖는 전자기장 차폐소재의 제조방법 |
-
1990
- 1990-11-22 JP JP2318729A patent/JPH04188894A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010011285A (ko) * | 1999-07-27 | 2001-02-15 | 윤장진 | 플렉시블 실드 케이스 |
| KR20040019689A (ko) * | 2002-08-29 | 2004-03-06 | 주식회사 모우라인 | 유연성을 갖는 전자기장 차폐소재의 제조방법 |
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