JPH04188904A - 共平面アンテナ - Google Patents
共平面アンテナInfo
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- JPH04188904A JPH04188904A JP31991790A JP31991790A JPH04188904A JP H04188904 A JPH04188904 A JP H04188904A JP 31991790 A JP31991790 A JP 31991790A JP 31991790 A JP31991790 A JP 31991790A JP H04188904 A JPH04188904 A JP H04188904A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、周波数変換、または増幅作用を持つトランジ
スタを通して給電を行う共平面アンテナに関する。
スタを通して給電を行う共平面アンテナに関する。
［従来の技術］
第５図は、周波数変換または増幅作用を持つトランジス
タを給電点に直接接続した従来の共平面アンテナの構成
例を示している。誘電体基板５の上表面−面にスロット
線路１とその両端部でスロット線路１の第一金属導体６
と第二金属導体７とを交流的に短絡するチノプキャバノ
タ２．３よりアンテナの放射器か形成されている。点線
にて図示するように、誘電体基板５の裏面５ａに配置さ
れタハノケーノ封入型トランノスク４の端子８．９は、
各々誘電体基板５を貫通して形成された２つのスルーホ
ール（不図示）に挿通され、スロット線路ｌの第一金属
導体６に端子８が接続され、第二金属導体７に端子９が
接続される。一方、トランジスタ４の端子ｌＯは、上記
裏面５ａに形成される給電用マイクロストリップライン
Ｉ＋に接続されている。パッケージ封入型トランジスタ
４が誘電体基板５の裏面に配置されるのは、トランジス
タ４の封入パッケージの物理的形状がアンテナの電磁界
特性に影響を与えるのを抑え、また給電用マイクロスト
リップライン１１との接続を容易にするためである。
タを給電点に直接接続した従来の共平面アンテナの構成
例を示している。誘電体基板５の上表面−面にスロット
線路１とその両端部でスロット線路１の第一金属導体６
と第二金属導体７とを交流的に短絡するチノプキャバノ
タ２．３よりアンテナの放射器か形成されている。点線
にて図示するように、誘電体基板５の裏面５ａに配置さ
れタハノケーノ封入型トランノスク４の端子８．９は、
各々誘電体基板５を貫通して形成された２つのスルーホ
ール（不図示）に挿通され、スロット線路ｌの第一金属
導体６に端子８が接続され、第二金属導体７に端子９が
接続される。一方、トランジスタ４の端子ｌＯは、上記
裏面５ａに形成される給電用マイクロストリップライン
Ｉ＋に接続されている。パッケージ封入型トランジスタ
４が誘電体基板５の裏面に配置されるのは、トランジス
タ４の封入パッケージの物理的形状がアンテナの電磁界
特性に影響を与えるのを抑え、また給電用マイクロスト
リップライン１１との接続を容易にするためである。
第５図において、パッケージ封入型トランジスタ４を線
形領域で動作させた場合には、入出力信号の増幅作用を
、また、バソケーノ封入型トラノノスタ４を非線形領域
で動作さけ、かつ、バフケーン封入型トランジスタ４の
端子ＩＯにローカル信号を加えた場合には、信号の周波
数変換作用を当該トランジスタ４で得る。例えば、パッ
ケージ封入型ｌ・ラノノスク４を電界効果型トランジス
タ（以下ＦＥＴとする）にて構成した場合、端子８、端
子９、端子１０をＦＥＴ４°のノース、ゲート、ドレイ
ン端子とすれば、アンテナの放射器で受信したＲＦ倍信
号ＦＥＴ４°のソース８゛−ゲート９゛端子間に印加さ
れる。この時、ＦＥＴ４“のドレイン１０°−ソース８
°間電圧を非線形領域にバイアスし、ローカル信号を給
電用マイクロストリップライン１１を介してＦＥＴ４”
のドレイン端子ｌＯ°に印加することで、ＲＦ倍信号周
波数変換したＩＦ倍信号ドレイン端子１０°にて得られ
、得られたＩＦ倍信号給電用マイクロストリップライン
１１を介して取り出すことかできる。
形領域で動作させた場合には、入出力信号の増幅作用を
、また、バソケーノ封入型トラノノスタ４を非線形領域
で動作さけ、かつ、バフケーン封入型トランジスタ４の
端子ＩＯにローカル信号を加えた場合には、信号の周波
数変換作用を当該トランジスタ４で得る。例えば、パッ
ケージ封入型ｌ・ラノノスク４を電界効果型トランジス
タ（以下ＦＥＴとする）にて構成した場合、端子８、端
子９、端子１０をＦＥＴ４°のノース、ゲート、ドレイ
ン端子とすれば、アンテナの放射器で受信したＲＦ倍信
号ＦＥＴ４°のソース８゛−ゲート９゛端子間に印加さ
れる。この時、ＦＥＴ４“のドレイン１０°−ソース８
°間電圧を非線形領域にバイアスし、ローカル信号を給
電用マイクロストリップライン１１を介してＦＥＴ４”
のドレイン端子ｌＯ°に印加することで、ＲＦ倍信号周
波数変換したＩＦ倍信号ドレイン端子１０°にて得られ
、得られたＩＦ倍信号給電用マイクロストリップライン
１１を介して取り出すことかできる。
［発明が解決しようとする課題：
マイクロ波ノステムの小型化には、一般に、小型、軽量
なモノリノソクマイクロ波集積回路の適用か考えられる
。この千７ノリノツクマイクロ波集積回路（以下Ｍ〜Ｉ
ＩＣとするりと上述の共平面アンテナを同製作プロセス
て一体的に斤三成オることは、これを用Ｌ１ｆ二／ス÷
ムの小型化に大きく貢献する。
なモノリノソクマイクロ波集積回路の適用か考えられる
。この千７ノリノツクマイクロ波集積回路（以下Ｍ〜Ｉ
ＩＣとするりと上述の共平面アンテナを同製作プロセス
て一体的に斤三成オることは、これを用Ｌ１ｆ二／ス÷
ムの小型化に大きく貢献する。
しかし戸から、上述の構成をモノリノック集積回路製作
技術を用い、半導体基板に形成する場合、半導体基板の
両面に回路パターンを製作する必要かあり、回路製作プ
ロセスおよび回路実装が複雑化するという問題点かある
。才た、当該トランジスタをアンテナ放射器と同一の半
導体基板面上に構成すれば、回路製作プロセスは容易に
なるが、アンテナ放射器内にトランジスタを配置するこ
ととなり、トランジスタの電極金属導体および給電線路
が当該共平面アンテナの電磁界特性に影響を与えるとし
１つだ問題が起きる。特に、波長が短いミリ波領域では
この影響は顕著に現れる。
技術を用い、半導体基板に形成する場合、半導体基板の
両面に回路パターンを製作する必要かあり、回路製作プ
ロセスおよび回路実装が複雑化するという問題点かある
。才た、当該トランジスタをアンテナ放射器と同一の半
導体基板面上に構成すれば、回路製作プロセスは容易に
なるが、アンテナ放射器内にトランジスタを配置するこ
ととなり、トランジスタの電極金属導体および給電線路
が当該共平面アンテナの電磁界特性に影響を与えるとし
１つだ問題が起きる。特に、波長が短いミリ波領域では
この影響は顕著に現れる。
本発明はこのような問題点を解決するためになされたも
ので、トランジスタの電極金属導体および給電線路が当
該共平面アンテナの電磁界特性に及ぼす影響を最小限に
抑え、かつ製作か容易な共平面アンテナを提供すること
を目的とする。
ので、トランジスタの電極金属導体および給電線路が当
該共平面アンテナの電磁界特性に及ぼす影響を最小限に
抑え、かつ製作か容易な共平面アンテナを提供すること
を目的とする。
［課題を解決する１こめの手段−
本発明は、半導体基板上に形成され両端を交流的に短絡
まｆ二は開放し１こ共平面線路と、上記半導体基板上に
形成された給電用共平面線路と、 上記共平面線路および上記給電用共平面線路の一部を電
極金属導体パターンとしたトランジスタと、を備えたこ
とを特徴とする。
まｆ二は開放し１こ共平面線路と、上記半導体基板上に
形成された給電用共平面線路と、 上記共平面線路および上記給電用共平面線路の一部を電
極金属導体パターンとしたトランジスタと、を備えたこ
とを特徴とする。
［作用］
半導体基板上に形成されたトランジスタの電極パターン
を同半導体基板上に形成された共平面アンテナの放射器
である共平面線路および給電用共平面線路の構成部分と
して用いることは、当該トランジスタの形状が当該共平
面アンテナの電磁界特性に与える影響を最小限に抑え、
さらに同半導体基板上の給電用共平面線路との接続を容
易にするように作用する。この半導体基板単一面上構成
は、当該共平面アンテナとＭＭＩＣが同一のモノリフツ
ク老導体集積回路製作プロセスで容易に一体形成可能と
なるように作用し、マイクロ波ノステム、特にアブブチ
イブアレーアンチナノステムなとの小型、軽晰化を実現
する。
を同半導体基板上に形成された共平面アンテナの放射器
である共平面線路および給電用共平面線路の構成部分と
して用いることは、当該トランジスタの形状が当該共平
面アンテナの電磁界特性に与える影響を最小限に抑え、
さらに同半導体基板上の給電用共平面線路との接続を容
易にするように作用する。この半導体基板単一面上構成
は、当該共平面アンテナとＭＭＩＣが同一のモノリフツ
ク老導体集積回路製作プロセスで容易に一体形成可能と
なるように作用し、マイクロ波ノステム、特にアブブチ
イブアレーアンチナノステムなとの小型、軽晰化を実現
する。
二実施例］
筈」の実施例
本発明の共平面アンテナの一実施例であり第１図に示す
共平面アンテナは、用いるトランジスタの信号単一方向
性により受信のみを行う。
共平面アンテナは、用いるトランジスタの信号単一方向
性により受信のみを行う。
第１図において、厚さｈ１誘電率εｒの半導体基板１５
の上表面には、金属導体１８及びＩ９が適宜な隙間をあ
けて形成され、この隙間にてスロット線路ｌを形成して
いる。
の上表面には、金属導体１８及びＩ９が適宜な隙間をあ
けて形成され、この隙間にてスロット線路ｌを形成して
いる。
スロット線路ｌの延在方向の中央部にて、金属導体１８
の側面＋８ａの一部を金属導体１９方向へ凸形状に突出
させ、この凸形状部分にてＦＥＴのソース電極１２を形
成する。金属導体１９は、上記ソース電極１２に対面す
る部分にて所定幅の隙間により二つに分割されている。
の側面＋８ａの一部を金属導体１９方向へ凸形状に突出
させ、この凸形状部分にてＦＥＴのソース電極１２を形
成する。金属導体１９は、上記ソース電極１２に対面す
る部分にて所定幅の隙間により二つに分割されている。
ＦＥＴのゲート電極１３は、その両端か二分割された金
属導体１９の、ソース電極Ｉ２に対面する隙間開口部端
に各々接続され、上記金属導体１９の隙間部分において
も、対面するソース電極１２との間でスロット線路Ｉの
構成部分となるよう、配置されている。
属導体１９の、ソース電極Ｉ２に対面する隙間開口部端
に各々接続され、上記金属導体１９の隙間部分において
も、対面するソース電極１２との間でスロット線路Ｉの
構成部分となるよう、配置されている。
又、金属導体Ｉ９を二分割している上記隙間の中央部分
には、左右の金属導体Ｉ９に接触しない状態で半導体基
板Ｉ５上にＦＥＴのトレイン電極１４が形成され、これ
ら金属導体１９及びトレイン電極１４にてコプレーナ線
路１６を形成している。
には、左右の金属導体Ｉ９に接触しない状態で半導体基
板Ｉ５上にＦＥＴのトレイン電極１４が形成され、これ
ら金属導体１９及びトレイン電極１４にてコプレーナ線
路１６を形成している。
二分割されたそれぞれの金属導体１９のスロット線路１
の両端部分に対応する箇所には、金属導体１９の上表面
に適宜な幅の絶縁体２０が形成され、この絶縁体２０の
上表面には金属導体１８が、図示するように、スロット
線路Ｉを超えて延在形成され、金属導体１８−絶縁体２
〇−金属導体Ｉ９構造キャパシタ（以下ＭＩＭキャパシ
タという）を構成する。このＭｒＭキャパノタは、上記
ＦＥＴのＤＣバイアスを分離、交流的に短絡する。
の両端部分に対応する箇所には、金属導体１９の上表面
に適宜な幅の絶縁体２０が形成され、この絶縁体２０の
上表面には金属導体１８が、図示するように、スロット
線路Ｉを超えて延在形成され、金属導体１８−絶縁体２
〇−金属導体Ｉ９構造キャパシタ（以下ＭＩＭキャパシ
タという）を構成する。このＭｒＭキャパノタは、上記
ＦＥＴのＤＣバイアスを分離、交流的に短絡する。
又、スロット線路ｌの長さＬｓは、受信周波数における
管内波長λｇの半波長で与えられる。
管内波長λｇの半波長で与えられる。
このように上記ＦＥＴのソース電極金属導体Ｉ２、ゲー
ト電極金属導体１３構造をそのままスロット線路ｌの構
成部分として用い、給電点においてもスロット線路構造
を維持することて、ＰＥＴの物理的形状が共平面アンテ
ナの特性に与える影響を抑えることができる。
ト電極金属導体１３構造をそのままスロット線路ｌの構
成部分として用い、給電点においてもスロット線路構造
を維持することて、ＰＥＴの物理的形状が共平面アンテ
ナの特性に与える影響を抑えることができる。
さらに、上記ＰＥＴのドレイン電極金属導体１４は、半
導体基板１５の表面上に形成されたコプレーナ線路１６
の中心部に配置された中心導体であり、ゲート電極金属
導体１３は、コプレーナ線路１６の外側接地導体に直接
接続されており、容易に当該共平面アンテナの出力信号
を取り出すことを可能にしている。
導体基板１５の表面上に形成されたコプレーナ線路１６
の中心部に配置された中心導体であり、ゲート電極金属
導体１３は、コプレーナ線路１６の外側接地導体に直接
接続されており、容易に当該共平面アンテナの出力信号
を取り出すことを可能にしている。
このように構成される共平面アンテナの動作を説明する
と、上記ＦＥＴを線形領域にバイアスすれば、ＦＥＴの
増幅作用により、ゲート、ソース電極間の受信信号の増
幅信号をドレイン電極１４よりコプレーナ線路１６を介
して取り出すことができる。
と、上記ＦＥＴを線形領域にバイアスすれば、ＦＥＴの
増幅作用により、ゲート、ソース電極間の受信信号の増
幅信号をドレイン電極１４よりコプレーナ線路１６を介
して取り出すことができる。
又、ＦＥＴを非線形領域（非飽和領域）にバイアスし、
コプレーナ線路１６を介してトレイン電極１４にローカ
ル信号を印加することで、当該ＦＥＴて受信信号の周波
数変換を行い、その出力信号をドレイン電極１４よりコ
プレーナ線路１６を介して取り出すことができる。この
ように本共平面アンテナは、ＦＥＴの単一方向性により
、出力端子側からアンテナ放射器側への信号の漏洩抑圧
にも優れ、不要ふく射も妨げる利点もある。
コプレーナ線路１６を介してトレイン電極１４にローカ
ル信号を印加することで、当該ＦＥＴて受信信号の周波
数変換を行い、その出力信号をドレイン電極１４よりコ
プレーナ線路１６を介して取り出すことができる。この
ように本共平面アンテナは、ＦＥＴの単一方向性により
、出力端子側からアンテナ放射器側への信号の漏洩抑圧
にも優れ、不要ふく射も妨げる利点もある。
第２図に第１図の等価回路図を示す。コプレーナ線路１
６がＦＥＴのドレイン電極金属導体１４、ゲート電極金
属導体１３に接続され、ＦＥＴのソース電極金属導体１
２、ゲート電極金属導体１３は、各々スロット線路１を
構成する金属導体１８．１９に接続される。スロット線
路ｌの両端部分でＭＩＭキャバンタ１７により金属導体
１８．１９は交流的に短絡されている。
６がＦＥＴのドレイン電極金属導体１４、ゲート電極金
属導体１３に接続され、ＦＥＴのソース電極金属導体１
２、ゲート電極金属導体１３は、各々スロット線路１を
構成する金属導体１８．１９に接続される。スロット線
路ｌの両端部分でＭＩＭキャバンタ１７により金属導体
１８．１９は交流的に短絡されている。
第２の実施例
本発明の第２の実施例であり第３図に示す共平面アンテ
ナは、用いるトランジスタの信号単一方同性により送信
のみを行う。第３図において、第１図に示す構成部分と
同じ構成部分については同じ符号を付し、その説明を省
略する。２１．２２．２３は、各々ＦＥＴのトレイン、
ゲート、ソース電極金属導体であり、その形状及び構成
は第１の実施例にて説明したものと同様であるが、金属
導体１８に形成される突出部はドレイン電極金属導体２
Ｉとなり、コプレーナ線路１６に形成される金属導体が
ソース電極金属導体２３となる。
ナは、用いるトランジスタの信号単一方同性により送信
のみを行う。第３図において、第１図に示す構成部分と
同じ構成部分については同じ符号を付し、その説明を省
略する。２１．２２．２３は、各々ＦＥＴのトレイン、
ゲート、ソース電極金属導体であり、その形状及び構成
は第１の実施例にて説明したものと同様であるが、金属
導体１８に形成される突出部はドレイン電極金属導体２
Ｉとなり、コプレーナ線路１６に形成される金属導体が
ソース電極金属導体２３となる。
第１の実施例の場合と同様に、ＦＥＴのドレイン電極金
属導体２１、ゲート電極金属導体２２構造をそのままス
ロット線路１の構成部分として用い、給電点においても
スロット線路構造を維持し、ＦＥＴの物理的形状が共平
面アンテナの特性に与える影響を抑えている。さらに、
ゲート電極金属導体２２は、コプレーナ線路１６の外側
接地導体に直接接続されており、容易に当該共平面アン
テナへの給電を可能にしている。この時、アンテナ放射
器としてのスロット線路ｌの入力抵抗がＦＥＴの負荷抵
抗となる。
属導体２１、ゲート電極金属導体２２構造をそのままス
ロット線路１の構成部分として用い、給電点においても
スロット線路構造を維持し、ＦＥＴの物理的形状が共平
面アンテナの特性に与える影響を抑えている。さらに、
ゲート電極金属導体２２は、コプレーナ線路１６の外側
接地導体に直接接続されており、容易に当該共平面アン
テナへの給電を可能にしている。この時、アンテナ放射
器としてのスロット線路ｌの入力抵抗がＦＥＴの負荷抵
抗となる。
このように構成される大平面アンテナの動作を説明する
と、ＦＥＴを非線形領域にバイアス、即ちゲート、ソー
ス電極間電圧をピッチオフ電圧とし、コプレーナ線路１
６を介してソース電極２３に！Ｆ倍信号ローカル信号を
印加することで、ＦＥＴの周波数変換作用により、スロ
ット線路１よりＲＦ倍信号放射することができる。
と、ＦＥＴを非線形領域にバイアス、即ちゲート、ソー
ス電極間電圧をピッチオフ電圧とし、コプレーナ線路１
６を介してソース電極２３に！Ｆ倍信号ローカル信号を
印加することで、ＦＥＴの周波数変換作用により、スロ
ット線路１よりＲＦ倍信号放射することができる。
第４図に第３図の等価回路図を示す。コプレーナ線路１
６がＦＥＴのソース電極２３に接続され、ＦＥＴのドレ
イン電極２１、ゲート電極２２は、各々スロット線路Ｉ
を構成する金属導体１８．１９に接続される。スロット
線路ｌの両端部分でＭＩＭキャバンタ１７により金属導
体１８．１９は交流的に短絡されている。
６がＦＥＴのソース電極２３に接続され、ＦＥＴのドレ
イン電極２１、ゲート電極２２は、各々スロット線路Ｉ
を構成する金属導体１８．１９に接続される。スロット
線路ｌの両端部分でＭＩＭキャバンタ１７により金属導
体１８．１９は交流的に短絡されている。
［発明の効果］
以上詳述したように本発明によれば、半導体基板上Ｊこ
形成されたトランジスタの電極金属導体パターンを同半
導体基板上に形成された共平面アンテナの放射器である
共平面線路および給電用共平面線路の一部として構成す
ることにより、トランジスタの電極金属導体および給電
用線路が共平面アンテナの電磁界特性に及ぼす影響を最
小限に抑え、製作が容易な半導体基板単一面上構成の共
平面アンテナを実現することができる。また、当該共平
面アンテナはモノリンツク集積回路製作技術で形成され
るため、ＭＭＩＣとの一体杉成が容易に可ｆｌｉｐであ
り、システム全体の小型軽量化および製造コストの低減
に寄与することができる。
形成されたトランジスタの電極金属導体パターンを同半
導体基板上に形成された共平面アンテナの放射器である
共平面線路および給電用共平面線路の一部として構成す
ることにより、トランジスタの電極金属導体および給電
用線路が共平面アンテナの電磁界特性に及ぼす影響を最
小限に抑え、製作が容易な半導体基板単一面上構成の共
平面アンテナを実現することができる。また、当該共平
面アンテナはモノリンツク集積回路製作技術で形成され
るため、ＭＭＩＣとの一体杉成が容易に可ｆｌｉｐであ
り、システム全体の小型軽量化および製造コストの低減
に寄与することができる。
第１図は本発明の共平面アンテナの第１の実施例を示す
斜視図、第２図は第１図の等価回路図、第３図は本発明
の共平面アンテナの第２の実施例を示す斜視図、第４図
は第３図の等価回路図、第５図は従来の共平面アンテナ
の斜視図である。 １・・・スロット線路、Ｉ５・・・半導体基板、１６・
・コプレーナ線路、 １７・・・ＭＩＭキャパシタ、 １８．１９・・・金属導体。
斜視図、第２図は第１図の等価回路図、第３図は本発明
の共平面アンテナの第２の実施例を示す斜視図、第４図
は第３図の等価回路図、第５図は従来の共平面アンテナ
の斜視図である。 １・・・スロット線路、Ｉ５・・・半導体基板、１６・
・コプレーナ線路、 １７・・・ＭＩＭキャパシタ、 １８．１９・・・金属導体。
Claims (1)
- （１）半導体基板上に形成され両端を交流的に短絡また
は開放した共平面線路と、 上記半導体基板上に形成された給電用共平面線路と、 上記共平面線路および上記給電用共平面線路の一部を電
極金属導体パターンとしたトランジスタと、を備えたこ
とを特徴とする共平面アンテナ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2319917A JP2654248B2 (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 共平面アンテナ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2319917A JP2654248B2 (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 共平面アンテナ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04188904A true JPH04188904A (ja) | 1992-07-07 |
| JP2654248B2 JP2654248B2 (ja) | 1997-09-17 |
Family
ID=18115676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2319917A Expired - Fee Related JP2654248B2 (ja) | 1990-11-21 | 1990-11-21 | 共平面アンテナ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2654248B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010003859A (ja) * | 2008-06-20 | 2010-01-07 | New Japan Radio Co Ltd | 集積回路 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4131985B2 (ja) | 2006-05-25 | 2008-08-13 | 松下電器産業株式会社 | 可変スロットアンテナ及びその駆動方法 |
| JP4131984B2 (ja) | 2006-05-25 | 2008-08-13 | 松下電器産業株式会社 | 可変スロットアンテナ及びその駆動方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5242049A (en) * | 1975-08-25 | 1977-04-01 | Ball Brothers Res Corp | Double frequency antenna |
| JPS555860A (en) * | 1978-06-29 | 1980-01-17 | Seiko Epson Corp | Two tone color serial printer |
| JPS57128057A (en) * | 1980-11-17 | 1982-08-09 | Ball Corp | Monolithic microwave integrated circuit |
| JPS63136409U (ja) * | 1986-10-27 | 1988-09-07 | ||
| JPH02244803A (ja) * | 1989-03-16 | 1990-09-28 | Fujitsu Ltd | 平面アンテナ付き電子回路 |
-
1990
- 1990-11-21 JP JP2319917A patent/JP2654248B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2654248B2 (ja) | 1997-09-17 |
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