JPH04190216A - カイラルスメクチック液晶素子 - Google Patents
カイラルスメクチック液晶素子Info
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- JPH04190216A JPH04190216A JP31803290A JP31803290A JPH04190216A JP H04190216 A JPH04190216 A JP H04190216A JP 31803290 A JP31803290 A JP 31803290A JP 31803290 A JP31803290 A JP 31803290A JP H04190216 A JPH04190216 A JP H04190216A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、強屈電性液晶を用いた液晶素子に関するもの
である。
である。
［従来の技術］
クラーク （Ｃ１ａｒｋ）およびラガウエル （Ｌａｇ
ｅｒ−Ｗａｌｌ）により双安定性を有する液晶素子が提
案されている（特開昭５６−１０７２１６号公報、米国
特許第４，３６７．９２４号明細書等）。双安定性を有
する液晶としては、一般にカイラルスメクチックＣ相（
ＳｍＣ＊）又はＨ相（ｓｍＨ＊）を有する強誘電性液晶
が用いられる。この液晶は電界に対して第１の光学的安
定状態と第２の光学的安定状態からなる双安定状態を有
し、従って従来のＴＮ型の液晶を用いた光学変調素子と
は異なり、例えば一方の電界ベクトルに対して第１の光
学的安定状態に液晶が配向し、他方の電界ベクトルに対
しては第２の光学的安定状態に液晶が配向される。また
この型の液晶は、加えられる電界に応答して、極めて速
やかに上記２つの安定状態のいずれかをとり、且つ電界
の印加のないときはその状態を維持する特質を有する。
ｅｒ−Ｗａｌｌ）により双安定性を有する液晶素子が提
案されている（特開昭５６−１０７２１６号公報、米国
特許第４，３６７．９２４号明細書等）。双安定性を有
する液晶としては、一般にカイラルスメクチックＣ相（
ＳｍＣ＊）又はＨ相（ｓｍＨ＊）を有する強誘電性液晶
が用いられる。この液晶は電界に対して第１の光学的安
定状態と第２の光学的安定状態からなる双安定状態を有
し、従って従来のＴＮ型の液晶を用いた光学変調素子と
は異なり、例えば一方の電界ベクトルに対して第１の光
学的安定状態に液晶が配向し、他方の電界ベクトルに対
しては第２の光学的安定状態に液晶が配向される。また
この型の液晶は、加えられる電界に応答して、極めて速
やかに上記２つの安定状態のいずれかをとり、且つ電界
の印加のないときはその状態を維持する特質を有する。
このような性質を有する強誘電性液晶を利用して液晶素
子を構成することにより、従来のＴＮ型素子が視野角特
性が悪いという問題点の多くに対して、かなり本質的な
改善が得られている。
子を構成することにより、従来のＴＮ型素子が視野角特
性が悪いという問題点の多くに対して、かなり本質的な
改善が得られている。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、上述従来の強誘電性液晶素子においては
、液晶の均一な配向状態が必ずしも満足に形成されてい
ない。また、良好な双安定性を示さず、コントラストが
大きくならないという問題点がある。
、液晶の均一な配向状態が必ずしも満足に形成されてい
ない。また、良好な双安定性を示さず、コントラストが
大きくならないという問題点がある。
本発明の目的は、この問題点を解決すること、すなわち
良好な双安定性を有する均一な配向状態を形成しコント
ラストを向上させた強誘電性液晶素子を提供することに
ある。
良好な双安定性を有する均一な配向状態を形成しコント
ラストを向上させた強誘電性液晶素子を提供することに
ある。
［課題を解決するための手段］
上記目的を達成するため本発明では、それぞれ液晶駆動
用の電極が形成され一軸性配向処理が施された２枚の基
板間に強誘電性液晶を配置した液晶素子に於いて、各基
板に施された一軸性配向の軸が互いに鋭角側の交差角θ
をもって交差しており、かつ強誘電性液晶のカイラルス
メクチックＣ相における駆動温度でのコーン角２ｅと交
差角θが Θ／３≦θ≦２０ の関係を満足するようにしている。
用の電極が形成され一軸性配向処理が施された２枚の基
板間に強誘電性液晶を配置した液晶素子に於いて、各基
板に施された一軸性配向の軸が互いに鋭角側の交差角θ
をもって交差しており、かつ強誘電性液晶のカイラルス
メクチックＣ相における駆動温度でのコーン角２ｅと交
差角θが Θ／３≦θ≦２０ の関係を満足するようにしている。
［作用］
一軸性配向処理が施された２枚の基板間に強誘電性液晶
を配置した液晶素子に於いては、各基板に施された一軸
性配向の軸が互いに交差する鋭角側の交差角θ、強誘電
性液晶のカイラルスメクチックＣ相におけるコーン角２
ｅ、および液晶駆動時の温度、ならびに配向状態、スイ
ッチングの様子、およびコントラスト比は、相互に関連
性があることを本発明者らは見い出した。そして、本発
明者らの実験によれば、後述するように、上記交差角θ
とコーン角２ｅの間に、 Θ／３≦θ≦２０ の関係を満足するようにすることにより、配向状態、ス
イッチングの様子、およびコントラスト比が良好となる
ことが確かめられている。
を配置した液晶素子に於いては、各基板に施された一軸
性配向の軸が互いに交差する鋭角側の交差角θ、強誘電
性液晶のカイラルスメクチックＣ相におけるコーン角２
ｅ、および液晶駆動時の温度、ならびに配向状態、スイ
ッチングの様子、およびコントラスト比は、相互に関連
性があることを本発明者らは見い出した。そして、本発
明者らの実験によれば、後述するように、上記交差角θ
とコーン角２ｅの間に、 Θ／３≦θ≦２０ の関係を満足するようにすることにより、配向状態、ス
イッチングの様子、およびコントラスト比が良好となる
ことが確かめられている。
［実施例］
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明の一実施例に係る液晶素子の平面図で
あり、第２図（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ異なる態様の第
１図のＡ−Ａ’断面図である。
あり、第２図（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ異なる態様の第
１図のＡ−Ａ’断面図である。
第１図と第２図で示すセル構造体１００は、ガラス板又
はプラスチック板などからなる一対の基板１０１と１０
１°をスペーサ１０４で所定の間隔に保持して対向させ
、この一対の基板をシーリングするために接着剤１０６
で接着したセル構造を有しており、さらに基板１０１上
には複数の透明電極１０２からなる電極群（例えば、マ
トリクス電極構造のうちの走査電圧印加用電極群）が例
えば帯状パターンなどの所定パターンで形成されている
。基板１０１°の上には前述の透明電極１０２と交差さ
せた複数の透明電極１０２′からなる電ｉ！！ｆ（例え
ば、マトリクス電極構造のうちの信号電圧印加用電極群
）が形成されている。
はプラスチック板などからなる一対の基板１０１と１０
１°をスペーサ１０４で所定の間隔に保持して対向させ
、この一対の基板をシーリングするために接着剤１０６
で接着したセル構造を有しており、さらに基板１０１上
には複数の透明電極１０２からなる電極群（例えば、マ
トリクス電極構造のうちの走査電圧印加用電極群）が例
えば帯状パターンなどの所定パターンで形成されている
。基板１０１°の上には前述の透明電極１０２と交差さ
せた複数の透明電極１０２′からなる電ｉ！！ｆ（例え
ば、マトリクス電極構造のうちの信号電圧印加用電極群
）が形成されている。
そして、透明電極１０２と１０２°の少なくとも一方に
ショート防止用絶縁体膜を用いることができるが、第２
図（Ａ）の素子ではこの絶縁体膜は用いず、透明電極１
０２と１０２°がそれぞれ形成された基板１０１と１０
１°上に直接配向制御膜１０５と１０５゛がそれぞれ配
置される。第２図（Ｂ）の素子では、基板１０１と１０
１゛上にそれぞれショート防止用絶縁体膜１０９と１０
９゛並びに配向制御［１０５と１０５°が配置される。
ショート防止用絶縁体膜を用いることができるが、第２
図（Ａ）の素子ではこの絶縁体膜は用いず、透明電極１
０２と１０２°がそれぞれ形成された基板１０１と１０
１°上に直接配向制御膜１０５と１０５゛がそれぞれ配
置される。第２図（Ｂ）の素子では、基板１０１と１０
１゛上にそれぞれショート防止用絶縁体膜１０９と１０
９゛並びに配向制御［１０５と１０５°が配置される。
第２図（Ｃ）の素子では、基板１０１°上にショート防
止用絶縁体１１ｉ１０９°と配向制御膜１０５°を配置
し、基板１０１上には直接配向制御［ｊ１０５が配置さ
れている。
止用絶縁体１１ｉ１０９°と配向制御膜１０５°を配置
し、基板１０１上には直接配向制御［ｊ１０５が配置さ
れている。
配向制御＠１０５と１０５°としては、例えば−酸化硅
素、二酸化硅素、酸化アルミニウム、ジルコニア、フッ
化マグネシウム、酸化セリウム、フッ化セリウム、シリ
コン窒化物、シリコン炭化物、ホウ素窒化物などの無機
絶縁物質やポリビニルアルコール、ポリイミド、ポリア
ミドイミド、ポリエステルイミド、ポリバラキシリレン
、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリビニルアセタ
ール、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、セ
ルロース樹脂、メラミン樹脂、エリア樹脂やアクリル樹
脂などの有機絶縁物質を用いて被膜形成したものを用い
ることができる。上述の無機絶縁物質の膜は、ショート
防止用絶縁体膜の機能を兼ねることができる。特に、上
述したように、第２図（Ａ）に示す液晶素子で用いた配
向制御膜１０５及び１０５°は、前述した配向制御とシ
ョート防止の機能を併せ持つ無機絶縁体膜によって形成
される。すなわち例えば、ＳｉＯや５ｉ０２などの無機
絶縁物質を基板１０１及び１０１°の上に斜め蒸着法に
よって被膜形成することによって配向制御膜１０５及び
１０５°を得ることができる。
素、二酸化硅素、酸化アルミニウム、ジルコニア、フッ
化マグネシウム、酸化セリウム、フッ化セリウム、シリ
コン窒化物、シリコン炭化物、ホウ素窒化物などの無機
絶縁物質やポリビニルアルコール、ポリイミド、ポリア
ミドイミド、ポリエステルイミド、ポリバラキシリレン
、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリビニルアセタ
ール、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、セ
ルロース樹脂、メラミン樹脂、エリア樹脂やアクリル樹
脂などの有機絶縁物質を用いて被膜形成したものを用い
ることができる。上述の無機絶縁物質の膜は、ショート
防止用絶縁体膜の機能を兼ねることができる。特に、上
述したように、第２図（Ａ）に示す液晶素子で用いた配
向制御膜１０５及び１０５°は、前述した配向制御とシ
ョート防止の機能を併せ持つ無機絶縁体膜によって形成
される。すなわち例えば、ＳｉＯや５ｉ０２などの無機
絶縁物質を基板１０１及び１０１°の上に斜め蒸着法に
よって被膜形成することによって配向制御膜１０５及び
１０５°を得ることができる。
この配向制御膜１０５と１０５゛は、前述の如き無機絶
縁物質または有機絶縁物質を被膜形成した後に、その表
面をビロード、布や紙で一方向に摺擦（ラビング）する
ことによって、−軸性配向処理軸が付与される。
縁物質または有機絶縁物質を被膜形成した後に、その表
面をビロード、布や紙で一方向に摺擦（ラビング）する
ことによって、−軸性配向処理軸が付与される。
ただし、この−軸性配向軸は、第３図（Ａ）および（Ｂ
）に示す様に、上下の基板１０１及び１０１″で互いに
交差角（θ）をもって交差するように付与される。
）に示す様に、上下の基板１０１及び１０１″で互いに
交差角（θ）をもって交差するように付与される。
交差角（θ）は、カイラルスメクチックＣ相の液晶のコ
ーン角（２ｅ）とΘ／３≦θ≦２０を満足する範囲に設
定される。
ーン角（２ｅ）とΘ／３≦θ≦２０を満足する範囲に設
定される。
又、ショート防止用絶縁体Ｉｌ！１０９と１０９゜は、
２００人厚以上、好ましくは５００人厚以上の膜厚に設
定され、５ｉ０２ 、ＴｉＯ２。
２００人厚以上、好ましくは５００人厚以上の膜厚に設
定され、５ｉ０２ 、ＴｉＯ２。
Ａｌ２Ｏ２、Ｓ ｉ ３Ｎ４やＢａＴｉＯｓなどの無機
絶縁物質を成膜することによって得られる。成膜法とし
ては、スパッタ法、イオンビーム蒸着法あるいは有機チ
タン化合物、有機シラン化合物や有機アルミニウム化合
物の塗布膜を焼成する方法を用いることができる。この
際、有機チタン化合物としては、アルキル（メチル、エ
チル、プロピル、ブチルなと）、チタネート化合物など
、有機シラン化合物としては通常のシランカップリング
剤などを用いることができる。ショート防止用絶縁体膜
１０９と１０９°の膜厚が２００Å以下である場合では
、十分なショート防止効果を得ることができず、又その
膜厚を５０００Å以上とすると、液晶層に印加されるべ
き実効的な電圧が印加されなくなるので、５０００Å以
下、好ましくは２０００Å以下に設定する。
絶縁物質を成膜することによって得られる。成膜法とし
ては、スパッタ法、イオンビーム蒸着法あるいは有機チ
タン化合物、有機シラン化合物や有機アルミニウム化合
物の塗布膜を焼成する方法を用いることができる。この
際、有機チタン化合物としては、アルキル（メチル、エ
チル、プロピル、ブチルなと）、チタネート化合物など
、有機シラン化合物としては通常のシランカップリング
剤などを用いることができる。ショート防止用絶縁体膜
１０９と１０９°の膜厚が２００Å以下である場合では
、十分なショート防止効果を得ることができず、又その
膜厚を５０００Å以上とすると、液晶層に印加されるべ
き実効的な電圧が印加されなくなるので、５０００Å以
下、好ましくは２０００Å以下に設定する。
本発明で用いる液晶材料として、特に通したものは、カ
イラルスメクチックＣ相であって強誘電性を有するもの
である。具体的にはカイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ
＊） 、カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＧ＊）、カイ
ラルスメクチックＣ相（ＳｍＦ＊）、カイラルスメクチ
ックＣ相（ＳｍＩ＊）またはカイラルスメクチックＣ相
（ＳｍＨ＊）の液晶を用いることができる。
イラルスメクチックＣ相であって強誘電性を有するもの
である。具体的にはカイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ
＊） 、カイラルスメクチックＣ相（ＳｍＧ＊）、カイ
ラルスメクチックＣ相（ＳｍＦ＊）、カイラルスメクチ
ックＣ相（ＳｍＩ＊）またはカイラルスメクチックＣ相
（ＳｍＨ＊）の液晶を用いることができる。
強誘電性液晶の詳細については、例えば、ＬＥＪＯｌｌ
ＲＮＡＬ ＤＥ ＰＨＹＳＩＱＵＥ ＬＥＴＴＥＲ５”
３６ （Ｌ−［１９）１９７５゜’Ｆｅｒｒｏ ｅｌｅ
ｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌｓ」； ”
ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ″３６
（１１） １９８０’Ｓｕｂｍｉｃｒ。
ＲＮＡＬ ＤＥ ＰＨＹＳＩＱＵＥ ＬＥＴＴＥＲ５”
３６ （Ｌ−［１９）１９７５゜’Ｆｅｒｒｏ ｅｌｅ
ｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌｓ」； ”
ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ″３６
（１１） １９８０’Ｓｕｂｍｉｃｒ。
５ｅｃｏｎｄ Ｂ１−５ｔａｂｌｅ Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｏｐｔｉｃ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ １ｎＬｉｑｕ
ｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌｓ」； ”固体物理″１６ （１
４１） １９８１「液晶」、米国特許第４，５６１，７
２６号公報、米国特許第４．５８９，９９６号公報、米
国特許第４，５９２，８５８号公報、米国特許第４．５
９６，６６７号公報、米国特許第４．６１３．２０９号
公報、米国特許第４，６１４，６０９号公報、米国特許
第４，６２２，１８５号公報等に記載されており、本発
明ではこれらに開示された強誘電性液晶を用いることが
できる。
ｏｏｐｔｉｃ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ １ｎＬｉｑｕ
ｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌｓ」； ”固体物理″１６ （１
４１） １９８１「液晶」、米国特許第４，５６１，７
２６号公報、米国特許第４．５８９，９９６号公報、米
国特許第４，５９２，８５８号公報、米国特許第４．５
９６，６６７号公報、米国特許第４．６１３．２０９号
公報、米国特許第４，６１４，６０９号公報、米国特許
第４，６２２，１８５号公報等に記載されており、本発
明ではこれらに開示された強誘電性液晶を用いることが
できる。
強お電性液晶化合物の具体例としては、デシロキシベン
ジリデン−ｐｏ−アミノ−２−メチルブチルシンナメー
ト（ＤＯＢＡＭＢＣ） 、ヘキシルオキシベンジリデン
−ｐｏ−アミノ−２−クロロプロピルシンナメート（Ｈ
ＯＢＡＣＰＣ） 、４− ｏ −（２−メチル）プチル
レゾルシリデンー４゛−オクチルアニリン（ＭＢＲ８）
が挙げられる。
ジリデン−ｐｏ−アミノ−２−メチルブチルシンナメー
ト（ＤＯＢＡＭＢＣ） 、ヘキシルオキシベンジリデン
−ｐｏ−アミノ−２−クロロプロピルシンナメート（Ｈ
ＯＢＡＣＰＣ） 、４− ｏ −（２−メチル）プチル
レゾルシリデンー４゛−オクチルアニリン（ＭＢＲ８）
が挙げられる。
以下、実際に製造した例を示す。
流側１〜３、比較例１〜２
上下の基板用として２枚の１．１ｍｍ厚のガラス板を用
意し、それぞれにＩＴＯのストライプ状電極を形成した
。次に、この上下基板電極のショート防止絶縁体膜とし
てＳｉｎ、をスパッタ法により５００人形成した。さら
に、その上にポリイミド形成液ＬＱ１８０２（日立化成
社製）１．０％溶液を回転数３００Ｏｒｐｍのスピンナ
ーで３０秒間塗布した。その後、約１時間３ｏｏ℃の加
熱焼成処理を施してポリイミド配向膜を形成した。この
ポリイミド配向膜の膜厚は１５０人であった。次いで、
両基板上に形成されたポリイミド配向膜の表面に後述す
るようなラビング処理軸（−軸性配向軸）方向でのラビ
ング処理を施した。この後、平均粒径約１．５μｍのア
ルミナビーズを一方の基板上に散布した後、２枚の基板
を電極が平面的に交差し、かつ上下基板の一軸性配向軸
が第３図（Ａ）に示す所定の角度θをなすように組み合
わせて上下基板を貼り付け、セルを作成した。
意し、それぞれにＩＴＯのストライプ状電極を形成した
。次に、この上下基板電極のショート防止絶縁体膜とし
てＳｉｎ、をスパッタ法により５００人形成した。さら
に、その上にポリイミド形成液ＬＱ１８０２（日立化成
社製）１．０％溶液を回転数３００Ｏｒｐｍのスピンナ
ーで３０秒間塗布した。その後、約１時間３ｏｏ℃の加
熱焼成処理を施してポリイミド配向膜を形成した。この
ポリイミド配向膜の膜厚は１５０人であった。次いで、
両基板上に形成されたポリイミド配向膜の表面に後述す
るようなラビング処理軸（−軸性配向軸）方向でのラビ
ング処理を施した。この後、平均粒径約１．５μｍのア
ルミナビーズを一方の基板上に散布した後、２枚の基板
を電極が平面的に交差し、かつ上下基板の一軸性配向軸
が第３図（Ａ）に示す所定の角度θをなすように組み合
わせて上下基板を貼り付け、セルを作成した。
次に、このセル内に、第４図に示すように、カイラルス
メクチックＣ相でコーン角２θが温度で変化する強銹電
性液晶（Ｔｃ＝５９℃、２ｅ＝２８°ａｔ２５℃）を等
吉相下で真空注入してから、これをカイラルスメクチッ
ク相まで徐冷して配向させた。
メクチックＣ相でコーン角２θが温度で変化する強銹電
性液晶（Ｔｃ＝５９℃、２ｅ＝２８°ａｔ２５℃）を等
吉相下で真空注入してから、これをカイラルスメクチッ
ク相まで徐冷して配向させた。
以上の工程によって上下基板のラビング処理軸が交差す
る角度θが本発明の範囲内のθ＝５°。
る角度θが本発明の範囲内のθ＝５°。
１０°及び２０＠並びに比較例としてθ＝０°及び３０
°のセルを作成して、配向状態および駆動させたときの
スイッチングの様子を観察し、また、クロスニコル下で
のコントラスト比を測定したところ、第１表に示す結果
が得られた。それぞれの測定観察は２５℃で行なった。
°のセルを作成して、配向状態および駆動させたときの
スイッチングの様子を観察し、また、クロスニコル下で
のコントラスト比を測定したところ、第１表に示す結果
が得られた。それぞれの測定観察は２５℃で行なった。
第１表
実施例１〜３と同様な方法で作製したセルに、第５図に
示すようにカイラルスメクチックＣ相でコーン角２ｅが
変化する強誕電性液晶（Ｔｃ＝５５℃、２θ＝２０°
ａｔ２５℃）を同様の方法で注入し、ラビング軸の交差
角θがそれぞれ４°、１０°、１５°及び２５°である
４種類のセルとし、これらについて、配向状態と駆動時
のスイッチングの様子を観察し、及びクロスニコル下で
のコントラスト比を測定した。測定および観察は２５℃
で行なった。得られた結果を第２表にまとめて示す。
示すようにカイラルスメクチックＣ相でコーン角２ｅが
変化する強誕電性液晶（Ｔｃ＝５５℃、２θ＝２０°
ａｔ２５℃）を同様の方法で注入し、ラビング軸の交差
角θがそれぞれ４°、１０°、１５°及び２５°である
４種類のセルとし、これらについて、配向状態と駆動時
のスイッチングの様子を観察し、及びクロスニコル下で
のコントラスト比を測定した。測定および観察は２５℃
で行なった。得られた結果を第２表にまとめて示す。
第２表
実施例７〜９
上下基板の一軸配向軸が第３図（Ｂ）に示す様に相互に
逆向きになるように上下基板を貼り付けた以外は、実施
例４〜６と同様な方法で一軸性配向軸の交差角θが４°
、１０”、１５°のセルを作製した。そして、これらの
セルについて、クロスニコル下での配向状態及び、コン
トラスト比を２５℃で測定した。得られた結果を第３表
にまとめて示す。
逆向きになるように上下基板を貼り付けた以外は、実施
例４〜６と同様な方法で一軸性配向軸の交差角θが４°
、１０”、１５°のセルを作製した。そして、これらの
セルについて、クロスニコル下での配向状態及び、コン
トラスト比を２５℃で測定した。得られた結果を第３表
にまとめて示す。
第３表
以上の実施例及び比較例の結果より、上下基板間で交差
した一軸性配向軸を有するセルを用い、注入する強誘電
性液晶のスメクチックＡ相とスメクチックＣ相間の相転
位温度をＴＣ（℃）とすると、（Ｔｃ−５）ｔから（Ｔ
ｃ−６０）’Ｃ１好ましくは（Ｔｃ−１０）ｔから（Ｔ
ｃ−５５）℃、さらに好ましくは（Ｔｃ−２０）’Ｃか
ら（ＴＣ−５０）”Ｃ１最も好ましくは（Ｔｃ−３０）
’Ｃから（Ｔｃ−４０）’Ｃの温度範囲において、液晶
のスメクチックＣ相のコーン角２ｅと交差角θがθ／３
≦θ≦２ｅ の関係を満足するように設定することにより、配向性か
良くコントラストの向上した強誘電性液晶素子か得られ
ることがわかる。
した一軸性配向軸を有するセルを用い、注入する強誘電
性液晶のスメクチックＡ相とスメクチックＣ相間の相転
位温度をＴＣ（℃）とすると、（Ｔｃ−５）ｔから（Ｔ
ｃ−６０）’Ｃ１好ましくは（Ｔｃ−１０）ｔから（Ｔ
ｃ−５５）℃、さらに好ましくは（Ｔｃ−２０）’Ｃか
ら（ＴＣ−５０）”Ｃ１最も好ましくは（Ｔｃ−３０）
’Ｃから（Ｔｃ−４０）’Ｃの温度範囲において、液晶
のスメクチックＣ相のコーン角２ｅと交差角θがθ／３
≦θ≦２ｅ の関係を満足するように設定することにより、配向性か
良くコントラストの向上した強誘電性液晶素子か得られ
ることがわかる。
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、各基板に施された
一軸性配向の軸が互いに鋭角側の交差角θをもって交差
しており、かつ強誘電性液晶のカイラルスメクチックＣ
相におけるコーン角２ｅと交差角θか、Θ／３≦θ≦２
θの関係を満足する温度範囲を有するようにしたため、
配向性を良好にしコントラスト比を増大することができ
る。
一軸性配向の軸が互いに鋭角側の交差角θをもって交差
しており、かつ強誘電性液晶のカイラルスメクチックＣ
相におけるコーン角２ｅと交差角θか、Θ／３≦θ≦２
θの関係を満足する温度範囲を有するようにしたため、
配向性を良好にしコントラスト比を増大することができ
る。
第１図は、本発明の一実施例に係る強誘電性液晶素子の
平面図、 第２図（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ異なる実施態様の第１
図のＡ−Ａ’断面図、 第３図（Ａ）および（Ｂ）は、第１図の液晶素子におい
て交差する上下基板の一軸性配向軸を模式的に表わす平
面図、そして 第４図および第５図は、それぞれ異なる液晶のカイラル
スメクチックＣ相での温度に対するコーン角２θの変化
を表わした図である。 １００：セル構造体、１０１，１０１° ・基板、１０
４ニスペーサ、１０６：接着剤、１０２：透明電極、１
０５，１０５° ：配向制御膜、１０９ニジヨード防止
用絶縁体膜、３０１，３０２ニー軸性配向軸、２ｅ：コ
ーン角、θ：交差角。 ＋０４ １０５“、配同制御賎 （Ａ） ＋８） 第２図 １０９“、ショートＰ九止吊十色系家Ｃ（Ｓ菓、（Ｃ） 第２図 （Ａ） ＣＢ） 第３図 第４回 第５図
平面図、 第２図（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ異なる実施態様の第１
図のＡ−Ａ’断面図、 第３図（Ａ）および（Ｂ）は、第１図の液晶素子におい
て交差する上下基板の一軸性配向軸を模式的に表わす平
面図、そして 第４図および第５図は、それぞれ異なる液晶のカイラル
スメクチックＣ相での温度に対するコーン角２θの変化
を表わした図である。 １００：セル構造体、１０１，１０１° ・基板、１０
４ニスペーサ、１０６：接着剤、１０２：透明電極、１
０５，１０５° ：配向制御膜、１０９ニジヨード防止
用絶縁体膜、３０１，３０２ニー軸性配向軸、２ｅ：コ
ーン角、θ：交差角。 ＋０４ １０５“、配同制御賎 （Ａ） ＋８） 第２図 １０９“、ショートＰ九止吊十色系家Ｃ（Ｓ菓、（Ｃ） 第２図 （Ａ） ＣＢ） 第３図 第４回 第５図
Claims (1)
- （１）それぞれ液晶駆動用の電極が形成され一軸性配向
処理が施された２枚の基板間に強誘電性液晶を配置した
液晶素子に於いて、各基板に施された一軸性配向の軸が
互いに鋭角側の交差角θをもって交差しており、かつ強
誘電性液晶のカイラルスメクチックＣ相における駆動温
度でのコーン角２Θと交差角θが Θ／３≦θ≦２Θ の関係を満足することを特徴とする強誘電性液晶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2318032A JP2844123B2 (ja) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | カイラルスメクチック液晶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2318032A JP2844123B2 (ja) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | カイラルスメクチック液晶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04190216A true JPH04190216A (ja) | 1992-07-08 |
| JP2844123B2 JP2844123B2 (ja) | 1999-01-06 |
Family
ID=18094737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2318032A Expired - Fee Related JP2844123B2 (ja) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | カイラルスメクチック液晶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2844123B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6218522A (ja) * | 1985-07-17 | 1987-01-27 | Canon Inc | 液晶素子 |
-
1990
- 1990-11-26 JP JP2318032A patent/JP2844123B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6218522A (ja) * | 1985-07-17 | 1987-01-27 | Canon Inc | 液晶素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2844123B2 (ja) | 1999-01-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |