JPH04192104A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPH04192104A JPH04192104A JP32114190A JP32114190A JPH04192104A JP H04192104 A JPH04192104 A JP H04192104A JP 32114190 A JP32114190 A JP 32114190A JP 32114190 A JP32114190 A JP 32114190A JP H04192104 A JPH04192104 A JP H04192104A
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- gap
- gap depth
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、VTRなどの磁気記録再生装置に用いられる
薄膜磁気ヘッドに係り、特に、ギャップ深さの測定に用
いられるギャップ深さ検知パターンに関する。
薄膜磁気ヘッドに係り、特に、ギャップ深さの測定に用
いられるギャップ深さ検知パターンに関する。
薄膜磁気ヘッドにおいて、所望の性能や寿命を得るため
には、ギャップ深さを測定し、管理することが重要であ
る。ギャップ深さの測定はギャップ面を直接観察して行
なうのが最も確実な方法であるが、実際には、ギャップ
面の上に上部磁気コアが積層されるので、ギャップ面か
らのギャップ深さの測定は不可能である。
には、ギャップ深さを測定し、管理することが重要であ
る。ギャップ深さの測定はギャップ面を直接観察して行
なうのが最も確実な方法であるが、実際には、ギャップ
面の上に上部磁気コアが積層されるので、ギャップ面か
らのギャップ深さの測定は不可能である。
そこで、従来、たとえば特開昭60−177416号公
報に開示されるように、薄膜磁気ヘッドの製造工程の途
中でギャップ面の両側にギャップ深さ検知用の所定形状
のパターン(ギャップ深さ検知パターン)を設け、記録
媒体が接触する摺動面側からこのギャップ深さ検知パタ
ーンを観察、測定することにより、ギャップ深さの値を
得るようにした技術が知られている。
報に開示されるように、薄膜磁気ヘッドの製造工程の途
中でギャップ面の両側にギャップ深さ検知用の所定形状
のパターン(ギャップ深さ検知パターン)を設け、記録
媒体が接触する摺動面側からこのギャップ深さ検知パタ
ーンを観察、測定することにより、ギャップ深さの値を
得るようにした技術が知られている。
ところで、VTRのような磁気ヘッドを記録媒体に接触
させて記録再生を行なう磁気記録再生装置においては、
磁気ヘッドと記録媒体との間隙によってスペーシング損
失が生じ、再生出力の低下を惹き起す。このスペーシン
グ損失は記録波長が短かくなる程大きくなる。記録波長
は増々短くなっており、将来も短波長化が進むものと考
えられる。したがって、磁気ヘッドと記録媒体との接触
は、現在は熱論のこと、将来においても増々重要な課題
となる。
させて記録再生を行なう磁気記録再生装置においては、
磁気ヘッドと記録媒体との間隙によってスペーシング損
失が生じ、再生出力の低下を惹き起す。このスペーシン
グ損失は記録波長が短かくなる程大きくなる。記録波長
は増々短くなっており、将来も短波長化が進むものと考
えられる。したがって、磁気ヘッドと記録媒体との接触
は、現在は熱論のこと、将来においても増々重要な課題
となる。
磁気ヘッドと記録媒体との接触を良好にするための方法
として、その−例が、たとえば、特開平1−15021
3号公報に開示されている。これは、第16図に示すよ
うに、磁気ヘッドの両側先端部を機械加工し、摺動面6
の面積を小さくするものである。
として、その−例が、たとえば、特開平1−15021
3号公報に開示されている。これは、第16図に示すよ
うに、磁気ヘッドの両側先端部を機械加工し、摺動面6
の面積を小さくするものである。
ところで、先に挙げた特開昭60−177416号公報
に記載されるようにギャップ深さ検知パターンが設けら
れた薄膜磁気ヘッドに対し、記録媒体との接触を良好に
するために、第16図に示したように機械加工して摺動
面6の面積を小さくしようとすると、次のような問題が
生ずる。
に記載されるようにギャップ深さ検知パターンが設けら
れた薄膜磁気ヘッドに対し、記録媒体との接触を良好に
するために、第16図に示したように機械加工して摺動
面6の面積を小さくしようとすると、次のような問題が
生ずる。
すなわち、第17図(a)は上記機械加工前の作成され
た薄膜磁気ヘッドを示しており、これは、基板4上に、
下部磁気コア(図示せず)と上部磁気コア3とが積層さ
れ、一部がこれら下部磁気コアと上記磁気コア3との間
を通るように薄膜コイル5が設けられた構成をなしてい
る。これら上、下部磁気コアのフロント部は近接して対
向し、ギャップを形成しているが、符号2で示す部分が
ギャップ面である。このギャップ面2の両側に1つずつ
ギャップ深さ検知パターン1が設けられている。
た薄膜磁気ヘッドを示しており、これは、基板4上に、
下部磁気コア(図示せず)と上部磁気コア3とが積層さ
れ、一部がこれら下部磁気コアと上記磁気コア3との間
を通るように薄膜コイル5が設けられた構成をなしてい
る。これら上、下部磁気コアのフロント部は近接して対
向し、ギャップを形成しているが、符号2で示す部分が
ギャップ面である。このギャップ面2の両側に1つずつ
ギャップ深さ検知パターン1が設けられている。
ギャップ深さ検知パターン1は直角三角形状をなし、直
交する2つの辺の一方がギャップの長さ方向(矢印X方
向)に平行に、他方がギャップ深さ方向(矢印Y方向)
に平行になっている。そして、ギャップ深さ検知パター
ン1における矢印方向に平行な辺と斜辺とによる頂点は
、ギャップ面2の摺動面6側からみて奥方の辺の延長線
(以下、これをギャップ深さの零位という)上に位置づ
けられている。
交する2つの辺の一方がギャップの長さ方向(矢印X方
向)に平行に、他方がギャップ深さ方向(矢印Y方向)
に平行になっている。そして、ギャップ深さ検知パター
ン1における矢印方向に平行な辺と斜辺とによる頂点は
、ギャップ面2の摺動面6側からみて奥方の辺の延長線
(以下、これをギャップ深さの零位という)上に位置づ
けられている。
かかるギャップ深さ検知パターンlによると、その矢印
Y方向に平行な辺の長さはギャップ面2の奥行寸法、す
なわちギャップ深さCDに等しく、また、ギャップ深さ
検知パターン1の矢印X方向に平行な辺の長さは矢印Y
方向に平行な辺の長さに比例するから、この矢印X方向
に平行な辺の長さを測定することにより、ギャップ深さ
CDを知ることができる。ギャップ深さ検知パターン1
の矢印X方向に平行な辺は摺動面6に露出して見える。
Y方向に平行な辺の長さはギャップ面2の奥行寸法、す
なわちギャップ深さCDに等しく、また、ギャップ深さ
検知パターン1の矢印X方向に平行な辺の長さは矢印Y
方向に平行な辺の長さに比例するから、この矢印X方向
に平行な辺の長さを測定することにより、ギャップ深さ
CDを知ることができる。ギャップ深さ検知パターン1
の矢印X方向に平行な辺は摺動面6に露出して見える。
したがって、摺動面6で見えるギャップ深さ検知パター
ン1の幅を測定することにより、ギャップ深さGDを知
ることができる。
ン1の幅を測定することにより、ギャップ深さGDを知
ることができる。
ところで、このように作成された薄膜磁気ヘッドに対し
、上記の特開平1−150213号公報に開示されるよ
うに記録媒体との接触を良好にするために、機械加工に
よって基板4の一点鎖線Pよりも外側の部分を除くと、
この−点鎖線Pがギャップ深さ検知パターン1を横切っ
てしまうから、第17図(b)に示すように、ギャップ
深さ検知パターン1は一部が欠けた形状となり、もはや
これでもってギャップ深さG工を測定することができな
い。
、上記の特開平1−150213号公報に開示されるよ
うに記録媒体との接触を良好にするために、機械加工に
よって基板4の一点鎖線Pよりも外側の部分を除くと、
この−点鎖線Pがギャップ深さ検知パターン1を横切っ
てしまうから、第17図(b)に示すように、ギャップ
深さ検知パターン1は一部が欠けた形状となり、もはや
これでもってギャップ深さG工を測定することができな
い。
このような機械加工でもギャップ深さ検知パターンが正
しい形状を保つためには、第18図に示すように、ギャ
ップ深さ検知パターン1の形状を、その矢印X方向に平
行な摺動面6での辺を短くして矢印Y方向に細長の直角
三角形としなければならない。
しい形状を保つためには、第18図に示すように、ギャ
ップ深さ検知パターン1の形状を、その矢印X方向に平
行な摺動面6での辺を短くして矢印Y方向に細長の直角
三角形としなければならない。
ところで、ギャップ深さG工は摺動面6に露出して見え
るギャップ深さ検知パターン1の幅(矢印X方向に平行
な辺の長さであって、この辺を、以下、測定対象辺とい
う)に比例し、その比例定数はこの測定対象辺が短くギ
ャップ深さ検知パターン1が細長い程大きい。したがっ
て、ギャップ深さ検知パターン1が第18図に示すよう
に細長い直角三角形状をなしていると、上記比例定数に
より、ギャップ深さ検知パターン1の測定対象辺の長さ
の測定誤差がより大きく増幅されることになり、ギャッ
プ深さの高精度の測定が困難となる。
るギャップ深さ検知パターン1の幅(矢印X方向に平行
な辺の長さであって、この辺を、以下、測定対象辺とい
う)に比例し、その比例定数はこの測定対象辺が短くギ
ャップ深さ検知パターン1が細長い程大きい。したがっ
て、ギャップ深さ検知パターン1が第18図に示すよう
に細長い直角三角形状をなしていると、上記比例定数に
より、ギャップ深さ検知パターン1の測定対象辺の長さ
の測定誤差がより大きく増幅されることになり、ギャッ
プ深さの高精度の測定が困難となる。
また、従来のギャップ深さ検知パターンは、先に説明し
たように、その頂点がギャップ深さの零位に位置づけら
れている。しかし、ギャップ深さ検知パターンの作成に
際してはエツチングによってその形状が形成されるもの
であって、このエツチングによってギャップ深さ検知パ
ターンの頂点が円弧状となる。このため、ギャップ深さ
の零位近傍ではギャップ深さ検知パターンが存在しなく
なり、ギャップ深さの零位近傍の測定が不可能となる。
たように、その頂点がギャップ深さの零位に位置づけら
れている。しかし、ギャップ深さ検知パターンの作成に
際してはエツチングによってその形状が形成されるもの
であって、このエツチングによってギャップ深さ検知パ
ターンの頂点が円弧状となる。このため、ギャップ深さ
の零位近傍ではギャップ深さ検知パターンが存在しなく
なり、ギャップ深さの零位近傍の測定が不可能となる。
さらに、上記従来技術では、ギャップ深さ検知パターン
はギャップ面から大きく離された位置に形成されている
。このため、上記従来技術には特に説明がなされていな
いが、“ギャップ深さ検知パターンが形成されるギャッ
プ面から離れた位置にギャップ深さの零位を表わす位置
合わせ用パターンが必要と考えられる。この場合、ギャ
ップ深さ検知パターンはこの位置合わせ用パターンを基
準位置として形成され、このため、位置合わせ用パター
ンの寸法誤差や位置設定誤差がギャップ深さ検知パター
ンの位置設定精度に影響することになり、ギャップ深さ
の測定精度が低下する。
はギャップ面から大きく離された位置に形成されている
。このため、上記従来技術には特に説明がなされていな
いが、“ギャップ深さ検知パターンが形成されるギャッ
プ面から離れた位置にギャップ深さの零位を表わす位置
合わせ用パターンが必要と考えられる。この場合、ギャ
ップ深さ検知パターンはこの位置合わせ用パターンを基
準位置として形成され、このため、位置合わせ用パター
ンの寸法誤差や位置設定誤差がギャップ深さ検知パター
ンの位置設定精度に影響することになり、ギャップ深さ
の測定精度が低下する。
本発明の第1の目的は、かかる問題を解消し、ギャップ
深さ検知パターンの測定誤差を低減してギャップ深さの
測定精度を高めることができるようにした薄膜磁気ヘッ
ドを提供することにある。
深さ検知パターンの測定誤差を低減してギャップ深さの
測定精度を高めることができるようにした薄膜磁気ヘッ
ドを提供することにある。
また、本発明の第2の目的は、エツチングに際して生ず
るギャップ深さ検知パターンの頂部の円弧状化の影響を
低減し、ギャップ深さの零位までギャップ深さを測定可
能とした薄膜磁気ヘッドを提供することにある。
るギャップ深さ検知パターンの頂部の円弧状化の影響を
低減し、ギャップ深さの零位までギャップ深さを測定可
能とした薄膜磁気ヘッドを提供することにある。
さらに、本発明の第3の目的は、位置合わせ用パターン
を用いたギャップ深さ検知パターンの位置設定精度を高
めることができるようにした薄膜磁気ヘッドを提供する
ことにある。
を用いたギャップ深さ検知パターンの位置設定精度を高
めることができるようにした薄膜磁気ヘッドを提供する
ことにある。
上記第1の目的を達成するために、本発明は、少なくと
もギャップ深さ検知パターンをギャップ面に接して設け
る。
もギャップ深さ検知パターンをギャップ面に接して設け
る。
また、上記第2の目的を達成するために、本発明は、ギ
ャップ深さの零位でギャップ深さ検知パターンが存在す
るようにする。
ャップ深さの零位でギャップ深さ検知パターンが存在す
るようにする。
さらに、上記第3の目的を達成するために、本発明は、
ギャップ深さ検知パターンに対して所定の位置関係にあ
るパターンを設定し、該パターンをギャップ面でのギャ
ップ深さの零位となる辺に合わせる。
ギャップ深さ検知パターンに対して所定の位置関係にあ
るパターンを設定し、該パターンをギャップ面でのギャ
ップ深さの零位となる辺に合わせる。
ギャップ面に接するようなギャップ深さ検知パターンと
すると、摺動面の面積を狭くしても、ギャップ面の両側
の領域が有効に活用できてギャップ深さ検知パターンの
測定幅を大きくすることができ、ギャップ深さの測定誤
差を小さくすることができる。
すると、摺動面の面積を狭くしても、ギャップ面の両側
の領域が有効に活用できてギャップ深さ検知パターンの
測定幅を大きくすることができ、ギャップ深さの測定誤
差を小さくすることができる。
ギャップ深さ検知パターンの形成時にその頂部が円弧状
となっても、ギャップ深さの零位までギャップ深さ検知
パターンが存在しているから、ギャップ深さを、その零
位までもしくは零位の極(近傍まで測定することができ
る。
となっても、ギャップ深さの零位までギャップ深さ検知
パターンが存在しているから、ギャップ深さを、その零
位までもしくは零位の極(近傍まで測定することができ
る。
ギャップ深さ検知パターンと上記パターンとの位置関係
は一定であるので、この位置関係を特定することにより
、上記パターンをギャップ面でのギャップ深さの零位と
なる辺に合わせると、必然的にギャップ深さ検知パター
ンはギャップ深さの零位と一定の位置関係となる。
は一定であるので、この位置関係を特定することにより
、上記パターンをギャップ面でのギャップ深さの零位と
なる辺に合わせると、必然的にギャップ深さ検知パター
ンはギャップ深さの零位と一定の位置関係となる。
以下、本発明の実施例を図面によって説明する。
第1図は本発明による薄膜磁気ヘッドの一実施例を示す
平面図であって、7は下部磁気コアであり、第17図(
a)に対応する部分には同一符号をつけている。
平面図であって、7は下部磁気コアであり、第17図(
a)に対応する部分には同一符号をつけている。
第1図において、基板4上に下部磁気コア7と上記磁気
コア3とが積層されており、これら下部磁気コア7、上
記磁気コア3はそのフロント側(図面上で下方)端部が
近接してギャップを形成しており(但し、後の説明の便
宜上、上部磁気コア3のフロント側の端部は欠落したよ
うに図示している)、リア側端部が接触してコンタクト
ホール(図示せず)を形成している。薄膜コイル5は、
その一部が下部磁気コア7と上部磁気コア3との間を通
り、上記コンタクトホールのまわりに渦巻状に巻回され
ている。
コア3とが積層されており、これら下部磁気コア7、上
記磁気コア3はそのフロント側(図面上で下方)端部が
近接してギャップを形成しており(但し、後の説明の便
宜上、上部磁気コア3のフロント側の端部は欠落したよ
うに図示している)、リア側端部が接触してコンタクト
ホール(図示せず)を形成している。薄膜コイル5は、
その一部が下部磁気コア7と上部磁気コア3との間を通
り、上記コンタクトホールのまわりに渦巻状に巻回され
ている。
下部磁気コア7と上部磁気コア3のフロント側端部によ
って形成されるギャップ内には、一部がこのギャップか
ら両側にはみ出すようにして、台形状のギャップ深さ検
知パターン1が設けられている。 かかる薄膜磁気ヘッ
ドはグイシングツ−などによって機械加工が施こされ、
−点鎖線Pよりも外形の部分が除かれて形状、大きさが
設定されるとともに、狭い面積の摺動面6が形成されて
記録媒体との接触が良好となるようにしている。
って形成されるギャップ内には、一部がこのギャップか
ら両側にはみ出すようにして、台形状のギャップ深さ検
知パターン1が設けられている。 かかる薄膜磁気ヘッ
ドはグイシングツ−などによって機械加工が施こされ、
−点鎖線Pよりも外形の部分が除かれて形状、大きさが
設定されるとともに、狭い面積の摺動面6が形成されて
記録媒体との接触が良好となるようにしている。
第2図(a)は第1図におけるギャップ付近を上部磁気
コア3を省いて示した拡大平面図、第2図(b)は同図
(a)の加工線Pに沿う断面図であって、8はギャップ
深さの零位、9は絶縁層であり、第1図に対応する部分
には同一符号をつけている。
コア3を省いて示した拡大平面図、第2図(b)は同図
(a)の加工線Pに沿う断面図であって、8はギャップ
深さの零位、9は絶縁層であり、第1図に対応する部分
には同一符号をつけている。
第2図(a)、(b)において、下部磁気コア7は基板
4に設けられた溝に一部が嵌り込むようにして形成され
ており、この下部磁気コア7のフロント側端部上にギャ
ップ深さ検知パターン1を挟んで上部磁気コア3のフロ
ント側端部が積層されている。絶縁層9は基板4の表面
を覆い、ギャップ深さ検知パターンlはこの絶縁層9内
に埋没している。
4に設けられた溝に一部が嵌り込むようにして形成され
ており、この下部磁気コア7のフロント側端部上にギャ
ップ深さ検知パターン1を挟んで上部磁気コア3のフロ
ント側端部が積層されている。絶縁層9は基板4の表面
を覆い、ギャップ深さ検知パターンlはこの絶縁層9内
に埋没している。
下部磁気コア7と上部磁気コア3夫々の端部が対向する
部分がギャップを形成するが、そのギャップ面2を全体
として含むように、ギャップ深さ検知パターンlは台形
状をなしており、この台形では、2つの平行な辺のうち
の短辺がギャップ面2の幅(したがって、トラック幅)
Wに等しく、ギャップ面2の奥辺と一致している。この
奥辺が、この場合、ギャップ深さの零位8となる。また
、長辺はギャップ深さの零位8よりも摺動面6側にある
。したがって、ギャップ深さ検知パターン1の一部はギ
ャップ面2から両側にはみ出しており、これらはみ出し
部分は直角三角形状をなしている。
部分がギャップを形成するが、そのギャップ面2を全体
として含むように、ギャップ深さ検知パターンlは台形
状をなしており、この台形では、2つの平行な辺のうち
の短辺がギャップ面2の幅(したがって、トラック幅)
Wに等しく、ギャップ面2の奥辺と一致している。この
奥辺が、この場合、ギャップ深さの零位8となる。また
、長辺はギャップ深さの零位8よりも摺動面6側にある
。したがって、ギャップ深さ検知パターン1の一部はギ
ャップ面2から両側にはみ出しており、これらはみ出し
部分は直角三角形状をなしている。
ギャップ深さ検知パターン1のギャップ面2と重なる部
分はギャップ材としても作用する。第2図(a)におけ
る加工線6に沿うギャップ深さ検知パターン1の幅をW
とすると、上記加工線6まで機械加工して得られる薄膜
磁気ヘッドの摺動面6上では、第2図(b)に示すよう
に、パターン幅がWのギャップ深さ検知パターン1が観
察できる。但し、可視的あるいは他の任意の手段によっ
てギャップ深さ検知パターン1が絶縁層9と区別できる
ように、このギャップ深さ検知パターン1の材料が選ば
れることはいうまでもない。
分はギャップ材としても作用する。第2図(a)におけ
る加工線6に沿うギャップ深さ検知パターン1の幅をW
とすると、上記加工線6まで機械加工して得られる薄膜
磁気ヘッドの摺動面6上では、第2図(b)に示すよう
に、パターン幅がWのギャップ深さ検知パターン1が観
察できる。但し、可視的あるいは他の任意の手段によっ
てギャップ深さ検知パターン1が絶縁層9と区別できる
ように、このギャップ深さ検知パターン1の材料が選ば
れることはいうまでもない。
そこで、第2図(a)において、ギャップ深さ検知パタ
ーン102つの斜辺のギャップ深さの零位8の線に垂直
な線に対する傾斜角を夫々θ1゜θ2とすると、摺動面
6上でのギャップ深さ検知パターン1の幅Wは、 W=G、・(t a nθ、十tanθり+W・・・・
・・・・・(1) で表わされる。θ1.θz、wは設計上の定められた一
定の値であることから、ギャップ深さ検知パターン1の
輻Wを測定することにより、ギャップ深さG、が得られ
る。ここで、たとえばθ、=θt!=i26″とすると
、上記式(1)は、W=G、、+w ・
・・・・・・・・(2)となり、−例として、W=50
μm、測定値W=70μmとすると、式(2)により、
ギャップ深さGoは20μmと算出することができる。
ーン102つの斜辺のギャップ深さの零位8の線に垂直
な線に対する傾斜角を夫々θ1゜θ2とすると、摺動面
6上でのギャップ深さ検知パターン1の幅Wは、 W=G、・(t a nθ、十tanθり+W・・・・
・・・・・(1) で表わされる。θ1.θz、wは設計上の定められた一
定の値であることから、ギャップ深さ検知パターン1の
輻Wを測定することにより、ギャップ深さG、が得られ
る。ここで、たとえばθ、=θt!=i26″とすると
、上記式(1)は、W=G、、+w ・
・・・・・・・・(2)となり、−例として、W=50
μm、測定値W=70μmとすると、式(2)により、
ギャップ深さGoは20μmと算出することができる。
このようにして、摺動面6に現われるギャップ深さ検知
パターン1の幅を測定することにより、ギャップ深さG
Dを得ることができる。
パターン1の幅を測定することにより、ギャップ深さG
Dを得ることができる。
勿論、下部磁気コア7と上部磁気コア3との間のギャッ
プ内に、ギャップ深さ検知パターン1のばかにギャップ
材を設けてもよい。また、ギャップ深さ検知パターン1
の2つの斜辺は、直線に限らず、任意の曲線としてもよ
く、この曲線で決まる定数をkとすると、ギャップ深さ
Goは、Gl、=に−W−w ・・・・・
・・・・(3)で表わされる。
プ内に、ギャップ深さ検知パターン1のばかにギャップ
材を設けてもよい。また、ギャップ深さ検知パターン1
の2つの斜辺は、直線に限らず、任意の曲線としてもよ
く、この曲線で決まる定数をkとすると、ギャップ深さ
Goは、Gl、=に−W−w ・・・・・
・・・・(3)で表わされる。
ところで、かかるギャップ深さ検知パターン1を用いて
ギャップ深さGゎを測定する場合、実際に測定に寄与す
るのは第2図におけるギャップ深さ検知パターン1のギ
ャップ面2からはみ出した直角三角形状の部分である。
ギャップ深さGゎを測定する場合、実際に測定に寄与す
るのは第2図におけるギャップ深さ検知パターン1のギ
ャップ面2からはみ出した直角三角形状の部分である。
したがって、得られるギャップ深さCDの誤差の大きさ
は、これら直角三角形状の部分に影響されることになる
。
は、これら直角三角形状の部分に影響されることになる
。
ギャップ深さ検知パターンの測定誤差と算出したギャッ
プ深さG、の誤差との関係については、既に先に説明し
たが、ここで、第3図、第4図によってさらに具体的に
この関係を説明する。
プ深さG、の誤差との関係については、既に先に説明し
たが、ここで、第3図、第4図によってさらに具体的に
この関係を説明する。
第3図において、ギャップ深さ検知パターン1の形状を
直角三角形としている。このギャップ深さ検知パターン
1の直交する辺の一方IAはギャップ面2の深さ方向に
平行であり、この辺に沿ってy軸を想定している。また
、y軸はギャップ深さの零位に沿っており、x、y軸で
規定される二次元座標の原点0にギャップ深さ検知パタ
ーン1のy軸に沿う辺IAと斜辺IBとによる頂点が設
定されているものとする。したがって、摺動面で測定さ
れるギャップ深さ検知パターン1の幅Wは、そのy軸に
平行は辺ICの長さであり、X軸上では零となる。
直角三角形としている。このギャップ深さ検知パターン
1の直交する辺の一方IAはギャップ面2の深さ方向に
平行であり、この辺に沿ってy軸を想定している。また
、y軸はギャップ深さの零位に沿っており、x、y軸で
規定される二次元座標の原点0にギャップ深さ検知パタ
ーン1のy軸に沿う辺IAと斜辺IBとによる頂点が設
定されているものとする。したがって、摺動面で測定さ
れるギャップ深さ検知パターン1の幅Wは、そのy軸に
平行は辺ICの長さであり、X軸上では零となる。
かかるギャップ深さ検知パターンlにおいて、測定され
る輻Wとギャップ深さCDとの関係は次式で表わされる
。
る輻Wとギャップ深さCDとの関係は次式で表わされる
。
G、=a−W ・・・・・・・・・(4
)但し、aはギャップ深さ検知パターン1の斜辺IBの
y軸に対する傾斜角で決まる定数である。
)但し、aはギャップ深さ検知パターン1の斜辺IBの
y軸に対する傾斜角で決まる定数である。
ここで、いま、製造直後の未使用の薄膜磁気ヘッドにお
ける設計上のギャップ深さをD D Osギャップ深さ
検知パターン1のy軸に平行な辺の長さ(上記での幅)
をW。とすると、式(4)により、Dno= a −W
O””””・(5)となる。また、この辺の長さの測定
値をWI、この測定値W′に含まれる誤差をδ′とする
と、この測定値W′から算出されるギャップ深さ00′
は、式(4)により、 GB’ =a −W’ =a ・(W+δ)・・・・・
・・・・(6) となる。なお、測定値W′が得られるときの設計上の上
記辺の長さWとギャップ深さG、との関係は、上記式(
4)と同じである。
ける設計上のギャップ深さをD D Osギャップ深さ
検知パターン1のy軸に平行な辺の長さ(上記での幅)
をW。とすると、式(4)により、Dno= a −W
O””””・(5)となる。また、この辺の長さの測定
値をWI、この測定値W′に含まれる誤差をδ′とする
と、この測定値W′から算出されるギャップ深さ00′
は、式(4)により、 GB’ =a −W’ =a ・(W+δ)・・・・・
・・・・(6) となる。なお、測定値W′が得られるときの設計上の上
記辺の長さWとギャップ深さG、との関係は、上記式(
4)と同じである。
そこで、測定値W′から算出されるギャップ深さGEI
’の誤差δ′は、上記式(4)、(6)により、 δ’ =G、’ −CD=a ・δ ・・・・・・・・
・(7)となり、この誤差δ′は、上記辺の測定長さW
′の誤差δが等しいとすると、定数aが小さい程小さく
なる。
’の誤差δ′は、上記式(4)、(6)により、 δ’ =G、’ −CD=a ・δ ・・・・・・・・
・(7)となり、この誤差δ′は、上記辺の測定長さW
′の誤差δが等しいとすると、定数aが小さい程小さく
なる。
一方、上記式(7)は、上記式(5)により、で表わさ
゛れる。ここで、ギャップ深さI)aoはヘッド性能や
寿命の関係から決定される一定の値であるから、上記辺
の長さWoが大きい程測定の結果得られるギャップ深さ
の誤差δ′は小さくなる。
゛れる。ここで、ギャップ深さI)aoはヘッド性能や
寿命の関係から決定される一定の値であるから、上記辺
の長さWoが大きい程測定の結果得られるギャップ深さ
の誤差δ′は小さくなる。
第4図は設計上のギャップ深さDゎ。を20tIm。
ギャップ深さ検知パターン1の面ICの測定幅W′に常
に+1μmの誤差δが生ずるものとしたときの辺ICの
設計長W0が10μmから50μmまでの誤差δ′を示
すものである。同図から明らかなように、Woとδ′と
は反比例の関係にあり、Woが大きい程誤差δ′は小さ
い。
に+1μmの誤差δが生ずるものとしたときの辺ICの
設計長W0が10μmから50μmまでの誤差δ′を示
すものである。同図から明らかなように、Woとδ′と
は反比例の関係にあり、Woが大きい程誤差δ′は小さ
い。
なお、以上はギャップ深さ検知パターン1の斜辺IBが
直線であって、長さWとギャップ深さGDとの関係が一
次関数となる場合であったが、両者の関係が任意の場合
についても同様であり、ギャップ深さ検知パターンの摺
動面に沿う幅が広い程ギャップ深さの測定誤差は小さく
なる。
直線であって、長さWとギャップ深さGDとの関係が一
次関数となる場合であったが、両者の関係が任意の場合
についても同様であり、ギャップ深さ検知パターンの摺
動面に沿う幅が広い程ギャップ深さの測定誤差は小さく
なる。
以上のことから、記録媒体との接触を良好に保ちながら
、ギャップ深さの測定誤差を小さくするためには、ギャ
ップ面の両側の機械加工によって狭められた領域内に形
成するギャップ深さ検知パターンの測定される設計幅W
0をできる限り広くする必要がある。
、ギャップ深さの測定誤差を小さくするためには、ギャ
ップ面の両側の機械加工によって狭められた領域内に形
成するギャップ深さ検知パターンの測定される設計幅W
0をできる限り広くする必要がある。
この実施例では、第2図に示したように、ギャップ深さ
検知パターン1を台形状とし、このうちのギャップ深さ
の測定に直接寄与する直角直角形状の部分がギャップ面
2に接するようにしており、したがって、ギャップ面2
の両側の部分が有効に利用できて、これら直角三角形状
の部分の摺動面6に沿う設計幅を大きくすることができ
る。これに対し、上記従来技術では、三角形状のギャッ
プ深さ検知パターンがギャップ面の両側にこのギャップ
面から離して設けられるから、この離した分ギャップ深
さ検知パターンの測定対象となる設計幅に制限が加わる
ことになり、したがって、この設計幅を大きくできない
。
検知パターン1を台形状とし、このうちのギャップ深さ
の測定に直接寄与する直角直角形状の部分がギャップ面
2に接するようにしており、したがって、ギャップ面2
の両側の部分が有効に利用できて、これら直角三角形状
の部分の摺動面6に沿う設計幅を大きくすることができ
る。これに対し、上記従来技術では、三角形状のギャッ
プ深さ検知パターンがギャップ面の両側にこのギャップ
面から離して設けられるから、この離した分ギャップ深
さ検知パターンの測定対象となる設計幅に制限が加わる
ことになり、したがって、この設計幅を大きくできない
。
第5図はこの実施例でのギャップ深さ検知パターン(同
図(a))と、ギャップ面から離して設けられた直角三
角形状のギャップ深さ検知パターン(同図(b))とを
具体的な数値を用いて比較したものであって、前出図面
に対応した部分には同一符号をつけている。
図(a))と、ギャップ面から離して設けられた直角三
角形状のギャップ深さ検知パターン(同図(b))とを
具体的な数値を用いて比較したものであって、前出図面
に対応した部分には同一符号をつけている。
第5図、(a)、(b)いずれにおいても、摺動面6の
トラック幅方向の幅W3を50μm、ギャップ面2のト
ラック幅方向の輻(すなわち、トラック幅)Wを20μ
mとし、摺動面6の両端がら幅d=5μmの部分を除い
た領域にギャップ深さ検知パターン1が形成されるもの
としている。
トラック幅方向の幅W3を50μm、ギャップ面2のト
ラック幅方向の輻(すなわち、トラック幅)Wを20μ
mとし、摺動面6の両端がら幅d=5μmの部分を除い
た領域にギャップ深さ検知パターン1が形成されるもの
としている。
第5図(a)においては、ギャップ深さ検知パターン1
はギャップ面2と重なる四角形状のパターンAとギャッ
プ面2の両側の直角三角形状の2つのパターンB、Cと
からなっており、最大限Ws 2d=40μmの長辺
とw=20amの短辺とを有する台形状のパターンとす
ることができる。したがって、直角三角形状のパターン
B、 Cの摺動面6に沿う幅W0の最大は、 に設計できることになる。
はギャップ面2と重なる四角形状のパターンAとギャッ
プ面2の両側の直角三角形状の2つのパターンB、Cと
からなっており、最大限Ws 2d=40μmの長辺
とw=20amの短辺とを有する台形状のパターンとす
ることができる。したがって、直角三角形状のパターン
B、 Cの摺動面6に沿う幅W0の最大は、 に設計できることになる。
一方、第5図(b)においては、直角三角形状のギャッ
プ深さ検知パターン1をギャップ面2がら5μmだけ離
間して設けたとすると、その摺動面6に沿う幅W。の最
大は、 に設計される。
プ深さ検知パターン1をギャップ面2がら5μmだけ離
間して設けたとすると、その摺動面6に沿う幅W。の最
大は、 に設計される。
また、第5図(a)、(b)いずれにおいても、ギャッ
プ深さC0゜が5μmに設計されたものとすると、上記
式(8)におけるGカ。/W0は、第5図(a)におい
て、 Wo 5μm であるのに対し、第5図(b)においてはWo
5μm となり、上記式(8)で表わされるギャップ深さの測定
誤差δ′は、第6図に示すように、第5図(a)の方が
第5図(b)の方の1/2となる。
プ深さC0゜が5μmに設計されたものとすると、上記
式(8)におけるGカ。/W0は、第5図(a)におい
て、 Wo 5μm であるのに対し、第5図(b)においてはWo
5μm となり、上記式(8)で表わされるギャップ深さの測定
誤差δ′は、第6図に示すように、第5図(a)の方が
第5図(b)の方の1/2となる。
以上、ギャップ深さ検知パターンがギャップ面に重なる
部分とこのギャップ面から両側にはみ出した直角三角形
状の部分とからなるものとして説明したが、第7図に示
すように、この直角三角形状の部分を1つしかもたない
台形状のギャップ深さ検知パターン1であってもよ(、
上記実施例と同様の効果が得られる。この場合、Wがギ
ャップ深さ検知パターン1の測定される幅である。
部分とこのギャップ面から両側にはみ出した直角三角形
状の部分とからなるものとして説明したが、第7図に示
すように、この直角三角形状の部分を1つしかもたない
台形状のギャップ深さ検知パターン1であってもよ(、
上記実施例と同様の効果が得られる。この場合、Wがギ
ャップ深さ検知パターン1の測定される幅である。
さらに、第8図に示すように、ギャップ深さ検知パター
ンlを直角三角形状とし、直交する辺の一方をギャップ
面2に接するようにしてもよく、上記各実施例と同様の
効果が得られる。この場合、Wがギャップ深さ検知パタ
ーン1の測定される幅である。
ンlを直角三角形状とし、直交する辺の一方をギャップ
面2に接するようにしてもよく、上記各実施例と同様の
効果が得られる。この場合、Wがギャップ深さ検知パタ
ーン1の測定される幅である。
第9図は本発明による薄膜磁気ヘッドの他の実施例のギ
ャップ深さ検知パターンを示すものである。
ャップ深さ検知パターンを示すものである。
同図において、ギャップ面20両側に、間隔d′をもっ
て、直角三角形状の2つのギャップ深さ検知パターン1
.1′が設けられている。これらギャップ深さ検知パタ
ーン1.1′夫々の直交する辺の一方がギャップ面2の
辺に平行であり、この辺と斜辺とのなす頂点がギャップ
深さの零位8に設定されている。
て、直角三角形状の2つのギャップ深さ検知パターン1
.1′が設けられている。これらギャップ深さ検知パタ
ーン1.1′夫々の直交する辺の一方がギャップ面2の
辺に平行であり、この辺と斜辺とのなす頂点がギャップ
深さの零位8に設定されている。
この実施例においては、図示するように、一方のギャッ
プ深さ検知パターンlの摺動面6に沿う辺のギャップ面
2とは反対側の端から、他方のギャップ深さ検知パター
ン1′の同様の端までの幅Wが測定される。すなわち、
2つのギャップ深さ検知パターン1.1′をまとめて1
つのギャップ深さ検知パターンとみなすので、ギャップ
深さ検知パターンの測定幅が広くなったことにより、上
記各実施例と同様の効果が得られる。
プ深さ検知パターンlの摺動面6に沿う辺のギャップ面
2とは反対側の端から、他方のギャップ深さ検知パター
ン1′の同様の端までの幅Wが測定される。すなわち、
2つのギャップ深さ検知パターン1.1′をまとめて1
つのギャップ深さ検知パターンとみなすので、ギャップ
深さ検知パターンの測定幅が広くなったことにより、上
記各実施例と同様の効果が得られる。
次に、パターンの鋭角な頂点の丸みについて説明する。
ギャップ深さ検知パターンの形状が、設計上鋭角な頂点
を持っている形状であったとしても、フォトマスク作成
、レジストパターン形成、エツチングの各工程を経た後
のパターンは、頂点の部分が丸くなるのは避けられない
。したがって、丸くなった頂点の部分では、ギャップ深
さを算出することが不可能になる。
を持っている形状であったとしても、フォトマスク作成
、レジストパターン形成、エツチングの各工程を経た後
のパターンは、頂点の部分が丸くなるのは避けられない
。したがって、丸くなった頂点の部分では、ギャップ深
さを算出することが不可能になる。
第10図により、パターンの頂部の設計形状と実際に形
成される頂部の形状との関係を説明する。
成される頂部の形状との関係を説明する。
第10図において、設計上のパターンは、X。
y座標系において、破線で示すように、角度θの頂部を
有し、その頂部がこの座標系の座標原点とする。これに
対し、実際に形成されるパターンの頂部は、実線で示す
ように、半径rの円弧状となる。−点鎖線はこの頂部の
中心線であって、y軸に対して角度θ′だけ傾いている
ものとする。但し、y軸はトラック幅と平行であって、
ギャップ深さの零位であり、y軸はギャップ深さ方向と
する。また、実際に形成されるパターンの幅は設計幅と
一致するものとする。
有し、その頂部がこの座標系の座標原点とする。これに
対し、実際に形成されるパターンの頂部は、実線で示す
ように、半径rの円弧状となる。−点鎖線はこの頂部の
中心線であって、y軸に対して角度θ′だけ傾いている
ものとする。但し、y軸はトラック幅と平行であって、
ギャップ深さの零位であり、y軸はギャップ深さ方向と
する。また、実際に形成されるパターンの幅は設計幅と
一致するものとする。
パターン形成による頂部の丸みによってパターンが完全
に消失するギャップ深さをdl、パターンが円弧状とな
り始めるギャップ深さをd2とすると、 dl=r ・(sinθ’ /cos((π−θ))/
2)−1)d2=r −cos(x /2−θ′ −θ
/2) / tan (θ/2)θ′=π/2.r=1
μmとしたときのθとdl、d2の関係を第11図に示
す。これによると、di、d2はθにほぼ反比例してい
ることがわかる。
に消失するギャップ深さをdl、パターンが円弧状とな
り始めるギャップ深さをd2とすると、 dl=r ・(sinθ’ /cos((π−θ))/
2)−1)d2=r −cos(x /2−θ′ −θ
/2) / tan (θ/2)θ′=π/2.r=1
μmとしたときのθとdl、d2の関係を第11図に示
す。これによると、di、d2はθにほぼ反比例してい
ることがわかる。
以上の点を勘案して頂部の円弧化による影響を防止する
ようにした本発明の実施例を、以下に説明する。
ようにした本発明の実施例を、以下に説明する。
第12図はギャップ深さ検知パターン1の形状をギャッ
プ深さの零位上に2つの頂点をもつようにした、すなわ
ちギャップ深さの零位8において、パターン幅が零とな
らない形状とすることにより、パターンの頂点の角度を
大きくすることができるようにしたものであり、これに
より、ギャップ深さの零位8でパターンの2つの頂点で
破線で示すように丸みが生じても、ギャップ深さの零位
8でのパターンの消失を防止することができる。
プ深さの零位上に2つの頂点をもつようにした、すなわ
ちギャップ深さの零位8において、パターン幅が零とな
らない形状とすることにより、パターンの頂点の角度を
大きくすることができるようにしたものであり、これに
より、ギャップ深さの零位8でパターンの2つの頂点で
破線で示すように丸みが生じても、ギャップ深さの零位
8でのパターンの消失を防止することができる。
ところで、この実施例では、パターンの消失を抑えるこ
とはできるが、その影響を完全に取り去ることは出来ず
、ギャップ深さの零位近傍では正確なギャップ深さを得
ることはできない。
とはできるが、その影響を完全に取り去ることは出来ず
、ギャップ深さの零位近傍では正確なギャップ深さを得
ることはできない。
そこで、第13図においては、ギャップ深さ検知パター
ン1の設計上の頂点をギャップ深さの零位8よりも奥方
となるようにし、形成される頂点の円弧状部分がギャッ
プ深さの零位8よりも奥方となるようにする。
ン1の設計上の頂点をギャップ深さの零位8よりも奥方
となるようにし、形成される頂点の円弧状部分がギャッ
プ深さの零位8よりも奥方となるようにする。
ここで、ギャップ深さ検知パターン1の設計上の頂点と
ギャップ深さの零位8との間の距離をd3とすると、頂
点の円弧状部分がギャップ深さの零位8よりも奥方にあ
るためには、第10図にお2に対し、1d31≧d2
でなければならない。
ギャップ深さの零位8との間の距離をd3とすると、頂
点の円弧状部分がギャップ深さの零位8よりも奥方にあ
るためには、第10図にお2に対し、1d31≧d2
でなければならない。
すなわち、
1d31≧r/1an(θ/2)
でなければならない。
次に、ギャップ深さ検知パターンとギャップ深さの零位
に高精度に位置合わせをすることができるようにした本
発明の詳細な説明する。
に高精度に位置合わせをすることができるようにした本
発明の詳細な説明する。
第14図はギャップ深さ検知パターンlにスリット10
を設けたマスクを用い、このスリット10にギャップ深
さの零位8が入るようにマスクを位置設定してギャップ
深さ検知パターン1を形成する。このようにギャップ深
さの零位8をマスクのスリットを介して直接観察しなが
ら位置合わせができるから、ギャップ深さ検知パターン
1の高精度の位置合わせが可能となる。
を設けたマスクを用い、このスリット10にギャップ深
さの零位8が入るようにマスクを位置設定してギャップ
深さ検知パターン1を形成する。このようにギャップ深
さの零位8をマスクのスリットを介して直接観察しなが
ら位置合わせができるから、ギャップ深さ検知パターン
1の高精度の位置合わせが可能となる。
第15図はギャップ深さ検知パターン1と位置合わせ用
のパターン11とが規定の位置関係にあるマスクを用い
、このパターン11がギャップ深さの零位8と合うよう
にしてマスクを設定し、ギャップ深さ検知パターン1を
形成する。これにより、ギャップ深さ検知パターンエは
、その頂点がギャップ深さの零位8に一致して、高精度
の位置合わせが可能となる。
のパターン11とが規定の位置関係にあるマスクを用い
、このパターン11がギャップ深さの零位8と合うよう
にしてマスクを設定し、ギャップ深さ検知パターン1を
形成する。これにより、ギャップ深さ検知パターンエは
、その頂点がギャップ深さの零位8に一致して、高精度
の位置合わせが可能となる。
以上説明したように、本発明によれば、記録媒体との接
触を良好にするために摺動面の面積を狭くしても、ギャ
ップ深さ検知パターンを、その形成領域を有効に活用し
て、形成するものであるから、該ギャップ深さ検知パタ
ーンの測定幅を広くすることができ、該測定幅の測定誤
差に伴なうギャップ深さの測定誤差を軽減できて、該ギ
ャップ深さを高精度で求めることができる。
触を良好にするために摺動面の面積を狭くしても、ギャ
ップ深さ検知パターンを、その形成領域を有効に活用し
て、形成するものであるから、該ギャップ深さ検知パタ
ーンの測定幅を広くすることができ、該測定幅の測定誤
差に伴なうギャップ深さの測定誤差を軽減できて、該ギ
ャップ深さを高精度で求めることができる。
また、本発明によれば、作成されたギャップ深さ検知パ
ターンのギャップ深さ零位側の頂部が円弧状になっても
、これによるギャップ深さの測定への影響を防止するこ
とができ、ギャップ深さの零位もしくはその掻く近傍ま
で高精度にギャップ深さを測定することができる。
ターンのギャップ深さ零位側の頂部が円弧状になっても
、これによるギャップ深さの測定への影響を防止するこ
とができ、ギャップ深さの零位もしくはその掻く近傍ま
で高精度にギャップ深さを測定することができる。
さらに、本発明によれば、ギャップ深さの零位に対する
ギャップ深さ検知パターンの位置合わせが容易にかつ高
精度に達成でき、ギャップ深さを高い精度で求めること
ができる。
ギャップ深さ検知パターンの位置合わせが容易にかつ高
精度に達成でき、ギャップ深さを高い精度で求めること
ができる。
第1図は本発明による薄膜磁気ヘッドの一実施例を示す
平面図、第2図(a)は第1図のギャップ近傍の拡大平
面図、第2図(b)は同じく拡大断面図、第3図はギャ
ップ深さ検知パターンの測定幅とギャップ深さとの関係
を説明するための図、第4図はギャップ深さ検知パター
ンの設計上の測定幅に対するギャップ深さの測定誤差の
関係を示す図、第5図は第1図に示した実施例と従来技
術とのギャップ深さ検知パターンの比較図、第6図は第
5図でのギャップ深さ検知パターンの測定幅の誤差とギ
ャップ深さの測定誤差との関係を対比して示す図、第7
図〜第9図は夫々本発明による薄膜磁気ヘッドの他の実
施例でのギャップ深さ検知パターンを示す平面図、第1
0図はギャップ深さ検知パターンの頂部の円弧化を説明
する図、第11図は第10図における距離di、d2の
頂角に対する変化を示す図、第12図〜第15図は夫々
本発明による薄膜磁気ヘッドのさらに他の実施例でのギ
ャップ深さ検知パターンを示す平面図、第16図は薄膜
磁気ヘッドの全体構成を示す斜視図、第17図は従来の
薄膜磁気ヘッドでの摺動面の狭面積化によるギャップ深
さ検知パターンを示す図、第18図は従来の薄膜磁気ヘ
ッドの狭面積化に応じたギャップ深さ検知パターンを示
す図である。 1.1′・・・・・・・・・ギャップ深さ検知パターン
、2・・・・・・・・・ギャップ面、3・・・・・・・
・・上部磁気コア、4・・・・・・・・・基板、5・・
・・・・・・・コイル、6・・・・・・・・・摺動面、
7・・・・・・・・・下部磁気コア、8・・・・・・・
・・ギャップ深さの零位、10・・・・・・・・・スリ
ット、11・・・・・・・・・位置合わせ用パターン。 第1図 1 :キ″ヤッブメ?Jオ(欠1]/l’ターゾ3:土
者pJi&気コア 4:基 ^父 5’] ’l!l/ 6:加ニオ気 7:下舒鉛気コア 第2図 (a) (b) 113図 y I!4図 +o 20 30 4OS。 第5図 (Q) (b) 第6図 第7図 第8図 第9図 第10図 第11図 丁n点n角& e (deg) 第12図 第13図 第14図 第15図 第16図
平面図、第2図(a)は第1図のギャップ近傍の拡大平
面図、第2図(b)は同じく拡大断面図、第3図はギャ
ップ深さ検知パターンの測定幅とギャップ深さとの関係
を説明するための図、第4図はギャップ深さ検知パター
ンの設計上の測定幅に対するギャップ深さの測定誤差の
関係を示す図、第5図は第1図に示した実施例と従来技
術とのギャップ深さ検知パターンの比較図、第6図は第
5図でのギャップ深さ検知パターンの測定幅の誤差とギ
ャップ深さの測定誤差との関係を対比して示す図、第7
図〜第9図は夫々本発明による薄膜磁気ヘッドの他の実
施例でのギャップ深さ検知パターンを示す平面図、第1
0図はギャップ深さ検知パターンの頂部の円弧化を説明
する図、第11図は第10図における距離di、d2の
頂角に対する変化を示す図、第12図〜第15図は夫々
本発明による薄膜磁気ヘッドのさらに他の実施例でのギ
ャップ深さ検知パターンを示す平面図、第16図は薄膜
磁気ヘッドの全体構成を示す斜視図、第17図は従来の
薄膜磁気ヘッドでの摺動面の狭面積化によるギャップ深
さ検知パターンを示す図、第18図は従来の薄膜磁気ヘ
ッドの狭面積化に応じたギャップ深さ検知パターンを示
す図である。 1.1′・・・・・・・・・ギャップ深さ検知パターン
、2・・・・・・・・・ギャップ面、3・・・・・・・
・・上部磁気コア、4・・・・・・・・・基板、5・・
・・・・・・・コイル、6・・・・・・・・・摺動面、
7・・・・・・・・・下部磁気コア、8・・・・・・・
・・ギャップ深さの零位、10・・・・・・・・・スリ
ット、11・・・・・・・・・位置合わせ用パターン。 第1図 1 :キ″ヤッブメ?Jオ(欠1]/l’ターゾ3:土
者pJi&気コア 4:基 ^父 5’] ’l!l/ 6:加ニオ気 7:下舒鉛気コア 第2図 (a) (b) 113図 y I!4図 +o 20 30 4OS。 第5図 (Q) (b) 第6図 第7図 第8図 第9図 第10図 第11図 丁n点n角& e (deg) 第12図 第13図 第14図 第15図 第16図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、下部磁気コア、上部磁気コア夫々の端部を近接対向
させてギャップを形成し、かつ記録媒体との摺動面の面
積が狭くなるように機械加工された薄膜磁気ヘッドにお
いて、 該ギャップのギャップ面外にあり、該ギャップ面に接す
る部分を有するギャップ深さ検知パターンを設けたこと
を特徴とする薄膜磁気ヘッド。 2、請求項1において、 前記部分は前記ギャップ面の両側にあることを特徴とす
る薄膜磁気ヘッド。 3、請求項1において、 前記部分は前記ギャップ面の片側のみにあることを特徴
とする薄膜磁気ヘッド。 4、請求項2または3において、 前記ギャップ深さ検知パターンは前記ギャップ面に重な
る部分も有することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 5、下部磁気コア、上記磁気コア夫々の端部を近接対向
させてギャップを形成し、かつ記録媒体との摺動面の面
積が狭くなるように機械加工された薄膜磁気ヘッドにお
いて、 該ギャップのギャップ面の両側にギャップ深さ検知パタ
ーンを設け、 該摺動面に露出する該ギャップ深さ検知パターンの端部
間の幅を測定することにより、ギャップ深さを求めるこ
とができるようにしたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド
。 6、下部磁気コア、上部磁気コア夫々の端部を近接対向
させてギャップを形成した薄膜磁気ヘッドにおいて、 頂部形状が円弧状となつたギャップ深さ検知パターンを
、該ギャップのギャップ面での奥部辺の延長線上のギャ
ップ深さの零位で該ギャップ深さ検知パターンが存在す
ることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 7、請求項6において、 前記ギャップ深さ検知パターンは、前記ギャップ深さの
零位に一致する有限長の辺を有することを特徴とする薄
膜磁気ヘッド。 8、請求項6において、 前記ギャップ深さ検知パターンの前記頂部の円弧状部が
、少なくとも前記ギャップ深さの零位よりも奥方にある
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 9、下部磁気コア、上部磁気コア夫々の端部を近接対向
させてギャップを形成した薄膜磁気ヘッドにおいて、 一部が該ギャップのギャップ面に重なり、かつスリット
を有するギャップ深さ検知パターンを、該ギャップ面の
ギャップ深さの零位となる辺に該スリットが一致するよ
うに、配置したことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 10、下部磁気コア、上部磁気コア夫々の端部を近接対
向させてギャップが形成され、かつ該ギャップのギャッ
プ面外にギャップ深さ検知パターンが設けられた薄膜磁
気ヘッドにおいて、 該ギャップ深さ検知パターンと所定の位置関係にある位
置合わせ用のパターンを設け、 該位置合わせ用のパターンを、該ギャップ面のギャップ
深さの零位となる辺に合わせたことを特徴とする薄膜磁
気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32114190A JPH04192104A (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32114190A JPH04192104A (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04192104A true JPH04192104A (ja) | 1992-07-10 |
Family
ID=18129262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32114190A Pending JPH04192104A (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04192104A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013152776A (ja) * | 2012-01-25 | 2013-08-08 | Seagate Technology Llc | 書込みコイルを含むヘッド |
-
1990
- 1990-11-27 JP JP32114190A patent/JPH04192104A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013152776A (ja) * | 2012-01-25 | 2013-08-08 | Seagate Technology Llc | 書込みコイルを含むヘッド |
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