JPH04192381A - ジョセフソン接合素子 - Google Patents
ジョセフソン接合素子Info
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- JPH04192381A JPH04192381A JP2320399A JP32039990A JPH04192381A JP H04192381 A JPH04192381 A JP H04192381A JP 2320399 A JP2320399 A JP 2320399A JP 32039990 A JP32039990 A JP 32039990A JP H04192381 A JPH04192381 A JP H04192381A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は酸化物超電導体を用いたジョセフソン接合素子
に関し、特に、ジョセフソン弱結合部を上記酸化物超電
導体と同様の結晶構造を有するジョセフソン接合素子に
関する。
に関し、特に、ジョセフソン弱結合部を上記酸化物超電
導体と同様の結晶構造を有するジョセフソン接合素子に
関する。
（ロ）従来の技術
ジョセフソン接合素子は、その高速性、低消費電力性の
ため半導体を凌ぐ高速素子として期待され、ジョセフソ
ンコンピュータの試作が精力的に進められている。この
ために試作されている素子嘴遺は、ＮｂあるいはＮｂＮ
の間に、ごく薄い絶縁膜を挾んだトンネル接合型のもの
が主流を占めている。
ため半導体を凌ぐ高速素子として期待され、ジョセフソ
ンコンピュータの試作が精力的に進められている。この
ために試作されている素子嘴遺は、ＮｂあるいはＮｂＮ
の間に、ごく薄い絶縁膜を挾んだトンネル接合型のもの
が主流を占めている。
一方、酸化物超電導体が高温の臨界温度を有することが
発見されて以来、この酸化物超電導体を用いるジョセフ
ソン接合素子の開発が進められている。
発見されて以来、この酸化物超電導体を用いるジョセフ
ソン接合素子の開発が進められている。
しかしながら、超電導体の臨界温度が高い超電導体はど
その超電導体のコヒーレンス長が短くなり、超電導臨界
温度が８０に以上である酸化物超電導体においては、コ
ヒーレンス長はＣ軸方向で数十穴であり、ジョセフソン
接合素子を構成する超電導体・絶縁体（又は常電導体）
・超電導体における絶縁体（又は常電導体）（以下絶縁
体等という）の厚みをその超電導体のコヒーレンス長以
下に薄くする必要があり、また、ジョセフソン電流を大
きくするためには、その絶縁体等の結晶構造を隣接する
超電導体と同様にすることが必要である。
その超電導体のコヒーレンス長が短くなり、超電導臨界
温度が８０に以上である酸化物超電導体においては、コ
ヒーレンス長はＣ軸方向で数十穴であり、ジョセフソン
接合素子を構成する超電導体・絶縁体（又は常電導体）
・超電導体における絶縁体（又は常電導体）（以下絶縁
体等という）の厚みをその超電導体のコヒーレンス長以
下に薄くする必要があり、また、ジョセフソン電流を大
きくするためには、その絶縁体等の結晶構造を隣接する
超電導体と同様にすることが必要である。
ところで、酸化物ｖｉ電導体を用いた従来のジョセフソ
ン接合素子として、ＹＢａＣｕＯ／、Ａｕ／ＹＢａＣｕ
Ｏを基板上に積層したトンネル接合型ものが提案されて
いる（Ｐ、Ｍ、Ｍａｎｋｉｅｗｉｃｈ ｅｔｃ、 ’
ＦＥＤ ＨｉＳｃ−ＥＤ Ｗｏｒｋｓｈｏｐ” Ｍｉｙ
ａｇｉ−Ｚａｏ、１５７．１９８８）。
ン接合素子として、ＹＢａＣｕＯ／、Ａｕ／ＹＢａＣｕ
Ｏを基板上に積層したトンネル接合型ものが提案されて
いる（Ｐ、Ｍ、Ｍａｎｋｉｅｗｉｃｈ ｅｔｃ、 ’
ＦＥＤ ＨｉＳｃ−ＥＤ Ｗｏｒｋｓｈｏｐ” Ｍｉｙ
ａｇｉ−Ｚａｏ、１５７．１９８８）。
しかしこの提案されたものにおいては、ＹＢａＣｕＯと
Ａｕの界面における結晶構造の不連続性と、ＹＢａＣｕ
Ｏの、Ａｕ対接面における酸素濃度の減少によるＹ Ｂ
ａ Ｃｕ０Ｌ７）超電導性の劣化とに基ずき、素子と
して動作するために必要な２つのＹＢａＣｕＯ間のジョ
セフソン電流を得ることは困難である。このため、Ａｕ
以外のバリヤー材料であって、ＹＢａＣｕＯとの反応性
に乏しく、且つＹＢａＣｕＯと結晶性において相性のよ
い材料の選定が望まれている。
Ａｕの界面における結晶構造の不連続性と、ＹＢａＣｕ
Ｏの、Ａｕ対接面における酸素濃度の減少によるＹ Ｂ
ａ Ｃｕ０Ｌ７）超電導性の劣化とに基ずき、素子と
して動作するために必要な２つのＹＢａＣｕＯ間のジョ
セフソン電流を得ることは困難である。このため、Ａｕ
以外のバリヤー材料であって、ＹＢａＣｕＯとの反応性
に乏しく、且つＹＢａＣｕＯと結晶性において相性のよ
い材料の選定が望まれている。
このような要望に応えるものとして、前述のＡｕに代わ
ってＰｒＢａＣｕＯ酸化物薄膜を用いるものを検討した
。このＰｒＢａＣｕＯは絶縁性を示し、しかもその結晶
構造がＹＢａＣｕＯと同じである。
ってＰｒＢａＣｕＯ酸化物薄膜を用いるものを検討した
。このＰｒＢａＣｕＯは絶縁性を示し、しかもその結晶
構造がＹＢａＣｕＯと同じである。
ところが、このＰ ｒＢａｃｕｏ酸化物薄膜においては
、素子として動作するために必要なジョセフソン電流を
得るための１０ ”／ｃｍ’以上のキャリヤ濃度を得る
ことができなかった。
、素子として動作するために必要なジョセフソン電流を
得るための１０ ”／ｃｍ’以上のキャリヤ濃度を得る
ことができなかった。
（ハ） 発明が解決しようとする課題
本発明はかかる背景の下に、超電導体と絶縁体等の界面
における結晶構造の連続性の向上、超電導体の絶縁体等
との対接面における酸素欠乏の緩和及び絶縁体等におけ
る適正なキャリヤ濃度を得ることができるジョセフソン
接合素子を提供することを解決課題とする。
における結晶構造の連続性の向上、超電導体の絶縁体等
との対接面における酸素欠乏の緩和及び絶縁体等におけ
る適正なキャリヤ濃度を得ることができるジョセフソン
接合素子を提供することを解決課題とする。
（ニ）課題を解決するための手段
本発明によるジョセフソン接合素子は、ＬｎＢａ＋ＣＵ
、Ｏ，（但し、ＬｎｉｉＹ、Ｙｂ、 Ｅｒ、 Ｅｕ、
Ｈｏ、Ｓｍ、 Ｎｄの一種又は複数種からなる）酸化物
超電導薄膜の所定部位に、Ｌ ｎ ＋ −ｙ Ｐ ｒ
ｙ Ｂ ａ ２ Ｃｕ ｓ Ｏ＊ （但し、０．１＜ｙ
＜０．５）薄膜部を設け、この薄膜部をジョセフソン弱
結合部にしたことを特徴とするものである。
、Ｏ，（但し、ＬｎｉｉＹ、Ｙｂ、 Ｅｒ、 Ｅｕ、
Ｈｏ、Ｓｍ、 Ｎｄの一種又は複数種からなる）酸化物
超電導薄膜の所定部位に、Ｌ ｎ ＋ −ｙ Ｐ ｒ
ｙ Ｂ ａ ２ Ｃｕ ｓ Ｏ＊ （但し、０．１＜ｙ
＜０．５）薄膜部を設け、この薄膜部をジョセフソン弱
結合部にしたことを特徴とするものである。
（ホ）作用
超電導薄膜を構成するＬｎＢａｘＣｕ＋Ｏ，と、絶縁体
等を構成するＬ ｎ １− ｙ Ｐ ｒ ｙ Ｂ ａ
ｒ Ｃｕ ｒ Ｏｔとが酸化物であって、同様の結晶構
造をもつため、前述の従来例におけるＡｕを用いたもの
に比して、超電導薄膜と絶縁体等の界面における結晶構
造の連続性を向上することができるとともに超電導薄膜
の絶縁体等との対接面における酸素の欠乏に対してもそ
の性質が維持されることがらその対接面近傍の酸素欠乏
を緩和する効果があり、超電導特性の劣化防止にもなる
。また、前記Ｌｎ＋−，Ｐｒ、ＢａｔＣＬＩ＋Ｏｔにお
けるｙが０． ｘ＜ｙ＜ｏ、 ５であることがら、絶縁
体等における適正なキャリヤ濃度を得ることができ、ジ
ョセフソン接合素子として動作するために必要なジョセ
フソン電流を得ることができる。
等を構成するＬ ｎ １− ｙ Ｐ ｒ ｙ Ｂ ａ
ｒ Ｃｕ ｒ Ｏｔとが酸化物であって、同様の結晶構
造をもつため、前述の従来例におけるＡｕを用いたもの
に比して、超電導薄膜と絶縁体等の界面における結晶構
造の連続性を向上することができるとともに超電導薄膜
の絶縁体等との対接面における酸素の欠乏に対してもそ
の性質が維持されることがらその対接面近傍の酸素欠乏
を緩和する効果があり、超電導特性の劣化防止にもなる
。また、前記Ｌｎ＋−，Ｐｒ、ＢａｔＣＬＩ＋Ｏｔにお
けるｙが０． ｘ＜ｙ＜ｏ、 ５であることがら、絶縁
体等における適正なキャリヤ濃度を得ることができ、ジ
ョセフソン接合素子として動作するために必要なジョセ
フソン電流を得ることができる。
（へ）実施例
〔第１実施例〕
この実施例はマイクロブリッジ型ジョセフソン接合素子
に関するものである。
に関するものである。
第１図はマイクロブリッジ型ジョセフソン接合素子の斜
視図である。この図面がら明らかなように、基板１上に
ＬｎＢａｔＣｕｓＯ−（但し、Ｌｎｉ、ｔＹ、 Ｙｂ、
Ｅｒ、 Ｅｕ、 Ｈｏ、Ｓｍ、Ｎｄの一種又は複数種
からなる）酸化物超電導薄膜２をスパッタリング法また
は蒸着法により数百λ〜数μｍの厚さに形成する。基板
１としては、Ａｌｌ０＋、５ｒＴｉ○８、ＬａＡｌ０＋
、ＬａＧａＯ４、ＭｇＯを用いることができる。
視図である。この図面がら明らかなように、基板１上に
ＬｎＢａｔＣｕｓＯ−（但し、Ｌｎｉ、ｔＹ、 Ｙｂ、
Ｅｒ、 Ｅｕ、 Ｈｏ、Ｓｍ、Ｎｄの一種又は複数種
からなる）酸化物超電導薄膜２をスパッタリング法また
は蒸着法により数百λ〜数μｍの厚さに形成する。基板
１としては、Ａｌｌ０＋、５ｒＴｉ○８、ＬａＡｌ０＋
、ＬａＧａＯ４、ＭｇＯを用いることができる。
実施例においては、基板ｌとしてＭｇＯを用い、超電導
薄膜２としてＹＢａｔＣｕ＋０．組成のものをスパッタ
リング法により形成した。即ち、スパッタリング装置の
ペルジャー内の対抗電極の陽極側に基板１を載置すると
ともにその陽極を掻を接地し、陰極電極をＹ Ｂ ａ
！ Ｃｕ ｓ Ｏ＊酸化物超電導体の焼結体からなるタ
ーゲツト材にて構成する。ペルジャー内にアルゴンガス
を３．０〜３０．０ｍＴｏｒｒの圧力で供給するととも
に陰極電極に負の高い電圧を印加し、スパッタ出力を２
００〜２５０Ｗをして基板ｌに薄膜を形成した。
薄膜２としてＹＢａｔＣｕ＋０．組成のものをスパッタ
リング法により形成した。即ち、スパッタリング装置の
ペルジャー内の対抗電極の陽極側に基板１を載置すると
ともにその陽極を掻を接地し、陰極電極をＹ Ｂ ａ
！ Ｃｕ ｓ Ｏ＊酸化物超電導体の焼結体からなるタ
ーゲツト材にて構成する。ペルジャー内にアルゴンガス
を３．０〜３０．０ｍＴｏｒｒの圧力で供給するととも
に陰極電極に負の高い電圧を印加し、スパッタ出力を２
００〜２５０Ｗをして基板ｌに薄膜を形成した。
その後、基板１をペルジャー内から取り８巳て電気炉に
入れ、流量２１／分の酸素雰囲気中において室温から１
℃／秒で９４０℃まで昇温し、９４０℃で１０分間焼成
処理を行い、−２０℃／秒で室温まで降温して、基板１
上にＹＢａ＋ＣＬｌ＋汎超電導薄膜２全超電導薄膜 次にこのようにして得られた超電導薄膜２に、７オトレ
ジスト、メタルマスク等を用いたパターニング、又はマ
スクレススパッタエツチングによるパターニングにより
、第１図に示すように弱結合部３を有するパターンを形
成する。実施例ではフォトレジストを用いたパターニン
グによりこのパターンを形成した。このときの弱結合部
３の長さ及び幅は０．１−１００μｍであった。
入れ、流量２１／分の酸素雰囲気中において室温から１
℃／秒で９４０℃まで昇温し、９４０℃で１０分間焼成
処理を行い、−２０℃／秒で室温まで降温して、基板１
上にＹＢａ＋ＣＬｌ＋汎超電導薄膜２全超電導薄膜 次にこのようにして得られた超電導薄膜２に、７オトレ
ジスト、メタルマスク等を用いたパターニング、又はマ
スクレススパッタエツチングによるパターニングにより
、第１図に示すように弱結合部３を有するパターンを形
成する。実施例ではフォトレジストを用いたパターニン
グによりこのパターンを形成した。このときの弱結合部
３の長さ及び幅は０．１−１００μｍであった。
この弱結合部３に対して、Ｐｒをイオン注入して改質す
る。実施例においては、集束イオンビームによりＰｒを
加速電圧数ＫｅＶ〜数百ＫｅＶ、ドーズ量１０”−１０
” （イオン量／ｃｍ’）で注入した。その後５００〜
６５０℃の熱処理により結晶性を回復させてジョセフソ
ン弱結合部を構成する薄膜４を形成した。Ｘ＠回折によ
りで調べたところ（交流帯磁率で調べてもよい）、この
薄膜４はＹｌ−、Ｐｒ、ＢａｔＣｕｓＯｘ（但し、ｏ、
１＜ｙ＜０．５）薄膜であり、常電導体であることが
分かった。上記ｙの値は加速電圧又はドーズ量を変える
ことにより調整することができる。
る。実施例においては、集束イオンビームによりＰｒを
加速電圧数ＫｅＶ〜数百ＫｅＶ、ドーズ量１０”−１０
” （イオン量／ｃｍ’）で注入した。その後５００〜
６５０℃の熱処理により結晶性を回復させてジョセフソ
ン弱結合部を構成する薄膜４を形成した。Ｘ＠回折によ
りで調べたところ（交流帯磁率で調べてもよい）、この
薄膜４はＹｌ−、Ｐｒ、ＢａｔＣｕｓＯｘ（但し、ｏ、
１＜ｙ＜０．５）薄膜であり、常電導体であることが
分かった。上記ｙの値は加速電圧又はドーズ量を変える
ことにより調整することができる。
このような構成により、薄膜４を〜ジョセフソン弱結合
部とするジョセフソン接合素子を形成する。
部とするジョセフソン接合素子を形成する。
尚、弱結合部３の厚みが大のときは、この弱結合部３を
イオンエツチングにより数十Å以下に巳で、旨をイオン
注入するようにすればよい。また、このように弱結合部
３の厚みを薄くしない場合には、ＦＩＢのチャンネリン
グ効果を利用してさらに深い層までＰｒをイオン注入す
るようにしてもよい。
イオンエツチングにより数十Å以下に巳で、旨をイオン
注入するようにすればよい。また、このように弱結合部
３の厚みを薄くしない場合には、ＦＩＢのチャンネリン
グ効果を利用してさらに深い層までＰｒをイオン注入す
るようにしてもよい。
改質によるジョセフソン弱結合部（薄膜）４の形成とし
て、以上の実施例ではＰｒのイオン注入による方法につ
いて説明したが、Ｐｒの熱拡散により弱結合部３を改質
するようにしてもよい。この場合には、弱結合部３上に
Ｐｒ＊Ｑ＋の薄膜を１００λ程度形成し、大気中で５０
０〜６５０ ”Ｃの温度で熱処理することにより、’ｌ
’１−ｙＰｒｙＢａｔＣｕｓＯ−が形成される。
て、以上の実施例ではＰｒのイオン注入による方法につ
いて説明したが、Ｐｒの熱拡散により弱結合部３を改質
するようにしてもよい。この場合には、弱結合部３上に
Ｐｒ＊Ｑ＋の薄膜を１００λ程度形成し、大気中で５０
０〜６５０ ”Ｃの温度で熱処理することにより、’ｌ
’１−ｙＰｒｙＢａｔＣｕｓＯ−が形成される。
〔第２実施例〕
この実施例はトンネル接合型ジョセフソン接合素子に関
するものである。
するものである。
第２図はトンネル接合型ジョセフソン接合素子の斜視図
である。この図面において、基板１上にＬｎＢａ＋Ｃｕ
３０．酸化物超電導薄膜２を形成する点においては、第
１実施例で形成したものを用いた。
である。この図面において、基板１上にＬｎＢａ＋Ｃｕ
３０．酸化物超電導薄膜２を形成する点においては、第
１実施例で形成したものを用いた。
この酸化物超電導薄膜２の一部にＰｒをイオン注入して
ジョセフソン弱結合部を構成する改質部５を形成する。
ジョセフソン弱結合部を構成する改質部５を形成する。
この場合のイオン注入の深さは、Ｃ軸方向のコヒーレン
ス長が短いことから、加速電圧が数百ｅＶ〜数十ＫｅＶ
とされ、イオンの注入深さが浅く （数十Å以下）され
ている。このジョセフソン弱結合部（改質部）５は第１
実施例における薄膜４と同じ（Ｙ＋−ｙＰｒｙＢａｘｃ
ｕ！○バ但し、０．１＜ｙ＜０．５）薄膜であり、常電
導体であることが分かった。その後、この改質部５上に
ＬｎＢａｔＣｕｓＯ−酸化物超電導薄膜６を酸化物超電
導薄膜２と同じ方法で形成した。
ス長が短いことから、加速電圧が数百ｅＶ〜数十ＫｅＶ
とされ、イオンの注入深さが浅く （数十Å以下）され
ている。このジョセフソン弱結合部（改質部）５は第１
実施例における薄膜４と同じ（Ｙ＋−ｙＰｒｙＢａｘｃ
ｕ！○バ但し、０．１＜ｙ＜０．５）薄膜であり、常電
導体であることが分かった。その後、この改質部５上に
ＬｎＢａｔＣｕｓＯ−酸化物超電導薄膜６を酸化物超電
導薄膜２と同じ方法で形成した。
このような構成により、改質部５をジョセフソン弱結合
部とするジョセフソン接合素子を形成する。
部とするジョセフソン接合素子を形成する。
ジョセフソン弱結合部（改質部）５の形成法として、第
１実施例で説明したように、Ｐｒのイオン注入による方
法に代わってＰｒの熱拡散により改質部５を形成するよ
うにしてもよい。
１実施例で説明したように、Ｐｒのイオン注入による方
法に代わってＰｒの熱拡散により改質部５を形成するよ
うにしてもよい。
以上の第１及び第２の実施例におけるジョセフソン弱結
合部を構成する薄膜４及び改質部５がＹｌ−ｙＰｒｙＢ
ａ宜ｃｕｓｏｍ（但し、０．１＜ｙ＜ｏ、 ５）で構成
されているので、Ｐ ｒ Ｂ ａ ＊ Ｃｕ ｓ Ｏｘ
で構成したものに比べてジョセフソン弱結合部における
キャリア濃度を１０１１／ａｍ″以上に高めることがで
きる。
合部を構成する薄膜４及び改質部５がＹｌ−ｙＰｒｙＢ
ａ宜ｃｕｓｏｍ（但し、０．１＜ｙ＜ｏ、 ５）で構成
されているので、Ｐ ｒ Ｂ ａ ＊ Ｃｕ ｓ Ｏｘ
で構成したものに比べてジョセフソン弱結合部における
キャリア濃度を１０１１／ａｍ″以上に高めることがで
きる。
また、以上の実施例においては、超電導薄膜としてＹＢ
ａｌＣｕｌＯ□組成のものを用いたが、この組成Ｙの代
わりにＹｂ、 Ｅｒ、 Ｅｕ、 Ｈａ、 Ｓｍ、Ｎｄの
一種又は複数種からなるもの、あるいはこれらとＹとの
組み合わせからなるものを使用しもよい。
ａｌＣｕｌＯ□組成のものを用いたが、この組成Ｙの代
わりにＹｂ、 Ｅｒ、 Ｅｕ、 Ｈａ、 Ｓｍ、Ｎｄの
一種又は複数種からなるもの、あるいはこれらとＹとの
組み合わせからなるものを使用しもよい。
（ト）発明の効果
本発明によるジョセフソン接合素子は、ＬｎＢａ＋Ｃｕ
３０ｍ（但し、ＬｎはＹ、 Ｙｂ、 Ｅｒ、 Ｅｕ、
Ｈｏ、Ｓｍ、Ｎｄの一種又は複数種からなる）酸化物超
電導薄膜の所定部位に、Ｌｎ、−、Ｐｒ、ＢａｔＣｕ＋
Ｏｘ（但し、０．１＜ｙ（０，５）薄膜部を設け、この
薄膜部をジョセフソン弱結合部にしたことを特徴とする
ものであるから、次の効果を有する。即ち、超電導薄膜
を構成するＬｎＢａ、Ｃｕ、Ｏｌと、絶縁体等を構成す
るＬｒ＋＋−、Ｐｒ、Ｂａ＊Ｃｕ５Ｏｘとが酸化物であ
って、同様の結晶構造をもつため、超電導薄膜と絶縁体
等の界面における結晶構造の連続性を向上することがで
きるとともに超電導薄膜の絶縁体等との対接面における
酸素の欠乏に対してもその性質が維持されることからそ
の対接面近傍の酸素欠乏を緩和する効果があり、超電導
特性の劣化防止にもなる。また、前記Ｌｎ＋−アＰｒ。
３０ｍ（但し、ＬｎはＹ、 Ｙｂ、 Ｅｒ、 Ｅｕ、
Ｈｏ、Ｓｍ、Ｎｄの一種又は複数種からなる）酸化物超
電導薄膜の所定部位に、Ｌｎ、−、Ｐｒ、ＢａｔＣｕ＋
Ｏｘ（但し、０．１＜ｙ（０，５）薄膜部を設け、この
薄膜部をジョセフソン弱結合部にしたことを特徴とする
ものであるから、次の効果を有する。即ち、超電導薄膜
を構成するＬｎＢａ、Ｃｕ、Ｏｌと、絶縁体等を構成す
るＬｒ＋＋−、Ｐｒ、Ｂａ＊Ｃｕ５Ｏｘとが酸化物であ
って、同様の結晶構造をもつため、超電導薄膜と絶縁体
等の界面における結晶構造の連続性を向上することがで
きるとともに超電導薄膜の絶縁体等との対接面における
酸素の欠乏に対してもその性質が維持されることからそ
の対接面近傍の酸素欠乏を緩和する効果があり、超電導
特性の劣化防止にもなる。また、前記Ｌｎ＋−アＰｒ。
ＢａｆＣｕＩ帆におけるｙがＯ，ｌ＜ｙ＜Ｑ、 ５であ
ることから、ジョセフソン弱結合部における適正なキャ
リヤ濃度を得ることができ、ジョセフソン接合素子とし
て動作するために必要なジョセフソン電流を得ることが
できる。
ることから、ジョセフソン弱結合部における適正なキャ
リヤ濃度を得ることができ、ジョセフソン接合素子とし
て動作するために必要なジョセフソン電流を得ることが
できる。
図面は本発明の一実施例を示し、第１図はマイクロブリ
ッジ型ジョセフソン接合素子の斜視図、第２図はトンネ
ル接合型ジョセフソン接合素子の斜視図である。 １−−一−−−−蚤板、２−−−−−−一酸化物超電導
薄膜、３−−−−−−−弱結合部、４−−−−−−−ジ
ョセフソン弱結合部（薄膜）、 ３−−−−−ｍ−・
ジョセフソン弱結合部（改質部）、６、−−−−−−一
俵化物超電導薄膜。
ッジ型ジョセフソン接合素子の斜視図、第２図はトンネ
ル接合型ジョセフソン接合素子の斜視図である。 １−−一−−−−蚤板、２−−−−−−一酸化物超電導
薄膜、３−−−−−−−弱結合部、４−−−−−−−ジ
ョセフソン弱結合部（薄膜）、 ３−−−−−ｍ−・
ジョセフソン弱結合部（改質部）、６、−−−−−−一
俵化物超電導薄膜。
Claims (1)
- （１）ＬｎＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿ｘ（但し、ＬｎはＹ、
Ｙｂ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｈｏ、Ｓｍ、Ｎｄの一種又は複数種
からなる）酸化物超電導薄膜の所定部位に、Ｌｎ＿１＿
−＿ｙＰｒ＿ｙＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿ｘ（但し、０．１
＜ｙ＜０．５）薄膜部を設け、この薄膜部をジョセフソ
ン弱結合部にしたことを特徴とするジョセフソン接合素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2320399A JPH04192381A (ja) | 1990-11-22 | 1990-11-22 | ジョセフソン接合素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2320399A JPH04192381A (ja) | 1990-11-22 | 1990-11-22 | ジョセフソン接合素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04192381A true JPH04192381A (ja) | 1992-07-10 |
Family
ID=18121036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2320399A Pending JPH04192381A (ja) | 1990-11-22 | 1990-11-22 | ジョセフソン接合素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04192381A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3968395A1 (en) * | 2020-09-15 | 2022-03-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Oxide superconductor and method for manufacturing the same |
| EP3968396A1 (en) * | 2020-09-15 | 2022-03-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Oxide superconductor and method for manufacturing the same |
-
1990
- 1990-11-22 JP JP2320399A patent/JPH04192381A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3968395A1 (en) * | 2020-09-15 | 2022-03-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Oxide superconductor and method for manufacturing the same |
| EP3968396A1 (en) * | 2020-09-15 | 2022-03-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Oxide superconductor and method for manufacturing the same |
| US12156483B2 (en) | 2020-09-15 | 2024-11-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Oxide superconductor and method for manufacturing same |
| US12161054B2 (en) | 2020-09-15 | 2024-12-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Oxide superconductor and method for manufacturing same |
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