JPH04192481A - 光ファイバ形光増幅装置 - Google Patents

光ファイバ形光増幅装置

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JPH04192481A
JPH04192481A JP2324260A JP32426090A JPH04192481A JP H04192481 A JPH04192481 A JP H04192481A JP 2324260 A JP2324260 A JP 2324260A JP 32426090 A JP32426090 A JP 32426090A JP H04192481 A JPH04192481 A JP H04192481A
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signal light
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利隆 青柳
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、光を直接増幅する光ファイバ形光増幅装置
に関するものてあり、特に励起光による励起効率の高い
光ファイバ形光増幅装置に関するものである。
〔従来の技術〕
第3図は従来の光ファイバ形光増幅装置の例を示す。同
図に3いて、入力信号光を伝送する通常の単一モート光
ファイバ21は光結合器2の第1の入力に接続され、励
起用のレーザ光を伝送する同様な単一モート光ファイバ
22は光結合器2の第2の入力に接続されている。光結
合器2の出力には増幅用光ファイバを構成する例えばエ
ルビウム・ドープ光ファイバ4か接続されており、該エ
ルビウム・ドープ光ファイバ4の出力端には増幅された
信号光伝送用の通常の単一モート出力光ファイバ23か
接続されている。
光ファイバ21.22.23はそれぞれ円形断面のコア
:11.32.33と、各コアの周囲を覆う環状断面の
クラッド41.42.43とにより構成されている。コ
アおよびクラッドは一般に屈折率か互いに異なる石英ガ
ラスにより形成され、各光ファイバは、クラッドに外装
された保護膜により保護されている。
光増幅用光ファイバを構成する光ファイバ4は同様に円
形断面のコア34と環状断面のクラッド44とにより構
成され、これらのコア34、クラッド44は屈折率か互
いに異なる石英ガラス等により形成されている。そして
コア34の部分にはE、(エルビウム)、Nd(ネオジ
ウム)、yb、(イッテルビウム)、S■(サマリウム
)、Pr(プラセオジウム)等の希土類元素のイオンが
ドープされている。ドープされる希土類元素は入力信号
光の波長および励起用レーザ光の波長によって決定され
、例えば入力信号光の波長か1.55JLm 、励起用
レーザ光の波長が1.48ILmの場合はE、イオンが
ドープされる。光ファイバ4は、光ファイバ21.22
.23と同一様にクラッド44に外装された保護膜によ
り保護されている。
上記のような従来の光ファイバ形光増幅装置において、
遠方に配置された半導体レーザ装置から通常の単一モー
ト光ファイバ21を通して伝送されてきた1、55延■
の波長の入力信号光6は光結合器2に入力される。また
、励起用高出力半導体レーザ装置8から放射された1、
48gmの波長の励起用レーザ光10は集光レンズ12
て集束されて励起用レーザ光伝送用光ファイバ22の端
部からコア32内に入射される。光ファイバ22に入射
された1、48g量の波長の励起光14は該光ファイバ
22を経て光結合器2に入力される。
光結合器2内ては、1.iig=−の波長の励起光14
と1.55#L−の波長の入力信号光6は同一導波路内
に導入された後、Erドープ光ファイバ4に出力される
。周知のようにErドープ光ファイバ4内では、コア3
4を1.48JL■の波長の励起光14て励起すると、
1.551Lsの波長の入力信号光は誘導放出により増
幅され、増幅された1、55pmの波長の信号光16は
必要に応して設けられる所望の波長の光のみを通過させ
るフィルタ(図示せず)を経て再び通常の単一モート出
力光ファイバ23に送られ、該光ファイバ23を経て次
の場所へ伝送される。
(発明か解決しようとする課題) 上記のような構造をもった従来の光ファイバ形光増幅装
置ては、所望の増幅作用を得るには高出力半導体レーザ
装置8から高出力励起用レーザ光を単一モート光ファイ
バ22の端部からそのコア32内に入射しなければなら
ない。ところか、同党ファイバ22のコア32の直径は
数ミクロン、例えば高々5p■乃至10ILmしかなく
、そのため高出力動作時にも充分に横モートの制御かな
された高出力半導体レーザの光てなければ高効率て光フ
ァイバ22のコア32に励起光を入射することかできな
い。
しかし、高出力て且つ安定した横モート制御を有する励
起用半導体レーザ光を発生するレーザ装置を得ることは
現在のところ非常に困難である。
この発明は、横モートか充分に制御されていない励起用
の高出力半導体レーザ装置を使用しても効率よく励起す
ることかてきる光ファイバ形光増幅装置を得ることを目
的とする。
(課題を解決するための手段〕 この発明の光ファイバ形光増幅装置は、信号光を伝送す
る中心コアを有する増幅用光ファイバの上記中心コアに
信号光を導入し、励起光を上記中心コアを含む光ファイ
バ内に入射し、上記励起光は上記光ファイバ内て少なく
とも中心コアとその外側の領−域て形成する界面以外で
くり返し反射されつつ伝送される間に上記中心コアに吸
収され、それによって上記中心コアを励起して上記信号
光を増幅するように構成されている。
〔作用〕
上記のように、この発明の光ファイバ形光増幅装置では
、光ファイバ内に導入された励起光か該光ファイバ内て
反射されつつ導波され、中心コア内を斜めに横切って通
過する間に該中心コアによって吸収される。このように
、励起光は光ファイバ内て反射、中心コアによる吸収を
くり返しつつ導波され、これによって中心コアを経て伝
送される信号光を高効率て増幅することかてきる。
(実施例) 以下、この発明の光ファイバ形光増幅装置を図示の実施
例によって詳細に説明する。なお、第3図に示す従来の
装置と同等部分には同し参照番号を付す。
第1図はこの発明の光ファイバ形光増幅装置の第1の実
施例を示す。同図において、増幅される入力信号光を伝
送するための従来の装置と同様な単一モート光ファイバ
21はこの発明の光ファイバ形光増幅装置を構成する増
幅用光ファイバ20に接続されている。増幅用光ファイ
バ20の出力端には増幅された信号光伝送用の単一モー
ド光ファイバ23か接続されている。
光ファイバ21.23は円形断面のコア:11.:13
と、各コアの周囲を覆う環状断面のクラッド41.43
とにより構成されている。コア31.33とクラッド4
1、43は屈折率か互いに異なる石英ガラスにより形成
され、各光ファイバ21.23は通常保護膜により保護
されている。
増幅用光ファイバ20は1円形断面のコア24と、該コ
ア24の周囲を覆う環状断面のクラウド26と、クラッ
ド26の周囲に形成された無反射膜28と、該無反射膜
の周囲に励起光か導入される窓領域30を除いて形成さ
れた高反射膜36とからなる。コア24およびクラッド
26は屈折率か互いに異なる石英ガラス等により形成さ
れており、その主としてコア24の部分には旨、 Nd
、Yb、S■、Pr等の希土類元素のイオンがドープさ
れている。ドープされる希土類元素は入力信号光の波長
および励起用レーザ光の波長によって決定され、入力信
号の波長か1.53ルー乃至1.55gm 、励起用レ
ーザ光の波長か0.98p■、 1.48g■等の場合
、E「イオンがドープされる。ここては入力信号光とし
て1.55pmの波長の光を使用し、励起光として1.
48pmのレーザ光を使用し、従ってErドープ光ファ
イバか使用される。
円形断面のコア24の外径は使用される光の波長によっ
て決まるか、環状断面のクラッド26の外径は大略12
5に膣に設定されている。コア24の外径は、光の波長
か0.48.肩程度のときは約3uL層、光の波長か0
.631Lm程度のときは約41Lm、光の波長が0.
85g■程度のときは約5終1、光の波長か1.3ル■
乃至1.551L■のときは約91Lsに設定される。
前述のように、ここては入力信号光として1.55μ層
の波長の光を使用し、励起光として1.481L■のレ
ーザ光を使用しているのて、コア24の外径は約9gm
に設定されている。
無反射lI28としては、 5i02@、 Al2O3
膜、5IJ4膜等の誘電体膜か使用される。これらの誘
電体膜は無反射膜あるいは低反射膜として作用するもの
であるか、ここては両者を含めて無反射膜と称す。
高反射11136としては、Au、 AI、Ag等の金
属膜、SiO□/Si多層膜、  Al2(1+/S!
多層膜5iJn/Si多層膜等の誘電体多層膜か使用さ
れる。
第1図に示すこの発明の光ファイバ形光増幅装置におい
て、遠方の半導体レーザ装置から通常の単一モート光フ
ァイバ21を通して伝送されてきた1、551L■の波
長の信号光6はErドープ増幅用光ファイバ20のコア
24に導入される。一方、励起用高出力半導体レーザ装
置18から放射された1、48.■の波長の励起用レー
ザ光38は窓領域30より無反射膜28を通して光ファ
イバ20内に入射される。この場合、窓領域30の無反
射828に対して垂直な方向からの入射角θは、0″〈
θ〈90@となるように選定されている。
上記のように、窓領域30には無反射膜28か設けられ
ているので、励起用レーザ光38の実質的に全部かクラ
ッド26内に侵入し、Erドープ光ファイバ20のコア
24に達する。コア24て上記1.48μmの波長の励
起用レーザ光38は吸収されるか、吸収されなかった励
起用レーザ光38はさらにクラッド26内を進み、高反
射M36て反射されて再びコア24に向って進み、コア
24中を通過する間に該コア24て吸収される。このよ
うに、窓領域30から導入された励起用レーザ光38は
光ファイバ20の内部て高反射膜36でくり返し反射さ
れつつ導波される間にコア24て吸収され、これによっ
てコア24を励起して1.55μ膳の信号光6を増幅す
ることかてきる。増幅された1、55μ腸の波長の信号
光は必要に応して所望の波長の光のみを通過させるフィ
ルタ(図示せず)を経て増幅された信号光40として通
常の単一モート出力光ファイバ23に送られ、該光ファ
イバ23を経て次の場所に伝送される。
前述のように、第3゛図に示すような構造の従来の光フ
ァイバ形光増幅装置では、光ファイバの端面部より数μ
層の直径のコア内に励起用レーザ光を入射する必要かあ
ったので、励起用レーザ光を高効率て入射するには充分
に横モート制御されたレーザ光を発生するレーザ装置を
使用せざるを得なかった。しかし、充分に横モート制御
され、しかも高出力のレーザ光を発生するレーザ装置を
得ることは困難で、このため従来の光ファイバ形増幅装
置て高利得を得ることは不可能てあった。
第1図に示すような構造のこの発明の光ファイ八形光増
幅装置では、コア24に比して遥かに大きな径をもった
クラッド26内に励起用レーザ光38を入射すればよく
、横モート制御か充分になされていない高出力半導体レ
ーザ装置、例えばブロードエリア形半導体レーザ装置で
も使用することかてき、励起光を効率よ<Erドープ光
ファイバ20のコア24に吸収させて信号光6を大きく
増幅して通常の単モート出力光ファイバ23に送り出す
ことかてきる。
第1図に示す実施例において、レーザ装置18で発生さ
れるレーザ光を光学レンズて平行光あるいは集束光にし
て増幅用光ファイバ20に入射させると、コア24をさ
らに高い効率て励起して、−層高い増幅率か得られる。
また、図示の実施例ては、励起光をコア24を中心とし
て対称な2方向から入射しているか、クラッド26の周
囲に2以上の任意の数の窓領域を設けて、その窓領域を
通して励起光を入射することもてきる。
さらに、クラッド26の直径、外周面形状は、励起光の
入射効率を高めるために実施例て示した値あるいは形状
以外の任意の値あるいは形状とすることかできる。
無反射膜28は、窓領域30の部分のみ設けてもよいし
、場合によっては省略してもよい。無反射膜28を省略
すると、励起光の入射効率か若干低下するか、励起用レ
ーザ装置I8として充分に高出力のものを使用すれば、
所望の増幅率か得られる。
第1図の実施例て、高反射膜36を省略することもてき
る。高反射膜36を省略すると、励起光38はクラッド
と外気との界面て反射されて再びコア24に向う。この
場合、励起光の一部は上記界面を透過して外気へ抜ける
か、この発明では、励起用レーザ装置は充分に横モート
制御されていなくてもよく、従って励起用レーザ装置1
8として高出力のものを使用できるから、充分の増幅率
をもって信号光6を増幅することかてきる。
第2図はこの発明による光ファイバ形光増幅装置の第2
の実施例を示す。第2図の実施例ては、例えば1.55
gmの波長をもった信号光6を伝送する通常の単一モー
ド入力信号光伝送用光ファイバ21は周知の光結合器4
6の第1の入力に接続され、励起光発生用の半導体レー
ザ装置18から放射される励起用レーザ光38を伝送す
るマルチモート光ファイバ48は光結合器46の第2の
入力に接続されている。
光結合器46の出力側には増幅用光ファイバ50か接続
されている。この実施例ては、増幅用光ファイバ50は
信号光6か伝送される第1コア52と、その周囲に設け
られた励起光38か導波される第2コア54と、高反射
膜として作用するクラッド56とからなる。第1コア5
2、第2コア54.クラッド56は屈折率か互いに異な
る例えば石英ガラスで形成され、第1コア52の屈折率
をnI、第2コア54の屈折率をn2.クラッド56の
屈折率をn3とすると、n、>n2>n、どなるように
各部分の材料か選定されている。増幅用光ファイバ50
の主として第1コア52には例えばErイオン(Er3
“)がドープされている。ドープされる元素は取扱う光
の波長によってEr以外のNd、 Yb、 AI、Sw
等が使用される。
第2図に示す実施例では、光ファイバ21によって伝送
されてきた例えば1.55uLmの波長の信号光6は光
結合器46によって増幅用光ファイバ50の第1コア5
2に導入され、半導体レーザ装置18から放射された例
えば、t、4ag■の波長の励起光38はマルチモート
光ファイバ48内を反射しつつ導波され、光結合器46
を経て上記増幅用光ファイバ50の第2コア54に導入
される。増幅用光ファイバ50の第2コア54に導入さ
れた励起光はクラッド56て反射されつつ導波され、そ
の間コア52を通過するときに該コア52て吸収される
。これによってコア52は励起され、該コア52中を伝
送される信号光6は増幅される。第1図の実施例ζ同様
に、増幅された信号光40は必要に応してフィルタを経
て通常の単一モート出力光ファイバ23に送られる。
第2図の実施例ては、励起光は増幅用光ファイバ50の
第2コア54の端面から該増幅用光ファイバ50に導入
されるもので、励起光38の入射角θヰ90″の場合で
ある。
第2図の実施例においても、励起光38か入射される増
幅用光ファイバ50の第2コア54の断面積は、第1コ
ア52の断面積に比して遥かに大である(数10倍〜数
100倍)から、横モード制御か充分になされていない
高出力のレーザ光ても増幅用光ファイバ50に効率よく
入射することかてき、信号光を高い増幅率てもって増幅
することかできる。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明の光ファイバ形光増幅装置によ
れば、横モート制御が極めて困難で、充分な横モート制
御が行なわれない高出力の励起用レーザ光発生装置を使
用して効率よく信号光を励起するさとかできるので、容
易に高利得を得ることかてきる。励起光か例えば10個
の横モートを有し、各横モートの利得か等しいと仮定す
ると、第3図に示す単一モート光ファイバ22を使用し
た場合の励起光の結合効率は高々10%程度であるか、
この発明の装置によれば、窓領域30の大きさを適当に
設定するか(第1図の実施例)、第2コア54の寸法を
適当に設定すれば(第2図の実施例)、励起光の結合効
率を100%近くにまて引上げることかでき、従来装置
に比して10倍以上の光増幅率か得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明による光ファイバ形光増幅装置の第1
の実施例を示す概略構成図、第2図はこの発明による光
ファイバ形光増幅装置の第2の実施例を示す概略構成図
、第3図は従来の光ファイハ形光増幅装置の一例を示す
概略構成図である。 第1図で、6・・・・信号光、18・・・・励起光発生
装置、20・・・・増幅用光ファイバ、24・・・・コ
ア、26・・・・クラッド、28・・・・無反射膜、3
0・・・・窓領域、36・・・・高反射膜、38・・・
・励起光。 第2図て、18・・・・励起光発生装置、50・・・・
増幅用光ファイバ、52・・・・第1コア、54・・・
・第2コア、56・・・・クラッド。

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)信号光を伝送する中心コアを有する増幅用光ファ
    イバと、該光ファイバに励起光を入射する励起光発生装
    置とからなり、上記励起光は上記光ファイバ内で少なく
    とも中心コアとその外側の領域で形成する界面以外でく
    り返し反射されつつ伝送される間に上記中心コアに吸収
    され、それによって上記中心コアは励起されて上記信号
    光を増幅するように構成された光ファイバ形光増幅装置
  2. (2)少なくとも信号光を伝送する中心コアには希土類
    元素がドープされていることを特徴とする請求項(1)
    記載の光ファイバ形光増幅装置。
  3. (3)信号光を伝送するコアおよび該コアの周囲に設け
    られたクラッドを有する増幅用光ファイバと、上記クラ
    ッドの側部から励起光を入射する励起光発生装置とから
    なり、上記励起光は上記光ファイバ内でくり返し反射さ
    れつつ伝送される間に上記コアによって吸収され、それ
    によって上記コアは励起されて上記信号光を増幅するよ
    うに構成された光ファイバ形光増幅装置。
  4. (4)少なくとも信号光を伝送するコアには希土類元素
    がドープされていることを特徴とする請求項(3)記載
    の光ファイバ形光増幅装置。
  5. (5)クラッドの少なくとも励起光が入射される窓領域
    を形成する部分に無反射膜が設けられていることを特徴
    とする請求項(3)記載の光ファイバ形増幅装置。
  6. (6)クラッドの周囲の励起光が入射される窓領域が形
    成される部分を除いて高反射膜が形成されていることを
    特徴とする請求項(3)記載の光ファイバ形光増幅装置
  7. (7)クラッドの周囲全体に無反射膜が形成されており
    、該無反射膜の周囲の励起光が入射される窓領域が形成
    される部分を除いて高反射膜が形成されていることを特
    徴とする請求項(3)記載の光ファイバ形光増幅装置。
  8. (8)信号光を伝送する第1コアと、該第1コアの周囲
    に設けられた第2コアと、該第2コアの周囲に設けられ
    た励起光に対する高反射膜として作用するクラッドとか
    らなる2重コアの増幅用光ファイバと、該増幅用光ファ
    イバの上記第2コアの端部から当該増幅用光ファイバ内
    に励起光を入射する励起光発生装置とからなり、上記励
    起光は上記クラッド内面でくり返し反射されつつ伝送さ
    れる間に上記第1コアに吸収され、それによって上記第
    1コアは励起されて上記信号光を増幅するように構成さ
    れた光ファイバ形光増幅装置。
  9. (9)第1コアおよび第2コアの少なくとも一方には希
    土類元素がドープされていることを特徴とする請求項(
    8)記載の光ファイバ形光増幅装置。
  10. (10)第1コアの屈折率をn_1、第2コアの屈折率
    をn_2、クラッドの屈折率をn_3とすると、n_1
    >n_2>n_3が満足するように上記第1コア、第2
    コア、クラッドの各材料が選定されていることを特徴と
    する請求項(8)記載の光ファイバ形光増幅装置。
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