JPH04192550A - Ｉｃパッケージ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、一般に、ＩＣパッケージに関するものであ
り、より特定的には、良好な放熱性を有し、かつ表面実
装が可能になるように改良されたＩＣパッケージに関す
るものである。

［従来の技術］ 近年、ＧａＡｓおよびＳｌを用いたトランジスタや分周
器、増幅器等のＩＣか、実用化されている。このような
ＩＣを搭載するＩＣＣ用パラケーンして、特開平１−１
２５９５９号公報は、アルミナ単板を用いた簡単な構造
のパッケージを提案している。

第３Ａ図は、特開平１−１２５９５９号公報に開示され
ている高周波パッケージの、裏面図であり、第３Ｂ図は
表面図であり、第４図は第３Ａ図におけるｒＶ−ｒＶ線
に沿う断面図である。

これらの図を参照して、誘電体基板２０の裏面には、外
部取り出し用電極２を接続するためのＲＦリード取付は
メタライズ３か設けられている。

ＲＦリード取付はメタライズ３を間隔をおいて取囲むよ
うに、裏面のグランドメタライズ４ａが設けられている
。裏面のグランドメタライズ４ａには、グランドリード
１か接続されている。誘電体基板２０の表面には、ホン
ディングバッド６が設けられており、ポンディングパッ
ド６を取囲むように、表面全面に、表面のグランドメタ
ライズ４ｂが形成されている。

このように構成される高周波パッケージは、第５図に示
すように使用される。

すなわち、第５図を参照して、誘電体基板２０の表面側
にＩＣｌ３を搭載する。そして、外部取り圧し用電極２
をスルーホール１９（第３Ｂ図をも参照）およびワイヤ
ー２１を介してＩＣｌ３に接続する。その後、金属キャ
ップ２２を表面側に接着し、ＩＣｌ３を保護する。上述
のように構成されるパッケージは、現在量も安価なパッ
ケージであり、かつ表面実装も可能な物である。

しかしなから、このＩＣ用パッケージは、放熱性か必要
なデイバイスを搭載することかできないという問題点か
あった。

ところで、ＩＣの高出力化、高周波化に伴い、ＩＣの発
熱量は増大しており、放熱性を考慮したＩＣパッケージ
の需要がますます高まっている。

そこで、第６図に示すような誘電体基板２０のＩＣが搭
載される部分に、上下に貫通する貫通口２０ａを形成し
、裏面側からその貫通口２０ａを塞ぐように、Ｃｕ−Ｗ
等の放熱性の良好な金属ベースを張付ける構造の、ＩＣ
用パッケージが提案されている。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、第６図に示すようなＩＣ用パッケージで
は、金属ベース３０の厚みに起因する段差が生じる。そ
のため、金属ベース３０の凸部か邪魔となり、表面実装
ができない。そのため、実装される基板に、上記凸部を
受入れるための穴を開けるか、あるいはグランドリード
１を折り曲げなければならないという問題点があった。

この発明は、上記のような問題点を解決するために成さ
れたもので、良好な放熱性を有し、かつ表面実装が可能
になるように改良されたＩＣ用パッケージを提供するこ
とを目的とする。

［課題を解決するための手段］ この発明に係るＩＣ用パッケージは、半導体素子が搭載
される側の一方の面と、外部取り出し用電極が取付けら
れる側の他方の面と、を有する誘電体基板と、上記誘電
体基板の他方の面側に設けられた外部取り８し用電極と
、を備えている。上記誘電体基板には、上記半導体素子
が搭載される部分に、上記一方の面から上記他方の面に
向けて貫通する貫通口が設けられている。当該パッケー
ジは、上記誘電体基板の他方の面に上記貫通口を塞ぐよ
うに設けられ、上記半導体素子から発する熱を放散させ
るための金属ベースを備えている。

上記誘電体基板の上記他方の面と上記外部取り出し用電
極との間には、その厚みが上記金属ベースの厚みと同じ
である介在用部材が、挟まれて設けられている。

この発明の好ましい実施対応によれば、上記誘電体基板
と上記介在用部材は一体的に形成される。

［作用］ この発明に係るＩＣ用パッケージによれば、誘電体基板
の他方の面と外部取り出し用電極との間に、その厚みが
金属ベースの厚みと同じである介在用部材が挟まれて設
けられているので、表面実装の邪魔になる、凸部はなく
なる。

［実施例］ 以下、この発明の一実施例を図について説明する。

第１図は、本発明の一実施例に係るＩＣ用パッケージの
平面図であり、第２図は側面図である。

これらの図を参照して、実施例に係るＩＣ用パッケージ
４０は、半導体素子が搭載される側の一方の面２０ｂと
、外部取り出し用電極１が取付けられる側の他方の面２
０ｃと、を有する誘電体基板２０を備える。誘電体基板
２０には、半導体素子が搭載される部分に、一方の面２
０ｂから他方の面２０ｃに向けて貫通する貫通口２０ａ
が設けられている。ＩＣ用パッケージ４０は、誘電体基
板２０の他方の面２０ｃに、貫通口２０ａを塞ぐように
、半導体素子から発する熱を放散させるための金属ベー
ス３０が設けられている。誘電体基板２０の他方の面２
０ｃと外部取り出し用電極１との間には、その厚みが金
属ベース３０と同じ介在用部材３１が設けられている。

介在用部材３１は誘電体基板２０と一体的に形成される
。

実施例に係るＩＣ用パッケージによれば、介在用部材３
１の厚みを金属ベース３０の厚みと同じにしているので
、表面実装の邪魔になる凸部はなくなる。その結果、こ
のＩＣ用パッケージは、表面実装が可能であり、かつ、
良好な熱放射性を有するパッケージとなる。

次に、具体例を挙げながら、実施例に係るＩＣ用パッケ
ージをさらに詳細に説明する。

パッケージの外径サイズは１５ｍｍ四角である。

誘電体基板２０は、厚さ０．５ｍｍのアルミナである。

誘電体基板２０の表面２０ｂには、信号伝送用等のメタ
ライズ配線パターン４１が形成される。金属ベース３０
にはＣｕ−Ｗ合金を用いた。

金属ベース３０の厚みは０．５ｍｍである。介在用部材
３１は厚さ０．５ｍｍのアルミナであり、誘電体基板２
０と、一体的に焼成形成される。誘電体基板２０の裏面
には金属ベース３０を取付けるための金属ベース取付は
用パターンが形成される。通常、金属ベース取付は用パ
ターンは、グランドパターンと接続される場合が多い。

介在用部材３１の裏面には、外部取り出し用電極１およ
び信号用リード４２を取付けるための外部リード取付は
パターンが形成されている。パッケージの作成は、通常
のセラミックパッケージの組立て工程により行なった。

得られたＩＣ用パッケージは、表面実装可能で、放熱性
も良好なパッケージであった。

なお、上記実施例では、介在用部材３１の厚みを金属ベ
ース３０の厚みと同じにした場合を例示したが、この発
明はこれに限られるものでなく、介在用部材３１の厚み
を金属ベース３０の厚みよりも厚くしてもよい。

［発明の効果コ 以上説明したとおり、この発明に係るＩＣ用パッケージ
によれば、誘電体基板の他方の面と外部取り出し用電極
との間に、その厚みが金属ベースの厚みと同じである介
在用部材を設けたので、表面実装の邪魔になる、凸部は
なくなる。その結果、当該ＩＣ用パッケージは、表面実
装可能で、かつ良好な放熱性を有するパッケージとなる
。

【図面の簡単な説明】 第１図は、この発明の一実施例に係るＩＣ用パッケージ
の平面図であり、第２図は、その側面図である。 第３Ａ図は、従来の高周波用パッケージの裏面図であり
、第３Ｂ図は平面図である。 第４図は、第３Ａ図におけるＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図
である。 第５図は、従来の高周波用パッケージにＩＣチップを搭
載し、金属キャップで封止している半導体装置の断面図
である。 第６図は、放熱用金属ベースを備えた、従来のＩＣ用パ
ッケージの側面図である。 図において、１は外部取り出し用電極、２０は誘電体基
板、２０ａは貫通口、３ｏは金属ベース、３１は介在用
部材である。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 特許出願人　住友電気工業株式会社

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 半導体素子が搭載される側の一方の面と、外部取り出し
   用電極が取付けられる側の他方の面と、を有する誘電体
   基板と、 前記誘電体基板の他方の面側に設けられた外部取り出し
   用電極と、を備え、 前記誘電体基板には、前記半導体素子が搭載される部分
   に、前記一方の面から前記他方の面に向けて貫通する貫
   通口が設けられており、さらに当該パッケージは、前記
   誘電体基板の他方の面に前記貫通口を塞ぐように設けら
   れ、前記半導体素子から発する熱を放散させるための金
   属ベースと、 前記誘電体基板の前記他方の面と前記外部取り出し用電
   極との間に挟まれて設けられ、その厚みが前記金属ベー
   スの厚みと同じである介在用部材と、 を備えるＩＣパッケージ。