JPH0419314B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0419314B2 JPH0419314B2 JP60218215A JP21821585A JPH0419314B2 JP H0419314 B2 JPH0419314 B2 JP H0419314B2 JP 60218215 A JP60218215 A JP 60218215A JP 21821585 A JP21821585 A JP 21821585A JP H0419314 B2 JPH0419314 B2 JP H0419314B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mold
- layer
- master
- pattern
- conductive film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は合成樹脂成型用金型等として用いられ
る電鋳金型の製造方法の改良に関する。
る電鋳金型の製造方法の改良に関する。
（従来の技術）
従来、精緻な模様の再現が要求される合成樹脂
成型用金型として電鋳金型が用いられている。そ
して、例えば虹模様等の微細精緻な凹凸模様が形
成された一枚の原盤を基にして、該原盤の凹凸模
様と凹凸の状態が反対の模様を有する多数の電鋳
金型（スタンパ金型）を得る手段が知られてい
る。
成型用金型として電鋳金型が用いられている。そ
して、例えば虹模様等の微細精緻な凹凸模様が形
成された一枚の原盤を基にして、該原盤の凹凸模
様と凹凸の状態が反対の模様を有する多数の電鋳
金型（スタンパ金型）を得る手段が知られてい
る。
すなわち、原盤の模様面の上に導電膜を形成
（原盤の材質によつては絶縁性剥離層（以下、単
に剥離層と記す。）を介して導電膜を形成する場
合がある）した後電鋳を行い、電鋳によつて前記
導電膜に一体的に形成されたメツキ層を原盤より
取外し、原盤の凹凸模様と凹凸状態が反対の模様
を有するマスタ金型を得た後、該マスタ金型の模
様面の上に剥離層を介して、マスタ金型の形成と
同様にして、マスタ金型の凹凸模様と凹凸状態が
反対の模様（すなわち原盤の凹凸状態と一致した
模様）を有する複数個のマザー金型を得、更に
各々マザー金型から同様の手段でマザー金型の凹
凸模様と凹凸状態が反対の模様（すなわちマスタ
金型の凹凸状態と一致した模様）を有する複数個
のスタンパ金型を得る。
（原盤の材質によつては絶縁性剥離層（以下、単
に剥離層と記す。）を介して導電膜を形成する場
合がある）した後電鋳を行い、電鋳によつて前記
導電膜に一体的に形成されたメツキ層を原盤より
取外し、原盤の凹凸模様と凹凸状態が反対の模様
を有するマスタ金型を得た後、該マスタ金型の模
様面の上に剥離層を介して、マスタ金型の形成と
同様にして、マスタ金型の凹凸模様と凹凸状態が
反対の模様（すなわち原盤の凹凸状態と一致した
模様）を有する複数個のマザー金型を得、更に
各々マザー金型から同様の手段でマザー金型の凹
凸模様と凹凸状態が反対の模様（すなわちマスタ
金型の凹凸状態と一致した模様）を有する複数個
のスタンパ金型を得る。
この場合、原盤とマスタ金型との関係では原盤
が母型でありマスタ金型が子型である。同様にし
てマスタ金型とマザー金型との関係では前者が母
型、後者が子型であり、マザー金型とスタンパ金
型との関係についても同様である。
が母型でありマスタ金型が子型である。同様にし
てマスタ金型とマザー金型との関係では前者が母
型、後者が子型であり、マザー金型とスタンパ金
型との関係についても同様である。
（発明が解決しようとする問題点）
叙上の電鋳金型の製造方法において、剥離層と
しては母型をクロム酸ナトリウムや硫化ナトリウ
ム液等に浸漬して母型の表面に形成されたクロメ
ート皮膜や硫化物皮膜等を用いている。
しては母型をクロム酸ナトリウムや硫化ナトリウ
ム液等に浸漬して母型の表面に形成されたクロメ
ート皮膜や硫化物皮膜等を用いている。
しかしながら、かかる化学的に形成された皮膜
は不純物が混入し易く、母型とその上に形成され
る導電膜との絶縁性に問題があるので、剥離層の
形成に際し母型の微細な模様が犯される場合があ
り、また皮膜の厚さが不安定でそのコントロール
に熟練を要し、更に前記皮膜は極めて脆弱である
ので皮膜形成後の水洗等の作業に慎重を要し、ま
た電鋳途中で剥離したりして作業性に劣るという
問題があつた。
は不純物が混入し易く、母型とその上に形成され
る導電膜との絶縁性に問題があるので、剥離層の
形成に際し母型の微細な模様が犯される場合があ
り、また皮膜の厚さが不安定でそのコントロール
に熟練を要し、更に前記皮膜は極めて脆弱である
ので皮膜形成後の水洗等の作業に慎重を要し、ま
た電鋳途中で剥離したりして作業性に劣るという
問題があつた。
本発明はかかる問題に鑑みなされたもので、母
型の上に剥離層を容易に形成することができ、し
かも絶縁性に優れかつ強度的にも問題のない剥離
層の形成手段を提供することを目的とする。
型の上に剥離層を容易に形成することができ、し
かも絶縁性に優れかつ強度的にも問題のない剥離
層の形成手段を提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
上記目的を達成するために構じられた本発明の
電鋳金型の製造方法の特徴とするところは、剥離
層としてイオンプレーテイングによつて母型の模
様面の上にAl層を介して酸化Al層が形成され、
かつ全体厚さが0.2μm以下のものを用いる （実施例） 以下、微細な凹凸模様が形成された一枚お原盤
から多数のスタンパ金型を製造する場合の実施例
につき本発明を詳述する。
電鋳金型の製造方法の特徴とするところは、剥離
層としてイオンプレーテイングによつて母型の模
様面の上にAl層を介して酸化Al層が形成され、
かつ全体厚さが0.2μm以下のものを用いる （実施例） 以下、微細な凹凸模様が形成された一枚お原盤
から多数のスタンパ金型を製造する場合の実施例
につき本発明を詳述する。
本実施例に用いる原盤としては、虹模様のよう
な深さ0.1μm程度の凸部が数μmの間隔で凸設さ
れた凹凸模様が形成されたプラスチツクフイルム
やガラス板、ガラス原板に塗布されたフオトレジ
スト膜にレーザ光で緻密な線画を照射し未露光部
を除去して微細凹凸模様としたホログラフ原盤等
の非導電性の原盤を用いる。また、原盤の模様と
しては、かかる微細な模様の上にスクリーン印刷
等により適宜の模様を重合して形成したものであ
つてもよいことは勿論である。
な深さ0.1μm程度の凸部が数μmの間隔で凸設さ
れた凹凸模様が形成されたプラスチツクフイルム
やガラス板、ガラス原板に塗布されたフオトレジ
スト膜にレーザ光で緻密な線画を照射し未露光部
を除去して微細凹凸模様としたホログラフ原盤等
の非導電性の原盤を用いる。また、原盤の模様と
しては、かかる微細な模様の上にスクリーン印刷
等により適宜の模様を重合して形成したものであ
つてもよいことは勿論である。
まず、第１図のように、原盤１の上に導電膜２
を形成する。導電膜２は次工程の電鋳によりメツ
キ層を一体的に形成するために必要であり、通常
Ni又はCuを用いて真空蒸着、スパツタ、イオン
プレーテイング蒸着等によつて形成される。イオ
ンプレーテイングにより形成したものが電鋳途中
において剥離もなく好適である。導電膜２の膜厚
は通常0.04〜1μmとされる。
を形成する。導電膜２は次工程の電鋳によりメツ
キ層を一体的に形成するために必要であり、通常
Ni又はCuを用いて真空蒸着、スパツタ、イオン
プレーテイング蒸着等によつて形成される。イオ
ンプレーテイングにより形成したものが電鋳途中
において剥離もなく好適である。導電膜２の膜厚
は通常0.04〜1μmとされる。
導電膜２の形成後、すみやかに電解メツキ治具
に取り付け電鋳を開始し、第２図のように導電膜
２と一体的にメツキ層３を形成する。電鋳は、導
電膜２の材質に合せてニツケルメツキ、銅メツキ
を適用する。メツキ層３の厚さは導電膜２を十分
補強でき機械的に取り扱うことのできる厚さと
し、200μm程度で十分である。尤も、これより厚
くしてもよいことは勿論である。尚、この程度の
メツキ厚を得るのに、ニツケルメツキの場合0.5
〜5A／dm2の電流密度で35〜3.5時間、銅メツキ
の場合１〜5A／dm2の電流密度で24〜4.5時間要
する。
に取り付け電鋳を開始し、第２図のように導電膜
２と一体的にメツキ層３を形成する。電鋳は、導
電膜２の材質に合せてニツケルメツキ、銅メツキ
を適用する。メツキ層３の厚さは導電膜２を十分
補強でき機械的に取り扱うことのできる厚さと
し、200μm程度で十分である。尤も、これより厚
くしてもよいことは勿論である。尚、この程度の
メツキ厚を得るのに、ニツケルメツキの場合0.5
〜5A／dm2の電流密度で35〜3.5時間、銅メツキ
の場合１〜5A／dm2の電流密度で24〜4.5時間要
する。
電鋳終了後、治具より導電膜２およびメツキ層
３が形成された原盤１を取外し、水洗乾燥後機械
的に導電膜２をメツキ層３が一体的に形成された
電鋳板を原盤１より剥離しマスタ金型４を得る。
３が形成された原盤１を取外し、水洗乾燥後機械
的に導電膜２をメツキ層３が一体的に形成された
電鋳板を原盤１より剥離しマスタ金型４を得る。
マスタ金型４の厚さ200μｍ程度のときは補強
のためにマスタ金型４の裏面に数mm厚程度のガラ
ス板を接着しておけばよい。
のためにマスタ金型４の裏面に数mm厚程度のガラ
ス板を接着しておけばよい。
また、原盤としてホログラフ原盤を用いる場
合、剥離の際、レジスト膜がマスタ金型に付着す
るため、アルコール等の有機溶剤でレジスト膜を
溶解除去する必要がある。また、ガラス原盤を用
いる場合、原盤の模様面にまず後述の剥離層を設
け次に導電膜を形成するのがよい。該剥離層は原
盤の保護層としての役目を果すものである。
合、剥離の際、レジスト膜がマスタ金型に付着す
るため、アルコール等の有機溶剤でレジスト膜を
溶解除去する必要がある。また、ガラス原盤を用
いる場合、原盤の模様面にまず後述の剥離層を設
け次に導電膜を形成するのがよい。該剥離層は原
盤の保護層としての役目を果すものである。
次に、第３図のように、マスタ金型４の模様面
にイオンプレーテイングにより模様面の上にAl
層を介して酸化Al層が形成された２層構造の剥
離層５を形成し、その上に導電膜６を形成した
後、電鋳により前記導電膜６に一体的にメツキ層
７を形成する。この導電膜６およびメツキ層７か
らなる電鋳板は、マスタ金型４の上に形成された
剥離層５の導電膜６側の界面から剥離されてマザ
ー金型８になる。導電膜６およびメツキ層７はマ
スタ金型４を製作した場合と同様の手段で形成さ
れる。
にイオンプレーテイングにより模様面の上にAl
層を介して酸化Al層が形成された２層構造の剥
離層５を形成し、その上に導電膜６を形成した
後、電鋳により前記導電膜６に一体的にメツキ層
７を形成する。この導電膜６およびメツキ層７か
らなる電鋳板は、マスタ金型４の上に形成された
剥離層５の導電膜６側の界面から剥離されてマザ
ー金型８になる。導電膜６およびメツキ層７はマ
スタ金型４を製作した場合と同様の手段で形成さ
れる。
剥離層５はマスタ金型４の微細な模様をマザー
金型８に正確に写し取るには薄いほどよいが、絶
縁性および強度が確保されなければならない。ピ
ンホールの発生や不純物の混入により絶縁性が損
われると、マスタ金型４とマザー金型８とが部分
的に融着し、剥離が困難になるばかりかマスタ金
型４の模様面が損傷するということになる。ま
た、強度が不足すると、取り扱いが困難になり、
長時間の電鋳過程で剥離が生じるようになる。
金型８に正確に写し取るには薄いほどよいが、絶
縁性および強度が確保されなければならない。ピ
ンホールの発生や不純物の混入により絶縁性が損
われると、マスタ金型４とマザー金型８とが部分
的に融着し、剥離が困難になるばかりかマスタ金
型４の模様面が損傷するということになる。ま
た、強度が不足すると、取り扱いが困難になり、
長時間の電鋳過程で剥離が生じるようになる。
本発明においては、剥離層５はAl層のみなら
ず酸化Al層をもイオンプレーテイングにより形
成するので、0.04μm程度の緻密で強度に優れた
酸化Al薄膜を容易に形成することができ、しか
もこの薄膜は高純度故に絶縁性に優れている。
尚、剥離層の２層全体の厚さの上限は微細な模様
の再現性を確保するために0.2μmとする。
ず酸化Al層をもイオンプレーテイングにより形
成するので、0.04μm程度の緻密で強度に優れた
酸化Al薄膜を容易に形成することができ、しか
もこの薄膜は高純度故に絶縁性に優れている。
尚、剥離層の２層全体の厚さの上限は微細な模様
の再現性を確保するために0.2μmとする。
剥離層５はアルミニウムイオンプレーテイング
した後、酸素ガスを導入し、酸素放電によりアル
ミニウム層の表面層を酸化することによつて、残
部のAl層の上に酸化Alが重合一体化した２層構
造のものに形成される。
した後、酸素ガスを導入し、酸素放電によりアル
ミニウム層の表面層を酸化することによつて、残
部のAl層の上に酸化Alが重合一体化した２層構
造のものに形成される。
アルミニウム層を形成した後酸化処理をする場
合、アルミニウム層を全部酸化せずに、模様面に
臨接した部分をアルミニウムのままにしておく
と、模様面の保護に役立つ。すなわち、マザー金
型８をマスタ金型４から剥離するとき、マザー金
型８側に剥離層が部分的に付着してマスタ金型４
の模様面が損傷することがあるが、アルミニウム
層で模様面が被覆されておれば、損傷が模様面ま
で及ぶことがない。マスタ金型４から多数のマザ
ー金型８を製作することを考えれば、マスタ金型
４の模様に損傷がないことは重要である。かかる
２層構造の剥離層は、アルミニウムイオンプレー
テイングの蒸着途中より酸素ガスを導入し、アル
ミニウムの蒸発中に酸化アルミニウムとし、Al
層の上に酸化Al層を一体的に形成することによ
つて得ることもできる。
合、アルミニウム層を全部酸化せずに、模様面に
臨接した部分をアルミニウムのままにしておく
と、模様面の保護に役立つ。すなわち、マザー金
型８をマスタ金型４から剥離するとき、マザー金
型８側に剥離層が部分的に付着してマスタ金型４
の模様面が損傷することがあるが、アルミニウム
層で模様面が被覆されておれば、損傷が模様面ま
で及ぶことがない。マスタ金型４から多数のマザ
ー金型８を製作することを考えれば、マスタ金型
４の模様に損傷がないことは重要である。かかる
２層構造の剥離層は、アルミニウムイオンプレー
テイングの蒸着途中より酸素ガスを導入し、アル
ミニウムの蒸発中に酸化アルミニウムとし、Al
層の上に酸化Al層を一体的に形成することによ
つて得ることもできる。
尚、マスタ金型４から多数のマザー金型８を製
作する場合、マスタ金型４の模様面に形成された
剥離層５は毎回完全に除去して、再び新たな剥離
層を形成した方がマスタ金型４に忠実な電鋳が行
える。既述の通り、マスタ金型４からマザー金型
８を剥離するとき、マスタ金型４に形成された剥
離層５に損傷が生じている場合があるからであ
る。
作する場合、マスタ金型４の模様面に形成された
剥離層５は毎回完全に除去して、再び新たな剥離
層を形成した方がマスタ金型４に忠実な電鋳が行
える。既述の通り、マスタ金型４からマザー金型
８を剥離するとき、マスタ金型４に形成された剥
離層５に損傷が生じている場合があるからであ
る。
以上のようにして得られたマザー金型８の模様
面に、第４図のように、剥離層９を形成した後、
導電膜１０を形成して電鋳を行い、導電膜１０に
一体的に形成されたメツキ層１１を得る。そし
て、第５図のように、導電膜１０およびメツキ層
１１をマザー金型８から剥離して、マスタ金型４
と同様の凹凸模様を有するスタンパ金型１２を得
る。この場合、剥離層９、導電膜１０、メツキ層
１１は既述の通り形成される。また、多数のスタ
ンパ金型１２を得る方法についても、多数のマザ
ー金型８を得る場合と同様である。
面に、第４図のように、剥離層９を形成した後、
導電膜１０を形成して電鋳を行い、導電膜１０に
一体的に形成されたメツキ層１１を得る。そし
て、第５図のように、導電膜１０およびメツキ層
１１をマザー金型８から剥離して、マスタ金型４
と同様の凹凸模様を有するスタンパ金型１２を得
る。この場合、剥離層９、導電膜１０、メツキ層
１１は既述の通り形成される。また、多数のスタ
ンパ金型１２を得る方法についても、多数のマザ
ー金型８を得る場合と同様である。
スタンパ金型１２は、模様と反対側の面をメツ
キ時の厚さのバラツキをなくすために平面研磨さ
れ、適宜寸法にカツテイングして樹脂型用金型に
装着される。
キ時の厚さのバラツキをなくすために平面研磨さ
れ、適宜寸法にカツテイングして樹脂型用金型に
装着される。
このように、一枚の原盤１からマスタ金型４、
マザー金型８を作成し、それぞれ何度でも繰り返
し電鋳することで何枚ものスタンパ金型１２を製
作することができる。
マザー金型８を作成し、それぞれ何度でも繰り返
し電鋳することで何枚ものスタンパ金型１２を製
作することができる。
次に虹模様が形成されたPET（ポリエチレンテ
レフタレート）フイルムを原盤として多数のスタ
バン金型を得る場合の具体的実施例について説明
する。
レフタレート）フイルムを原盤として多数のスタ
バン金型を得る場合の具体的実施例について説明
する。
(1) 高さ0.1μmの凸部（凸部のピツチ１〜1.8μm）
によつて形成された虹模様を有する、厚さ
50μmのPETフイルムを150×150mmに切断して
有機溶剤で洗浄した。その後、スクリーン印刷
により、PETフイルムの模様面上にマーク、
文字、図形等を印刷し乾燥した。
によつて形成された虹模様を有する、厚さ
50μmのPETフイルムを150×150mmに切断して
有機溶剤で洗浄した。その後、スクリーン印刷
により、PETフイルムの模様面上にマーク、
文字、図形等を印刷し乾燥した。
(2) 次に、PETフイルムの模様面に高周波励起
式イオンプレーテイングによつてニツケル又は
銅の導電膜を形成した。
式イオンプレーテイングによつてニツケル又は
銅の導電膜を形成した。
・イオンプレーテイング条件
到達真空度 ５×10-5Torr
アルゴン圧力 ３×10-4Torr
高周波電力 100W
膜 厚 0.04μm 0.06μm、0.1μm
蒸発方法 ニツケル 電子ビーム蒸着
銅、抵抗加熱方式
(3) 導電膜形成後速やかに電解治具に取り付けニ
ツケルメツキ又は銅メツキにより電鋳を開始し
た。
ツケルメツキ又は銅メツキにより電鋳を開始し
た。
(4) メツキ層の厚さが200μmになつたところで電
鋳を終了し、治具より取り外し、水洗乾燥後、
ピンセツトでPETフイルムより電鋳板のみを
剥離し、マスタ金型を得た。
鋳を終了し、治具より取り外し、水洗乾燥後、
ピンセツトでPETフイルムより電鋳板のみを
剥離し、マスタ金型を得た。
(5) マスタ金型の裏面に２mm厚のガラス板をエポ
キシ接着剤により接着し補強した後、マスタ金
型の模様面に、0.1μmのアルミニウム層をイオ
ンプレーテイングにより形成し、つづいてイオ
ンプレーテイング装置に酸素ガスを導入して酸
素放電によりアルミニウム表面を酸化しAl層
と酸化Al層からなる２層構造の剥離層を形成
した。イオンプレーテイング条件等は下記の通
りである。
キシ接着剤により接着し補強した後、マスタ金
型の模様面に、0.1μmのアルミニウム層をイオ
ンプレーテイングにより形成し、つづいてイオ
ンプレーテイング装置に酸素ガスを導入して酸
素放電によりアルミニウム表面を酸化しAl層
と酸化Al層からなる２層構造の剥離層を形成
した。イオンプレーテイング条件等は下記の通
りである。
・アルミイオンプレーテイング条件
到達真空度 ５×10-5Torr
ボンバード時アルゴン圧力 ５×10-4Torr
蒸着時アルゴン圧力 ３×10-4Torr
高周波電力 100W
ボンバード時間 10分
蒸発方式 抵抗加熱方式
・酸化処理条件
酸素圧力 ５×10-4Torr
高周波電力 100W
酸化時間 20分
(6) 剥離層形成後、その上に導電膜をイオンプレ
ーテイングにより蒸着形成した。イオンプレー
テイング条件は(2)と同様である。
ーテイングにより蒸着形成した。イオンプレー
テイング条件は(2)と同様である。
(7) 導電膜形成後速やかにメツキ治具に取り付け
メツキ層200μmになるまで電鋳を行つた。
メツキ層200μmになるまで電鋳を行つた。
(8) 電鋳終了後、治具より取外し、水洗乾燥後ピ
ンセツトでマスタ金型から導電膜に一体的に形
成されたメツキ層（電鋳板）を剥離した。この
際、剥離層はマスタ金型側に完全に残り、電鋳
板のみが剥離し、マザー金型が得られた。
ンセツトでマスタ金型から導電膜に一体的に形
成されたメツキ層（電鋳板）を剥離した。この
際、剥離層はマスタ金型側に完全に残り、電鋳
板のみが剥離し、マザー金型が得られた。
(9) マザー金型を母型として、上記(5)〜(8)の行程
を同様に行つて、スタンパ金型を得た。
を同様に行つて、スタンパ金型を得た。
(10) 同一のマザー金型から再度スタンパ金型を得
るに際して、マザー金型に残留した剥離層を毎
回20％水酸化ナトリウム水溶液で溶解除去し
て、新たな剥離層を形成して(6)〜(8)の行程を行
つた。叙上のようにして、一枚の虹模様が形成
されたPETフイルム原盤から多数のスタンパ
金型が得られたが、剥離層は極めて良質なもの
故母型の模様が犯されることなく、すべてのス
タンパ金型は極めて明瞭な凹凸模様が形成され
た。
るに際して、マザー金型に残留した剥離層を毎
回20％水酸化ナトリウム水溶液で溶解除去し
て、新たな剥離層を形成して(6)〜(8)の行程を行
つた。叙上のようにして、一枚の虹模様が形成
されたPETフイルム原盤から多数のスタンパ
金型が得られたが、剥離層は極めて良質なもの
故母型の模様が犯されることなく、すべてのス
タンパ金型は極めて明瞭な凹凸模様が形成され
た。
（発明の効果）
以上説明した通り、本発明によれば、母型の模
様面に形成される剥離層をイオンプレーテイング
によつて形成するので、模様面の上にAl層を介
して緻密で強度に優れた高純度の酸化Al層から
なる２層構造の剥離層を容易に形成することがで
き、爾後の電鋳過程で剥離や絶縁不良を生じるこ
とがなく、取扱いが容易となる。
様面に形成される剥離層をイオンプレーテイング
によつて形成するので、模様面の上にAl層を介
して緻密で強度に優れた高純度の酸化Al層から
なる２層構造の剥離層を容易に形成することがで
き、爾後の電鋳過程で剥離や絶縁不良を生じるこ
とがなく、取扱いが容易となる。
また、剥離層の全体厚さを0.2μm以下としたの
で、母型の模様が虹模様のような微細な凹凸によ
つて形成されたものであつても、その再現性を損
うことがない。
で、母型の模様が虹模様のような微細な凹凸によ
つて形成されたものであつても、その再現性を損
うことがない。
更に、母型の模様面は剥離層のうちのAl層で
被覆させるため、電鋳後、酸化Al層によつて母
型より子型を剥離する際、母型模様が微細模様で
あつても、模様面を損傷するおそれが皆無であ
り、母型を再使用しても微細模様の再現性に極め
て優れる。
被覆させるため、電鋳後、酸化Al層によつて母
型より子型を剥離する際、母型模様が微細模様で
あつても、模様面を損傷するおそれが皆無であ
り、母型を再使用しても微細模様の再現性に極め
て優れる。
本発明の電鋳金型の製造方法は、強度および絶
縁性並びに微細模様の再現性に優れた剥離層を容
易に形成でき、工業上の利用価値は著大である。
縁性並びに微細模様の再現性に優れた剥離層を容
易に形成でき、工業上の利用価値は著大である。
第１図〜第５図は実施例の製造行程の説明図で
あり、第１図は原盤に導電膜が形成された状態を
示す断面説明図、第２図はマスタ金型の形成状態
を示す断面説明図、第３図はマザー金型の形成状
態を示す断面説明図、第４図はスタンパ金型の形
成状態を示す断面説明図、第５図はスタンパ金型
の断面図である。 １…原盤、２，６，１０…導電膜、３，７，１
１…メツキ層、４…マスタ金型、５，９…剥離
層、８…マザー金型、１２…スタンパ金型。
あり、第１図は原盤に導電膜が形成された状態を
示す断面説明図、第２図はマスタ金型の形成状態
を示す断面説明図、第３図はマザー金型の形成状
態を示す断面説明図、第４図はスタンパ金型の形
成状態を示す断面説明図、第５図はスタンパ金型
の断面図である。 １…原盤、２，６，１０…導電膜、３，７，１
１…メツキ層、４…マスタ金型、５，９…剥離
層、８…マザー金型、１２…スタンパ金型。
Claims (1)
- １ 微細な凹凸模様が形成された母型の模様面の
上に絶縁性剥離層を形成し、該剥離層の上に導電
膜を形成した後、電鋳によつて導電膜の上にメツ
キ層を形成し、前記導電膜と一体化されたメツキ
層を母型から取外して母型の凹凸模様と凹凸状態
が反対の模様を有する子型を得る電鋳金型の製造
方法において、前記剥離層としてイオンプレーテ
イングによつて母型の模様面の上にAl層を介し
て酸化Al層が形成され、かつ全体厚さが0.2μm以
下のものを用いることを特徴とする電鋳金型の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21821585A JPS6277492A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 電鋳金型の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21821585A JPS6277492A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 電鋳金型の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6277492A JPS6277492A (ja) | 1987-04-09 |
| JPH0419314B2 true JPH0419314B2 (ja) | 1992-03-30 |
Family
ID=16716418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21821585A Granted JPS6277492A (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 電鋳金型の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6277492A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01246391A (ja) * | 1988-03-29 | 1989-10-02 | Ricoh Co Ltd | スタンパの製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS542179A (en) * | 1977-06-08 | 1979-01-09 | Toshiba Corp | Low concentration radioactive gas measuring apparatus provided with enrichment rate corrector |
-
1985
- 1985-09-30 JP JP21821585A patent/JPS6277492A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6277492A (ja) | 1987-04-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2763715B2 (ja) | 印刷回路の製造方法およびそれに使用する装置 | |
| CN104756210A (zh) | 线圈元件的制造方法 | |
| US5015338A (en) | Method of manufacturing a stamper for formation of optical information carrying disk | |
| US4564423A (en) | Permanent mandrel for making bumped tapes and methods of forming | |
| JP3865085B2 (ja) | 電鋳製品の製造方法 | |
| EP0529578B1 (en) | Semi-additive circuitry with raised features using formed mandrels | |
| JPH05239682A (ja) | エレクトロフォーミング方法 | |
| JP3206246B2 (ja) | 微小穴を有する金属部材の製造方法 | |
| JPH0419314B2 (ja) | ||
| US3582476A (en) | Method of producing products by plating | |
| JP3934558B2 (ja) | スタンパの製造方法 | |
| JP2633088B2 (ja) | スタンパの製造方法 | |
| JPH09148714A (ja) | 立体成形回路基板の製造方法 | |
| JPH0317294A (ja) | 回路基板用樹脂成形金型を使用した基板の製造方法 | |
| JP2901989B2 (ja) | 複製用スタンパーの製造方法 | |
| JPH05205321A (ja) | スタンパの製造方法 | |
| JPH0243797A (ja) | スルーホール付回路基板の製造方法 | |
| JPH11181588A (ja) | 多孔質電鋳殻の製造方法 | |
| JPH0348498B2 (ja) | ||
| JPH04195941A (ja) | スタンパの製造方法 | |
| JPH02251195A (ja) | 印刷配線板の製造方法 | |
| JPS61221392A (ja) | スタンパ− | |
| JPH1153777A (ja) | スタンパの複製方法 | |
| JPH06201908A (ja) | 回折格子用スタンパーの製造方法 | |
| JPS589414B2 (ja) | フォトファブリケ−ション用マスクの製作方法 |