JPH04193466A - 電子写真用堆積膜の研磨方法および電子写真用感光体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は円筒状等の回転体形状を有する被加工物を回転
させながら表面研磨する方法に関して、例えば電子写真
感光体等のようにＭＩＩ密で均一な表面研磨処理の要求
される堆積膜の表面に傷等のダメージを与えることなく
研磨するのに好適な研磨方法に関するものである。

〔従来の技術〕

従東　電子写真感光体に用いる素子部材として、非単結
晶堆積既　例えば水素又は／及びハロゲン（例えば弗乳
　塩素等）で補償されたアモルファスシリコン等のアモ
ルファス堆積膜が提案さ枳その幾つかは実用に付されて
いる。

こうした堆積膜の形成方法として従東　スパッタリング
法、熱により原料ガスを分解する方法（熱ＣＶＤ法）、
光により原料ガスを分解する方法（光ＣＶＤ法）、プラ
ズマにより遼料ガスを分解する方法（プラズマＣＶＤ法
）鳳　多数知られている。中でも、プラズマＣＶＤ法、
すなわち、原料ガスを直流又は高周波、マイクロ波グロ
ー放電等によって分解し　ガラス、石英、耐熱合成樹脂
フィルム、ステンレス、アルミニウム等の基体上に薄膜
状の堆積膜を形成する方法は電子写真用アモルファスシ
リコン堆積膜の形成方法瓢　現在実用化が非常に進んで
おり、そのための装置も各種提案されている。特しミ　
近年堆積膜形成方法としてマイクロ波グロー放電分解を
用いたプラズマＣＶＤ法すなわちマイクロ波プラズマＣ
ＶＤ法が工業的にも注目されている。

マイクロ波プラズマＣＶＤ法ＩＬ　　他の方法に比べ高
いデポジション速度と高い原料ガス利用効率という利点
を有している。こうした利点を生かしたマイクロ波プラ
ズマＣＶＤ技術の１つの例が、米国特許４，５０４．　
５１８号に記載されている。

該特許に記載の技術１ｉ、０．　１Ｔｏｒｒ以下の低圧
によりマイクロ波プラズマＣＶＤ法により高速の堆積速
度で良質の堆積膜を得るというものであ更へ　マイクロ
波プラズマＣＶＤ法により原料ガスの利用効率を改善す
るための技術が特開昭６０−１８６８４９号公報に記載
されている。該公報に記載の技術は、概要、マイクロ波
エネルギーの導入手段を取り囲むように基体を配置して
内部チャンバー（すなわち放電空間）を形成するように
して、原料ガス利用効率を非常に高めるようにしたもの
である。

また、特開昭６１−２８３１１６号公報には、半導体部
材製造用の改良形マイクロ波技術が開示されている。す
なわち、当該公報は、放電空間中にプラズマ電位制御と
して電極（バイアス電極）を設はミ　このバイアス電極
に所望の電圧（バイアス電圧）を印加して堆積膜へのイ
オン衝撃を制御しながら膜堆積を行うようにして堆積膜
の特性を向上させる技術を開示している。

これらの従来の技術により比較的厚い光導電性材料を、
ある程度高速の堆積速度と原料ガスの利用効率で製造す
ることが可能となっｆ、　　このようにして改良された
従来の電子写真感光体製造方法頃　例えば第２図ａの縦
断面１　第２図すの横断面図で示されている電子写真感
光体の生産用の堆積膜形成装置によって実施されれる。

第２図ａ及び、第２図すにおいて２０１は反応容器であ
り、真空気密化構造を成している。また、２０２檄　マ
イクロ波電力を反応容器内に効率よく透過し　かつ真空
気密を保持し得るような材料（例えば石英ガラス、アル
ミナセラミックス等）で形成されたマイクロ波導入誘電
体窓である。２０３はマイクロ波電力の伝送を行う導波
管であり、マイクロ波電源から反応容器近傍までの矩形
の部分と、反応容器に挿入された円筒形の部分から成っ
ている。導波管２０３はスタブチューナー（図示せず）
、アイソレーター（図示せず）とともにマイクロ波電源
（図示せず）に接続されている。

誘電体窓２０２は反応容器内の雰囲気を保持するために
導波管２０３の円筒形の部分、内壁に気密封止されてい
る。２０４は一端が反応容器２０ｉ内に関ロレ　他端が
排気装置（図示せず）に連通している排気管である。２
０６は基体１により囲まれた放電空間を示す。電源２１
１はバイアス電極２１２に直流電圧を印加するための直
流電源（バイアス電源）であり電極２１２に電気的に接
続されている。

こうした堆積膜形成装置を使用した従来の電子写真感光
体製造方法による従来の電子写真感光体の製造は以下の
ようにして行われる。まず真空ポンプ（図示せず）によ
り排気管２０４を介して、反応容器２０１を排気し、反
応容器２０１内の圧力をｌＸｌ０−７Ｔｏｒｒ以下に調
整する。ついでヒーター２０７により、基体１の温度を
２００℃以上、３００℃以下の温度に加熱保持する。そ
こで不図示のガス導入手段を介して、シランガス、水素
ガス等の原料ガスが反応容器２０１内に導入される。そ
れと同時併行的にマイクロ波電源２０８により周波数２
．４５ＧＨｚのマイクロ波を発生させ、導波管２０３を
通し　誘電体窓２０２を介して反応容器２０１内に導入
される。更に放電空間２０６中のバイアス電極２１２に
電気的に接′　続されたバイアス電源２１１により、バ
イアス電極２１２に基体１に対してバイアス電圧を印加
する。かくして基体１により囲まれた放電空間２０６に
おいて、原料ガスはマイクロ波のエネルギーにより励起
されて解離し　更にバイアス電極２１１と基体１の間の
電界により定常的に基体１上にイオン衝撃を受けながら
、基体１表面に堆積膜が形成される。この時、基体１が
設置された回転軸２０９をモーター２１０により回転さ
せ、基体１を基体母線方向中心軸の回りに回転させるこ
とにより、基体ｌ全周に渡って均一に堆積膜が形成され
る。

〔発明が解決しようとする課題〕

アモルファスシリコン１戴　他の感光体よりも表面硬度
が高いことからクリーニング性の高いブレード式クリー
ニング方式が適し　弾性ゴムブレード等が順方な　カウ
ンタ一方向等の当接方法により広く用いられている。し
かしながら、このようなブレード式クリーニング方式に
おいては、アモルファスシリコン表面の凹凸部により、
長期間使用した場合、ブレードのエツジ面が破損してし
まい画像上に黒いスジ状のクリーニング不良として発生
してしまうという問題があった 上記アモルファスシリコン表面の凹凸の原因を観察した
結果、ブレード破損部に対応するアモルファスシリコン
表面にほぼ円形の形状をした突起（球状突起）が認めら
れた　この部分の堆積膜を基体ごと切取り断面を顕微観
で観察すると基体近傍又１戴　堆積膜の途中＆ミ　数μ
ｍから数十μｍの大きさの異物が有り、この異物を核と
して表面に向かい柱状又は逆円錐状の異常成長が始まっ
ていることがわかった これらの球状突起は次のようなメカニズムにより発生す
ると考えられる。基体又は正常な堆積膜上へ　堆積膜の
破片等の異物が乗るとその部分でのプラズマ中の電位が
変化するため、近傍のプラズマ空間で生成される、又は
輸送されてくる活性種が異なってくる。またこのような
異物のために活性種の表面での運動が阻害さ帳　堆積膜
形成時の表面反応も異なってくる。そのため従来の電子
写真製造方法において、このように異物の上に成長した
堆積膜の部分は他の正常部分と性質の異なり電子写真的
に不十分な（特に暗抵抗の小さな）膜となる。このよう
に正常部と異なる膜質である球状突起は、正常部との密
着性も弱く欠落し易くくアモルファスシリコン表面上の
凹になり易い。

この凹もクリーニングブレードのエツジを破損する原因
の一つでもある。一般に凸部の高さｉｌ　　１〜３０μ
ｍであり、凹部は１〜３０μｍ程度ある。

また、球状突起部は正常部分と膜の性質が異なり暗抵抗
の小さな膜となる。電子写真用堆積膜を複写機で実際に
使用する場合、帯電器による電子写真用堆積膜表面に均
一にコロナ帯電を行い、できた表面電化のクーロン力に
よりトナー像を作製する。ところカー　球状突起周辺に
帯電された表面電荷は前述の暗抵抗の小さな部分を通り
速やかに基体に抜けてしまうため番ミ　その部分だけ、
　トナーを引きつけることができず、全面黒の画像では
球状突起の位置に対応した白点（白ポチと称する）とし
て画像欠陥として現わ札　画質を低下させてしまう。上
記白ポチの現象は堆積膜中に炭素を含有することにより
、球状突起部の暗抵抗がやや大きくなり、正常部分の膜
質に近くなるため、電荷保持能力が高まり、白ポチとし
て出にくくなることが検討の未判明しており球状突起の
頭部を研磨しても電荷保持能力はなんら変化せず白ポチ
の大きさ頃　変化しないことも判明したため、この球状
突起の頭部のみを研磨し　平坦化させる手段を検討する
必要があった そこで上記球状突起の頭部を研磨する手段が多々検討さ
れたが、球状突起は欠落し易く、また、硬度的にももろ
く、破損し易いためその破片によりアモルファスシリコ
ンの表面を傷付けることがあった　そのため球状突起の
研磨条件は球状突起を欠落させないように研磨部材の圧
接圧や研磨速度、研磨時間等が狭い範囲に限定されてし
まう問題点があり、これらの問題点を解決する研磨方法
が要望されていた 本発明は上記の問題点を解決−球状突起を欠落させずに
研磨が可能であり、堆積膜表面に傷等のダメージを与え
ずに研磨が可能な、しかも広範囲の研磨条件が実施でき
る堆積膜の研磨方法を提供することを目的とする。また
本発明は研磨により欠陥を生じることのない電子写真用
感光体ドラムの製造方法を提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明１戴　マイクロ波プラズマＣＶＤ法により基体上
に形成された珪素原子を母体とする非単結晶質からなる
電子写真用堆積膜を研磨する方法において、堆積膜を研
磨するに先だって堆積膜上に樹脂層を形成する電子写真
用堆積膜の研磨方法である。

また本発明哄　マイクロ波プラズマＣＶＤ法により基体
上に珪素原子を母体とする非単結晶質からなる電子写真
用堆積膜を形成する工私　該堆積膜上に樹脂層を形成す
る工私　並びに該樹脂層および堆積膜を研磨する工程を
有する電子写真用感光体の製造方法である。

本発明によれ１戴　電子写真用堆積膜を良好に研磨する
ことができ、優れた電子写真用感光体を製造することが
できる。

基体としては電子写真用感光体に用いられている公知の
基体を特に制限なく用いることができる。

本発明が適用できる基体の形状としては回転体形状　特
に円筒状が好ましい。

基体上に形成される堆積膜には、またその形成方法も公
知の珪素原子を母体とする非単結晶もの、マイクロ波プ
ラズマＣＶＤ法を適用できる。該電子写真用堆積膜には
炭素原子を含有させることが好ましい。

樹脂層に用いる樹脂はアクリル樹脂、ポリエステル樹脂
、アクリル化ウレタン樹脂、ウレタン樹脂その他の樹脂
等が好適な樹脂として挙げられる。

樹脂の特性１戴　ＪＩＳ　Ｋ　７２鳳　ＡＳＴ閘Ｄ７８
５に定められるロックウェル硬さで、ロックウェルＲ９
０〜１２０、ＡＳＴＭ　Ｄ　２５６に定められる衝撃強
さ（アイゾツト・ノツチ）で、５．０ｋｇｃｍ／ｃｍ以
Ｌ　　ＡＳＴＭ　Ｄ５７０に定められる吸水率で０．１
％以下がそれぞれ好ましい。

樹脂層の厚さ１戴　好ましくは１μｍ〜５０μ亀さらに
好適には１０μｍ〜３０μｍである。

樹脂の塗布方法にも特に制限はないが、浸漬塗布法本　
均一な厚さの樹脂層を形成できる方法が好ましい。

樹脂層および堆積膜を研磨する方法としても特に制限は
ない力τ、電子写真用堆積膜および樹脂層が形成された
円筒状基体をその中心を軸として回転させ、該円筒状基
体の局面に研磨部材を当接させつつ該円筒状基体の周速
度と異なる速度で該研磨部材を送ることにより研磨を行
うことが好ましい。研磨部材の送り方向代　円筒状基体
の回転方向に対して順方向とするのが更に好ましい。研
磨部材は円筒状基体の母線方向と平行に配置することも
好ましい。円筒状基体の回転速度は好ましくは５０〜６
００ｍｍ／ｓｅｅ、　　さらに好ましくは２００〜４０
０ｍｍ／ｓｅｅであり、研磨部材の送り速度は好ましく
は５〜１００ｍｍ＋／ｗｉｎ、　　さらに好ましくは４
０〜６０ｍｍ／ａ＋ｉｎである。

ところで、マイクロ被プラズマＣＶＤ法以外の従来の技
術として、特開昭５．６−６２２５４号及び特開昭５７
−１１９３５６号に哄　アモルファスシリコンを主体と
する電子写真感光体の堆積膜中に炭素原子を含有させる
ことにより電子写真特性を向上させる技術が開示されて
いる。しがし、これらの公報に頃　球状突起を原因とす
るクリーニング不良についての記載は無く、更に堆積膜
形成後に表面の球状突起の頭部を研磨することを示唆す
る記載もない。

また、特開昭６２−８４９６５号及び特開昭６２−１８
８６６５号には電子写真感光体の表面を研磨することに
より膜厚むらを補正する技術が開示されている。また、
特開昭６３−３１１２５９号に１戴　表面の粗さを平滑
にすることにより、画像流れを防止する技術が開示され
ている。しがしこれらの公報で哄　クリーニング不良と
表面研磨の関係については全く示唆されていない。

〔実施例〕

以下、本発明の効果を実験例を用いて具体的に説明する
カー　本発明はこれらによりなんら限定されるものでは
ない。

実施例１ マイクロ波プラズマＣＶＤ法によりアモルファスシリコ
ン膜を堆積形成した後にその表面に、本発明の樹脂コー
ティングを行いその後に研磨工程を行い評価を行っｊら まず第２図ａ及び第２図すで示す堆積膜形成装置を用い
、第１表の条件に従い第７図ａに示す３層構成（電化注
入阻止層２　ａ、　　光導電層２および表面保護層２ｃ
）の堆積膜をアルミ基体１上に形成した。

アルミ基体上に堆積膜を形成した後、第３図に示した塗
工装置を用いた浸漬塗布により樹脂層を基体周面に均一
に形成した 樹脂層の浸漬塗布工程を第３図を参照しつつ説明する。

塗布ポット３０７の中の樹脂３０３が攪拌モーター３０
５により回転する攪拌器３０４により攪拌されている。

アモルファスシリコン感光体（円筒状基体に堆積膜を形
成したもの）５は、シリンダー３０６の上にクランプ３
０２により固定さね液状樹脂３０３へ浸漬し　次に１２
０ｍｍ／　ｓ　ｅ第１表 （以下余白） Ｃの速度で上昇し　アモルファスシリコンドラム３０１
の表面に樹脂層を形成する。

本例においては、微粉砕したＰＴＦＥ樹脂（商品名　ル
ブロンＬ２、ダイキン工業製）２０服塩ビー酢ビ共重合
体（商品名：　ＶＭＣＨ，ＵＣＣ製）１００部をメチル
エチルケトン溶剤で粘度２４０ｃｐｓ　（センチポイズ
）に希釈した液状樹脂を用い、　１２０ｍｍ／ｍｉ　ｎ
の速度で浸漬塗布を行い、さらに１００℃で５分間の乾
燥を行い３０μｍの樹脂層を形成した 次に第１図に示す研磨装置により以下の手順で研磨し感
光体表面を平滑化した まず研磨装置本体１０１中の研磨ユニット１０２を上方
に上げクランプ１０３により固定しておく。堆積膜およ
び樹脂層が形成された円筒状基体からなる電子写真用感
光体５を支持体１０４と組み合わせ、シャフト１０６に
固定し九　ついでクランプ１０３を緩め、研磨ユニット
１０２を下方に降ろし　圧接ローラー１０７により研磨
テープ１０８を電子写真感光体５に圧接させｔら　研磨
テープ１０８としてはポリエステルフィルム上に平均粒
径８μｍの炭化珪素粉末を塗布したものを用いへ　圧接
ローラー１０７は表面にウレタンゴム（ＪＩＳ硬度′　
６０）を被覆したものを用いたこの時、圧差用のバネ１
０９を調節して、圧接ローラー１０７を介して研磨テー
プ１０８を電子写真感光体１０５に圧着させる圧力な線
圧４０ｇ／　ｃ　ｍ、　　接触中（以降「ニップ巾」と
称する）を０、　５ｍｍとした。

次を−回転数が可変のモーター１１０及び１１１を回転
味　研磨を開始した　研磨テープ１０８の送り速度は５
０ｍｍ／ｍｉｎ、　　被研磨部材である電子写真感光体
５の回転速度は周速度で３００ｍｍ／ｓ　ｅｃとした　
この研磨テープ１０８の送り速度と電子写真感光体５の
回転速度の差分により研磨が実行される。

上記の条件の元で３０分間研磨を行い研磨工程を終了し
た。

研磨工程で代　特に限定はされないカー　研磨材を塗布
した研′磨テープを用いる研磨方法が好適である。

好ましい研磨材としてはシリカ（Ｓ　ｉ　Ｏ２）、　　
アルミナ（Ａ　２０３　）、酸化鉄（Ｆｅ２ｒｓ）、炭
化珪素（ＳｉＣ）、窒化炭素（Ｃｓ　Ｎ　ａ　）、酸化
セリウム（ＣａＯ）等の微粉末がある。研磨材の平均粒
径として１戴　平均粒径が小さすぎると研磨速度が低下
し、実質的な研磨時間の増大を招き、大きすぎると研磨
速度が非常に速くなり、口約とする球状突起以外の部分
にも影響を与えてしまう。具体的に番戴　１μｍ以上、
　２０μｍ以下が望ましい。

研磨材の微粉末を塗布するベース材料としてはフィルム
状の形状のものが好ましく、ポリアミド、ポリエステル
、ポリウレタン、ポリ深黒　ポリオレフィン、ポリスチ
レン、ポリ塩化カビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ弗
化エチレン、ポリアクリロニトリル、ポリビニルアルコ
ール、ポリシアン化ビニリデン等の有機高分子、ステン
レス等の金属薄罠　紙等が挙げられる。中でも軽量且つ
強度もあること、安価で大量生産が可能で環境変化に強
い等の理白により有機高分子フィルムが最適である。具
体的に法　富士フィルム社製ラッピングテープＣ−２０
００，住友スリーエム社製ラッピングテープ等が挙げら
れる。

研磨装置に用いられる圧接ローラーとしてはいずれの材
質でも良いが（例えばネオプレンゴム、シリコンゴム等
でＪＩＳ）（Ｓ硬度が４０〜６０・のものが好ましい。

）圧接ローラーが必要以上に堅い場合には研磨テープに
よる傷が被研磨部材である電子写真感光体に発生し　ま
た、必要以上に柔らかい場合には圧接圧力が研磨テープ
に伝わらず、実質的に研磨速度の低下を招くため、例え
ば表面をシリコンゴムあるいはウレタン等の材料で被覆
したものが望ましい。更！、　　圧接圧力に応じて研磨
テープと電子写真感光体との間で、適切な量のニップ巾
をもたせることが可能なローラーが好ましい。この時ニ
ップ巾としては、００１ｍｍ以上、　３ｍｍ以下が望ま
しい。圧接圧力としては線圧として１０　ｇ　／　ｃ　
ｍ以１，５００ｇ／ｃｍ以下が望ましい。

更シミ　圧接ローラーの代わりに凸型に湾曲した圧接部
材を用いても良い。

第４図ａ及びｂに示すようをミ　研磨が進につれて、核
４０５より異常成長した球状突起４０４は樹脂層３ごと
研磨される。

研磨工程終了後アモルファスシリコン感光体表面及び断
面を顕微鏡により観察したところ研磨工程による球状突
起の欠落や欠落による口拡　また、球状突起の破片によ
るアモルファスシリコン表面のキズはなかっｔラ　　更
１ミ　第４図Ｃに示すようへ初期より堆積膜が剥がれて
いた凹部４０６には樹脂が残り平坦な面になっており、
また球状突起４０４の頭部が５μｍ程度残った部分は樹
脂層４０３がスロープ状に残っていた 比較例１ 実施例１と同様に３層構成の堆積膜を形成したその後、
第１図に示す研磨装置により研磨工程を行った　ただし
　堆積膜形成後樹脂の浸漬塗布は行わなかった　このよ
うにして研磨工程を終了したアモルファスシリコン感光
体を実施例１と同様に観察した結果　球状突起の欠落に
よる四部が増加した　また球状突起の欠落した破片によ
りアモルファスシリコン感光体の表面の周方向に傷が発
生しているのが確認された 実施例２ 実施例１と同様に３層構成の堆積膜を形成し樹脂層を形
成し　研磨を行った　但し樹脂層は実施例１と異なり、
光硬化壓アクリル化ウレタン樹脂（商品名″　ゾンネ、
関西ペイント社製）をメチルアルコール／メチルエチル
ケトン（３１）の混合溶剤により粘度を１２（Ｌｃｐｓ
に希釈し１２０ｍｍ／ｍｉｎの速度で浸漬塗布した後、
炉内温度１００℃のＵＶ乾燥装置（図示せず）により５
分間乾燥し　さらに３０秒間紫外線を照射して３０μｍ
の樹脂層を形成した　研磨工程を終了したアモルファス
シリコン感光体を実施例１と同様の方法で表面及び断面
を顕微鏡により観察した結果実施例１と同様の結果が得
られた 実施例３ 第２図ａ１　　第２図すに示す堆積膜形成装置を用いて
マイクロ波プラズマＣＶＤ法により、第１表の条件によ
り表面荒さ○　１５ｓ以下の表面粗度のアルミニウム製
円筒形基体１に第７図ａで示した３層構成の非晶質シリ
コンを堆積しｆ。

樹脂層の形成工程で（戴　微粉砕したＰＴＦＥ樹脂（商
品名ニルブロンＬ２、ダイキン工業社製）２０服　塩ビ
ー酢ビ共重合体（商品名　ＶＭＣＨ１ＵＣＣ社製）１０
０部をメチルエチルケトン溶剤で粘度２４０ｃｐｓに希
釈した後に１２０ｍｍ／ｍ　ｉ　ｎの速度で第３図に示
した浸漬塗工装置により浸漬塗布を行い１００℃で５分
間の乾燥を行い３０μｍのＰＴＦＥ層を形成した また、研磨工゛程では第１図の研磨装置を用い実施例１
と同様に研磨を行った 研磨工程を終了したアモルファスシリコン感光体の電子
写真装置に与える耐久性の評価を以下のようにして行っ
た 上記工程を終了したアモルファスシリコン感光体をキャ
ノン■製複写機、Ｎ−Ｐ−７５５０を実験用に改造した
複写装置に設置し　通常の複写プロセスにより転写紙上
に画像を作製する工程を５０万枚連続して行った 第６図に示すように、この複写装置には感光体から転写
紙を剥すための分離爪６０３、クリーニングのためのク
リーニングローラ６０４およびブレード５０４を有する
クリーニング装置６０２が設けられている。

評価結果を第３表に示す。表中の記号は各々、以下のこ
とを示している。

１）ブレード傷 ○・ブレードエツジ面に破損が認められない。

△・　ブレードエツジ面に小さい破損が認められる。

×・・・ブレードエツジ面に大きな破損が認められる。

２）クリーニング不良 ○・白画像上に黒スジが認められる。

△・・・白画像上に数ｃｍの黒スジが２〜３本認められ
る。

×・・白画像上に長い黒スジが認められる。

３）分離爪の摩耗 Ｏ・・分離爪の先端に摩耗が認められない。

Δ・・分離爪の先端に摩耗が認められるが、画像上に影
響なし。

×・分離爪の先端が摩耗し　爪の先端にトナーがたまり
、画像の上に落下して、画像上に黒点として吊る。

比較例２ 樹脂層を形成しなかった以外は実施例３と同様にマイク
ロ波プラズマＣＶＤ法により堆積膜を形成し　アモルフ
ァスシリコン感光体の研磨工程を行った。

研磨工程を終了したアモルファスシリコン感光体を実施
例３と同様の評価を行った　この結果を第４表に示す。

実施例４ 第２図ａ１　　第２図すに示す堆積膜形成装置を用いて
マイクロ波プラズマＣＶＤ法により第２表の条件のもと
て４層構成の堆積膜を得た　この堆積膜は第７図すに示
すよう番−基体１　（実施例３と同じもの）上＆へ　電
荷注入阻止層２　ａｌ　　電荷輸送層２ｂ−１、電荷発
生層２ｂ−２および表面保護層２Ｃがこの順に形成され
てなる。

人心へ　第３図に示す浸漬塗工装置により光硬化型アク
リル化ウレタン樹脂（商品名　ゾンネ、関西ペイント社
製）をソイチルアルコール／メチルエチルケトン（３°
　ｌ）の混合溶剤により粘度を１２０ｃｐｓに希釈１．
、　１２０ｍｍ／ｍ　ｉ　ｎの速度で堆積膜上に浸漬塗
布した後、炉内温度１００℃のＵＶ乾燥装置（図示せず
）により５分間乾燥した　次に３０秒間紫外線を照射し
て３０ｐｍの樹脂層を形成した さらに実施例３と同様に研磨したアモルファスシリコン
感光体について、実施例３と同様の評価を行った　この
結果を第５表に示す。

（以下余・白） 第２表 第３表 第４表 第５表 以上の結果、実施例３及び実施例４では第６図に示した
クリーニング装置６０２のブレード５゜４ばかりでなく
分離爪６０３をも傷付けることなく５０万枚の耐久後で
もクリーニング不良がないばかりか、分離爪６０３の摩
耗によるトナーのボタ落ちもない良好な画像が得られた
　しかし比較例２では、第５図に示す球状突起の欠落部
４０６が耐久初期より増加し　また、球状突起が欠落し
た破片により感光体表面を傷付けており、ブレード５０
４や第６図のクリーニング装置６０２の分離爪６０３の
先端が破損したり摩耗してしまい、クリーニング不良や
分離爪６０３にたまったトナーの落ちによるボタ落ちと
称する黒点が画像上に発生してしまい、良好な画像は得
られなかったこれは樹脂が凹部をうめたり研磨によって
均一化されてはいるものの数μｍの段差を有する凸部に
もスロープ状の樹脂層が形成されるため特に剛性の大き
い分離爪の摩耗に対して実施例３及び実施例４で鷹　顕
著な効果が認められ九 また、球状突起部は画像上、白い小さな（直径０．１ｍ
ｍ〜２．　０ｍｍ程度）画像抜けとなるカζ球状突起の
頭部が欠落したり半分かけたりすると帯電のコロナ放電
の偏りにより上記白抜けの周りに数ｍｍ〜数十ｍｍにな
るポチ影と称される形状の像が白抜けと同時に発生して
しまう。ところが実施例３及び実施例４では球状突起の
破損が発生しないため上記の形状の像である画像欠陥が
激減するという予期せぬ効果もあった 更に堆積膜に炭素を含有させることにより球状突起部の
前記白い小さな画像抜けが減少Ｌ　本発明の効果をより
一層引き立てることが判明した〔発明の効果〕 本発明の電子写真用堆積膜の表面に樹脂層を設は研磨工
程を行う研磨方法により研磨を行えｉ！、たとえ電子写
真用堆積膜の堆積膜形成時に表面に異物が付着して球状
突起として異常成長しても球状突起の頭部を欠落するこ
となく均一な研磨が可能となり、複写機、プリンター等
で使用中にブレードや分離爪等の摩耗が少なく、サービ
スコスト等の低減に大きな効果がある。また、ハーフト
ーンモードや写真モード等のコピー時に発生する形状の
像である画像欠陥が激減するという思わぬ効果も得られ
た

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の電子写真感光体の研磨方法を実施する
ための研磨装置である。第２図［ａ＞及び第２図（ｂ）
はマイクロ波プラズマＣＶＤ法により円筒形基体上に堆
積膜を形成するための堆積膜形成装置の模式図である。 第３図は実施例で用いた浸漬塗工装置の模式図である。 第４図（ａ）〜（Ｃ）は本発明における研磨工程中の研
磨状況を示すための樹脂層および堆積膜の模式的断面図
である。第５図は球状突起の欠落部付近の拡大図である
。第６図は実施例で用いた評価用の電子写真装置におけ
るクリーニング装置の模式図である。第７図は実施例で
形成した堆積膜の模式的断面図である。 に基体　　　　　　　２．堆積膜 ２ａ：　電荷注入阻止層　２ｂ゛　光導電層２ｂ−１：
　電荷輸送層　２ｂ−２：　電荷発生層２Ｃ：表面保護
層　　　３：樹脂層 ５　感光体 １０１、研磨装置本体　１０２　研磨ユニット１０３、
　３０２　　クランプ １０４　支持体　　　　１０６　シャフト１０７　圧接
ローラー　１０８　研磨テープ１０９°　バネ １１０．１１１、２１０．３０５　モーター１１２：研
磨テープロール １１３：研磨テープ巻き取りロール、 １１４．１１５：　ベルト ２０１゛反応容器 ２０２“　マイクロ波導入窓 ２０３、導波管　　　　２０４．排気管２０６′放電空
間　　　２０７．ヒーター２０９゛　回転軸　　　　２
１１　直流電源２１２　バイアス電極　３０３．樹脂塗
料３０４：攪拌器　　　　３０６：　シリンダー３０７
：　塗布ポット　　４０３：樹脂層４０４　球状突起　
　　４０５：球状突起の核４０６：球状突起の欠落部 ５０４：　ブレード ６０２°　クリーニング装置 ６０３　分難型 ６０４′　クリーニングローラー 特許呂願人　キャノン株式会社 代　理　人　弁理士゛苦杯　忠

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. １．マイクロ波プラズマＣＶＤ法により基体上に形成さ
   れた珪素原子を母体とする非単結晶質からなる電子写真
   用堆積膜を研磨する方法において、堆積膜を研磨するに
   先だって堆積膜上に樹脂層を形成する電子写真用堆積膜
   の研磨方法。
2. ２．前記研磨工程を、電子写真用堆積膜および樹脂層が
   形成された基体をその中心を軸として回転させ、該基体
   の周面に研磨部材を当接させつつ該基体の周速度と異な
   る速度で該研磨部材を送ることにより行う請求項１に記
   載の電子写真用堆積膜の研磨方法。
3. ３．マイクロ波プラズマＣＶＤ法により基体上に珪素原
   子を母体とする非単結晶質からなる電子写真用堆積膜を
   形成する工程、該堆積膜上に樹脂層を形成する工程、並
   びに該樹脂層および堆積膜を研磨する工程を有する電子
   写真用感光体の製造方法。