JPH04196196A - 電子機器の電磁波シールド構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業−」―の利用分野〕 本発明は、電子機器から発生する電磁波のシールド構造
に係り、特に、電子機器に用いられる回路基板から放射
される電磁波を効率良くシールドするのに好適な電子機
器の電磁波シールド構造に関するものである。

〔従来の技術］ 一般に、パーソナルコンピュータやワードプロセッサな
どの電子機器に用いられている回路基板からは、電磁波
が発生する。この電磁波は、周囲に設置されている他の
機器にノイズなどの悪影響を与えてしまう。

このような電磁波の遮蔽を目的として、従来、電子機器
の筐体には、情報処理装置等電波障害自主規制協議会（
ＶＣＣＩ規制）に基づき、電磁波シールドが施されてい
る。

例えば、筐体を用いた電磁波のシールド構造に関しては
、特開平］−４１３００号公報に記載のものがあり、Ｃ
ＲＴ　（Ｃａｔｈｏｄｅ　　Ｒａｙ　　Ｔｕｂｅ、陰極
線管）等の筐体を、表面を絶縁スキン層で被った導電性
プラスチックなどで構成して、筐体全体を電気的導通体
となし、筐体の内部を完全に電磁波シールドするものが
ある。

尚、導電性プラスチックは、プラスチック母材の内部に
、ステンレスや銅、カーボン等の導電性物質の繊維、粒
子、または、フレークなどを含有したものであり、その
成型物は、電気的な導通体となる。従って、筐体を導電
性プラスチックで成型することにより、内部の電子機器
からの電磁波をシールドすることができる。

しかし、このように、筒体で電磁波をシールドすること
は、筐体に必要な風穴や開口部、さらにケース間の接合
部のシールドなど、困難な処理が多い。

このような問題を解決するための従来技術としては、例
えば、特開平１−６４２９８号公報に記載のものがある
。すなわち、回路基板自体を非導電性プラスチックで被
い、さらに、その表面を金属のめっき層で被い、このめ
っき層で、回路基板からの電磁波、および、外部から回
路基板への電磁波をシールドするものである。

［発明が解決しようとする課題］ 従来の回路基板自体の電磁波シールド構造では、非導電
性プラスチック」二に金属めっき層を形成する工程に手
間がかかりコスト高である。また、金属めっき層は導体
であるので、外部近辺の導体と接触し、ショーＩ・する
恐れがある。さらに、プラスチックの熱膨張率と金属の
熱膨張率との差により、めっき層が剥がれる可能性があ
り、使用できるプラスチックの種類が限定される等の問
題があった。

本発明の目的は、これら従来技術の課題を解決し、回路
基板自体を被う導電層を、導電性プラスチックを用いて
射出成型により容易に形成し、電磁波を効率良くかつ高
信頼にシールドすることを可能とする電子機器の電磁波
シールド構造を提供することである。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するため、本発明の電子機器の電磁波シ
ールド構造は、（１）電磁波を放射する回路基板を有す
る電子機器を導電体で被い、回路基板から放射される電
磁波をシールドする電子機器の電磁波シールド構造にお
いて、回路基板を、射出成型で形成した非導電性プラス
チックからなる第１の絶縁層で被い、この第１の絶縁層
で被われた回路基板を、射出成型で形成した導電性プラ
スチックからなる導電層で被い、この導電層により、回
路基板から放射される電磁波をシールドすることを特徴
とする。

また、（２）上記（１）に記載の電子機器の電磁波シー
ルド構造において、導電層で被われた回路基板を、射出
成型で形成した非導電性プラスチックからなる第２の絶
縁層で被うことを特徴とする。

また、（３）」−記（１）もしくは（２）のいずれかに
記載の電子機器の電磁波シールド構造において、導電性
プラスチックからなる導電層をアース接地することを特
徴とする。

また、（４）上記（１）〜（３）のいずれかに記載の電
子機器の電磁波シールド構造において、導電層を形成す
る導電性プラスチックの母材プラスチックに、第１およ
び第２の絶縁層を形成する非導電性プラスチックと同一
のものを用いることを特徴とする。

〔作用〕

本発明においては、射出成型により、回路基板の周囲を
非導電性プラスチック（絶縁層）と導電性プラスチック
（導電層）で被う。このように、射出成型により、簡便
に絶縁層と導電層とを形成することができ、電磁波のシ
ールド構造を短時間に、低コストで形成することができ
る。

また、導電性プラスチック層の回路基板と接する側と、
導電性プラスチック層の最外層とを、それぞれ非導電性
のプラスチック層で被うことにより、導電性プラスチッ
クと回路基板、および、近接する外部の導体とのショー
トが防止される。

さらに、導電性プラスチックの母材に、非導電性プラス
チックの材料と同一のものを用いることにより、熱膨張
率により生じる絶縁層と導電層との剥離などを防止する
ことができる。

このようにすることにより、電磁波を効率良くかつ高信
頼にシールドすることができる。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を、図面により詳細に説明する。

第１図は、本発明を施した回路基板の本発明に係る構成
の一実施例を示す側断面図である。

電磁波のシールドの対象である回路基板ＩＩ−には、Ｌ
ＳＩ　　け、ａｒｇｅ　　５ｃａｌｅ　　Ｉｎｔ、ｅｇ
ｒａｔｉｏｎ、大規模集積回路）２、コンデンサー３、
そして、図示されていない配線などが設けられている。

尚、これらＬ　Ｓ　Ｉ　２や、配線等から電磁波が放射
される。

回路基板ｌは、まず、通常の非導電性プラスチックを射
出成型して形成した絶縁層４で被われ、また、その絶縁
層４は、導電性プラスチックを射出成型して形成した導
電層５で被われ、さらに、導電層５は、絶縁層４と同一
の非導電性プラスチックを射出成型して形成した絶縁層
６で被われている。そして、導電層５には、導電性金属
の接地端子７が接続され、この接地端子７を介して、導
電層５は、接地されている。尚、接地端Ｔ−７で接地さ
れていない場合には、導電層５がアンテナ化し、電磁波
をシールドできない可能性がある。

ここで、絶縁層４．６を形成するプラスチックには、ハ
ＢＳ（アクリルニトリルブタジェンスチレン）を用いる
３、シかし、使用するプラスチック月才＋１は、射出成
型か可能な熱可塑性樹脂であれば、ＡＢＳ以外のもので
も良い。

また、導電層５を形成する導電性プラスチックには、母
材がＡＢＳで、導電性フィラーとしてステンレスの繊維
を８ｗｔ％充填したものを用いる。

尚、母材のプラスチックは、１）Ｃ（ポリカーボネート
）や、変性Ｐ　Ｐ　ＩＦ、　（ポリフェニレンエーテル
）など、導電性フィラーを充填することができる熱可塑
性樹脂であれば、へＢＳ以外でも良い。但し、絶縁層４
．６と導電層５の熱膨張係数を同一にし、剥離や亀裂を
防止するため、導電性プラスチックの母材プラスチック
は、絶縁層４．６と同一のものであることが好ましい。

さらに、導電性プラスチックの内部フィラーには、ステ
ンレス以外にも、例えば、銅やカーボンなどの導電性を
有する物質が使用でき、また、フィラーの形状も、粒子
や繊維、または、フレークなどのいずれの形態であって
も良い。必要なことは、導電層５が】Ｏ−“〜】０−’
（’２４　ｃ　ｍ以ドの低い電気抵抗を有することであ
る。

計１縁層４は、回路基板１と導電層りとの間の１・ｉ気
絶縁性を確保するだめのもので、本実施例では２ｍｍの
厚さで形成する。その絶縁層４の厚さは、１〜３ｍｍ程
度が適当であり、例えば、ｌｒｎｍ以下では、絶縁性の
確保が困難であり、３ｍｍを超えると、回路基板ｌの熱
の放出に支障をきたす可能性がある。

また、導電層５は、回路基板１の電磁波をシールドする
ものであり、この導電層５の厚さは、絶縁層４の厚さと
同様に、１〜３ｍｍ程度が適当であり、本実施例では２
ｍｍとした。その厚さが、例えば、１ｍｍ以下では、電
気導電性の確保が困難であり、３ｍｍを超えると、回路
基板１の熱の放出に支障をきたす可能性がある。

また、絶縁層６は、導電層５と近辺の導体とのショート
を防１１−するものであり、絶縁層４と同じプラスチッ
ク材料で形成され、その厚さは、１ｍｍで十分である。

このよ−うに、本実施例の電磁波シ・−ルド構造によれ
ば、回路基板の周囲を、射出成型で形Ｉｉｉ　＋、た導
電性プラスチックで被うことができ６ので・、節便に、
回路基板の電磁波をシールドすることができる。

また、電磁波をシールドする導電層の上下に絶縁層を設
けているため、導電層によるショートを防止することが
できる。

さらに、導電層と絶縁層を同一のプラスチック材料で形
成するため、熱膨張率の差による導電層と絶縁層の破壊
を防止することができる。

〔発明の効果〕

本発明によれば、回路基板自体を被う導電層を、導電性
プラスチックを用いて射出成型により容易に形成し、電
磁波を効率良くかつ高信頼にシールドすることが可能で
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を施した回路基板の本発明に係る構成の
一実施例を示す側断面図である。 １：回路基板、２：ＬＳＩ、３：コンデンサー。 ４、絶縁層、５：導電層、６：絶縁層、７・接地端子。 第１図

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. １．電磁波を放射する回路基板を有する電子機器を導電
   体で被い、上記回路基板から放射される電磁波をシール
   ドする電子機器の電磁波シールド構造において、上記回
   路基板を、射出成型で形成した非導電性プラスチックか
   らなる第１の絶縁層で被い、該第１の絶縁層で被われた
   上記回路基板を、射出成型で形成した導電性プラスチッ
   クからなる導電層で被い、該導電層により、上記回路基
   板から放射される電磁波をシールドすることを特徴とす
   る電子機器の電磁波シールド構造。
2. ２．請求項１に記載の電子機器の電磁波シールド構造に
   おいて、上記導電層で被われた上記回路基板を、射出成
   型で形成した非導電性プラスチックからなる第２の絶縁
   層で被うことを特徴とする電子機器の電磁波シールド構
   造。
3. ３．請求項１もしくは請求項２のいずれかに記載の電子
   機器の電磁波シールド構造において、上記導電層をアー
   ス接地することを特徴とする電子機器の電磁波シールド
   構造。
4. ４．請求項１から請求項３のいずれかに記載の電子機器
   の電磁波シールド構造において、上記導電層を形成する
   導電性プラスチックの母材プラスチックに、上記第１お
   よび第２の絶縁層を形成する非導電性プラスチックと同
   一のものを用いることを特徴とする電子機器の電磁波シ
   ールド構造。