JPH04198155A - 液晶物質 - Google Patents
液晶物質Info
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- JPH04198155A JPH04198155A JP2322462A JP32246290A JPH04198155A JP H04198155 A JPH04198155 A JP H04198155A JP 2322462 A JP2322462 A JP 2322462A JP 32246290 A JP32246290 A JP 32246290A JP H04198155 A JPH04198155 A JP H04198155A
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- JP
- Japan
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- liquid crystal
- formula
- phase
- compound
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は液晶表示素子に用いられる新規なフェニルエス
テル系反強誘電性液晶物質に関するものである。
テル系反強誘電性液晶物質に関するものである。
［従来の技術］
液晶表示素子は、低電圧作動性、低消費電力性、薄型表
示が可能である事等により、現在までに各種の小型表示
素子に利用されてきた。しかし、昨今の情報、ＯＡ関連
機器分野、あるいは、テレビ分野への液晶表示素子の応
用、用途拡大に伴って、これまでのＣＲＴ表示素子を上
回る、表示容量、表示品質を持つ高性能大型液晶表示素
子の要求が、栄、速に高まってきた。
示が可能である事等により、現在までに各種の小型表示
素子に利用されてきた。しかし、昨今の情報、ＯＡ関連
機器分野、あるいは、テレビ分野への液晶表示素子の応
用、用途拡大に伴って、これまでのＣＲＴ表示素子を上
回る、表示容量、表示品質を持つ高性能大型液晶表示素
子の要求が、栄、速に高まってきた。
しかしながら、現在のネマチック液晶を使用する限りに
おいては、液晶テレビ用に採用されているアクティブマ
トリックス駆動液晶表示素子でも、製造プロセスの複雑
さと歩留りの低さにより、その大型化、低コスト化は容
易ではない。又、単純マトリックス駆動のＳＴＮ型液晶
表示素子にしても、大容量駆動は必ずしも容易ではなく
、応答時間にも限界があり動画表示は困難である。従っ
て、ネマチック液晶表示素子は、上記の高性能大型液晶
表示素子への要求を満足するものとはいい難いのが実状
である。
おいては、液晶テレビ用に採用されているアクティブマ
トリックス駆動液晶表示素子でも、製造プロセスの複雑
さと歩留りの低さにより、その大型化、低コスト化は容
易ではない。又、単純マトリックス駆動のＳＴＮ型液晶
表示素子にしても、大容量駆動は必ずしも容易ではなく
、応答時間にも限界があり動画表示は困難である。従っ
て、ネマチック液晶表示素子は、上記の高性能大型液晶
表示素子への要求を満足するものとはいい難いのが実状
である。
［発明が解決しようとする問題点］
このような状況のなかで、高速液晶表示素子として注目
されているのが、強誘電性液晶を用いた液晶表示素子で
ある。クラークとラガハールにより発表された表面安定
化型強誘電性液晶（以下５ＳＦＬＣと略記する。）素子
は、その従来にない速い応答速度と広い視野角を有する
事が注口され、そのスイッチング特性に関しては詳細に
検討されおり、種々の物性定数を最適化するため多くの
強誘電性液晶が製造されている。然しなからしきい値特
性が不十分であるためコントラストが不良である、高速
応答が実現されていない、機械的衝撃に依って配向が破
壊されそれの回復が困難であるなどの種々の要因により
実用化までには至っていないのが実状である。
されているのが、強誘電性液晶を用いた液晶表示素子で
ある。クラークとラガハールにより発表された表面安定
化型強誘電性液晶（以下５ＳＦＬＣと略記する。）素子
は、その従来にない速い応答速度と広い視野角を有する
事が注口され、そのスイッチング特性に関しては詳細に
検討されおり、種々の物性定数を最適化するため多くの
強誘電性液晶が製造されている。然しなからしきい値特
性が不十分であるためコントラストが不良である、高速
応答が実現されていない、機械的衝撃に依って配向が破
壊されそれの回復が困難であるなどの種々の要因により
実用化までには至っていないのが実状である。
これとは別に、５ＳＦＬＣと異なるスイッチング機構の
素子の開発も同時に進められている。反強誘電相を有す
る液晶物質（以下、反強誘電性液晶物質と言う。）の三
安定状態間のスイッチングも、これらの新しいスイッチ
ング機構の１つである（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎ
ａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ、 Ｖｏ
ｌ、２’、、 ｐｐ、Ｌ７２９，１９８８ ）。
素子の開発も同時に進められている。反強誘電相を有す
る液晶物質（以下、反強誘電性液晶物質と言う。）の三
安定状態間のスイッチングも、これらの新しいスイッチ
ング機構の１つである（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎ
ａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ、 Ｖｏ
ｌ、２’、、 ｐｐ、Ｌ７２９，１９８８ ）。
反強誘電性液晶素子は３つの安定な状態を有する。すな
わち、強誘電性液晶素子で見られる２つのユニフォーム
状態（Ｕｒ、Ｕｌ）と第三状態である。この第三状態が
反強誘電相であることをＣｈａｎｄａｎｉらが報告して
いる（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ Ａ
ｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ、 Ｖｏｌ、２８．
ｐｐ、ＬＬ２６１． １９８９゜Ｊａｐａｎｅｓｅ
Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓ
ｉｃｓ、 Ｖｏｌ、２８、 ｐｐ、Ｌ１２６５．１９８
９）。このような三安定状態間のスイッチングが反強誘
電性液晶素子の第１の特徴である。反強誘電性液晶素子
の第２の特徴は印加電圧に対して明確なしきい値が存在
することである。更にメモリー性を有しておりこれが反
強誘電性液晶素子の第３の特徴である。これらの優れた
特徴を利用することにより応答速度が速く、コントラス
トが良好な液晶表示素子を実現できる。
わち、強誘電性液晶素子で見られる２つのユニフォーム
状態（Ｕｒ、Ｕｌ）と第三状態である。この第三状態が
反強誘電相であることをＣｈａｎｄａｎｉらが報告して
いる（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ Ａ
ｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ、 Ｖｏｌ、２８．
ｐｐ、ＬＬ２６１． １９８９゜Ｊａｐａｎｅｓｅ
Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓ
ｉｃｓ、 Ｖｏｌ、２８、 ｐｐ、Ｌ１２６５．１９８
９）。このような三安定状態間のスイッチングが反強誘
電性液晶素子の第１の特徴である。反強誘電性液晶素子
の第２の特徴は印加電圧に対して明確なしきい値が存在
することである。更にメモリー性を有しておりこれが反
強誘電性液晶素子の第３の特徴である。これらの優れた
特徴を利用することにより応答速度が速く、コントラス
トが良好な液晶表示素子を実現できる。
又、もう一つの大きな特徴として層構造が電界により容
易にスイッチングする事があげられる（Ｊａｐａｎｅｓ
ｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓ
ｉｃｓ、 Ｖｏｌ、２Ｂ。
易にスイッチングする事があげられる（Ｊａｐａｎｅｓ
ｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓ
ｉｃｓ、 Ｖｏｌ、２Ｂ。
ｐｐ、Ｌｉ２Ｑ、１９８９． Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏ
ｕｒｎａｌ ｏｆ ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ、
Ｖｏｌ、２９． ｐρルＩＬＬ １９９０） 、このこ
とにより欠陥が極めて少なく配向の自己修復能力のある
液晶表示素子の作製が可能となる。
ｕｒｎａｌ ｏｆ ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ、
Ｖｏｌ、２９． ｐρルＩＬＬ １９９０） 、このこ
とにより欠陥が極めて少なく配向の自己修復能力のある
液晶表示素子の作製が可能となる。
反強誘電性液晶物質としては、特開平１−２１３３９０
、特開平１−３１６３３９、特開平１−３１６３６７、
特開平１−３１６３７２、特開平２−２８１２８の各公
報、及びＬｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌｓ。
、特開平１−３１６３３９、特開平１−３１６３６７、
特開平１−３１６３７２、特開平２−２８１２８の各公
報、及びＬｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌｓ。
Ｖｏｌ、６． ｐｐ、１６７．１９８９に記載のものが
知られているが、反強誘電性液晶に関する研究は始まっ
たばかりで、現在までに知られている反強誘電性液晶物
質の数は少ない。
知られているが、反強誘電性液晶に関する研究は始まっ
たばかりで、現在までに知られている反強誘電性液晶物
質の数は少ない。
本発明の目的は、新規な反強誘電性液晶物質、特に、し
きい値特性に優れ、高速応答性に優れた新規なフェニル
エステル系反強誘電性液晶物質を提供することである。
きい値特性に優れ、高速応答性に優れた新規なフェニル
エステル系反強誘電性液晶物質を提供することである。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、−数式（１）
〔式中Ｒは直鎖脂肪族アルキル基、Ｘは単結合または０
を表す。Ｋ、Ｌは１または２、ｍは５以上ｎは１以上の
整数である。またＣ＊は不斉炭素原子を表す。〕 で表される新規なフェニルエステル系反強誘電性液晶物
質である。
を表す。Ｋ、Ｌは１または２、ｍは５以上ｎは１以上の
整数である。またＣ＊は不斉炭素原子を表す。〕 で表される新規なフェニルエステル系反強誘電性液晶物
質である。
本発明の液晶物質の製造法の一例を反応式で示すと次の
通りである。
通りである。
（１） Ｘ＝Ｏの場合
）１０−（Ｃ６Ｈ４）Ｋ−ＣＯＯＨ＋ ＲＢｒ −
−−一−−→ＲＯ−（Ｃ６Ｈ４）に−ＣＯＯＨ＜１＞Ｃ
ＨｆｆＣＯＯ−（Ｃ６）１．）Ｌ−ＣＯＯＨ−−−−−
−〜−→ＣＩ（：ＩＣ０Ｏ−（Ｃ６Ｈ４）Ｌ−ＣＯＣＩ
Ｃ）ＩａＣＯＯ−（Ｃ６Ｈ４）ｔ−Ｃｏｏ−Ｃ＊ｌ（（
ＣＦ３） （ＣＨ２） １ＩＯＣ，１ｌｚ−＋ＨＯ〜（
Ｃ６Ｈ，） Ｌ−ＣＯＯ−Ｃ＊Ｈ（ＣＦ３） （Ｃｔｌ
ｚ） 、、ｏｃＩ、＋＋□ｎ＋１〈２〉 ＲＯ−（ＣＩ４）ｘ−ＣＯＯ）Ｉ −一−−−−
−−−−−−−−−→（２） Ｘ＝−（単結合）の場
合 Ｒ”−ＣｂＨ１＋ ＣＨ３ＣＯＣ１−→Ｒ” −Ｃ６ｔ
（４−ＣＵＣＨ３Ｒ”−Ｃ６Ｈ４−ＣＯＯＩ（＋ ５Ｏ
Ｃ１２→ Ｒ”’−Ｃ６１（４−ＣＯＣＩ〈３〉 （ロ） ＜２＞ ＋ ＜３＞ −→本発明の液晶物質上記
の反応式に於てＲ，Ｒ’またはＲ”は直鎖脂肪族アルキ
ル基を示すが、アルキル基の炭素数は液晶の相転移温度
、融点などに影響を及ぼす。
−−一−−→ＲＯ−（Ｃ６Ｈ４）に−ＣＯＯＨ＜１＞Ｃ
ＨｆｆＣＯＯ−（Ｃ６）１．）Ｌ−ＣＯＯＨ−−−−−
−〜−→ＣＩ（：ＩＣ０Ｏ−（Ｃ６Ｈ４）Ｌ−ＣＯＣＩ
Ｃ）ＩａＣＯＯ−（Ｃ６Ｈ４）ｔ−Ｃｏｏ−Ｃ＊ｌ（（
ＣＦ３） （ＣＨ２） １ＩＯＣ，１ｌｚ−＋ＨＯ〜（
Ｃ６Ｈ，） Ｌ−ＣＯＯ−Ｃ＊Ｈ（ＣＦ３） （Ｃｔｌ
ｚ） 、、ｏｃＩ、＋＋□ｎ＋１〈２〉 ＲＯ−（ＣＩ４）ｘ−ＣＯＯ）Ｉ −一−−−−
−−−−−−−−−→（２） Ｘ＝−（単結合）の場
合 Ｒ”−ＣｂＨ１＋ ＣＨ３ＣＯＣ１−→Ｒ” −Ｃ６ｔ
（４−ＣＵＣＨ３Ｒ”−Ｃ６Ｈ４−ＣＯＯＩ（＋ ５Ｏ
Ｃ１２→ Ｒ”’−Ｃ６１（４−ＣＯＣＩ〈３〉 （ロ） ＜２＞ ＋ ＜３＞ −→本発明の液晶物質上記
の反応式に於てＲ，Ｒ’またはＲ”は直鎖脂肪族アルキ
ル基を示すが、アルキル基の炭素数は液晶の相転移温度
、融点などに影響を及ぼす。
炭素数が余りにも少ないと液晶相すら示さず、また炭素
数が多すぎるとスイッチングデバイスとして有用なカイ
ラルスメクチックＣ相或は反強誘電相の温度範囲が室温
よりはるかに高い温度となったり、或は融点が高くなっ
たり実用上好ましくない性質が発現する。この様なこと
から望ましいＲまたはＲ”に於ける炭素数は６〜１４、
より好ましくは８〜１２である。
数が多すぎるとスイッチングデバイスとして有用なカイ
ラルスメクチックＣ相或は反強誘電相の温度範囲が室温
よりはるかに高い温度となったり、或は融点が高くなっ
たり実用上好ましくない性質が発現する。この様なこと
から望ましいＲまたはＲ”に於ける炭素数は６〜１４、
より好ましくは８〜１２である。
また反強誘電相の発現は、−数式（１）に於てｍが５以
上である必要がある。また−数式（１）のＣＩＩＨ２Ｆ
＋４１の０は得られる液晶の性質にあまり影響を与えな
いが、安定した液晶相を得るには２以上であることが好
ましい。
上である必要がある。また−数式（１）のＣＩＩＨ２Ｆ
＋４１の０は得られる液晶の性質にあまり影響を与えな
いが、安定した液晶相を得るには２以上であることが好
ましい。
本発明では光学′活性源としてＣＦ：ＩＣ）Ｈ（ＯＨ）
（ＣＬ）ｍＱＣ，Ｈ２□１の一般式で示されるアルコ
ールが用いられているがこれは次のようなルートに依っ
て容易に製造される。
（ＣＬ）ｍＱＣ，Ｈ２□１の一般式で示されるアルコ
ールが用いられているがこれは次のようなルートに依っ
て容易に製造される。
ＣｈＣ＊）ＩＣＨｚＣＨｚＯＴｓ ＜４＞ａ
ＨＯ−（ＣＨｚ） 、Ｏ）ｌ −→Ｎａ０− （Ｃ
Ｈｚ）ｌＩ−ＯＨ−→ｇ Ｃ，１Ｈｚｒ＋、＋０−（ＣＩ（ｚ）＋５−ＢｒＣｎＨ
ｚｎ−＋０−（ＣＨｚ）ｓ−ＭｇＢｒ ＜５＞［発明
の効果１ 本発明は、新規なフェニルエステル系反強誘電性液晶物
質を提供する事ができるものである。そして、本発明に
より提供された新規な反強誘電性液晶物質は、その特徴
である高速応答性或は三安定状態間のスイッチング、明
値なしきい値特性、良好なメモリー性を利用した液晶表
示素子に用いる事ができる。
Ｈｚ）ｌＩ−ＯＨ−→ｇ Ｃ，１Ｈｚｒ＋、＋０−（ＣＩ（ｚ）＋５−ＢｒＣｎＨ
ｚｎ−＋０−（ＣＨｚ）ｓ−ＭｇＢｒ ＜５＞［発明
の効果１ 本発明は、新規なフェニルエステル系反強誘電性液晶物
質を提供する事ができるものである。そして、本発明に
より提供された新規な反強誘電性液晶物質は、その特徴
である高速応答性或は三安定状態間のスイッチング、明
値なしきい値特性、良好なメモリー性を利用した液晶表
示素子に用いる事ができる。
し実施例］
次に実施例を掲げて本発明を更に具体的に説明するが、
本発明はもちろんこれに限定されるものではない。
本発明はもちろんこれに限定されるものではない。
実施例１ ４−（１−）リフルオロメチル−６−ニトキ
シヘキシロキシカルポニルフエ ニル）４°−オクチロキシビフェニル −４−カルボキシレート （−数式（１）においてＲ＝Ｃｓ）Ｉ＋ｔ、Ｘ＝Ｏ１Ｋ
＝２．Ｌ＝１．ｍ＝５．ｎ＝２の場合〕１）４−（４’
−ｎ−オクチロキシ）ビフェニルカルボン酸（１）の製
造 ｎ−ＣＪ＋Ｊ−ＣＪ＜−ＣＪ４−ＣＯＯＨ（１）４−
（４’−ハイドロキシ）ビフェニルカルボン酸１０．５
ｇ、ｎ−オクチルブロマイド１４゜０ｇ、水酸化カリウ
ム６．４５ｇを、エタノール１５００ｍ ｌ、水２００
ｍ１の混合液に加え、還流下で１０時間反応させた。更
に水５００ｍ１を加え３時間撹拌した。反応終了後、濃
塩酸を加えて酸性としてから、溶媒を５００ｍ１留去し
て室温まで冷却し、白色固体を得た。これを十分水洗し
てから、クロロホルムより再結晶し、目的物（１）を白
色結晶として１２．０ｇ得た。
シヘキシロキシカルポニルフエ ニル）４°−オクチロキシビフェニル −４−カルボキシレート （−数式（１）においてＲ＝Ｃｓ）Ｉ＋ｔ、Ｘ＝Ｏ１Ｋ
＝２．Ｌ＝１．ｍ＝５．ｎ＝２の場合〕１）４−（４’
−ｎ−オクチロキシ）ビフェニルカルボン酸（１）の製
造 ｎ−ＣＪ＋Ｊ−ＣＪ＜−ＣＪ４−ＣＯＯＨ（１）４−
（４’−ハイドロキシ）ビフェニルカルボン酸１０．５
ｇ、ｎ−オクチルブロマイド１４゜０ｇ、水酸化カリウ
ム６．４５ｇを、エタノール１５００ｍ ｌ、水２００
ｍ１の混合液に加え、還流下で１０時間反応させた。更
に水５００ｍ１を加え３時間撹拌した。反応終了後、濃
塩酸を加えて酸性としてから、溶媒を５００ｍ１留去し
て室温まで冷却し、白色固体を得た。これを十分水洗し
てから、クロロホルムより再結晶し、目的物（１）を白
色結晶として１２．０ｇ得た。
２）４−アセトキシ−１−（ｌ−トリフルオロメチル−
６−エトキシへキシロキシカルボニル）ベンゼン（２）
の製造 ＣＨ３ＣＯＯ−Ｃ６１（４−ＣＯＯ−ＣＩＨ（ＣＦｉ）
（Ｃ）１２）ＳＯＣ２Ｈ５（２）４−アセトキシ安息
香酸３．５ｇを塩化チオニル２５ｍ１に加え、還流下で
１０時間反応させた。次に、過剰の塩化チオニルを留去
してから、ピリジン１０ｍ１、トルエン５０ｍ１を加え
て、そこへ光学活性１，１．Ｉ−）リフルオロ−７−エ
トキシ２−へブタノール２．０ｇを滴下した。滴下後４
時間加熱還流してから放冷し、ジクロロメタン５００ｍ
１で希釈して、有機層を希塩酸、ＩＮ水酸化ナトリウム
水溶液、水の順で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した
。更に、溶媒を留去して粗製の目的物（２）１．９ｇを
得た。
６−エトキシへキシロキシカルボニル）ベンゼン（２）
の製造 ＣＨ３ＣＯＯ−Ｃ６１（４−ＣＯＯ−ＣＩＨ（ＣＦｉ）
（Ｃ）１２）ＳＯＣ２Ｈ５（２）４−アセトキシ安息
香酸３．５ｇを塩化チオニル２５ｍ１に加え、還流下で
１０時間反応させた。次に、過剰の塩化チオニルを留去
してから、ピリジン１０ｍ１、トルエン５０ｍ１を加え
て、そこへ光学活性１，１．Ｉ−）リフルオロ−７−エ
トキシ２−へブタノール２．０ｇを滴下した。滴下後４
時間加熱還流してから放冷し、ジクロロメタン５００ｍ
１で希釈して、有機層を希塩酸、ＩＮ水酸化ナトリウム
水溶液、水の順で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した
。更に、溶媒を留去して粗製の目的物（２）１．９ｇを
得た。
３）４−ハイドロキシ−１−（１−トリフルオロメチル
−６−エトキシへキシロキシカルボニル）ベンゼン（３
）の製造 ＨＯ−Ｃ６Ｈ４−Ｃｏｏ−ＣＩ）ｌ（ＣＦ３） （ＣＨ
２） ５ＯｃｚＨｓ （３）上記化合物（２）の粗製
物１．９ｇを、エタノール５０ｍ１に？容解させて、ヘ
ンシルアミン４ｇを滴下した。更に室温下で４時間撹拌
したのち、クロロホルム５００ｍ１で希釈して、希塩酸
、水の順で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒
を留去してから、シリカゲルカラムクロマトグラフィー
で単離精製し、目的物（３）１．２ｇを得た。
−６−エトキシへキシロキシカルボニル）ベンゼン（３
）の製造 ＨＯ−Ｃ６Ｈ４−Ｃｏｏ−ＣＩ）ｌ（ＣＦ３） （ＣＨ
２） ５ＯｃｚＨｓ （３）上記化合物（２）の粗製
物１．９ｇを、エタノール５０ｍ１に？容解させて、ヘ
ンシルアミン４ｇを滴下した。更に室温下で４時間撹拌
したのち、クロロホルム５００ｍ１で希釈して、希塩酸
、水の順で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒
を留去してから、シリカゲルカラムクロマトグラフィー
で単離精製し、目的物（３）１．２ｇを得た。
４）４− （１−）リフルオロメチル−６−ニトキシヘ
キシロキシカルボニルフエニル）−４′−ｎ−オクチロ
キシビフェニル−４−カルボキシレート（４）の製造 上記化合物（１）１．０ｇに、塩化チオニル１０ｍ１を
加え、１０時間加熱還流した。過剰の塩化チオニルを留
去した後、ピリジン１０ｍ１、トルエン６０ｍ１を加え
てから、上記化合物（３）０．５ｇのトルエン溶液２０
ｍ１を滴下し、室温で１０時間反応させた。反応終了後
、クロロホルム５００ｍ ］で希釈し、希塩酸、ＩＮ炭
酸ナトリウム水溶液、水の順で洗浄して、有機層を硫酸
マグネシウムで乾燥した。次に、溶媒を留去してから、
シリカゲルカラムクコマドグラフで単離した。 次いで
エタノールで再結晶して目的物（４）０．８ｇを得た。
キシロキシカルボニルフエニル）−４′−ｎ−オクチロ
キシビフェニル−４−カルボキシレート（４）の製造 上記化合物（１）１．０ｇに、塩化チオニル１０ｍ１を
加え、１０時間加熱還流した。過剰の塩化チオニルを留
去した後、ピリジン１０ｍ１、トルエン６０ｍ１を加え
てから、上記化合物（３）０．５ｇのトルエン溶液２０
ｍ１を滴下し、室温で１０時間反応させた。反応終了後
、クロロホルム５００ｍ ］で希釈し、希塩酸、ＩＮ炭
酸ナトリウム水溶液、水の順で洗浄して、有機層を硫酸
マグネシウムで乾燥した。次に、溶媒を留去してから、
シリカゲルカラムクコマドグラフで単離した。 次いで
エタノールで再結晶して目的物（４）０．８ｇを得た。
目的物（４）のＮＭＲスペクトルを第１図に示す。相の
同定は、テクスチャー観察、及びＤＳＣ（示差走査熱量
計）の測定により行った。
同定は、テクスチャー観察、及びＤＳＣ（示差走査熱量
計）の測定により行った。
本発明の化合物（４）の相系列は、次の通りであった。
本化合物では反強誘電相が認められ、カイラルスメクチ
ック相（ＳＣ＊）は認められなかった。
ック相（ＳＣ＊）は認められなかった。
４３°Ｃ９３°Ｃ１００°Ｃ
結晶←ＳＣＡ＊←ＳＡ←−一等方相
ここでＳＡ及びＳＣＡ＊はそれぞれスメクチックＡ相及
び反強誘電相を表す。
び反強誘電相を表す。
５）ラビング処理したポリイミド薄膜を有する、ＩＴＯ
電極電極液晶セル（セル厚３μｍ）に、上記化合物（４
）を等吉相の状態で充填した。このセルを、毎分１．０
°Ｃで徐冷して、ＳＡ相で液晶を配向させた。セルを直
交する偏向板間に液晶の層方向がアナライザーまたはポ
ラライザーと平行になるように設置し、セルに±４０Ｖ
、０．２Ｈ２の三角波電圧を印加して、透過光量の変化
をフォトマルチプライヤ−により測定した。その結果、
９０°Ｃから４３°Ｃの温度領域で、反強誘電相に特有
なダブルヒステリシスの応答履歴が認められた。
電極電極液晶セル（セル厚３μｍ）に、上記化合物（４
）を等吉相の状態で充填した。このセルを、毎分１．０
°Ｃで徐冷して、ＳＡ相で液晶を配向させた。セルを直
交する偏向板間に液晶の層方向がアナライザーまたはポ
ラライザーと平行になるように設置し、セルに±４０Ｖ
、０．２Ｈ２の三角波電圧を印加して、透過光量の変化
をフォトマルチプライヤ−により測定した。その結果、
９０°Ｃから４３°Ｃの温度領域で、反強誘電相に特有
なダブルヒステリシスの応答履歴が認められた。
８０°Ｃでの光学応答履歴を第２図に示す。
実施例２〜３
実施例１と全く同様にしてｎ−ＣｍＨｚｍ＋＋０−Ｃ６
Ｈ４−Ｃ６Ｈ，−ＣＯＯ−Ｃ６Ｈ，−ＣＯＯ−Ｃ＊Ｈ（
ＣＦ３） （Ｃ）１２） ５ＯｃｚＨｓにおいてｍが９
．１２である化合物を製造し相の同定をテクスチャー観
察及びＤＳＣの測定により行ったこれらの化合物の相系
列は表１に示した通りであり、いずれも反強誘電相を有
していた。
Ｈ４−Ｃ６Ｈ，−ＣＯＯ−Ｃ６Ｈ，−ＣＯＯ−Ｃ＊Ｈ（
ＣＦ３） （Ｃ）１２） ５ＯｃｚＨｓにおいてｍが９
．１２である化合物を製造し相の同定をテクスチャー観
察及びＤＳＣの測定により行ったこれらの化合物の相系
列は表１に示した通りであり、いずれも反強誘電相を有
していた。
また実施例１の５）と同様にこれらの化合物の光学応答
を調べたところ、いずれも反強誘電相に特有のダブルヒ
ステリシスを示した。
を調べたところ、いずれも反強誘電相に特有のダブルヒ
ステリシスを示した。
上表に於てＳＸは未同定の液晶相を示す。
実施例４ ４−（１−１−リフルオロメチル−６−ニト
キシヘキシロキシカルホニルフエ ニル）−４’ −ｎ−デシルヒフェニル＝４−カルボキ
シレートの製造 〔−数式（１）においてＲ，Ｃ，、Ｈ２，、Ｘ＝−（単
結合） 、に＝２．Ｌ＝１．ｍ＝’５．ｎ＝２の場合〕
４°−オクチロキシビフェニル−４−カルボン酸の代わ
りに４゛−デシルビフェニル−４−カルボン酸を用いた
以外は実施例１と同しようにして目的物を製造した。第
３図に目的物のＮＭＲスペクトルを示した。相の同定を
テクスチャー観察及びＤＳＣの測定により行ったところ
次のような相系列を示し１反強誘電相が認められ、また
同時に強誘電相であるカイラルスメクチンク相（ＳＣ＊
）も認められた。
キシヘキシロキシカルホニルフエ ニル）−４’ −ｎ−デシルヒフェニル＝４−カルボキ
シレートの製造 〔−数式（１）においてＲ，Ｃ，、Ｈ２，、Ｘ＝−（単
結合） 、に＝２．Ｌ＝１．ｍ＝’５．ｎ＝２の場合〕
４°−オクチロキシビフェニル−４−カルボン酸の代わ
りに４゛−デシルビフェニル−４−カルボン酸を用いた
以外は実施例１と同しようにして目的物を製造した。第
３図に目的物のＮＭＲスペクトルを示した。相の同定を
テクスチャー観察及びＤＳＣの測定により行ったところ
次のような相系列を示し１反強誘電相が認められ、また
同時に強誘電相であるカイラルスメクチンク相（ＳＣ＊
）も認められた。
〈−２０Ｃ５°Ｃ３４°Ｃ
結晶、 ＳＸ←−−−３ＣＡ＊←−３Ｃ＊４６”Ｃ
５０”Ｃ ３Ａ 等吉相 また実施例１の５）と同様にこの化合物の光学応答を調
べたところ、反強誘電相に特有のダブルヒステリシスを
示した。
５０”Ｃ ３Ａ 等吉相 また実施例１の５）と同様にこの化合物の光学応答を調
べたところ、反強誘電相に特有のダブルヒステリシスを
示した。
実施例５４−（１−）リフルオロメチル−６−ニドキシ
ーへキシロキシカルボニルビ フェニル）４゛−オクチルヘンシェー ドの製造 〔−数式（１）においてＲ＝ＣｅＦＩ＋ｔ、Ｘ−（単結
合） Ｋ＝１．Ｌ＝２．ｍ＝５．ｎ＝２の場合）１〕４
°−アセトキシ−４−（１−１−リフルオロメチル−６
−エトキシへキシロキシカルボニル）ビフェニル（１）
の製造 ＣＩ（３ｃ００−Ｃ６Ｈ４−Ｃ６ｔＬ−Ｃｏｏ−Ｃ＊１
ｌ（ＣＩ”＋） （ＣＨｚ） ５ＯｃＪｓ （１）４゛
−アセトキシ−４−ビフェニルカルボン酸２．５ｇに塩
化チオニル１０ｍ１を加え６時間加熱還流した９その後
過剰の塩化チオニルを完全に留去した。得られた酸塩化
物にトルエン５０ｍ１を加えて熔解し、更にピリジン５
ｍｌを加えた。
ーへキシロキシカルボニルビ フェニル）４゛−オクチルヘンシェー ドの製造 〔−数式（１）においてＲ＝ＣｅＦＩ＋ｔ、Ｘ−（単結
合） Ｋ＝１．Ｌ＝２．ｍ＝５．ｎ＝２の場合）１〕４
°−アセトキシ−４−（１−１−リフルオロメチル−６
−エトキシへキシロキシカルボニル）ビフェニル（１）
の製造 ＣＩ（３ｃ００−Ｃ６Ｈ４−Ｃ６ｔＬ−Ｃｏｏ−Ｃ＊１
ｌ（ＣＩ”＋） （ＣＨｚ） ５ＯｃＪｓ （１）４゛
−アセトキシ−４−ビフェニルカルボン酸２．５ｇに塩
化チオニル１０ｍ１を加え６時間加熱還流した９その後
過剰の塩化チオニルを完全に留去した。得られた酸塩化
物にトルエン５０ｍ１を加えて熔解し、更にピリジン５
ｍｌを加えた。
この溶液に１．１．１−トリフルオロ−７−ニトキシー
２−ヘプタツール１．４ｇを滴下した。１８時間加熱還
流した後、放冷しジクロロメタン１００ｍ１を加え、塩
酸、水酸化ナトリウム水溶液、水の順序で洗浄した。乾
燥後溶媒を除きシリカゲルカラムクロマトグラブ宅精製
し２．５ｇの目的物を得た。
２−ヘプタツール１．４ｇを滴下した。１８時間加熱還
流した後、放冷しジクロロメタン１００ｍ１を加え、塩
酸、水酸化ナトリウム水溶液、水の順序で洗浄した。乾
燥後溶媒を除きシリカゲルカラムクロマトグラブ宅精製
し２．５ｇの目的物を得た。
２）４゛−ヒドロキシ−４−（１−トリフルオロメチル
−６−エトキシへキシロキシカルボニル）ビフェニル（
２）の製造 ＨＯ−Ｃ６Ｈ４−ＣＪ４−ＣＯＯ−Ｃ＊Ｈ（ＣＦ：＋）
（ＣＨ２） ５ＯＣ２Ｈ５（２）さきに製造した化合
物（１）にエタノール１５ｍ１、ベンジルアミン１．２
ｇを加え室温下１昼夜撹拌した。ジクロロメタン５０ｍ
１を加え塩酸、水で洗浄した。乾燥後溶媒を除き、シリ
カゲルカラムクロマトグラフ゛を精製し、２．１ｇの目
的物を得た。
−６−エトキシへキシロキシカルボニル）ビフェニル（
２）の製造 ＨＯ−Ｃ６Ｈ４−ＣＪ４−ＣＯＯ−Ｃ＊Ｈ（ＣＦ：＋）
（ＣＨ２） ５ＯＣ２Ｈ５（２）さきに製造した化合
物（１）にエタノール１５ｍ１、ベンジルアミン１．２
ｇを加え室温下１昼夜撹拌した。ジクロロメタン５０ｍ
１を加え塩酸、水で洗浄した。乾燥後溶媒を除き、シリ
カゲルカラムクロマトグラフ゛を精製し、２．１ｇの目
的物を得た。
３）４−（ｌｌ−リフルオロメチル−６−ニトキシーヘ
キシロキシカルポニルビフエニル）４′−オクチルベン
ゾエート（３）の製造 ｐ−オクチル安息香酸１ｇを塩化チオニル１０ｍ１を用
いて１）と同じ方法で塩素化した。得られた酸クロライ
ドにトルエン２０ｍ１、ピリジン４ｍｌを加え化合物（
２）の１ｇを加えた。約２０時間加熱還流後、放冷しジ
クロロメタン５０ｍ１を加えた。塩酸、水酸化ナトリウ
ム水溶液、水の順序で洗浄し乾燥後溶媒を除いてシリカ
ゲルカラムクロマトグラブ宅精製し目的物０．５ｇを得
た。
キシロキシカルポニルビフエニル）４′−オクチルベン
ゾエート（３）の製造 ｐ−オクチル安息香酸１ｇを塩化チオニル１０ｍ１を用
いて１）と同じ方法で塩素化した。得られた酸クロライ
ドにトルエン２０ｍ１、ピリジン４ｍｌを加え化合物（
２）の１ｇを加えた。約２０時間加熱還流後、放冷しジ
クロロメタン５０ｍ１を加えた。塩酸、水酸化ナトリウ
ム水溶液、水の順序で洗浄し乾燥後溶媒を除いてシリカ
ゲルカラムクロマトグラブ宅精製し目的物０．５ｇを得
た。
目的物のＮＭＲスペクトルを、第４図に示す。相の同定
は、テクスチャー観察、及びＤＳＣの測定により行った
。
は、テクスチャー観察、及びＤＳＣの測定により行った
。
本発明の化合物（３）の相系列は、次の通りであ？−１
７°Ｃ８°Ｃ３４°Ｃ 結晶←ＳＸ＋−３ＣＡ＊←ＳＡ←等方相４）実施例１の
５）と同様にこの化合物の光学応答を調べたところ、反
強誘電相に特有のダブルヒステリシスを示した。
７°Ｃ８°Ｃ３４°Ｃ 結晶←ＳＸ＋−３ＣＡ＊←ＳＡ←等方相４）実施例１の
５）と同様にこの化合物の光学応答を調べたところ、反
強誘電相に特有のダブルヒステリシスを示した。
実施例６４−（１−）リフルオロメチル−６−ニドキシ
ーへキシロキシカルボニルビ フェニル）４°−オクチルオキシヘン シェードの製造 〔−数式（１）においてＲ＝Ｃ，Ｈ，？、Ｘ＝０ 。
ーへキシロキシカルボニルビ フェニル）４°−オクチルオキシヘン シェードの製造 〔−数式（１）においてＲ＝Ｃ，Ｈ，？、Ｘ＝０ 。
Ｋ＝１． Ｌ＝２． ｍ＝５． ｎ＝２の場合〕実施例
５におけるＰ−オクチル安息香酸をｐ−オクチルオキシ
安息香酸にした以外は実施例５と同様にして目的物を製
造した。目的物のＮＭＲスペクトルを第５図に示した。
５におけるＰ−オクチル安息香酸をｐ−オクチルオキシ
安息香酸にした以外は実施例５と同様にして目的物を製
造した。目的物のＮＭＲスペクトルを第５図に示した。
相の同定をテクスチャー観察及びＤＳＣの測定により行
ったところ次のような相系列を示し反強誘電相が認めら
れた。
ったところ次のような相系列を示し反強誘電相が認めら
れた。
５０°Ｃ６２°Ｃ，９０″Ｃ
結晶←−−３ＣＡ＊←ＳＡ←等方相
また実施例１の５）と同様にこの化合物の光学応答を調
べたところ、反強誘電相に特有のダブルヒステリシスを
示した。
べたところ、反強誘電相に特有のダブルヒステリシスを
示した。
実施例７４−（１４リフルオロメチル−６−ニドキシー
へキシロキシカルボニルビ フェニル）４′−オクチルオキシビフ ェニル−４−カルボキシレートの製造 〔−数式（１）においてＲ＝ＣＩＩＨ＋ｔ、Ｘ＝０ 。
へキシロキシカルボニルビ フェニル）４′−オクチルオキシビフ ェニル−４−カルボキシレートの製造 〔−数式（１）においてＲ＝ＣＩＩＨ＋ｔ、Ｘ＝０ 。
Ｋ＝２． Ｌ＝２． ｍ＝５． ｎ＝２の場合］実施例
１で製造した４°−オクチロキシビフェニル−４−カル
ボン酸と実施例５で製造した４゛−ヒドロキシ−４−（
１−トリフルオロメチル−６−エトキシへキシロキシカ
ルボニル）ビフェニルを用い実施例１と同様の方法で目
的物を製造した。目的物のＮＭＲスペクトルを第６図に
示した。相の同定をテクスチャー観察及びＤＳＣの測定
により行ったところ次のような相系列を示し反強誘電相
が認められた。
１で製造した４°−オクチロキシビフェニル−４−カル
ボン酸と実施例５で製造した４゛−ヒドロキシ−４−（
１−トリフルオロメチル−６−エトキシへキシロキシカ
ルボニル）ビフェニルを用い実施例１と同様の方法で目
的物を製造した。目的物のＮＭＲスペクトルを第６図に
示した。相の同定をテクスチャー観察及びＤＳＣの測定
により行ったところ次のような相系列を示し反強誘電相
が認められた。
７９３°Ｃ１４０°Ｃ
結晶←−８Ｘ←−３ＣＡ＊←−８Ｃ＊←１５９°Ｃ２０
９℃ ←−−３Ａ←−−等吉相
９℃ ←−−３Ａ←−−等吉相
第１図は実施例Ｉの液晶物質（４）のＮＭＲスペクトル
を示す図である。第２図は実施例１の液晶物質（４）の
光学応答履歴を示す図である。第３図、第４図、第５図
、第６図はそれぞれ実施例４．５．６．７の各液晶物質
のＮＭＲスペクトルを示す図である。 特許出願人 三菱瓦斯化学株式会社 代理人 弁理士 小 堀 貞 文 箱２図 −４０−２０＋２０ −Ｌ−４０ 印カＯ電圧（Ｖ）
を示す図である。第２図は実施例１の液晶物質（４）の
光学応答履歴を示す図である。第３図、第４図、第５図
、第６図はそれぞれ実施例４．５．６．７の各液晶物質
のＮＭＲスペクトルを示す図である。 特許出願人 三菱瓦斯化学株式会社 代理人 弁理士 小 堀 貞 文 箱２図 −４０−２０＋２０ −Ｌ−４０ 印カＯ電圧（Ｖ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 次の一般式（１）、 ▲数式、化学式、表等があります▼（１） 〔式中Ｒは直鎖脂肪族アルキル基、Ｘは単結合またはＯ
を表す。Ｋ、Ｌは１または２、ｍは５以上ｎは１辺上の
整数である。またＣ＊は不斉炭素原子を表す。〕 で表される新規なフェニルエステル系反強誘電性液晶物
質。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2322462A JP2900599B2 (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 液晶物質 |
| EP91118761A EP0484849B1 (en) | 1990-11-05 | 1991-11-04 | Optically active alcohol, process for producing same and liquid crystal compound using same |
| DE69103730T DE69103730T2 (de) | 1990-11-05 | 1991-11-04 | Optisch-aktiver Alkohol, Verfahren zu ihrer Herstellung und davon abgeleitete flüssigkristalline Verbindung. |
| US07/788,164 US5264150A (en) | 1990-11-05 | 1991-11-05 | Optically active alcohol, process for producing same and liquid crystal compound using same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2322462A JP2900599B2 (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 液晶物質 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04198155A true JPH04198155A (ja) | 1992-07-17 |
| JP2900599B2 JP2900599B2 (ja) | 1999-06-02 |
Family
ID=18143924
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2322462A Expired - Fee Related JP2900599B2 (ja) | 1990-11-05 | 1990-11-28 | 液晶物質 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2900599B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6217954B1 (en) | 1998-10-12 | 2001-04-17 | Mitsubishi Gas Chemical Co Inc | Phenyl triester compound and anti-ferroelectric liquid crystal composition containing the same |
-
1990
- 1990-11-28 JP JP2322462A patent/JP2900599B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6217954B1 (en) | 1998-10-12 | 2001-04-17 | Mitsubishi Gas Chemical Co Inc | Phenyl triester compound and anti-ferroelectric liquid crystal composition containing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2900599B2 (ja) | 1999-06-02 |
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|---|---|---|---|
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