JPH04198274A - 半導体封止用成形樹脂 - Google Patents
半導体封止用成形樹脂Info
- Publication number
- JPH04198274A JPH04198274A JP32693790A JP32693790A JPH04198274A JP H04198274 A JPH04198274 A JP H04198274A JP 32693790 A JP32693790 A JP 32693790A JP 32693790 A JP32693790 A JP 32693790A JP H04198274 A JPH04198274 A JP H04198274A
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- JP
- Japan
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- resin
- molding
- filler
- silica
- heat
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- Pending
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はトランスファ成型等の半導体封止成型に用い
られる半導体封止用成形樹脂に関するものである。
られる半導体封止用成形樹脂に関するものである。
従来、トランスファ成型等の半導体封止成型に用いられ
る半導体封止用成形樹脂は、クレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂をベースレジン、フェノール系硬化剤等で構
成され、さらにフィラー（充てん材）として２酸化ケイ
素粉体（以下シリカと言う）を重量比で７０〜９０％充
てんしていた。
る半導体封止用成形樹脂は、クレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂をベースレジン、フェノール系硬化剤等で構
成され、さらにフィラー（充てん材）として２酸化ケイ
素粉体（以下シリカと言う）を重量比で７０〜９０％充
てんしていた。
近年、半導体装置の薄型化に伴ない、成形樹脂を低粘度
化高流動化する為、破砕シリカの一部又は全部を球状体
のシリカに置き替えている。
化高流動化する為、破砕シリカの一部又は全部を球状体
のシリカに置き替えている。
薄型半導体に対応する為に成型樹脂の高流動化、低粘度
化が図られるのは、高集積樹脂封止型半導体装置におい
て、成形時に成形樹脂がキャビティ内に流れ込む力によ
り、フレームやワイヤーなどの変形を防止するためであ
る。
化が図られるのは、高集積樹脂封止型半導体装置におい
て、成形時に成形樹脂がキャビティ内に流れ込む力によ
り、フレームやワイヤーなどの変形を防止するためであ
る。
従来の半導体封止用成形樹脂は以上のように構成されて
いたので、成形樹脂の低粘度の為にシリカの球状化か進
められるにつれ、樹脂との親和性、つまり密着力が低下
し、強度、特に、高温、高温下のストレスに対して極め
て不利な状況であり、半導体装置か薄型化される昨今で
は、パッケージ強度が低下することは多大な問題点とし
て取り上げられてきた。
いたので、成形樹脂の低粘度の為にシリカの球状化か進
められるにつれ、樹脂との親和性、つまり密着力が低下
し、強度、特に、高温、高温下のストレスに対して極め
て不利な状況であり、半導体装置か薄型化される昨今で
は、パッケージ強度が低下することは多大な問題点とし
て取り上げられてきた。
この発明は上記野ような問題点を解決する為になされた
もので、薄型半導体を製造するに当って、ワイヤーやフ
レームなどの変性を防止すると同時に、耐湿性、耐熱ス
トレス性等に優れた、信頼性の高い半導体装置を得る為
の半導体封止用成形樹脂を得ることを目的とする。
もので、薄型半導体を製造するに当って、ワイヤーやフ
レームなどの変性を防止すると同時に、耐湿性、耐熱ス
トレス性等に優れた、信頼性の高い半導体装置を得る為
の半導体封止用成形樹脂を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体封止用成形樹脂は、エポキシ系樹
脂に充てんされるシリカの３０％重量比未満の耐熱性樹
脂球状体を少なくとも１種以上含む様に構成し、この耐
熱性樹脂球状体はベンゾグアナミン、メラミン、架橋メ
タクリル酸メチル樹脂を用いるようにしたものである。
脂に充てんされるシリカの３０％重量比未満の耐熱性樹
脂球状体を少なくとも１種以上含む様に構成し、この耐
熱性樹脂球状体はベンゾグアナミン、メラミン、架橋メ
タクリル酸メチル樹脂を用いるようにしたものである。
この発明における半導体封止用成形樹脂は、タレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂、フェノール系硬化剤等で構
成され、さらにフィラー充てん材としてシリカを重量比
で７０〜９０％、シリカの重量に対して３０％未満の耐
熱性樹脂球状体を含んでいる。耐熱性樹脂球状体は、フ
ィラーのみかけ上のＳＰ値（溶解性パラメーター）をエ
ボキン樹脂に近づけることにより、全体としてフィラー
とエポキン樹脂のぬれ性を上げ〜接着力を増す働きをす
る。（図１） 〔実施例〕 以下、この発明の実施例について説明する。図において
、（１）はシリカ、（２）は耐熱性樹脂球状体、（３）
はエポキン樹脂、（４）は半導体装置である。
ノボラック型エポキシ樹脂、フェノール系硬化剤等で構
成され、さらにフィラー充てん材としてシリカを重量比
で７０〜９０％、シリカの重量に対して３０％未満の耐
熱性樹脂球状体を含んでいる。耐熱性樹脂球状体は、フ
ィラーのみかけ上のＳＰ値（溶解性パラメーター）をエ
ボキン樹脂に近づけることにより、全体としてフィラー
とエポキン樹脂のぬれ性を上げ〜接着力を増す働きをす
る。（図１） 〔実施例〕 以下、この発明の実施例について説明する。図において
、（１）はシリカ、（２）は耐熱性樹脂球状体、（３）
はエポキン樹脂、（４）は半導体装置である。
ベースレジンとして、クレゾールノポラｙり型エポキシ
樹脂１Ｏ１０部、硬化剤としてフェノール樹脂５．０部
、リン系触媒０．１部、カルナバワックス０．１部、シ
ランカップリング剤０．１部、カーボンブラック０．２
部を混合したものを樹脂成分として、実施例１〜３を下
記の配合でフィラー成分の合計か樹脂成分１部に対して
、４部となる様に混合し半導体装置としては８０ビンＱ
ＦＰパツケージを用いてテストした。
樹脂１Ｏ１０部、硬化剤としてフェノール樹脂５．０部
、リン系触媒０．１部、カルナバワックス０．１部、シ
ランカップリング剤０．１部、カーボンブラック０．２
部を混合したものを樹脂成分として、実施例１〜３を下
記の配合でフィラー成分の合計か樹脂成分１部に対して
、４部となる様に混合し半導体装置としては８０ビンＱ
ＦＰパツケージを用いてテストした。
この発明における耐熱性樹脂球状体は、Ｔｇ１５０°Ｃ
以上、示差熱分析における分解開始温度３００°Ｃ以上
のものが望ましく、具体的にはベンゾグアナミン樹脂、
メラミン樹脂、架橋メタクリル酸メチル等である。Ｔｇ
を１５０°Ｃ以上、分解開始温度３００°Ｃ以上か望ま
しいのは、一般に半導体封止用樹脂に用いられるエポキ
シ系樹脂のＴｇ、分解１ｊＨ始温度より高いことが材料
物性上の下限として望ましいからである。添加量をシリ
カの３０％重量比未満にしたのは、３０％重量比以上に
なると、封止用樹脂の熱膨張係数が低下し、封止される
素子との間に応力を発生したり、半導体装置の強度が低
下するからである。
以上、示差熱分析における分解開始温度３００°Ｃ以上
のものが望ましく、具体的にはベンゾグアナミン樹脂、
メラミン樹脂、架橋メタクリル酸メチル等である。Ｔｇ
を１５０°Ｃ以上、分解開始温度３００°Ｃ以上か望ま
しいのは、一般に半導体封止用樹脂に用いられるエポキ
シ系樹脂のＴｇ、分解１ｊＨ始温度より高いことが材料
物性上の下限として望ましいからである。添加量をシリ
カの３０％重量比未満にしたのは、３０％重量比以上に
なると、封止用樹脂の熱膨張係数が低下し、封止される
素子との間に応力を発生したり、半導体装置の強度が低
下するからである。
耐熱性樹脂球状体の添加は、球状シリカの粒度分布の細
かい領域の代替として用いるとより効果を発揮する。
かい領域の代替として用いるとより効果を発揮する。
耐熱性樹脂球状体は元々有機物であるので、シリカに比
べ、溶解性パラメーター（ＳＰ値）が近く親和性が高く
、ベースレジンとの密着性に優れているばかりか、封止
樹脂系内に均一に分散させることが容易に可能である。
べ、溶解性パラメーター（ＳＰ値）が近く親和性が高く
、ベースレジンとの密着性に優れているばかりか、封止
樹脂系内に均一に分散させることが容易に可能である。
したがって、封止樹脂が溶融レキ士ビティ内に注入され
る時に発生する射出速度によるせん断力に対しても、分
散系が損なわれることなく、均一な流動特性を示す。
る時に発生する射出速度によるせん断力に対しても、分
散系が損なわれることなく、均一な流動特性を示す。
したがって、この様な半導体封止用樹脂を用いて成形さ
れた半導体装置も又、耐湿性や耐熱ストレス性に優れた
信頼性の高いものになる。
れた半導体装置も又、耐湿性や耐熱ストレス性に優れた
信頼性の高いものになる。
（発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、トランスファ成型等の
いわゆる半導体封止成型に用いられる封止用樹脂におい
て、エポキシ樹脂に充てんされるシリカの３０％重量比
未満のベンゾグアナミン樹脂、メラミン樹脂、架橋メタ
クリル酸メチル樹脂等、耐熱性樹脂球状体が少なくとも
１種以上添加された半導体封止用成形樹脂であるので、
これにより得られる半導体装置は耐湿性、耐熱ストレス
性等に優れた極めて信頼性の高い半導体封止用成形樹脂
が得られるという効果がある。
いわゆる半導体封止成型に用いられる封止用樹脂におい
て、エポキシ樹脂に充てんされるシリカの３０％重量比
未満のベンゾグアナミン樹脂、メラミン樹脂、架橋メタ
クリル酸メチル樹脂等、耐熱性樹脂球状体が少なくとも
１種以上添加された半導体封止用成形樹脂であるので、
これにより得られる半導体装置は耐湿性、耐熱ストレス
性等に優れた極めて信頼性の高い半導体封止用成形樹脂
が得られるという効果がある。
図はこの発明の一実施例を説明するための説明図である
。図中、（１１はシリカ、（２）は耐熱性樹脂球状体、
（３ンはエポキシ樹脂、（４）は半導体装置である。 代 理 人 大 岩 増 雄手続補正書
（自発） 靭 へ ８．５８
。図中、（１１はシリカ、（２）は耐熱性樹脂球状体、
（３ンはエポキシ樹脂、（４）は半導体装置である。 代 理 人 大 岩 増 雄手続補正書
（自発） 靭 へ ８．５８
Claims (1)
- トランスファ成型等の半導体封止成型に用いられる封止
用成型樹脂において、充てん材として使用されるシリカ
の３０％重量比未満の耐熱性樹脂球状体が少なくとも１
種以上添加されたことを特徴とする半導体封止用成形樹
脂。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32693790A JPH04198274A (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | 半導体封止用成形樹脂 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32693790A JPH04198274A (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | 半導体封止用成形樹脂 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04198274A true JPH04198274A (ja) | 1992-07-17 |
Family
ID=18193440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32693790A Pending JPH04198274A (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | 半導体封止用成形樹脂 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04198274A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1300446A4 (en) * | 2000-07-03 | 2009-04-29 | Cluster Technology Co Ltd | MOLD RESIN COMPOSITION AND INJECTION METHOD |
-
1990
- 1990-11-27 JP JP32693790A patent/JPH04198274A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1300446A4 (en) * | 2000-07-03 | 2009-04-29 | Cluster Technology Co Ltd | MOLD RESIN COMPOSITION AND INJECTION METHOD |
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