JPH04198480A - 機能性堆積膜製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は機能性堆積膜、殊に半導体デバイス、薄膜半
導体素子、画像人力用のラインセンサー、撮像デバイス
、電子写真感光体デバイス等の用途に有用な機能性堆積
膜、特に光起電力素子などの大面積薄膜半導体デバイス
の製造に好適な装置に関する。

従来の技術 従来機能性成膜、殊に半導体薄膜には所望の電気的、物
理的特性や用途に応じて、それに相応する成膜装置が採
用されてきた。これらの装置には、例えば、プラズマＣ
ＶＤ装置、反応性スパッタリング装置、イオンプレイテ
ィング装置、光ＣＶＤ装置、熱ＧＶＤＶＤ装置Ｏ（：Ｖ
Ｄ装置、ＭＢＥ装置等があり、これらのうちの数種の装
置が半導体デバイスを製造するための好適な装置として
採用され、製造、市販されている。しかしながら、最も
一般的に採用されているプラズマＧｖＤにおいても得ら
わる堆積膜の電気的、物理的特性、特に半導体デバイス
を製造するために必要な長時間安定性や高再現性のよう
な特性が満足されているとは云えず、この満足できない
原因の一つが堆積膜製造時にこの成膜空間に全真空装置
から脱着ガスが拡散してくる影響によると考えられてい
る。このような問題を解決する有効な方法としては、例
えばＣ，Ｃ，Ｔｓａｊ、　Ｊ、Ｃ，Ｋｎｊｇｈｔｓ、　
ｅｔ　ａｌ、　Ｊ、Ｎｏｎ−Ｃｒｙｓｔ。

Ｓｏｌ、５９／６０．７３］（１９８３）、　Ｃ，Ｃ，
Ｔｓａｉ、　Ｊ、Ｃ，Ｋｎｉｇｈｔｓ。

Ｍ、Ｊ、Ｔｈｏｍｐｓｏｎ、　　１ｂｉｄ　６６４５（
＋９８４）、　Ｓ、Ｔｓｕｄａ。

ｅｔ　ａｌ　Ｊ、　、１．　Ａｐｐｌ、　Ｐｈｙｓ、　
２６［１］、３３（１９８７）等の中にいわゆる超高真
空チェンバーを用いたプラズマＣＶＤ装置が記載されて
いる。その記載内容は成膜チェンバー内の真空度を約１
０””Ｔｏｒｒまでに到達させた後に成膜することによ
フて不純物の混入を抑止する堆積膜製造方法である。し
かしながらこのような高真空チェンバーを用いる装置、
たとえばプラズマＣＶＤ装置はその排気系、チェンバー
自体等に多くの費用を要し、更に量産性に乏しいため設
備費、運転費等の管理項目を増大させ、そのために半導
体デバイスの製造コストを上げるなど多くの解決を要す
る問題を持っていた。

米国特許４，６０８，９４３号においては複数のダロー
放電容器をもつ高周波ＣＶＤ装置において、膜厚さ方向
のプロファイリングが可能になったことが報告されてい
る。しかし、成膜空間と真空容器の減圧は全体として行
なわれており、別個には行なわれていない。

発明が解決しようとしている課題 本発明は−Ｖ記の従来の堆積膜製造装置における問題点
を解決した新規な堆積膜製造装置を提供することを目的
とするものである。すなわち本発明の主たる目的は設備
を大型化することなく、混入不純物の濃度を低減した高
品質の、しかも高伝導性であって、かつ可撓性の基体の
うえに大面積にわたって連続的に成膜することのできる
、しかも位置によって膜厚の変動の極めて少い堆積膜を
容易に収率良く、量産化できる堆積膜製造装置を提供す
ることにある。

課題を解決するための手段 本発明は従来の堆積膜製造装置における上記の諸問題を
解決するために、少なくとも一つの真空容器と該真空容
器内にあって原料ガスを分解するための成膜空間を有す
る機能性堆積膜製造装置において上記の真空容器と上記
の成膜空間とを一つの排気系統によって同時に、しかし
おのおの独立して制御可能な方法で排気速度を調整する
機能を有することによって真空容器内の脱着ガスを積極
的に排気し、成膜空間への脱着ガスの拡散を防ぎ、これ
によって堆積膜製造時に堆積膜中へのこれら脱着ガスに
よる不純物の混入を低減する装置である。

成膜製造時の成膜空間内の原料ガスの圧力を成膜空間外
の圧力よりもやや高く設定することによって成膜空間中
の脱着ガスを成膜空間外へ拡散させることも可能である
。また原料ガス導入口とは別個の気体導入口から気体を
成膜空間外へ導入することにより真空容器内の脱着ガス
を積極的に排気することも可能である。また前記真空容
器を複数連結して、基体に可撓性のある、あるいは可撓
性のない帯状材料を用いて機能性堆積膜を複数積層する
装置においても上記真空容器を相互に連結するガスゲー
ト部分を設置して、その隣接する真空容器をガスゲート
によって分離することによって各真空容器を分離し、不
純物ガスの成膜空間への影響を抑止することも可能であ
る。これらのことによって成膜空間での放電の安定性や
再現性などを向上させることが可能となった。

また前記原料ガスを分解しうる成膜空間内の圧力や流速
を真空容器内の圧力とは別に制御、調整することが本発
明による製造装置において可能であり、−上記ガスゲー
トを用いる場合にもゲートガスの流量、圧力を任意に選
択することが可能となった。

前記真空容器に対する成膜空間の容積比はｊ％以−）１
１０％以下であることが好ましい。この範囲内より小さ
い場合には量産性が極端に低下するか、装置自体が大型
化し、装置コストが極端に高くなる。逆にこの範囲より
大きい場合には上記成膜空間内からの脱着ガスの堆積膜
への影響が太きくなるか、真空容器と成膜空間の体積が
相対的に１に近付いて、結果的に真空容器の壁面が成膜
空間に接近することになり、成膜空間が真空容器の脱着
ガスの影響を強く受けることになるという問題が生じて
くる。また原料ガスを上記成膜空間内へ導入する前にあ
らかじめ加熱することにより成膜空間内でのポリシラン
等の粒状物質の発生を抑制し、機能性堆積膜の膜質特性
の再現性を向上させ、更に半導体デバイス等の製造収率
を向上させる。また原料ガスを成膜空間内に導入する前
に高温の水素又はアルゴンのようなガスを導入すること
によって真空容器全体のクリーニングが促進され、堆積
膜製造時に膜中に混入する不純物を更に低減することが
可能になった。

以下図を用いて本発明を説明する。

第１図は本発明の機能性堆積膜製造装置の装置例１の模
式的概略図であって、本発明はこの装置図に限定される
ものではない。

１００　全体の概略図 １０１　真空容器 １０２　基体加熱用ランプヒーター １０３　基体 １０４　原料ガスを成膜する成膜空間であり、図中の矢
印はその原料ガスの流路を模式％式％ １０５　放電電極であり、複数個に分割されていてもよ
い。

１０６　原料加熱用ヒーターであり、このヒーターによ
って原料ガスを予め加熱し、 ポリシランの発生を抑制し、同時に放電電極１０５を予
め加熱し、電極等に吸着されている大気成分、水分等を
予め除去する。

１０７　ガス供給口であって、原料ガスの導入口であり
、同時に基体加熱用ガスおよび真空容器クリーニング用
ガスの導入口である。

１０８　真空容器１０１の圧力と成膜空間１０４内の圧
力に差圧を発生させることができるスリット状コンダク
タンス調整機構てあり、開口径の異る仕切り板により適
宜圧力差を選択できる機構になっている。

１０９　同上 １１０　真空計 １１１　排気口であって、真空ポンプは本図面上では示
されていない。

（注　以下に図面上に示されていない部分は＊印で示す
。） １１２　高周波電源であって、目的とする成膜条件によ
り適宜出力電力を選択することが可能である。

１１３　連結部であって、ガスゲート等を連結しつる構
造になっており、同時にそのガスゲートにはゲートガス
等のガスを導入できる構造になっている。

第２図は本発明の一部である機能性堆積膜製造装置の装
置例２の模式的概略図であって、本発明はこの装置例に
限定されるものではない。その特徴は一つの真空容器内
に二つの成膜空間を有し、それぞれの成膜空間の真空度
等を独立に制御できる構造になっているため、堆積膜製
造時にある特定の単体（バンドギャップ調整物質、価電
子制御物質等）に濃度勾配を持たせることが可能である
。しかも連続して移動する可撓性の帯状部材の上での堆
積膜においても、本発明の特徴の−・っである個々の成
膜空間内および外での圧力差を発生させつるスリット状
のコンダクタンス調整機構により、ガスゲート等から真
空容器内に流れ込むゲートガスの影響を受けることなく
成膜可能であるから、堆積膜の厚さ方向による特定の単
体（バンドギャップ調整物質、価電子制御物質等）に濃
度勾配を持たせることが可能である。以下順をおって図
面の簡単な説明する。

２００　全体の概略図 ２０１　真空容器 ２０２　基体加熱用ランプヒーター ２０３　基体 ２０４　それぞれ独立に制御されて導入された原料ガス
を分解しうる成膜空間であり、図中の矢印はそれぞれの
原料ガスの流路を模式的に示した ２０４′同上 ２０５　放電電極であって、それぞれ独立に高周波電力
を放電し、それぞれは複数個に分割されていてもよい。

２０５′同上 ２０６　本発明の特徴の一つである原料ガス加熱用ヒー
ターであって、これによって原料ガスを予め加熱し、ポ
リシランの発生を抑制すると同時に、放電電極２０５． ２０５′を予め加熱し、電極上に吸着されている大気成
分、水分等を除去することが可能である。

２０６゛同上 ２０７　ガス供給口であって、原料ガスの導入口である
と同時に基体加熱用ガスおよび真空容器クリーニング用
ガスの導入口である。

２０７°同上 ２０８　本発明の特徴の−である真空容器２０１内の圧
力と成膜空間２０４．２０４゛ 内の圧力とに差圧を発生させる、あるいは成膜空間２０
４．２０４°相互の間に、　差圧を発生させるスリット
状のコンダクタンス調整機構であり、開口径の異る 仕切り板により適宜圧力差を選択できる機構になってい
る。

２０８゛同上 ２０９　　同」二 ２０９′同上 ２１０　真空計 ２１０°同上 ２１１　独立した排気ポンプ＊に接続されている排気口
。

２１１゛同上 ２１２　独立の高周波電源であり、所望の成膜条件によ
り出力電力を適宜選択可能で ある。

２１２′同上 ２１３　連結部であり、ガスゲート等に連結できる構造
になっていると同時にゲート ガス等のガスを導入できる構造になっている。

第３図は本発明の機能性堆積膜製造装置のための装置例
３の模式的概略図であって、本発明はこの装置例に特に
限定されるものではない。

′ｆＪ３図は装置例１および２と類似の構造を有する本
発明の機能性堆積膜製造装置であり、それぞれの目的に
合致してガスゲートにより連結されており、光起電力素
子等を容易に製造する装置の一例である。

以下図面上の各部分を順を追って説明する。

３００　機能性堆積膜製造装置（３連式）の概略図 ３０１　基体 ３０２　基体搬送用先送りロール ３０３　基体搬送用巻取りロール ３０４　装置例１と同様な構造を有するｎ層成膜室 ３０５　装置例２と同様な構造を有するｉ層成膜室 ３０６　装置例１と同様な構造を有するｎ層成膜室 ３０７　成膜質と連結するためのガスゲート３０９　同
上 ３０８　ガスゲート導入管であって、上記導入管よりゲ
ートガスを導入することによって成膜室のガスの混合を
防止する。

３１０　同上 ３１１　ロールを固定するための真空容器実施例 以下実施例によって本発明を説明するが、本発明はこれ
ら実施例によって特に限定されるものではない。

実施例１ 第１図に示す機能性堆積膜製造装置を用いて以下に示す
アモルファスシリコン膜を成膜した。

まず基体１０３を十分脱脂、洗浄を行ない、その基体の
材質はステンレス５ＵＳ４３０ＢＡであり、その大きさ
は幅１２０ｍｍ、長さ１５０ｍｍ、厚さ０．２５ｍｍで
あつた。これを装置内にセットした後に、真空容器１０
１および成膜空間１０４を排気口１１１に接続されてい
るロータリーポンプ＊で減圧し、更にメカニカルブース
ターポンプ＊で約１０−”　Ｔｏｒｒまで真空にする。

その後基体表面温度を２８０　”Ｃに保持しながら原料
ガス加熱ヒーター１０６を２５０℃に保持し、ターボポ
ンプ＊（島津製作所製ＴＭＰ　−１５０）で２ｘ　１Ｏ
−５Ｔｏｒｒ以下の真空にする。なお予めコンダクタン
ス調整仕切り板１０８とコンダクタンス調整仕切り板１
０９の開口比を１対１６になるように調整し、−・方成
膜空間１０４と真空容器１０１との容積比を３対１００
になるように組込んでおいた。真空度が２Ｘ　１Ｏ−５
Ｔｏｒｒ以下になった時点でガス供給口１０７ボンベ＊
より　Ｈ２ガス５０ｓｃｃｍを７スフローコントローラ
ー＊を通して導入し、真空計１１０が０．３Ｔｏｒｒに
なるようにバタフライバルブ＊で調整しながらターボ分
子ポンプで２時間排気した。その後ボンベ＊よりシラン
ガス５ｉｌ１４．水素ガス■２をそれぞれ１５ｓｅｃｍ
。

１５０ｓｅｃｍをマスフローコントローラー＊を通して
導入し、真空計１１０が１．２Ｔｏｒｒになるようにメ
カニカルブースターポンプ＊の回転数を調整する。１時
間原料ガスを導入した後に高周波電源１１２より］　３
　、５６　Ｍ　Ｈ７，、実効パワー１５Ｗを成膜空間１
０４に放電し１時間成膜した。基体冷却後に基体を取出
して製造された成膜の厚さを幅方向と長さ方向について
測定した結果、その方向による差は３％以内であフだ。

その測定は東京エレクトロン株式会社製アルファステッ
プ１００で行なった。その平均堆積速度は【０人／Ｓで
あった。その測定は」１記と同様東京エレクトロン株式
会社製アルファステップ１００で行なフた。

堆積膜が形成された基体の一部を切り出してＳＩＭＳ　
（ＧＡＭＥＣＡ社製１ｍ５−３ｆ）を用いて堆積膜の厚
さ方向の不純物の定量分析を行なフた。その結果は後述
する比較例の結果と比較して酸素について１０分の１、
窒素、炭素については５分の１であって、本発明の装置
がこの面でも優れていることが顕著であった。

比較例 実施例１において、予め調節しておいたコンダクタンス
調整用仕切り板を全開し、コンダクタンス調整用仕切り
板１０９を全閉し、真空容器１０１の排気は成膜空間１
０４を通じて排気した。その他の方法は実施例１と同様
な方法であって、堆積膜の厚さ方向の不純物の定量分析
を行なった。その比較結果は上述の通りである以１−の
結果より本発明の機能性堆積膜製造装置により堆積膜へ
の混入不純物の濃度を低下させた高品質な堆積膜を製造
することが可能となった。

実施例２ 第２図に示す本発明の機能性堆積膜製造装置を用いて、
以下の条件で連続的に移動する帯状部材上にアモルファ
スシリコン膜を成膜した。まず基体送り出し機構を有す
る真空容器＊に基体２０３として十分に脱脂、洗浄を行
なったＳ［ＪＳ４３０ＢＡ製帯状基体（幅１２ｃｍ、長
さ５０ｍ、厚さ０．２５ｍｍ）を巻き付けた送りロール
２１４をセットし、基体巻取り機構を有する真空容器内
水にある巻取りロール２１５までたるまない程度に張力
を調節しながら基体２０３を機能性堆積膜製造装置２０
０を通した。次に真空容器２０１、送りロール２１４を
固定している真空容器＊、巻取りロール２１５を固定し
ている真空容器＊、および成膜空間２０４．２０４′を
排気口２１１．２１１゛にそれぞれ接続しであるロータ
リーポンプ＊で予備真空にし、次にメカニカルブースタ
ーポンプで約１Ｏ−３Ｔｏｒｒの真空にした後に、更に
帯状部材の表面の温度を２９０℃に保持しながら、原料
ガス加熱ヒーター２０６．２０６°も２５０℃に保持し
ながらターボ分子ポンプ＊（島津製作所製ＴＭＰ−１５
０）で２Ｘ　１０””Ｔｏｒｒ以下の真空にした。なお
予めコンダクタンス調整用仕切り板２０８．２０８゛と
コンダクタンス調製仕切り板２０９．２０９°の開口比
を１対１６になるように調節した。また予め成膜空間２
０４．２０４′の容積は真空容器２０１の容積に比して
５％になるように組込んだ。２１０．２１０′の真空計
が２Ｘ　１Ｏ−５Ｔｏｒｒ以下を示した時点でガス供給
口２０７．２０７°と送りロール２１４を固定している
真空容器＊および巻取りロール２１５を固定している真
空容器＊よりパージガスとしてボンベより　Ｈ２ガスを
おの場の３００ｓｅｃｍマスフローコントローラーを通
じて導入し、真空計２１０．２１０′が０．４Ｔｏｒｒ
を示すようにバタフライバルブ＊で調整しながらターボ
分子ポンプて２時間排気した。その後更にボンベよりＳ
ｉ２Ｈ６ガス、　■２ガスをそれぞれガス供給口２０７
．２０７′より表１に示す条件でマスフローコントロー
ラー＊を通じて導入し、真空計２１０．２１０′が］、
］Ｔｏｒｒになるようにメカニカルブースターポンプの
回転数を調節しながら１時間原料ガスを流した後に、高
周波電源（１３，５６組（ｚ）を２１２．２１２°より
表１に示す実効パワーを成膜空間２０４．２０４′に放
電し、成膜した。なお基体２０３の搬送スピードが１０
ｃｍ／ｍｉｎとなるように制御した。基体を冷却後に取
出して、本実施例で製造された基体上の堆積膜膜厚分布
を基体の幅方向および長さ方向について測定した。その
結果両者の差は４％以内であり、堆積速度は平均１２人
／Ｓであった。

製造された基体の一＝一部を切り出してＳＪＭＳ　（上
述）を用いて堆積膜の厚さ方向の不純物の定量分析を行
なった。その結果後述する比較例の結果と比較すると、
堆積膜中の不純物の濃度は酸素については約１０分の１
、窒素、炭素については約３分の１に減少していること
が明らかになりた。

また堆積膜の膜厚変動も約３分の１に改善されているこ
とが明らかになりだ。

比較例２ 実施例２において予め調整しておいたコンダクタンス調
整用仕切り板２０８．２０８′を全開とし、コンダクタ
ンス調整用仕切り板２０９．２０９′を全閉とし、真空
容器２０１および送りロール２１４を固定している真空
容器＊、巻取りロール２１５を固定している真空容器＊
の排気は成膜空間２０４．２０４′を通じて排気した。

その他は実施例２と同様の方法で堆積膜の膜厚分布およ
び堆積膜の厚さ方向の不純物の定量分析を行なった。酸
素、窒素、炭素それぞわについて比較例１とほぼ同等の
値を示した。以−ｈの結果によす、本発明の機能性堆積
膜を製造する装置を用いることにより、連続的に移動し
うる帯状部材上への堆積膜製造においても堆積膜への混
入不純物の濃度を低減できるばか原料ガス供給口以外か
らのパージガス等の影響を受けることなく堆積膜の膜厚
変動を抑制することが出来た。

実施例３ 実施例１において成膜空間１０４の容積を真空容器１０
１の容積に比して順次変化させ、その好ましい容積比を
検討した。なお堆積条件は実施例２の堆積条件を基準に
して容積比にあわせ、ガス流量および投入パワーを変更
し、堆積速度が約平均１０λ／Ｓになるように調節した
。得られた堆積膜は実施例１と同様な方法で評価、測定
し、堆積膜中の酸素の濃度を比較例１と比較し、その結
果を第４図に示した。

以上の結果から本発明の堆積装置において真空容器にた
いして原料ガスを分解できる成膜空間の容積比が１０％
以下であることが更に望ましく、より改善されているこ
とが明らかになった。

実施例４ 実施例１において原料ガスヒーター１０６を作動させず
に実施例１と同様に堆積膜を形成した。

得られた堆積膜を実施例１と同様に測定、評価し、堆積
膜中の酸素濃度について比較例１と比較した。その結果
比較例１の３分の１になっていることが明らかになった
。以上の結果から実施例１を検討すると、本発明の堆積
膜装置においては原料ガスを成膜空間へ導入する前に加
熱するために前記成膜空間の上流に加熱手段が配置され
ていることが好ましいことが明らかになった。

実施例５ 実施例２において原料ガスにＧｅＨイを更に加え、表２
に示す成膜条件により成膜し、実施例２と同様に測定、
評価を行なった。その結果堆積膜の膜厚方向の変動は５
％以内であり、堆積速度は平均１８人／Ｓであった。

堆積膜が製造された基体の一部を任意に６ケ所切り出し
、ＳＩＭＳ　（上述）を用いて、堆積膜の厚さ方向の組
成分析を行なフた。その結果第５図に示すデプスプロフ
ァイルが得られ、はぼ第６図に示すバンドギャッププロ
ファイルが形成されていることが明らかになった。

以十の結果から判断して、本発明の機能性堆積膜を製造
する装置を用いることにより連続的に移動している帯状
部材上への堆積膜形成においても原料ガス供給［１以外
からのパージガス等の影響を受けることなく堆積膜の膜
厚方向にバンドギャップ調整物質を所望の通り分布させ
ることが可能になった。

実施例６ 第３図に示す本発明の機能性堆積膜製造装置において傾
斜型バンドギャッププロファイルを持った太陽電池シン
グルセルを作製した。ｎ層、２層を表−３に示す条件で
作製し、ｉ層は実施例５と同様な条件で成膜した。なお
基体３０１の搬送スピードは３０ｃｍ／ｍｉｎであり、
ゲートガスとしてはへｒガス、Ｈ２ガスそれぞれ２５０
ｓｃｃｍ、３００ｓｃｃｍをゲートガス導入管３０８．
３１０よりそれぞれ導入し、その他の操作はすべて実施
例２と同様であった。

このようにして作製されたアモルファスシリコンゲルマ
ニウム太陽電池にＡＭｌ　、５　（１００ｍＷ／ｃｍ２
）の光線を照射し光電変換効率を測定した。その結果］
　０ｃｍ平方のセルサイズで１０．４％の値が得られた
。

Ｖｏｃ　（開放電圧）　０．７０Ｖで、Ｆ、Ｆ、　（曲
線因子）は０．７１であった。

以上の結果本発明の機能性堆積膜を製造する装置を用い
ることにより連続的に移動している帯状部材への堆積膜
製造においても原料ガス供給口以外からのゲートガス等
の影響を受けることなく堆積膜の膜厚方向にバンドギャ
ップ調整物質を所望のとおり分布させることができ、良
好な太陽電池を作製することが可能となった。

発明の効果の概要 以上の本発明の機能性堆積膜を製造する装置によれば、
設備を大型化することなく堆積膜への混入不純部の濃度
を低減することが可能となり、高品質の堆積膜を容易に
量産化することが可能となり、製品の安定生産およびコ
ストの低減か実施可能となり、高性能な光起電力素子を
安価に市場に供給することが可能になった。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図、第３図は本発明を説明するのに好適な
機能性堆積膜を製造する装置の概略図である。第４図は
成膜空間と真空容器との容積比と混入酸素との関係を示
したグラフである。第５図は本発明の実施例５において
形成された堆積膜の成分元素のデプスプロファイルを示
す図である。 第６図は本発明の実施例５において製造された堆積膜の
バンドギャッププロファイルの模式図である。 １００　全体の概略図 １０１　真空容器 １０２　基体加熱用ランプヒーター １０３　基体 １０４　原料ガスを成膜する成膜空間、図中の矢印はそ
の原料ガスの流路 １０５　放電電極 １０６　原料加熱用ヒーター １０７　ガス供給口 １０８　真空容器１０１の圧力と成膜空間１０４内の圧
力に差圧を発生させることができるスリット状コンダク
タンス調整機構てあり、開口径の異る仕切り板により適
宜圧力差を選択できる機構 １０９　同上 １１０　真空計 １１１　排気口 １１２　高周波電源 １１３　連結部 ２００　全体の概略図 ２０１　真空容器 ２０２　基体加熱用ランプヒーター ２０３　基体 ２０４　それぞれ独立に制御されて導入された原料ガス
を分解しうる成膜空間、図中の矢印はそれぞれの原料ガ
スの流路 ２０４゛同」− ２０５放電電極 ２０５　′　同一ト ２０６　本発明の特徴の一つである原料ガス加熱用ヒー
ターで ２０６゛同上 ２０７　ガス供給口 ２０７゛同上 ２０８　　真空容器２０１内の圧力と成膜空間０４．２
０４′内の圧力とに差圧を 発生させる、あるいは成膜空間２０４．２０４′相互の
間に差圧を発生させる スリット状のコンダクタンス調整機構 ２０８′同士 ２０９　　同」二 ２０９′同上 ２１０　真空計 ２１０°同−Ｌ ２１１　排気口 ２１１　°　同一ト ２１２　独立の高周波電源 ２１２′　同」二 ２１３　連結部 ３００　機能性堆積膜製造装置（３連式）の概略図 ３０１　基体 ３０２　基体搬送用先送りロール ３０３　基体搬送用巻取りロール ３０４　装置例１と同様な構造を有するｎ層成膜室 ３０５　装置例２と同様な構造を存するｉ層成膜室 ３０６　装置例１と同様な構造を有するｎ層成膜室 ３０７　成膜質と連結するためのガスゲート３０９　　
同一ト ３０８　ガスゲート導入管 ３１０　同上

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）少なくとも一つの真空容器と該真空容器内にあっ
   て原料ガスを分解出来る成膜空間と、前記真空容器と前
   記成膜空間とを同時に排気するための排気系統とを有す
   る機能性堆積膜製造装置において、真空容器の排気速度
   と成膜空間の排気速度を各々独立に制御するための排気
   速度調整機構を有することを特徴とする機能性堆積膜製
   造装置。
2. （２）前記成膜空間が長さ方向に連続的に移動する基体
   に成膜するためのものである請求項１記載の機能性堆積
   膜製造装置。
3. （３）前記真空容器に対する前記原料ガスを分解出来る
   成膜空間の容積比が１０％以下であることを特徴とする
   請求項１記載の機能性堆積膜製造装置。
4. （４）前記成膜空間へ原料ガスを供給するための流路中
   に加熱手段が配置されていることを特徴とする請求項１
   記載の機能性堆積膜製造装置。