JPH04199535A - Ｉｃパッケージの特性評価治具 - Google Patents
Ｉｃパッケージの特性評価治具Info
- Publication number
- JPH04199535A JPH04199535A JP33542790A JP33542790A JPH04199535A JP H04199535 A JPH04199535 A JP H04199535A JP 33542790 A JP33542790 A JP 33542790A JP 33542790 A JP33542790 A JP 33542790A JP H04199535 A JPH04199535 A JP H04199535A
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- Japan
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- bias
- jig
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、主として、高周波ＩＣパッケージの電気的
特性を測定するときに用いられるＩＣパッケージの特性
評価治具に関するものである。
特性を測定するときに用いられるＩＣパッケージの特性
評価治具に関するものである。
［従来の技術１
高周波用のＩＣパッケージとして、第５図、第６図に上
面図および側面図で示すものがある。これらの図におい
て、ＩＣパッケージ１１は、パッケージ本体１２の両端
にある肩部１２ａ、１２ａの上面にマイクロストリップ
線路からなる高周波信号入出力用およびバイアス用端子
１３．１４が露出している。なお、１５は取付用切欠部
、１６はパッケージキャップである。
面図および側面図で示すものがある。これらの図におい
て、ＩＣパッケージ１１は、パッケージ本体１２の両端
にある肩部１２ａ、１２ａの上面にマイクロストリップ
線路からなる高周波信号入出力用およびバイアス用端子
１３．１４が露出している。なお、１５は取付用切欠部
、１６はパッケージキャップである。
従来、上記のようなＩＣパッケージ１１の電気的特性を
測定する場合、第７図、第８図に正面図お゛よび側面図
で示すような治具２１が用いられる。この治具２１は、
ＩＣパッケージ１１を固定する台座２２と、この台座２
２の両端に立設される導体板２４．２４と、この導体板
２４．２４に取り付けられ、ＩＣパッケージ１１と高周
波信号の授受を行うコネクタ２６．２６とから構成され
ている。この治具２１を用いたＩＣパッケージ１１の電
気的特性の測定は、以下のように行われる。
測定する場合、第７図、第８図に正面図お゛よび側面図
で示すような治具２１が用いられる。この治具２１は、
ＩＣパッケージ１１を固定する台座２２と、この台座２
２の両端に立設される導体板２４．２４と、この導体板
２４．２４に取り付けられ、ＩＣパッケージ１１と高周
波信号の授受を行うコネクタ２６．２６とから構成され
ている。この治具２１を用いたＩＣパッケージ１１の電
気的特性の測定は、以下のように行われる。
まず、ＩＣパッケージ１１がその各端子１３゜１４を表
にして取付ねじ２３によって台座２２に固定される。そ
して、導体板２４にコネクタ２６が取付ねじ２７によっ
て取り付けられ、その導体板２４が台座２２の両側に取
付ねじ２５によって固定される。このとき、コネクタ２
６．２６の中心導体２６ａ、２６ａは導体板２４．２４
を貫通してＩＣパッケージ１１の高周波信号入出力用端
子１３．１３に接続される。
にして取付ねじ２３によって台座２２に固定される。そ
して、導体板２４にコネクタ２６が取付ねじ２７によっ
て取り付けられ、その導体板２４が台座２２の両側に取
付ねじ２５によって固定される。このとき、コネクタ２
６．２６の中心導体２６ａ、２６ａは導体板２４．２４
を貫通してＩＣパッケージ１１の高周波信号入出力用端
子１３．１３に接続される。
そして、上記のようにして治具２１に取り付けられたＩ
Ｃパッケージ１１にコネクタ２６を介して高周波信号が
入出力されるとともに、バイアス用端子１４表面にバイ
アス印加用のプローブ針２８が接触されてバイアス電圧
が印加される。高周波信号とバイアス電圧とが与えられ
たＩＣパッケージ１１は所定の動作をし、その電気的特
性が図示しない測定機器によって測定される。
Ｃパッケージ１１にコネクタ２６を介して高周波信号が
入出力されるとともに、バイアス用端子１４表面にバイ
アス印加用のプローブ針２８が接触されてバイアス電圧
が印加される。高周波信号とバイアス電圧とが与えられ
たＩＣパッケージ１１は所定の動作をし、その電気的特
性が図示しない測定機器によって測定される。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、上記のような治具２１においては、プロ
ーブ針２８をＩＣパッケージ１１のバイアス用端子１４
に接触させる際に、プローブ針２Ｂを差し込みつるスペ
ースが狭いため、プローブ針２８を導体板２４や他のマ
イクロストリップ線路に接触させてしまい、短絡を起こ
し、ＩＣパッケージ１１内部のＩＣチップを破損させて
しまうという問題点があった。
ーブ針２８をＩＣパッケージ１１のバイアス用端子１４
に接触させる際に、プローブ針２Ｂを差し込みつるスペ
ースが狭いため、プローブ針２８を導体板２４や他のマ
イクロストリップ線路に接触させてしまい、短絡を起こ
し、ＩＣパッケージ１１内部のＩＣチップを破損させて
しまうという問題点があった。
また、ＩＣパッケージ１１を治具２１に接触させるため
には、ＩＣパッケージ１１を治具２１に取り付ける他に
、コネクタ２６を取り付けた導体板２４を治具２１に取
り付けて、コネクタ２６の中心導体２６ａをＩＣパッケ
ージ１１に接続する作業を必要とし、測定作業に手間が
かかるという問題点があった。
には、ＩＣパッケージ１１を治具２１に取り付ける他に
、コネクタ２６を取り付けた導体板２４を治具２１に取
り付けて、コネクタ２６の中心導体２６ａをＩＣパッケ
ージ１１に接続する作業を必要とし、測定作業に手間が
かかるという問題点があった。
この発明は、上記の問題点を解消するためになされたも
ので、プローブ針の誤接触による短絡が防止できるとと
もに、測定の簡素化ができるＩＣパッケージの特性評価
治具を提供することを目的とする。
ので、プローブ針の誤接触による短絡が防止できるとと
もに、測定の簡素化ができるＩＣパッケージの特性評価
治具を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
この発明に係るＩＣパッケージの特性評価治具は、入出
力信号を伝送する高周波伝送線路、先端にばね式リード
線を備えたバイアス信号を伝送する複数のバイアス伝送
線路、前記ばね式リード線にばね力を付与するための貫
通孔が形成された基板と、この基板を両側に有し、前記
基板上の高周波伝送線路にＩＣパッケージに形成された
マイクロストリップ線路からなる高周波信号入出力用端
子がそれぞれ接触し、前記バイアス伝送線路のそれぞれ
に前記ＩＣパッケージのバイアス用端子が接触して前記
基板とともに前記ＩＣパッケージが取り付けられる台座
と、前記基板の両側をはさんで前記台座に固定された導
体板と、これら両側の導体板をそれぞれ貫通し、前記高
周波伝送線路に接触する中心導体を備え、前記導体板に
取り付けられるコネクタと、からなるものである。
力信号を伝送する高周波伝送線路、先端にばね式リード
線を備えたバイアス信号を伝送する複数のバイアス伝送
線路、前記ばね式リード線にばね力を付与するための貫
通孔が形成された基板と、この基板を両側に有し、前記
基板上の高周波伝送線路にＩＣパッケージに形成された
マイクロストリップ線路からなる高周波信号入出力用端
子がそれぞれ接触し、前記バイアス伝送線路のそれぞれ
に前記ＩＣパッケージのバイアス用端子が接触して前記
基板とともに前記ＩＣパッケージが取り付けられる台座
と、前記基板の両側をはさんで前記台座に固定された導
体板と、これら両側の導体板をそれぞれ貫通し、前記高
周波伝送線路に接触する中心導体を備え、前記導体板に
取り付けられるコネクタと、からなるものである。
この発明においては、ＩＣパッケージをその端子を下側
にして治具の固定部に固定すると、各端子が基板上の固
定部両端に設けられた高周波信号用入出力端子とバイア
ス印加用端子に各々接続されることになる。これにより
、ＩＣパッケージの高周波信号用入出力端子は治具の基
板のマイクロストリップ線路と接続され、高周波特性を
損なわずＩＣパッケージの特性測定が可能になる。また
、バイアス用端子にはバネ式のリード線が接触するため
に、ＩＣパッケージ本体の位置ずれ等による調整が不要
となり、評価時間の短縮につながる。
にして治具の固定部に固定すると、各端子が基板上の固
定部両端に設けられた高周波信号用入出力端子とバイア
ス印加用端子に各々接続されることになる。これにより
、ＩＣパッケージの高周波信号用入出力端子は治具の基
板のマイクロストリップ線路と接続され、高周波特性を
損なわずＩＣパッケージの特性測定が可能になる。また
、バイアス用端子にはバネ式のリード線が接触するため
に、ＩＣパッケージ本体の位置ずれ等による調整が不要
となり、評価時間の短縮につながる。
［実施例］
以下、この発明の一実施例を図面に基づいて詳細に説明
する。
する。
第１図はこの発明の一実施例の治具の基板を示す平面図
、第２図は、第１図のＡ−Ａ線による断面図、第３図は
この発明を用いた治具の側面図、第４図は、第３図の上
面図を示す。
、第２図は、第１図のＡ−Ａ線による断面図、第３図は
この発明を用いた治具の側面図、第４図は、第３図の上
面図を示す。
二の実施例では、第１図に示すように、基板１のパッケ
ージ１１のバイアス用端子と対応する部分に貫通孔２を
設ける。この貫通孔２に接するバイアス伝送線路５から
貫通孔２の中心部に対して基板１表面より突き出る形状
のバネ式リード線３を接続する。第２図からこの貫通孔
２およびバネ式リード線３の位置は、パッケージ本体１
２のパッケージキャップ１６を下に向けて配置したとき
、バイアス用端子１４がバネ式リード線３と接触するよ
うに形成される。このバネ式リード線３はパッケージの
固定により貫通孔２の内部に押し下げられるが、バネ式
リード線３も復元しようとするので、バイアス用端子１
４との接触は確実に行われる。
ージ１１のバイアス用端子と対応する部分に貫通孔２を
設ける。この貫通孔２に接するバイアス伝送線路５から
貫通孔２の中心部に対して基板１表面より突き出る形状
のバネ式リード線３を接続する。第２図からこの貫通孔
２およびバネ式リード線３の位置は、パッケージ本体１
２のパッケージキャップ１６を下に向けて配置したとき
、バイアス用端子１４がバネ式リード線３と接触するよ
うに形成される。このバネ式リード線３はパッケージの
固定により貫通孔２の内部に押し下げられるが、バネ式
リード線３も復元しようとするので、バイアス用端子１
４との接触は確実に行われる。
次に、この基板１の高周波伝送線路４，４と、パッケー
ジ本体１２の高周波信号入出力用端子１３．１３との接
触は、高周波伝送線路４の構造からパッケージ本体１２
の傾きに対して影響が少なくなり、安定したものとなる
。
ジ本体１２の高周波信号入出力用端子１３．１３との接
触は、高周波伝送線路４の構造からパッケージ本体１２
の傾きに対して影響が少なくなり、安定したものとなる
。
第３図、第４図はこの発明による治具の一実施例を示す
側面図である。パッケージ本体１２をパッケージキャッ
プ１６側を下にして、切欠部１５を取付ねじ２３で台座
２２に固定し、バイアス伝送線路５より治具２１の基板
１に設けられたばね式リード線３と高周波伝送線路４，
４がパッケージ本体１２の各々の端子と接続される。プ
ローブ針での接触はなく、バイアス伝送線路５に図に示
さない電源からリード線を通してクリップ等で接続され
てバイアスが印加される。
側面図である。パッケージ本体１２をパッケージキャッ
プ１６側を下にして、切欠部１５を取付ねじ２３で台座
２２に固定し、バイアス伝送線路５より治具２１の基板
１に設けられたばね式リード線３と高周波伝送線路４，
４がパッケージ本体１２の各々の端子と接続される。プ
ローブ針での接触はなく、バイアス伝送線路５に図に示
さない電源からリード線を通してクリップ等で接続され
てバイアスが印加される。
［発明の効果］
以上説明したように、この発明は、入出力信号を伝送す
る高周波伝送線路、先端にばね式リード線を備えたバイ
アス信号を伝送する複数のバイアス伝送線路、前記ばね
式リード線にばね力を付与するための貫通孔が形成され
た基板と、この基板を両側に有し、前記基板上の前記高
周波伝送線路にＩＣパッケージに形成されたマイクロス
トリップ線路からなる高周波信号入出力用端子がそれぞ
れ接触し、前記バイアス伝送線路のそれぞれに前記ＩＣ
パッケージのバイアス用端子が接触して前記基板ととも
に前記ＩＣパッケージが取り付けられる台座と、前記基
板の両側をはさんで前記台座に固定された導体板と、こ
れら両側の導体板をそれぞれ貫通し、前記高周波伝送線
路に接触する中心導体を備え、前記導体板に取り付けら
れるコネクタと、からなるので、従来問題点となってい
たプローブ針でのバイアス印加時のパッケージ表面や治
具のコネクタ側導体板との短絡が防止でき、パッケージ
に対する高周波信号やバイアス印加が容易に行えるよう
になり、作業時間の短縮が図れる効果がある。
る高周波伝送線路、先端にばね式リード線を備えたバイ
アス信号を伝送する複数のバイアス伝送線路、前記ばね
式リード線にばね力を付与するための貫通孔が形成され
た基板と、この基板を両側に有し、前記基板上の前記高
周波伝送線路にＩＣパッケージに形成されたマイクロス
トリップ線路からなる高周波信号入出力用端子がそれぞ
れ接触し、前記バイアス伝送線路のそれぞれに前記ＩＣ
パッケージのバイアス用端子が接触して前記基板ととも
に前記ＩＣパッケージが取り付けられる台座と、前記基
板の両側をはさんで前記台座に固定された導体板と、こ
れら両側の導体板をそれぞれ貫通し、前記高周波伝送線
路に接触する中心導体を備え、前記導体板に取り付けら
れるコネクタと、からなるので、従来問題点となってい
たプローブ針でのバイアス印加時のパッケージ表面や治
具のコネクタ側導体板との短絡が防止でき、パッケージ
に対する高周波信号やバイアス印加が容易に行えるよう
になり、作業時間の短縮が図れる効果がある。
第１図および第２図はこの発明の一実施例に係る特性評
価治具の基板の斜視図および第１図のＡ−Ａ線による断
面図、第３図は、第１図、第２図の基板を用いた治具の
側面図、第４図は、第３図の平面図、第５図、第６図は
高周波ＩＣパッケージを示す上面図および側面図、第７
図は従来のＩＣパッケージの特性評価治具の上面図、第
８図は、第７図の側面図である。 図において、１は基板、２は貫通孔、３はばね式リード
線、４は高周波伝送線路、５はバイアス伝送線路、１１
はＩＣパッケージ、１２はパッケージ本体、１３は高周
波信号入出力用端子、１４はバイアス用端子、１５は取
付用切欠部、１６はパッケージキャップ、２１は治具、
２２は台座、２４は導体板、２６はコネクタ、２６ａは
中心導体である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第２図 第３図 訂 第４図 第５図 第７図 第８図 ハ
価治具の基板の斜視図および第１図のＡ−Ａ線による断
面図、第３図は、第１図、第２図の基板を用いた治具の
側面図、第４図は、第３図の平面図、第５図、第６図は
高周波ＩＣパッケージを示す上面図および側面図、第７
図は従来のＩＣパッケージの特性評価治具の上面図、第
８図は、第７図の側面図である。 図において、１は基板、２は貫通孔、３はばね式リード
線、４は高周波伝送線路、５はバイアス伝送線路、１１
はＩＣパッケージ、１２はパッケージ本体、１３は高周
波信号入出力用端子、１４はバイアス用端子、１５は取
付用切欠部、１６はパッケージキャップ、２１は治具、
２２は台座、２４は導体板、２６はコネクタ、２６ａは
中心導体である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第２図 第３図 訂 第４図 第５図 第７図 第８図 ハ
Claims (1)
- 入出力信号を伝送する高周波伝送線路、先端にばね式
リード線を備えたバイアス信号を伝送する複数のバイア
ス伝送線路、前記ばね式リード線にばね力を付与するた
めの貫通孔が形成された基板と、この基板を両側に有し
、前記基板上の前記高周波伝送線路にＩＣパッケージに
形成されたマイクロストリップ線路からなる高周波信号
入出力用端子がそれぞれ接触し、前記バイアス伝送線路
のそれぞれに前記ＩＣパッケージのバイアス用端子が接
触して前記基板とともに前記ＩＣパッケージが取り付け
られる台座と、前記基板の両側をはさんで前記台座に固
定された導体板と、これら両側の導体板をそれぞれ貫通
し、前記高周波伝送線路に接触する中心導体を備え、前
記導体板に取り付けられるコネクタと、からなることを
特徴とするＩＣパッケージの特性評価治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33542790A JPH04199535A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | Ｉｃパッケージの特性評価治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33542790A JPH04199535A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | Ｉｃパッケージの特性評価治具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04199535A true JPH04199535A (ja) | 1992-07-20 |
Family
ID=18288443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33542790A Pending JPH04199535A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | Ｉｃパッケージの特性評価治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04199535A (ja) |
-
1990
- 1990-11-28 JP JP33542790A patent/JPH04199535A/ja active Pending
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