JPH04202075A - ダイヤモンド被覆硬質材料の製造方法 - Google Patents
ダイヤモンド被覆硬質材料の製造方法Info
- Publication number
- JPH04202075A JPH04202075A JP33422890A JP33422890A JPH04202075A JP H04202075 A JPH04202075 A JP H04202075A JP 33422890 A JP33422890 A JP 33422890A JP 33422890 A JP33422890 A JP 33422890A JP H04202075 A JPH04202075 A JP H04202075A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diamond
- acid
- sintered body
- coating layer
- alkali
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 43
- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 27
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 17
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims abstract description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000002585 base Substances 0.000 claims description 21
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 12
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 2
- JUINSXZKUKVTMD-UHFFFAOYSA-N hydrogen azide Chemical compound N=[N+]=[N-] JUINSXZKUKVTMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 5
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 3
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 229910021364 Al-Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011260 aqueous acid Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000009841 combustion method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、接着強度に優れたダイヤモンド被覆層を有す
るダイヤモンド被覆硬質材料の製造方法に関する。
るダイヤモンド被覆硬質材料の製造方法に関する。
超硬合金やセラミックス焼結体の基材表面に、PVD法
やOVD法によりTi、 Hf、 Zrの炭化物、窒化
物又は炭窒化物、若しくはA1の酸化物等の硬質被覆層
を単層又は複層に形成した表面被覆硬質材料が、切削工
具や耐摩工具を始め、各種の機械用部品又は装飾品とし
て広く利用されている。
やOVD法によりTi、 Hf、 Zrの炭化物、窒化
物又は炭窒化物、若しくはA1の酸化物等の硬質被覆層
を単層又は複層に形成した表面被覆硬質材料が、切削工
具や耐摩工具を始め、各種の機械用部品又は装飾品とし
て広く利用されている。
最近では、これら表面被覆硬質材料の被覆層として、硬
度が極めて高く、化学的に安定であり、高い熱伝導率や
音波伝播速度を始めとする数多くの優れた特性を供えた
ダイヤモンドが注目され、多くの分野で実用化されてい
る。例えば、ダイヤモンド被覆したスローアウェイチッ
プ、ドリル、マイクロドリル、エンドミル等のダイヤモ
ンド被覆切削工具は、A1やCu又はこれらの合金等を
高速で切削でき、被削材の仕上げ面が極めて良好である
。又、耐摩工具のひとつであるダイヤモンド被覆したボ
ンディングツールにより、半導体装置のワイヤボンディ
ングが高い寸法精度で長時間実施出来るようになってい
る。
度が極めて高く、化学的に安定であり、高い熱伝導率や
音波伝播速度を始めとする数多くの優れた特性を供えた
ダイヤモンドが注目され、多くの分野で実用化されてい
る。例えば、ダイヤモンド被覆したスローアウェイチッ
プ、ドリル、マイクロドリル、エンドミル等のダイヤモ
ンド被覆切削工具は、A1やCu又はこれらの合金等を
高速で切削でき、被削材の仕上げ面が極めて良好である
。又、耐摩工具のひとつであるダイヤモンド被覆したボ
ンディングツールにより、半導体装置のワイヤボンディ
ングが高い寸法精度で長時間実施出来るようになってい
る。
これらダイヤモンド被覆硬質材料のダイヤモンド被覆層
を形成する方法としては、マイクロ波プラズマOVD法
、RFプラズマCvD法、EA−OVD法、誘磁場マイ
クロ波プラズマCvD法、RF熱ブラズ?OVD法、D
CプラズマCvD法、DoブラスマジェットOVD法、
熱フィラメントOVD法、燃焼法など数多くの方法が知
られている。又、PvD法によればダイヤモンド状カー
ボンを主に形成することが出来る。
を形成する方法としては、マイクロ波プラズマOVD法
、RFプラズマCvD法、EA−OVD法、誘磁場マイ
クロ波プラズマCvD法、RF熱ブラズ?OVD法、D
CプラズマCvD法、DoブラスマジェットOVD法、
熱フィラメントOVD法、燃焼法など数多くの方法が知
られている。又、PvD法によればダイヤモンド状カー
ボンを主に形成することが出来る。
ところが、ダイヤモンド被覆硬質材料の多くは基材とダ
イヤモンド被覆層の密着弾度が不足しているため、層剥
離により寿命に至る場合が多い。
イヤモンド被覆層の密着弾度が不足しているため、層剥
離により寿命に至る場合が多い。
この原因として、次の3つが考えられる:■ダイヤモン
ドと基材の熱膨張係数が大きく異なるため、ダイヤモン
ド被覆層中に残留応力が発生している。
ドと基材の熱膨張係数が大きく異なるため、ダイヤモン
ド被覆層中に残留応力が発生している。
■炭素の拡散が容易なFeやCo等の金属元素を含む超
硬合金が基材である場合、これら金属元素上に密着強度
を低下させるグラファイトが優先的に生成する。
硬合金が基材である場合、これら金属元素上に密着強度
を低下させるグラファイトが優先的に生成する。
■ダイヤモンドが極めて安定なため、基材との接合が密
着強度の低い分子間引力による。
着強度の低い分子間引力による。
これに対して、ダイヤモンド被覆層の密着強度を改善向
上させるため、以下のような試みが従来から行われてい
る: 前記■の原因に対しては、特開昭61−291493号
公報に記載の如く、ダイヤモンドと近似する熱膨・張係
数を持つ窒化ケイ素(s、t N )又は炭化ケイ素(
S、ta)を主成分とする焼結体を基材として用いる方
法。
上させるため、以下のような試みが従来から行われてい
る: 前記■の原因に対しては、特開昭61−291493号
公報に記載の如く、ダイヤモンドと近似する熱膨・張係
数を持つ窒化ケイ素(s、t N )又は炭化ケイ素(
S、ta)を主成分とする焼結体を基材として用いる方
法。
前記■の原因に対しては、特開平]、 −201475
号公報に記載の如く、超硬合金表面を酸溶液でエツチン
グしてFeやCo等の金属元素を除去する方法。
号公報に記載の如く、超硬合金表面を酸溶液でエツチン
グしてFeやCo等の金属元素を除去する方法。
前記■の原因に対しては、特開昭61−124573号
公報に記載の如く、ダイヤモンド砥粒又は砥石により基
材表面に傷つけ処理を行って0.2〜10μm程度の凹
凸を付け、ダイヤモンドの核発生密度を向上させる方法
。
公報に記載の如く、ダイヤモンド砥粒又は砥石により基
材表面に傷つけ処理を行って0.2〜10μm程度の凹
凸を付け、ダイヤモンドの核発生密度を向上させる方法
。
しかし、上記したいずれの方法によっても、切削工具や
耐摩工具として充分な密着強度を備えたダイヤモンド被
覆硬質材料を得ることが困難であった。
耐摩工具として充分な密着強度を備えたダイヤモンド被
覆硬質材料を得ることが困難であった。
本発明はかかる従来の事情に鑑み、熱膨張係数がダイヤ
モンドに近いSi N を主成分とする焼結体を基材と
し、その表面に密着強度に優れたダイヤモンド被覆層を
形成することを目的とする。
モンドに近いSi N を主成分とする焼結体を基材と
し、その表面に密着強度に優れたダイヤモンド被覆層を
形成することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明にあっては、窒化ケイ
素を主成分とする焼結体からなる基材の表面にダイヤモ
ンド又はダイヤモンド状カーボンの被覆層を形成するダ
イヤモンド被覆硬質材料の製造方法において、前記基材
の表面を5重量%以上のフッ酸又はフッ硝酸の水溶液、
10重量%以上の前記酸以外の酸又はアルカリの水溶液
、若しくは溶融水酸化ナトリウムに浸漬若しくは接触さ
せた後、該表面に前記被覆層を形成するこ左を特徴とす
る。
素を主成分とする焼結体からなる基材の表面にダイヤモ
ンド又はダイヤモンド状カーボンの被覆層を形成するダ
イヤモンド被覆硬質材料の製造方法において、前記基材
の表面を5重量%以上のフッ酸又はフッ硝酸の水溶液、
10重量%以上の前記酸以外の酸又はアルカリの水溶液
、若しくは溶融水酸化ナトリウムに浸漬若しくは接触さ
せた後、該表面に前記被覆層を形成するこ左を特徴とす
る。
従来から、Si N を主成分とする焼結体(SiN
基焼結体)は、一般に酸やアルカリによってエツチング
されないことが特徴とされていた。
基焼結体)は、一般に酸やアルカリによってエツチング
されないことが特徴とされていた。
然るに本発明者等の研究によれば、Si N 粉末の焼
結性を改善するためにAI O、Y O、MgO,A7
N、 SiO等の焼結助剤を添加して焼結したSi M
基焼結体は、強酸や強アルカリによって僅かながら腐食
され、表面に微小な凹凸が形成されることが判った。こ
れは、表面の粒界及び粒界近傍のガラス質が優先的に腐
食され、SiHの柱状結晶が残るためと考えられる。し
かも、この腐食は表面の一定深さに止まり深い亀裂や溝
状になることがないので、SiN 基焼結体が腐食によ
って基材としての強度を低下させることはなかった。
結性を改善するためにAI O、Y O、MgO,A7
N、 SiO等の焼結助剤を添加して焼結したSi M
基焼結体は、強酸や強アルカリによって僅かながら腐食
され、表面に微小な凹凸が形成されることが判った。こ
れは、表面の粒界及び粒界近傍のガラス質が優先的に腐
食され、SiHの柱状結晶が残るためと考えられる。し
かも、この腐食は表面の一定深さに止まり深い亀裂や溝
状になることがないので、SiN 基焼結体が腐食によ
って基材としての強度を低下させることはなかった。
Si N 基焼結体の表面を上記の如く腐食する為に
は、酸の水溶液としては5重量%以上のフツ酸又はフッ
硝酸の水溶液、あるいはフン酸又はフッ硝酸以外の酸、
例えば塩酸、硫酸、硝酸、リン酸等の10重量%以上の
水溶液を用いる。又、例えば水酸化カリウム、水酸化ナ
トリウム、炭酸ナトリウム等のアルカリの水溶液の場合
も10重量%以上の水溶液を用いる。これら酸又はアル
カリの水溶液が上記濃度未満の場合には、Si N
基焼結体を長期間浸漬しても表面状態が変化しない。
は、酸の水溶液としては5重量%以上のフツ酸又はフッ
硝酸の水溶液、あるいはフン酸又はフッ硝酸以外の酸、
例えば塩酸、硫酸、硝酸、リン酸等の10重量%以上の
水溶液を用いる。又、例えば水酸化カリウム、水酸化ナ
トリウム、炭酸ナトリウム等のアルカリの水溶液の場合
も10重量%以上の水溶液を用いる。これら酸又はアル
カリの水溶液が上記濃度未満の場合には、Si N
基焼結体を長期間浸漬しても表面状態が変化しない。
特に、溶融水酸化す) IJウムにSi N 基焼結
体を接触させると、SiN も一部腐食されて表面粗
さRが10μm又はそれ以上となるので、ダイax ヤモンド被覆層の密着強度向上に大きく、寄与すること
が判った。
体を接触させると、SiN も一部腐食されて表面粗
さRが10μm又はそれ以上となるので、ダイax ヤモンド被覆層の密着強度向上に大きく、寄与すること
が判った。
又、上記焼結体を、酸の水溶液と、アルカリの水溶液又
は溶融水酸化す) IJウムとに順番に浸漬又は接触さ
せれば、更に良好な被覆層の密着強度が得られることが
判った。これは、酸により優先的に腐食されるものと、
アルカリにより優先的に腐食されるものとがあるためと
考えられる。
は溶融水酸化す) IJウムとに順番に浸漬又は接触さ
せれば、更に良好な被覆層の密着強度が得られることが
判った。これは、酸により優先的に腐食されるものと、
アルカリにより優先的に腐食されるものとがあるためと
考えられる。
上記の如く本発明方法により表面を腐食した51N4基
焼結体を基材とすれば、表面に513N、の柱状晶が存
在し且つ微細な凹凸が形成されているので、基材へのダ
イヤモンド被覆層の密着強度が従来に比べて飛躍的に向
上する。しかも、上記腐食によりガラス質が除かれ表面
でのSi N の面積率が増加するので、基材表面の
熱膨張係数が一層ダイヤモンドに近付くことになり、熱
残留応力の発生が小さくなるから、この点からもダイヤ
モンド被覆層の密着強度が向上する。
焼結体を基材とすれば、表面に513N、の柱状晶が存
在し且つ微細な凹凸が形成されているので、基材へのダ
イヤモンド被覆層の密着強度が従来に比べて飛躍的に向
上する。しかも、上記腐食によりガラス質が除かれ表面
でのSi N の面積率が増加するので、基材表面の
熱膨張係数が一層ダイヤモンドに近付くことになり、熱
残留応力の発生が小さくなるから、この点からもダイヤ
モンド被覆層の密着強度が向上する。
尚、ダイヤモンド被覆層に関しては、層厚が0.1μm
未満では被覆層による耐摩耗性などの諸性質の向上が認
められず、又層厚200μmを超える被覆層を形成して
も大きな性能の向上がもはや認められないので、0.1
〜200μmの層厚が好ましい。
未満では被覆層による耐摩耗性などの諸性質の向上が認
められず、又層厚200μmを超える被覆層を形成して
も大きな性能の向上がもはや認められないので、0.1
〜200μmの層厚が好ましい。
組成がSi N −4wt%AI O−4wt%ZrO
−3wt%Y OのSi N 基焼結体を1.T工S
で定められた5PGN 120308の形状で、刃先処
理として一般に行われているネガランド(以下N、Lと
呼ぶ)を施したスローアウェイチップに加工した。尚、
刃先処理の処理角度は25°、処理量はQ、lawとし
た。
−3wt%Y OのSi N 基焼結体を1.T工S
で定められた5PGN 120308の形状で、刃先処
理として一般に行われているネガランド(以下N、Lと
呼ぶ)を施したスローアウェイチップに加工した。尚、
刃先処理の処理角度は25°、処理量はQ、lawとし
た。
得られた複数のチップを、下表に示す前処理液に浸漬又
は接触させた。前処理条件は、酸又はアルカリの水溶液
には50Cで10分間浸漬し、溶融NaOHの場合は固
体NaOHを600Cで加熱溶融したものに2分間接触
させた。前処理後、被覆層形成初期におけるダイヤモン
ド核の発生密度を向上させるため、3μm以下のダイヤ
モンドペーストでチップ全面を10分間傷付は処理した
。
は接触させた。前処理条件は、酸又はアルカリの水溶液
には50Cで10分間浸漬し、溶融NaOHの場合は固
体NaOHを600Cで加熱溶融したものに2分間接触
させた。前処理後、被覆層形成初期におけるダイヤモン
ド核の発生密度を向上させるため、3μm以下のダイヤ
モンドペーストでチップ全面を10分間傷付は処理した
。
次に、各チップを2.45GHzのμ被プラズマCVD
装置にセットし、1000 C&、;加熱し、全圧10
0torrとしたH−1,5%OHの混合プラズマ中に
4〜100時間保持して、チップの上面全体、逃げ面の
切れ刃近傍及びNL面にダイヤモンド被覆層を形成する
ことにより、本発明チップの試料1〜12を作製した。
装置にセットし、1000 C&、;加熱し、全圧10
0torrとしたH−1,5%OHの混合プラズマ中に
4〜100時間保持して、チップの上面全体、逃げ面の
切れ刃近傍及びNL面にダイヤモンド被覆層を形成する
ことにより、本発明チップの試料1〜12を作製した。
比較のため、上記と同一組成のSi N 基焼結体から
なる同一形状のスローアウェイチップで、上下面及び逃
げ面ともに研削した比較チップの試料1、並びにこれに
更にダイヤモンドペーストでチップ全面を30分間傷付
は処理した後、上記と同様にダイヤモンド被覆層を形成
した比較チップの試料2を準備した。
なる同一形状のスローアウェイチップで、上下面及び逃
げ面ともに研削した比較チップの試料1、並びにこれに
更にダイヤモンドペーストでチップ全面を30分間傷付
は処理した後、上記と同様にダイヤモンド被覆層を形成
した比較チップの試料2を準備した。
尚、形成したダイヤモンド被覆層については、ラマン分
光分析法によってダイヤモンドの特徴である1333c
m のピークを確認した。
光分析法によってダイヤモンドの特徴である1333c
m のピークを確認した。
得られた各チップについて、
被削材 : Al−14wt%S1合金の溝入り材切削
速度: 500m/min 送 リ = 0.2 rnrV′re
v切り込み:1.Qmm 切削時間:30分 の条件での乾式断続切削試験と、並びに被削材 : A
1.−17wt%81合金の丸棒材切削速度: 200
m/min 送 リ :0.4m与/reV切り込み
=1.0問 切削時間=5分 の条件での乾式連続切削試験を行い、切れ刃10個の平
均逃げ面摩耗量、及びダイヤモンド被MNの剥離発生切
れ刃数を測定した。
速度: 500m/min 送 リ = 0.2 rnrV′re
v切り込み:1.Qmm 切削時間:30分 の条件での乾式断続切削試験と、並びに被削材 : A
1.−17wt%81合金の丸棒材切削速度: 200
m/min 送 リ :0.4m与/reV切り込み
=1.0問 切削時間=5分 の条件での乾式連続切削試験を行い、切れ刃10個の平
均逃げ面摩耗量、及びダイヤモンド被MNの剥離発生切
れ刃数を測定した。
結果を下表に併せて示した。
上記の結果から、本発明チップはいずれも従来例である
比較チップより優れた耐摩耗性と耐剥離性を備えること
、特にフッ酸やフツ硝酸並びに溶融NaOHで処理した
本発明チップは他よりも優れていることが判る。
比較チップより優れた耐摩耗性と耐剥離性を備えること
、特にフッ酸やフツ硝酸並びに溶融NaOHで処理した
本発明チップは他よりも優れていることが判る。
本発明によれば、熱膨張係数がダイヤモンドに近いSi
N 基焼結体を基材とし、簡単な前処理によって基材
表面に密着強度に優れたダイヤモンド被覆層を形成する
ことが出来る。
N 基焼結体を基材とし、簡単な前処理によって基材
表面に密着強度に優れたダイヤモンド被覆層を形成する
ことが出来る。
従って、本発明によるダイヤモンド被覆硬質材料は、切
削工具としてAl−Si系合金の重切削においても良好
な耐摩耗性を示しミ長期間の使用が可能となるほか、耐
摩工具としてもダイヤモンド被覆層が剥離しにくく長期
間安定して使用出来る。
削工具としてAl−Si系合金の重切削においても良好
な耐摩耗性を示しミ長期間の使用が可能となるほか、耐
摩工具としてもダイヤモンド被覆層が剥離しにくく長期
間安定して使用出来る。
Claims (2)
- (1)窒化ケイ素を主成分とする焼結体からなる基材の
表面にダイヤモンド又はダイヤモンド状カーボンの被覆
層を形成するダイヤモンド被覆硬質材料の製造方法にお
いて、前記基材の表面を5重量%以上のフツ酸又はフツ
硝酸の水溶液、10重量%以上の前記酸以外の酸又はア
ルカリの水溶液、若しくは溶融水酸化ナトリウムに浸漬
若しくは接触させた後、該表面に前記被覆層を形成する
ことを特徴とする前記ダイヤモンド被覆硬質材料の製造
方法。 - (2)前記基材の表面を、前記いずれかの酸の水溶液と
、アルカリの水溶液又は溶融水酸化ナトリウムとに、順
番に浸漬又は接触させることを特徴とする、請求項(1
)記載のダイヤモンド被覆硬質材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33422890A JPH04202075A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | ダイヤモンド被覆硬質材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33422890A JPH04202075A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | ダイヤモンド被覆硬質材料の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04202075A true JPH04202075A (ja) | 1992-07-22 |
Family
ID=18274983
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33422890A Pending JPH04202075A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | ダイヤモンド被覆硬質材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04202075A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2686599A1 (fr) * | 1992-01-28 | 1993-07-30 | Ngk Spark Plug Co | Procede de production d'un article a base de nitrure de silicium, revetu avec un film de diamant ou d'une matiere similaire. |
| EP0700033A3 (en) * | 1994-08-26 | 1996-05-22 | Aiwa Co | Side-mounted thin film magnetic head and manufacturing process therefor |
| EP1138656A1 (en) | 2000-03-31 | 2001-10-04 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Silicon nitride member, method for manufacturing the same, and cutting tool |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP33422890A patent/JPH04202075A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2686599A1 (fr) * | 1992-01-28 | 1993-07-30 | Ngk Spark Plug Co | Procede de production d'un article a base de nitrure de silicium, revetu avec un film de diamant ou d'une matiere similaire. |
| EP0700033A3 (en) * | 1994-08-26 | 1996-05-22 | Aiwa Co | Side-mounted thin film magnetic head and manufacturing process therefor |
| US5777824A (en) * | 1994-08-26 | 1998-07-07 | Aiwa Research And Development, Inc. | Side-disposed thin film magnetic head and method of fabrication thereof |
| EP1138656A1 (en) | 2000-03-31 | 2001-10-04 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Silicon nitride member, method for manufacturing the same, and cutting tool |
| US6863963B2 (en) | 2000-03-31 | 2005-03-08 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Silicon nitride member, method for manufacturing the same, and cutting tool |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5363445B2 (ja) | 切削工具 | |
| EP0503822B2 (en) | A diamond- and/or diamond-like carbon-coated hard material | |
| US5855974A (en) | Method of producing CVD diamond coated scribing wheels | |
| CN105579171B (zh) | 被覆切削工具 | |
| KR101503128B1 (ko) | 표면 피복 절삭 공구 | |
| JPH0892742A (ja) | マトリクス複合体およびその表面の準備方法 | |
| EP0504424B1 (en) | Hard material clad with diamond, throwaway chip, and method of making said material and chip | |
| JPH04202075A (ja) | ダイヤモンド被覆硬質材料の製造方法 | |
| JPS61109628A (ja) | ダイヤモンド被覆工具 | |
| JPH05311442A (ja) | ダイヤモンド薄膜形成法 | |
| JP2002275571A (ja) | cBN基焼結体およびその被覆工具 | |
| JP2987955B2 (ja) | ダイヤモンドまたはダイヤモンド状炭素被覆硬質材料 | |
| JP3643639B2 (ja) | 超硬合金構造体、その製造方法及びそれを用いた切削工具 | |
| JP2964669B2 (ja) | 窒化ホウ素被覆硬質材料 | |
| JP2987956B2 (ja) | ダイヤモンドまたはダイヤモンド状炭素被覆硬質材料 | |
| JPH0920590A (ja) | ダイヤモンド膜付き超硬基材の製造方法 | |
| JP2595203B2 (ja) | 高密着性ダイヤモンド被覆焼結合金及びその製造方法 | |
| JP2844934B2 (ja) | 気相合成ダイヤモンド被覆切削工具の製造法 | |
| JP3572722B2 (ja) | 被覆硬質合金工具 | |
| JP7634667B2 (ja) | 被覆工具および切削工具 | |
| JPS63306805A (ja) | ダイヤモンド被覆切削工具 | |
| JPH0354180A (ja) | ダイヤモンド被覆焼結体の製造法 | |
| JP3422029B2 (ja) | 窒化ホウ素被覆硬質材料およびその製造法 | |
| JP2803379B2 (ja) | 気相合成ダイヤモンド被覆切削工具の製造法 | |
| JP2987963B2 (ja) | 窒化ホウ素被覆硬質材料 |