JPH04202664A - 薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成方法Info
- Publication number
- JPH04202664A JPH04202664A JP33525990A JP33525990A JPH04202664A JP H04202664 A JPH04202664 A JP H04202664A JP 33525990 A JP33525990 A JP 33525990A JP 33525990 A JP33525990 A JP 33525990A JP H04202664 A JPH04202664 A JP H04202664A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lamp
- thin film
- substrate
- reaction chamber
- cvd
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は薄膜形成方法、殊にＣＶＤ （化学気相堆積）
法による薄膜形成方法に関する。
法による薄膜形成方法に関する。
［従来の技術］
ＣＶＤ （化学気相堆積）法による薄膜形成方法には、
エネルギーの供給方法の違いから熱ＣｖＤ、プラズマＣ
ＶＤ等種々の方法かあるか、例えば熱ＣＶＤの場合、第
３図のように反応室１０と、この反応室１０に原料ガス
を供給する原料ガス供給部］１と、反応室１０を真空に
すべく排気するためのポンプ部１２とを有する装置によ
り行われ、反応室１０内のヒーター３（抵抗加熱ヒータ
、赤外加熱ランプ等）上に薄膜か形成されるべき基板１
４を置き、反応室１０内を真空状態にして原料ガス供給
部１１から原石ガスを反応室１０内に送り、ヒーター３
て基板１４を加熱すると、原料ガスが化学反応して分解
して特定成分か基板１４上に膜として固定される。
エネルギーの供給方法の違いから熱ＣｖＤ、プラズマＣ
ＶＤ等種々の方法かあるか、例えば熱ＣＶＤの場合、第
３図のように反応室１０と、この反応室１０に原料ガス
を供給する原料ガス供給部］１と、反応室１０を真空に
すべく排気するためのポンプ部１２とを有する装置によ
り行われ、反応室１０内のヒーター３（抵抗加熱ヒータ
、赤外加熱ランプ等）上に薄膜か形成されるべき基板１
４を置き、反応室１０内を真空状態にして原料ガス供給
部１１から原石ガスを反応室１０内に送り、ヒーター３
て基板１４を加熱すると、原料ガスが化学反応して分解
して特定成分か基板１４上に膜として固定される。
また第４図のようにヒーター５を反応室１０の外部に配
置したものもある。
置したものもある。
［発明か解決しようとする課題］
しかしこのような基板の加熱方法は間接加熱方式であり
熱効率がよくない。またガラス等の熱線を透過する基板
の場合熱効率か悪い。
熱効率がよくない。またガラス等の熱線を透過する基板
の場合熱効率か悪い。
さらに、平らな板状の基板の場合は基板上において成る
程度均一な温度分布か得られるか、しかし球形ないし球
形に近い形状をしたランプ外管等の外表面に薄膜を形成
するような場合、ランプの外管は曲面を有した立体であ
るため均一に加熱することかてきず、そのためランプ外
管の外表面に形成される薄膜の膜厚か均一にならない等
の欠点かあった。
程度均一な温度分布か得られるか、しかし球形ないし球
形に近い形状をしたランプ外管等の外表面に薄膜を形成
するような場合、ランプの外管は曲面を有した立体であ
るため均一に加熱することかてきず、そのためランプ外
管の外表面に形成される薄膜の膜厚か均一にならない等
の欠点かあった。
本発明はランプの外管を熱効率よく加熱し、均一な膜厚
の薄膜を形成てきるようにしたＣＶＤ法による薄膜形成
方法を提供することを目的としている。
の薄膜を形成てきるようにしたＣＶＤ法による薄膜形成
方法を提供することを目的としている。
［課題を解決する為の手段］
この目的を達成させるために、この発明は、次のような
構成としている。すなわち、ランプ外管の外表面にＣＶ
Ｄ法により薄膜を形成する薄膜形成方法において、基板
であるランプ自体を点灯加熱してその外管の外表面に薄
膜を形成するように構成しであるものである。
構成としている。すなわち、ランプ外管の外表面にＣＶ
Ｄ法により薄膜を形成する薄膜形成方法において、基板
であるランプ自体を点灯加熱してその外管の外表面に薄
膜を形成するように構成しであるものである。
［作用コ
基板であるランプ自体か点灯しそれによりランプ外管が
加熱されるので、曲面状のランプ外管での温度分布が均
一になりランプ外管の外表面に均一な膜厚のＮ膜か形成
される。
加熱されるので、曲面状のランプ外管での温度分布が均
一になりランプ外管の外表面に均一な膜厚のＮ膜か形成
される。
［実施例コ
第１図において、反応室１内に薄膜か形成されるべき複
数個のランプ２か配置され、各ランプ２はランプ用制御
電源３に接続されている。反応室１には反応室１に原料
ガスを供給する原料ガス供給部４と、反応室１を真空に
すべく排気するためのポンプ部５とが接続されている。
数個のランプ２か配置され、各ランプ２はランプ用制御
電源３に接続されている。反応室１には反応室１に原料
ガスを供給する原料ガス供給部４と、反応室１を真空に
すべく排気するためのポンプ部５とが接続されている。
ポンプ部５により反応室１内を減圧し、原料ガス供給部
４から原料ガス、例えば塩化チタン及び反応ガスとして
酸素を反応室１に送るとともに、ランプ２を点灯してラ
ンプ外管を加熱すると、反応室１内に供給されたガス（
塩化チタン）は化学反応により分解し特定成分（原料ガ
スが塩化チタンの場合酸化チタン）がランプ外管の外表
面に層状に堆積し薄膜を形成する。
４から原料ガス、例えば塩化チタン及び反応ガスとして
酸素を反応室１に送るとともに、ランプ２を点灯してラ
ンプ外管を加熱すると、反応室１内に供給されたガス（
塩化チタン）は化学反応により分解し特定成分（原料ガ
スが塩化チタンの場合酸化チタン）がランプ外管の外表
面に層状に堆積し薄膜を形成する。
ランプ２の加熱温度はランプ用制御電源３からの供給電
力を制御することにより自由に制御でき、原料ガスの種
類その他の諸条件に合わせて容易にランプ外管の温度を
最適反応温度にすることかできる。例えば第２図に５０
０ＷのハロゲンランプＡと２５０ＷのハロゲンランプＢ
を使用してランプ電力とランプの外管の温度との関係を
表示する。
力を制御することにより自由に制御でき、原料ガスの種
類その他の諸条件に合わせて容易にランプ外管の温度を
最適反応温度にすることかできる。例えば第２図に５０
０ＷのハロゲンランプＡと２５０ＷのハロゲンランプＢ
を使用してランプ電力とランプの外管の温度との関係を
表示する。
ガスの反応最適温度はガスの種類やＣＶＤ法の種類によ
り異なるか、通常３００〜９００°Ｃの範囲にあること
か多く、その範囲内ては十分制御可能である。
り異なるか、通常３００〜９００°Ｃの範囲にあること
か多く、その範囲内ては十分制御可能である。
基板として使用てきるランプとしては、ハロゲンランプ
等の白熱ランプ、水銀灯等の放電灯等その種類を問わな
い。
等の白熱ランプ、水銀灯等の放電灯等その種類を問わな
い。
尚、反応室１の外部に補助ヒータ６を設置してもよい。
こうすると反応室１内の基板周辺の雰囲気温度が安定し
、基板温度のより精度の高い制御がてきる。またランプ
の種類により点灯時の加熱温度が低いランプの補助加熱
源となる。
、基板温度のより精度の高い制御がてきる。またランプ
の種類により点灯時の加熱温度が低いランプの補助加熱
源となる。
本発明の薄膜形成方法は、熱ＣＶＤに限らず、プラズマ
ＣＶＤ、％圧ＣＶＤその他いずれの方式によるＣＶＤ法
にも適用できる。
ＣＶＤ、％圧ＣＶＤその他いずれの方式によるＣＶＤ法
にも適用できる。
［発明の効果］
この発明はランプ外管の外表面にＣＶＤ法により薄膜を
形成する薄膜形成方法において、基板であるランプ自体
を点灯加熱してその外管の外表面に薄膜を形成するよう
にしたので、直接加熱方式となり熱効率かよい。またラ
ンプ自体を点灯加熱するので球形ないし球形に近い形状
をしたランプ外管の外表面の温度分布が均一となり、ラ
ンプ外管の外表面に均一な膜厚の薄膜を形成できる等の
利点がある。
形成する薄膜形成方法において、基板であるランプ自体
を点灯加熱してその外管の外表面に薄膜を形成するよう
にしたので、直接加熱方式となり熱効率かよい。またラ
ンプ自体を点灯加熱するので球形ないし球形に近い形状
をしたランプ外管の外表面の温度分布が均一となり、ラ
ンプ外管の外表面に均一な膜厚の薄膜を形成できる等の
利点がある。
第１図はこの発明方法の一実施例を説明する図、第２図
はランプ電力とランプの外管の温度との関係を示すグラ
フ、第３及び４図はＣＶＤ法による従来の薄膜形成方法
を説明する図である。 １・・・反応室、２・・・ランプ、３・・・ランプ用制
御電源、４・・・原料ガス供給部、５ポンプ部、６・・
・補助ヒータ。
はランプ電力とランプの外管の温度との関係を示すグラ
フ、第３及び４図はＣＶＤ法による従来の薄膜形成方法
を説明する図である。 １・・・反応室、２・・・ランプ、３・・・ランプ用制
御電源、４・・・原料ガス供給部、５ポンプ部、６・・
・補助ヒータ。
Claims (1)
- １．ランプ外管の外表面にＣＶＤ法により薄膜を形成す
る薄膜形成方法において、基板であるランプ自体を点灯
加熱してその外管の外表面に薄膜を形成することを特徴
とする薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33525990A JPH04202664A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33525990A JPH04202664A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 薄膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04202664A true JPH04202664A (ja) | 1992-07-23 |
Family
ID=18286523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33525990A Pending JPH04202664A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04202664A (ja) |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP33525990A patent/JPH04202664A/ja active Pending
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