JPH04204308A - 位置検出装置 - Google Patents
位置検出装置Info
- Publication number
- JPH04204308A JPH04204308A JP2339904A JP33990490A JPH04204308A JP H04204308 A JPH04204308 A JP H04204308A JP 2339904 A JP2339904 A JP 2339904A JP 33990490 A JP33990490 A JP 33990490A JP H04204308 A JPH04204308 A JP H04204308A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diffracted light
- physical optical
- distance
- amount
- optical elements
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は位置検出装置に関し、例えば半導体素子製造用
の露光装置において、マスクやレチクル(以下「マスク
」という。)等の第1物体面上に形成されている微細な
電子回路パターンをウェハ等の第2物体面上に露光転写
する際にマスクとウェハとの相対的な位置決め(アライ
メント)を行う場合に好適な位置検出装置に関するもの
である。
の露光装置において、マスクやレチクル(以下「マスク
」という。)等の第1物体面上に形成されている微細な
電子回路パターンをウェハ等の第2物体面上に露光転写
する際にマスクとウェハとの相対的な位置決め(アライ
メント)を行う場合に好適な位置検出装置に関するもの
である。
(従来の技術)
従来より半導体製造用の露光装置においては、マスクと
ウェハの相対的な位置合わせは性能向上を図る為の重要
な一要素となっている。特に最近の露光装置における位
置合わせにおいては、半導体素子の高集積化の為に、例
えばサブミクロン以下の位置合わせ精度を有するものが
要求されている。
ウェハの相対的な位置合わせは性能向上を図る為の重要
な一要素となっている。特に最近の露光装置における位
置合わせにおいては、半導体素子の高集積化の為に、例
えばサブミクロン以下の位置合わせ精度を有するものが
要求されている。
多くの位置合わせ装置においては、マスク及びウニ八面
上に位置合わせ用の所謂アライメントパターンを設け、
それらより得られる位置情報を利用して、双方のアライ
メントを行っている。このときのアライメント方法とし
ては、例えば双方のアライメントパターンのずれ量を画
像処理を行うことにより検出したり、又は米国特許第4
037969号や特開昭56−157033号公報て提
案されているようにアライメントパターンとしてゾーン
プレートを用い該ゾーンプレートに光束を照射し、この
ときゾーンプレートから射出した光束の所定面上におけ
る集光点位置を検出すること等により行っている。
上に位置合わせ用の所謂アライメントパターンを設け、
それらより得られる位置情報を利用して、双方のアライ
メントを行っている。このときのアライメント方法とし
ては、例えば双方のアライメントパターンのずれ量を画
像処理を行うことにより検出したり、又は米国特許第4
037969号や特開昭56−157033号公報て提
案されているようにアライメントパターンとしてゾーン
プレートを用い該ゾーンプレートに光束を照射し、この
ときゾーンプレートから射出した光束の所定面上におけ
る集光点位置を検出すること等により行っている。
一般にゾーンプレートを利用したアライメント方法は、
単なるアライメントパターンを用いた方法に比べてアラ
イメントパターンの欠損に影響されずに比較的高精度の
アライメントが出来る特長がある。
単なるアライメントパターンを用いた方法に比べてアラ
イメントパターンの欠損に影響されずに比較的高精度の
アライメントが出来る特長がある。
第6図はゾーンプレートを利用した従来の位置合わせ装
置の概略図である。
置の概略図である。
同図において光源72から射出した平行光束はハーフミ
ラ−74を通過後、集光レンズ76て集光点78に集光
された後、マスク68面上のマスクアライメントパター
ン68a及び支持台62に載置したウェハ60面上のウ
ェハアライメントパターン60aを照射する。これらの
アライメントハ’;t−ン68 a、 60 aは反
射型のゾーンプレートより構成され、各々集光点78を
含む光軸と直交する平面上に集光点を形成する。このと
きの平面上の集光点位置のずれ量を集光レンズ76とレ
ンズ80により検出面82上に導光して検出している。
ラ−74を通過後、集光レンズ76て集光点78に集光
された後、マスク68面上のマスクアライメントパター
ン68a及び支持台62に載置したウェハ60面上のウ
ェハアライメントパターン60aを照射する。これらの
アライメントハ’;t−ン68 a、 60 aは反
射型のゾーンプレートより構成され、各々集光点78を
含む光軸と直交する平面上に集光点を形成する。このと
きの平面上の集光点位置のずれ量を集光レンズ76とレ
ンズ80により検出面82上に導光して検出している。
そして検出器82からの出力信号に基ついて制御回路8
4により駆動回路64を駆動させてマスク68とウェハ
60の相対的な位置決めを行フている。
4により駆動回路64を駆動させてマスク68とウェハ
60の相対的な位置決めを行フている。
第7図は第6図に示したマスクアライメントパターン6
8aとウェハアライメントパターン60aからの光束の
結像関係を示した説明図である。
8aとウェハアライメントパターン60aからの光束の
結像関係を示した説明図である。
同図において集光点78から発散した光束はマスクアラ
イメントパターン68aよりその一部の光束が回折し、
集光点78近傍にマスク位置を示す集光点78aを形成
する。又、その他の一部の光束はマスク68を0次透過
光として透過し、波面を変えずにウェハ60面上のウェ
ハアライメントパターン60aに入射する。このとき光
束はウェハアライメントパターン60aにより回折され
た後、再ひマスク68を0次透過光として透過し、集光
点78近傍に集光しウェハ位置をあられす集光点78b
を形成する。同図においてはウェハ6oにより回折され
た光束か集光点を形成する際には、マスク68は単なる
素通し状態としての作用をする。
イメントパターン68aよりその一部の光束が回折し、
集光点78近傍にマスク位置を示す集光点78aを形成
する。又、その他の一部の光束はマスク68を0次透過
光として透過し、波面を変えずにウェハ60面上のウェ
ハアライメントパターン60aに入射する。このとき光
束はウェハアライメントパターン60aにより回折され
た後、再ひマスク68を0次透過光として透過し、集光
点78近傍に集光しウェハ位置をあられす集光点78b
を形成する。同図においてはウェハ6oにより回折され
た光束か集光点を形成する際には、マスク68は単なる
素通し状態としての作用をする。
このようにして形成されたウェハアライメントパターン
60aによる集光点78bの位置は、ウェハ60のマス
ク68に対するずれ量Δσに范じて集光点78を含む光
軸と直交する平面に沿って該ずれ量Δ0に対応した量の
ずれ量Δσ′として形成される。
60aによる集光点78bの位置は、ウェハ60のマス
ク68に対するずれ量Δσに范じて集光点78を含む光
軸と直交する平面に沿って該ずれ量Δ0に対応した量の
ずれ量Δσ′として形成される。
従来はこのときのずれ量Δ0′を検比しマスク68とウ
ェハ60との位置合わせを行っていた。
ェハ60との位置合わせを行っていた。
(発明が解決しようとする課題)
第6図に示す位置合わせ装置においてはマスクとウェハ
の間隔gについて成る量の不確定量が伴い、それにより
例えば次のような問題点があった。
の間隔gについて成る量の不確定量が伴い、それにより
例えば次のような問題点があった。
ずれ量Δσ′がずれ量Δσと間隔gの両方の1に依存す
る量であるため、1つのずれ量Δ0′に対して幾組もの
ずれ量ΔOと間隔gの組か対応してくる。この為、仮に
集光点78aの位置で合致状態を検出しようとする場合
、非合焦時、例えば集光点78bの位置に光束か集光し
ていたとするとずれ量Δa′の値を正確に測定したとし
ても、ずれ量Δσか正確に決まらない。この為、1回の
位置合わせ動作ですむところ、2回、3回と行う必要が
起りスループットが低下してくる。
る量であるため、1つのずれ量Δ0′に対して幾組もの
ずれ量ΔOと間隔gの組か対応してくる。この為、仮に
集光点78aの位置で合致状態を検出しようとする場合
、非合焦時、例えば集光点78bの位置に光束か集光し
ていたとするとずれ量Δa′の値を正確に測定したとし
ても、ずれ量Δσか正確に決まらない。この為、1回の
位置合わせ動作ですむところ、2回、3回と行う必要が
起りスループットが低下してくる。
本発明はマスク等の第1物体とウェハ等の第2物体との
位置検出の際に発生する誤差要因を解決し、高精度にし
かも容易に位置合わせを行なうことのできる簡易な構成
の位置検出装置の提供を目的とする。
位置検出の際に発生する誤差要因を解決し、高精度にし
かも容易に位置合わせを行なうことのできる簡易な構成
の位置検出装置の提供を目的とする。
(課題を解決するための手段)
本発明は第1物体と第2物体の相対的な面内の位置すれ
量(以下単に「ずれ量」ともいう。)を求めると共に同
時に間隔も求め、第1物体と第2物体の位置検出を高精
度に求めるようにしたことを特徴としている。
量(以下単に「ずれ量」ともいう。)を求めると共に同
時に間隔も求め、第1物体と第2物体の位置検出を高精
度に求めるようにしたことを特徴としている。
特に本発明では、第1物体面上と第2物体面上に各々物
理光学素子を設け、これらの物理光学素子に入射させた
光束の所定面上に生する所定次数の回折光束の位置情報
を検出手段で検出することにより該第1物体と第2物体
との相対的な位置検出を行う際、該第1物体と該第2物
体との相対的な間隔gにおける相対的なずれ量Wと、該
検出手段で検出される位置情報yとの関係を実験的に求
めて記録した記録手段を参照して、該検出手段により所
定面上に生ずる少なくとも3つの回折光束の各回折光束
間のうち該第1物体と該第2物体との相対的なずれ量W
と相対的な間隔gの双方に関係する回折光束間の値を少
なくとも2つ検出し、該検出手段からの出力信号を用い
て演算手段によりずれ量Wと間隔gを求めたことを特徴
としている。
理光学素子を設け、これらの物理光学素子に入射させた
光束の所定面上に生する所定次数の回折光束の位置情報
を検出手段で検出することにより該第1物体と第2物体
との相対的な位置検出を行う際、該第1物体と該第2物
体との相対的な間隔gにおける相対的なずれ量Wと、該
検出手段で検出される位置情報yとの関係を実験的に求
めて記録した記録手段を参照して、該検出手段により所
定面上に生ずる少なくとも3つの回折光束の各回折光束
間のうち該第1物体と該第2物体との相対的なずれ量W
と相対的な間隔gの双方に関係する回折光束間の値を少
なくとも2つ検出し、該検出手段からの出力信号を用い
て演算手段によりずれ量Wと間隔gを求めたことを特徴
としている。
例えば該第1物体と該第2物体との既知の相対的な間隔
gと既知の相対的なずれ量Wにおける検出手段で得られ
る位置情報yとを多数の間隔g、ずれ量Wとの組み合わ
せにおいて実験的に求めておき、これら3つの要素g、
w、yに関する一般式(実験式)を求め、記録手段に記
録しておく。
gと既知の相対的なずれ量Wにおける検出手段で得られ
る位置情報yとを多数の間隔g、ずれ量Wとの組み合わ
せにおいて実験的に求めておき、これら3つの要素g、
w、yに関する一般式(実験式)を求め、記録手段に記
録しておく。
そして検出手段から得られた出力信号よりずれ量Wと間
隔gを求める際に記録手段に記録しておいた一般式を用
いて求めるようにしている。
隔gを求める際に記録手段に記録しておいた一般式を用
いて求めるようにしている。
(実施例)
第1図は本発明の第1実施例の要部概略図、第2図は第
1図の各光束の光路を模式的に展開したときの要部概略
図である。
1図の各光束の光路を模式的に展開したときの要部概略
図である。
第1.第2図においてIllは不図示の半導体レーザ又
はSLD又はX線源等からの光束であり、マスク等の第
1物体1面上の後述する物理光学素子zl、z3に角度
θで入射している。2はウェハ等の第2物体であり、第
1物体1と間隔g隔てて対向配置されている。Wは第1
物体1と第2物体2との相対的なずれ量を示している。
はSLD又はX線源等からの光束であり、マスク等の第
1物体1面上の後述する物理光学素子zl、z3に角度
θで入射している。2はウェハ等の第2物体であり、第
1物体1と間隔g隔てて対向配置されている。Wは第1
物体1と第2物体2との相対的なずれ量を示している。
zl、z3は各々第1物体1面上に設けた透過型の第1
.第3物理光学素子であり、光束11は物理光学素子z
l、z3に入射している。z2゜z4は第2物体2面上
に設けた反射型(第2図では透過型として示している。
.第3物理光学素子であり、光束11は物理光学素子z
l、z3に入射している。z2゜z4は第2物体2面上
に設けた反射型(第2図では透過型として示している。
)の第2.第4物理光学素子て、これらの物理光学素子
21〜Z4は例えば回折格子やゾーンプレート等から成
っている。
21〜Z4は例えば回折格子やゾーンプレート等から成
っている。
第3図に本実施例に係る第1物体1と第2物体2面上の
物理光学素子のパターン例を示す。
物理光学素子のパターン例を示す。
物理光学素子21〜z4はレンズ作用を有しその焦点距
離は各々f1〜f4である。
離は各々f1〜f4である。
IL2〜it9は各々物理光学素子からの所定次数の回
折光、3は検出手段で例えばラインセンサやエリアセン
サ等のセンサで第1物体1から距離したけ離れた位置に
配置されている。at、C2は各々物理光学素子zl、
z3の光軸であり、このうち光軸a1と光軸a2との間
は距離りだけ離れている。
折光、3は検出手段で例えばラインセンサやエリアセン
サ等のセンサで第1物体1から距離したけ離れた位置に
配置されている。at、C2は各々物理光学素子zl、
z3の光軸であり、このうち光軸a1と光軸a2との間
は距離りだけ離れている。
点C1〜C4はそれぞれ回折光j23. It5゜It
7.μ9のセンサ3面上の光束重心位置である。このう
ち点CI、C2は光軸a1から各々距離yl、y2jl
lれたところの点であり、点C3゜C4は光軸a2から
各々距離y3.y411fれた位置を示している。
7.μ9のセンサ3面上の光束重心位置である。このう
ち点CI、C2は光軸a1から各々距離yl、y2jl
lれたところの点であり、点C3゜C4は光軸a2から
各々距離y3.y411fれた位置を示している。
尚、ここで光束重心とは便宜上光束断面内に於て、断面
円各点からの位置ベクトルにその点の光量を乗算したも
のを断面全面で積分したときに、積分値が0ベクトルに
なる点を示している。
円各点からの位置ベクトルにその点の光量を乗算したも
のを断面全面で積分したときに、積分値が0ベクトルに
なる点を示している。
4は演算手段としての信号処理回路であり、センサ3か
らの情報により、光束u3.j25゜I17,19の光
束重心を求めている。
らの情報により、光束u3.j25゜I17,19の光
束重心を求めている。
このとき本実施例では第1物体と第2物体との間隔がg
のときのすれ量Wに対する所定次数の回折光のセンサ3
面上への入射位置情報yとの関係を実験的に種々のケー
スにおいて求め一般式を作成する。そしてこのときの−
数式を例えば演算手段4の一部に設けた記録手段又は外
部に設けた言己録手段(不図示)に記録しておく。そし
て位置情報である距離y1〜y’1.Dと記録手段に記
録している。
のときのすれ量Wに対する所定次数の回折光のセンサ3
面上への入射位置情報yとの関係を実験的に種々のケー
スにおいて求め一般式を作成する。そしてこのときの−
数式を例えば演算手段4の一部に設けた記録手段又は外
部に設けた言己録手段(不図示)に記録しておく。そし
て位置情報である距離y1〜y’1.Dと記録手段に記
録している。
一般式とを用いて第1物体1と第2物体2との位置ずれ
量Wと間隔gを求めている。5は制御回路であり、信号
処理回路4からの位置ずれ量Wと間隔gに関する情報に
従って第1物体1と第2物体2との位置ずれ量Wと間隔
gを制御している。
量Wと間隔gを求めている。5は制御回路であり、信号
処理回路4からの位置ずれ量Wと間隔gに関する情報に
従って第1物体1と第2物体2との位置ずれ量Wと間隔
gを制御している。
6はステージコントローラであり、第2物体2□ を搭
載している不図示のステージを制御回路5からの指令に
従って駆動している。
載している不図示のステージを制御回路5からの指令に
従って駆動している。
本実施例では光源からの光束ρ1は第1物体1面上の物
理光学素子zl、z3に各々入射している。このうち物
理光学素子z1に入射した光束J21のうち物理光学素
子z1で生じた1次回折光J22は物理光学素子Z2に
入射する。そして位置ずれ量Wに応じて回折方向が異な
る1次回折光fL3が発生する。回折光13は物理光学
素子z1をO次回折光としてそのまま通過する。該回折
光j23はセンサ3面上の光軸a1から距離yt離れた
位置に結像する。センサ3と第1物体1との距離は一定
値しなので距離y1の値は間隔gと位置ずれ量Wに依存
する量となっている。
理光学素子zl、z3に各々入射している。このうち物
理光学素子z1に入射した光束J21のうち物理光学素
子z1で生じた1次回折光J22は物理光学素子Z2に
入射する。そして位置ずれ量Wに応じて回折方向が異な
る1次回折光fL3が発生する。回折光13は物理光学
素子z1をO次回折光としてそのまま通過する。該回折
光j23はセンサ3面上の光軸a1から距離yt離れた
位置に結像する。センサ3と第1物体1との距離は一定
値しなので距離y1の値は間隔gと位置ずれ量Wに依存
する量となっている。
一方、物理光学素子Z1で回折作用を受けずに0次回折
光として通過した光束j21は物理光学素子Z2に入射
する。そして物理光学素子z2で1次の回折作用を受け
た1次回折光に4は物理光学素子z1に再入射する。そ
して位置ずれ量Wに応じて回折方向か異なる1次回折光
15が発生する。1次回折光、I25はセンサ3面上の
光軸a1から距My2離れた位置に結像する。
光として通過した光束j21は物理光学素子Z2に入射
する。そして物理光学素子z2で1次の回折作用を受け
た1次回折光に4は物理光学素子z1に再入射する。そ
して位置ずれ量Wに応じて回折方向か異なる1次回折光
15が発生する。1次回折光、I25はセンサ3面上の
光軸a1から距My2離れた位置に結像する。
物理光学素子Z3に入射した光束11からは物理光学素
子z1に入射した光束、Ctと同様な回折光16〜19
が発生し、このうち回折光f7゜19はそれぞれセンサ
3面上の光軸a2から距離y3.y411れた位置に各
々結像する。4は演算手段としての信号処理回路であり
、センサ3から読み込んだ情報からまず光束IL3.J
25.u7゜j29の光束重心位置CI、C2,C3,
C4を求めた後、点CIと点04間の間隔D14、点C
2と点C3間の間隔D23を算出する。間隔D14と間
隔D23の値を後述する各式の関係を利用して第1物体
1と第2物体2との位置ずれfiWと間隔gを求めてい
る。
子z1に入射した光束、Ctと同様な回折光16〜19
が発生し、このうち回折光f7゜19はそれぞれセンサ
3面上の光軸a2から距離y3.y411れた位置に各
々結像する。4は演算手段としての信号処理回路であり
、センサ3から読み込んだ情報からまず光束IL3.J
25.u7゜j29の光束重心位置CI、C2,C3,
C4を求めた後、点CIと点04間の間隔D14、点C
2と点C3間の間隔D23を算出する。間隔D14と間
隔D23の値を後述する各式の関係を利用して第1物体
1と第2物体2との位置ずれfiWと間隔gを求めてい
る。
制御回路5は信号処理回路4からの位置ずれ量Wと間隔
gに関する情報に従ってステージコントローラ6を駆動
”させて、所定の位置へ第2物体2を移動させている。
gに関する情報に従ってステージコントローラ6を駆動
”させて、所定の位置へ第2物体2を移動させている。
尚本実施例において回折光は1次回折光に限らす2次以
上の高次回折光を用いても同様の効果を得ることができ
る。
上の高次回折光を用いても同様の効果を得ることができ
る。
本実施例では光源、センサ等を一箇所に集合させて構成
することかできる為、光プローブが小型化され、又露光
時の光プローブの移動が不要の為、スルーブツトがより
向上する等の特長を有している。
することかできる為、光プローブが小型化され、又露光
時の光プローブの移動が不要の為、スルーブツトがより
向上する等の特長を有している。
次に本実施例において第1物体1と第2物体2との位置
ずれ量Wと間隔gの求め方について第2図を参照して説
明する。
ずれ量Wと間隔gの求め方について第2図を参照して説
明する。
第2図において回折光13を発生するレンズ系では光束
に1がレンズ作用の働きをする物理光学素子zl、z2
を通り点C1に入射する。このとき回折光I13の光束
重心C1までの距離y1は第1物体1と第2物体2との
すれ量Wと間隔gによフて決まる量であり、一般に :!/1=F1 (W、g) −・・・・・・・
・・・・(1)のように表わされる。
に1がレンズ作用の働きをする物理光学素子zl、z2
を通り点C1に入射する。このとき回折光I13の光束
重心C1までの距離y1は第1物体1と第2物体2との
すれ量Wと間隔gによフて決まる量であり、一般に :!/1=F1 (W、g) −・・・・・・・
・・・・(1)のように表わされる。
他の3つのレンズ系においても同様に距離y2.y3.
y4はずれ量Wと間隔gによって決まる量であり y2=F2 (W、g) ・・・・・・・・・・
−(2)y3=F3 (W、g) ・・・・・・
・・・・−(3)y4=F4 (w、g) ・・
・・・・・・・・・・(4)のように表わされる。
y4はずれ量Wと間隔gによって決まる量であり y2=F2 (W、g) ・・・・・・・・・・
−(2)y3=F3 (W、g) ・・・・・・
・・・・−(3)y4=F4 (w、g) ・・
・・・・・・・・・・(4)のように表わされる。
以上のように距11fyl〜y4を表わした場合、点C
1と点03間の間隔D13と点C2と点C4間の間隔D
24を用いると、次のようにすれ量Wと間隔gに依存す
る量Yl、Y2を表わすことができる。
1と点03間の間隔D13と点C2と点C4間の間隔D
24を用いると、次のようにすれ量Wと間隔gに依存す
る量Yl、Y2を表わすことができる。
Yl−yl+y3−D13−D−F1+F3−F5 (
Jg)Y2−、y2+y4−D24−D−F2+F4・
F6 (W、g)即ち、 Y1=F5 (W、g) ・・・・・・・・・・
・・(5)Y2=F6 (W、g) ++・・
・・・・・・・・(6)一般に未知数が2つある場合、
未知数を含む式か2つあれば未知数の解を求めることが
できる。
Jg)Y2−、y2+y4−D24−D−F2+F4・
F6 (W、g)即ち、 Y1=F5 (W、g) ・・・・・・・・・・
・・(5)Y2=F6 (W、g) ++・・
・・・・・・・・(6)一般に未知数が2つある場合、
未知数を含む式か2つあれば未知数の解を求めることが
できる。
即ち
A=01 (W、g) ・・・・・・・・
・−(7)B=02 (W、g> ’−・・
・・・・・・・・・(8)のような2つの関係式か用意
できればA、Bの量を計測等により求めることにより2
つの未知数W9gの値を求めることかできる。
・−(7)B=02 (W、g> ’−・・
・・・・・・・・・(8)のような2つの関係式か用意
できればA、Bの量を計測等により求めることにより2
つの未知数W9gの値を求めることかできる。
前述の(1)式を具体的にw、gで例えば近軸の幾何光
学的に表わすと次のようになる。第2図より y 1 :W=L+2g−f 1 :
f 1−gこれより となる。他の(2) 、 (3) 、 (4)式も同様
にしてとなる。以上の関係式を基に(5) 、 (6)
式を具体的に表わすと となる。(13) 、 (14)式に於て間隔りは光軸
a1と光軸a2の間隔て既知であり、間隔D13と間隔
D24は計測により具体的に値を求めることができるの
で、(13) 、 (14)式からずれ量Wと間隔gの
値を求めることができる。(13) 、 (14)式か
らずれ量Wを消去すれば間隔gの3次方程式が得られ、
この式からパソコン等により容易にずれ量Wと間隔gが
求まる。
学的に表わすと次のようになる。第2図より y 1 :W=L+2g−f 1 :
f 1−gこれより となる。他の(2) 、 (3) 、 (4)式も同様
にしてとなる。以上の関係式を基に(5) 、 (6)
式を具体的に表わすと となる。(13) 、 (14)式に於て間隔りは光軸
a1と光軸a2の間隔て既知であり、間隔D13と間隔
D24は計測により具体的に値を求めることができるの
で、(13) 、 (14)式からずれ量Wと間隔gの
値を求めることができる。(13) 、 (14)式か
らずれ量Wを消去すれば間隔gの3次方程式が得られ、
この式からパソコン等により容易にずれ量Wと間隔gが
求まる。
尚、本実施例において第1〜第4物理光学素子21〜Z
4の焦点路11fl〜f4は次式を満足するように設定
されている。
4の焦点路11fl〜f4は次式を満足するように設定
されている。
f3+g L+g f4
又は、
の如く設定されている。
一方、前述の(9)〜(12)式は近軸の幾何光学的に
取り扱うことができる精度の範囲内で成立する。しかし
ながら、例えば位置合わせ績度力10.01μm程度に
なると検出系の収差、レンズ加工時の製作誤差、組立調
整時の誤差、そして経年変化による半導体レーザやSL
Dの発振波長の変動や発光点の移動等の誤差要因により
必ずしも一般的には成立しない。
取り扱うことができる精度の範囲内で成立する。しかし
ながら、例えば位置合わせ績度力10.01μm程度に
なると検出系の収差、レンズ加工時の製作誤差、組立調
整時の誤差、そして経年変化による半導体レーザやSL
Dの発振波長の変動や発光点の移動等の誤差要因により
必ずしも一般的には成立しない。
そこで本実施例ではこれらの誤差要因に対応する為に間
隔gのときの位置ずれWとセンサー面上の光束の入射位
置に基つく距離Yとの関係を種々のケースに?いて求め
、前述の(1)〜(4)式に相当する一般式を求めて記
録手段に記録している。
隔gのときの位置ずれWとセンサー面上の光束の入射位
置に基つく距離Yとの関係を種々のケースに?いて求め
、前述の(1)〜(4)式に相当する一般式を求めて記
録手段に記録している。
そして実際の位置検出のときは記録手段に記録しておい
た一般式を利用して行っている。
た一般式を利用して行っている。
又、ある期間毎に求めた一般式を更新することにより経
年変化により発生する誤差要因に対処している。
年変化により発生する誤差要因に対処している。
本実施例における一般式は例えば前述の間隔g、位置ず
れ量W、距離yを6つの係数A、B。
れ量W、距離yを6つの係数A、B。
E、F、I、Jを用いて
’!−(Ag+B)W2+ (Eg+F)W+ (Ig
+J) −−(15)なる式で表わす。そして各
光束について少なくとも6個のデータをとり、係数A、
B、E、F。
+J) −−(15)なる式で表わす。そして各
光束について少なくとも6個のデータをとり、係数A、
B、E、F。
1、Jを決定する。
このときデータを採るに際しては、予めマスクとウニへ
のずれ量W、間隔gを正確に測定した工具を用意する。
のずれ量W、間隔gを正確に測定した工具を用意する。
又距離yの値としてはセンサの任意の点からの距離とし
て求めてもよい。
て求めてもよい。
これはy1+y2等の和又は差を求めることにより各光
束間の正確な距離か求まるからである。
束間の正確な距離か求まるからである。
そして間隔gと位置ずれ量Wを次の如くして求めている
。
。
まず前述の(5) 、 (li)式に相当する式が次の
ように求まったとする。
ように求まったとする。
yl= (八+g+8+)W2+(E+g+F+)W+
(1+g+、I+) ”’(16)y2・(A2g
+82)W2+(E2g+F2)W+(hgす、) ・
・・(17)(15) 、(+7)式をgについて書き
直すとyD (A+W2+E+W弓+ )g” (B+
W”FtW”J +) ”’ (18)y2・
(^2i12÷E2W+h)g”(B2W2+F2訃J
2) ・・・(19)となる。(+8) 、 (19
)式からもとまる位置ずれ量Wについての2次方程式か
らWの値を求め、これより間隔gの値を求めている。
(1+g+、I+) ”’(16)y2・(A2g
+82)W2+(E2g+F2)W+(hgす、) ・
・・(17)(15) 、(+7)式をgについて書き
直すとyD (A+W2+E+W弓+ )g” (B+
W”FtW”J +) ”’ (18)y2・
(^2i12÷E2W+h)g”(B2W2+F2訃J
2) ・・・(19)となる。(+8) 、 (19
)式からもとまる位置ずれ量Wについての2次方程式か
らWの値を求め、これより間隔gの値を求めている。
第4図は本実施例において回折光束J23゜+5.ff
17.+9の光束重心C1,C2,C3゜C4かずれ量
Wに応じてセンサ3面上でとのように変化するかを示し
た説明図である。回折光束J23. +15.+7.+
9等はセンサ面上である幅を有しているので、お互いに
重なる部分があると点C1〜C4を精度良く求めるのが
難しくなってくる。
17.+9の光束重心C1,C2,C3゜C4かずれ量
Wに応じてセンサ3面上でとのように変化するかを示し
た説明図である。回折光束J23. +15.+7.+
9等はセンサ面上である幅を有しているので、お互いに
重なる部分があると点C1〜C4を精度良く求めるのが
難しくなってくる。
そこで本実施例では例えばずれ量W=±3μmの間で計
測したいときは各光束か離れている範囲(例えば第4図
の点WO−3から点W o + 3の間)の特性を予め
シュミレーション等で求めておき、これを利用する。
測したいときは各光束か離れている範囲(例えば第4図
の点WO−3から点W o + 3の間)の特性を予め
シュミレーション等で求めておき、これを利用する。
即ち、本実施例では前記第1.第2の2つの物理光学素
子を介して所定面上に生ずる第1.第2の2つの回折光
束の重心位置及び前記第3.第4の2つの物理光学素子
を介して所定面上に生ずる第3.第4の2つの回折光束
の重心位置は各々回折光束の幅以上離れた状態で検出し
ている。
子を介して所定面上に生ずる第1.第2の2つの回折光
束の重心位置及び前記第3.第4の2つの物理光学素子
を介して所定面上に生ずる第3.第4の2つの回折光束
の重心位置は各々回折光束の幅以上離れた状態で検出し
ている。
尚、本実施例において第1物体と第2物体との位置ずれ
量Wか0のとき第1物体上の物理光学素子(例えばzl
)の光軸a1と第2物体上の物理光学素子(例えばz2
)の光軸a2を距HWOたけずらしておくことにより、
第1物体と第2物体どの位置ずれ量Wか0のときに点C
1と点C2、及び点C3と点C4を離れた状態にしてお
くことができる。
量Wか0のとき第1物体上の物理光学素子(例えばzl
)の光軸a1と第2物体上の物理光学素子(例えばz2
)の光軸a2を距HWOたけずらしておくことにより、
第1物体と第2物体どの位置ずれ量Wか0のときに点C
1と点C2、及び点C3と点C4を離れた状態にしてお
くことができる。
第3図に示す第1〜第4物理光学素子21〜Z4のパタ
ーン配置はこの様子を示しており、第1物体と第2物体
の位置ずれ量Wが0のとき第1と第2物理光学素子Z1
とz2の光軸が、又第3と第4物理光学素子z3とZ4
の光軸か各々距MWOたけずれるように設定している。
ーン配置はこの様子を示しており、第1物体と第2物体
の位置ずれ量Wが0のとき第1と第2物理光学素子Z1
とz2の光軸が、又第3と第4物理光学素子z3とZ4
の光軸か各々距MWOたけずれるように設定している。
従ってこのパターンを使用した場合、第1物体と第2物
体とが距Ill W xたけずれている時は(9)〜(
12)式のずれ量Wの値を W = W o + W x と置き換えて計算すればよい。
体とが距Ill W xたけずれている時は(9)〜(
12)式のずれ量Wの値を W = W o + W x と置き換えて計算すればよい。
尚、本実施例では第1.第2物体面上に各々2個の物理
光学素子を設ける代わりに一方の物体面上に4個の物理
光学素子を設けて前述の回折光束fi3,15.ff1
7.n9に相当する4つの回折光を得ても同様の効果を
得ることができる。
光学素子を設ける代わりに一方の物体面上に4個の物理
光学素子を設けて前述の回折光束fi3,15.ff1
7.n9に相当する4つの回折光を得ても同様の効果を
得ることができる。
たたし本実施例のように2個の物理光学素子を設ける方
法は4個の物理光学素子を設ける方法に比べて面積が少
なくてすみ、又同じ面積で比較すると回折光の光量が2
倍となる長所がある。次に本発明における他の実施例を
順に説明する。
法は4個の物理光学素子を設ける方法に比べて面積が少
なくてすみ、又同じ面積で比較すると回折光の光量が2
倍となる長所がある。次に本発明における他の実施例を
順に説明する。
(イ)第2実施例
第1実施例は距離y1とy3、距111y2とy4の組
合せからずれjlWと間隔gを求めたが距離y1とy4
、距11y2とy3又は距11ylとy2、距離y3と
y4の組合わせからも同様にずれ量Wと間隔gを求める
ことができる。
合せからずれjlWと間隔gを求めたが距離y1とy4
、距11y2とy3又は距11ylとy2、距離y3と
y4の組合わせからも同様にずれ量Wと間隔gを求める
ことができる。
距離y1とy4、距離y2とy3の組合せの時、点C1
と点C4との間隔をD14、点C2と点C3との間隔を
D23とすると(7) 、 (8)式に相当する式は次
のように表わされる。
と点C4との間隔をD14、点C2と点C3との間隔を
D23とすると(7) 、 (8)式に相当する式は次
のように表わされる。
・・・・・・・・(21)
同様に距11ylとy2、距111y3とy4の組合わ
せの時、点C1と点C2との間隔をD12、点C3と点
C4との間隔をD34とすると・・・・・・・・(23
) となる。これらの式より、いずれもずれ量Wと間隔gを
求めることができる。
せの時、点C1と点C2との間隔をD12、点C3と点
C4との間隔をD34とすると・・・・・・・・(23
) となる。これらの式より、いずれもずれ量Wと間隔gを
求めることができる。
尚、前述の実験データより求めた(20)〜(23)式
に相当する一般式からも同様に位置ずれ量Wと間隔gを
求めることかできる。
に相当する一般式からも同様に位置ずれ量Wと間隔gを
求めることかできる。
(ロ)第3実施例
第1.第2実施例では4つの光束の光束重心位置CI、
C2,C3,C4を使って(7) 、 (8)式に相当
する式を導き出してずれ量Wと間隔gを求めたが4つの
光束重心CI、C2,C3,C4のうちの3個を使って
も同様に(7) 、 (8)式に相当する式を導き出す
ことができる。
C2,C3,C4を使って(7) 、 (8)式に相当
する式を導き出してずれ量Wと間隔gを求めたが4つの
光束重心CI、C2,C3,C4のうちの3個を使って
も同様に(7) 、 (8)式に相当する式を導き出す
ことができる。
即ち、前述と同様に間隔Dij(点iと点jとの間隔)
を用いて表わすと次にような組合わせか適用可能である
。
を用いて表わすと次にような組合わせか適用可能である
。
これらの各組合わせのうち (I)、(IV)、(V)
。
。
(■)の場合は (U)、 (III)、 (Vl)、
(1/I) ヤ第1.2実施例に比してセンサの幅か
D12又はD 34 タは短かくてよいという特長を有
する。
(1/I) ヤ第1.2実施例に比してセンサの幅か
D12又はD 34 タは短かくてよいという特長を有
する。
本実施例においても第1実施例と同様に実験データを基
に(1)〜(+/I[I)式に相当する一般式を求め、
この−数式を利用して位置ずれ看Wと間隔gを求めてい
る。
に(1)〜(+/I[I)式に相当する一般式を求め、
この−数式を利用して位置ずれ看Wと間隔gを求めてい
る。
(ハ)第4実施例
第1物体面上に設けた2つの物理光学素子z1.z3及
び第2物体面上に設けた2つの物理光学素子z2.z4
を独立に設ける代わりに第5図に示すように各々互いに
重複した1つのノ<ターンより構成し、前述と同様の効
果を得ている。
び第2物体面上に設けた2つの物理光学素子z2.z4
を独立に設ける代わりに第5図に示すように各々互いに
重複した1つのノ<ターンより構成し、前述と同様の効
果を得ている。
本実施例において光軸a1と82との間隔に相当するD
の値は零となり、第1〜第3実施例においてD=0とす
ればすへて本実施例において適用可能である。
の値は零となり、第1〜第3実施例においてD=0とす
ればすへて本実施例において適用可能である。
本実施例におけるパターンの特長は第2物体か位置合わ
せ方向に傾いたときに受ける影響が第3図の場合のパタ
ーンに比べて少ないことである。
せ方向に傾いたときに受ける影響が第3図の場合のパタ
ーンに比べて少ないことである。
即ち第3図のパターンを用いた場合、第2物体か傾くと
第1.第2物理光学素子zl、z2のレンズ系と第3.
第4物理光学素子z3.z4のレンズ系の受ける影響が
異なるため検出誤差を発生する。これに対して本実施例
では受ける影響が同じなので検出誤差が発生しても第3
図の場合に比へて極めて少ないという特長かある。
第1.第2物理光学素子zl、z2のレンズ系と第3.
第4物理光学素子z3.z4のレンズ系の受ける影響が
異なるため検出誤差を発生する。これに対して本実施例
では受ける影響が同じなので検出誤差が発生しても第3
図の場合に比へて極めて少ないという特長かある。
(ニ)第5実施例
本実施例においては前記ずれ量Wと間隔gの双方に関す
る回折光束間の2つの値を1組とした複数個の組合わせ
について各々検出し、該複数個の組合わせから得られた
ずれ量Wと間隔gを評価手段で評価し、検出精度を高め
ている。このときの評価手段としては、例えば複数個の
組合わせから各々得られた複数個のずれ量Wと間隔gの
値を平均化すること等が考えられる。
る回折光束間の2つの値を1組とした複数個の組合わせ
について各々検出し、該複数個の組合わせから得られた
ずれ量Wと間隔gを評価手段で評価し、検出精度を高め
ている。このときの評価手段としては、例えば複数個の
組合わせから各々得られた複数個のずれ量Wと間隔gの
値を平均化すること等が考えられる。
(示)第6実施例
実際に第1〜第4実施例を実施するに当っては前もって
プリアライメントか行われる。ところが第4図から明ら
かのようにずれ量W=Oの右方と左方では、即ちずれ方
向により光束重心位置C1〜C4の位置は逆転している
が、位置C1〜C4の光束の状態を見たたけでは第1物
体に対して第2物体がどちら側にずれているのか判然と
しない。
プリアライメントか行われる。ところが第4図から明ら
かのようにずれ量W=Oの右方と左方では、即ちずれ方
向により光束重心位置C1〜C4の位置は逆転している
が、位置C1〜C4の光束の状態を見たたけでは第1物
体に対して第2物体がどちら側にずれているのか判然と
しない。
この為本実施例では第1.第2の2つの回折光束u3.
fi’5(7)重心位置C1とC2の間隔D12と前記
第3.第4の2つの回折光束ff17.ff19の重心
位置C3と04の間隔D34か異なるように各要素を設
定している。
fi’5(7)重心位置C1とC2の間隔D12と前記
第3.第4の2つの回折光束ff17.ff19の重心
位置C3と04の間隔D34か異なるように各要素を設
定している。
これにより光束重心位置C1〜C4のセンサ3面上の位
置を計測した後、位置C1とC2、位置C3とC4との
差を計算してみれば判然とする。
置を計測した後、位置C1とC2、位置C3とC4との
差を計算してみれば判然とする。
又、ずれ量W=Oの近辺では光束が重なってしまうか、
位置C1とC2、位置C3とC4の組合わせが離れてい
る場合は、例えば光束の半値幅を求めることにより状態
の判別が可能となる。
位置C1とC2、位置C3とC4の組合わせが離れてい
る場合は、例えば光束の半値幅を求めることにより状態
の判別が可能となる。
又、本実施例において4つの光束がセンサ面上で重なっ
てしまう場合には一度第1物体と第2物体とのずれ量を
変化させて判別可能な状態にしてから判別を行えば良い
。
てしまう場合には一度第1物体と第2物体とのずれ量を
変化させて判別可能な状態にしてから判別を行えば良い
。
(発明の効果)
本発明によれば前述の如く第1物体と第2物体とが予め
既知の間隔gと位置ずれ量Wとで対向配置しているとき
の検出手段からの位置情報Yを種々なケースについて予
め求め、これより一般式を求め、記録手段に記録してお
く。そして実際の双方の位置検出のときに、該検出手段
からの位置情報と該記録手段に記録しておいた一般式と
を利用することにより、検出系の収差や製作誤差モして
軽年変化による半導体レーザの発振波長の変化等の誤差
要因の影響を排除し、双方の相対的な位置検出を高精度
に行うことができる位置検圧装置を達成することができ
る。
既知の間隔gと位置ずれ量Wとで対向配置しているとき
の検出手段からの位置情報Yを種々なケースについて予
め求め、これより一般式を求め、記録手段に記録してお
く。そして実際の双方の位置検出のときに、該検出手段
からの位置情報と該記録手段に記録しておいた一般式と
を利用することにより、検出系の収差や製作誤差モして
軽年変化による半導体レーザの発振波長の変化等の誤差
要因の影響を排除し、双方の相対的な位置検出を高精度
に行うことができる位置検圧装置を達成することができ
る。
又、本発明によれば第1物体と第2物体との位置ずれ量
Wと第1物体と第2物体との間隔gを求めることにより
、合致状態を誤認することがなく、高精度な位置合わせ
が出来しかもスルーブツトの高い位置検出装置を達成す
ることができる。
Wと第1物体と第2物体との間隔gを求めることにより
、合致状態を誤認することがなく、高精度な位置合わせ
が出来しかもスルーブツトの高い位置検出装置を達成す
ることができる。
例えば本発明の位置検出装置における位置情報CI、C
3とずれ量Wとの関係のみから位置合わせする場合、前
述の諸定数がg=30μm、fl=150μm、L=1
8627μm、yl=1544.75μmの時、間隔g
に0.06μmの誤差があると、ずれ量Wにはo、oo
sμmの誤差か生ずる。従って0.01μmの精度て位
置合わせしようとするときは間隔gの誤差を0.06μ
m程度以下にする必要がある。従って何らかの方法で0
.06μm以下の精度で間隔gの設定を予めしておかな
ければならない。
3とずれ量Wとの関係のみから位置合わせする場合、前
述の諸定数がg=30μm、fl=150μm、L=1
8627μm、yl=1544.75μmの時、間隔g
に0.06μmの誤差があると、ずれ量Wにはo、oo
sμmの誤差か生ずる。従って0.01μmの精度て位
置合わせしようとするときは間隔gの誤差を0.06μ
m程度以下にする必要がある。従って何らかの方法で0
.06μm以下の精度で間隔gの設定を予めしておかな
ければならない。
これに対して本発明によればプリアライメントである程
度の精度で間隔gの設定かなされていれば間隔gがどの
ような値であってもずれ量Wを正確に求めることができ
る。
度の精度で間隔gの設定かなされていれば間隔gがどの
ような値であってもずれ量Wを正確に求めることができ
る。
例えば重心位置が位置C1とC2である回折光束が重な
った状態で測定し2つの回折光束の重心を求める方式で
は、回折効率の変動等で光量が変化すると重心が移動し
誤差の原因になるが、本発明では回折光束が光分離れた
状態で測定するので、このような検出誤差の発生を防げ
る。
った状態で測定し2つの回折光束の重心を求める方式で
は、回折効率の変動等で光量が変化すると重心が移動し
誤差の原因になるが、本発明では回折光束が光分離れた
状態で測定するので、このような検出誤差の発生を防げ
る。
又、本発明においては物理光学素子を位置ずれ量Wと間
隔gの両方の検出に共用するようにし、これにより光束
や物理光学素子の数を減少させ、検出系の簡素化及び装
置全体の小型化を図っている。
隔gの両方の検出に共用するようにし、これにより光束
や物理光学素子の数を減少させ、検出系の簡素化及び装
置全体の小型化を図っている。
第1図は本発明の第1実施例の要部概略図、第2図は第
1図の各光束の光路を模式的に展開したときの要部概略
図、第3図、第5図は第1図における第1物体1と第2
物体2面上に設けた物理″光学素子の説明図、第4図は
ずれ量Wと光束重心位置C1,C2,C3,C4のセン
サ面上の位置関係を示す説明図、第6図、第7図は従来
の位置合わせ装置の概略図である。 図中、1は第1物体、2は第2物体、3はセンサ、4は
信号処理回路、5は制御回路、6はステージコントロー
ラ、!1〜f19は光束、21〜z4は物理光学素子、
al、C2は物理光学素子の光軸、Wは位置ずれ量、g
は間隔である。 特許出願人 キャノン株式会社 一一口 第1図 第2図 1ノ t< a第3図 第5図 第6図 第7図
1図の各光束の光路を模式的に展開したときの要部概略
図、第3図、第5図は第1図における第1物体1と第2
物体2面上に設けた物理″光学素子の説明図、第4図は
ずれ量Wと光束重心位置C1,C2,C3,C4のセン
サ面上の位置関係を示す説明図、第6図、第7図は従来
の位置合わせ装置の概略図である。 図中、1は第1物体、2は第2物体、3はセンサ、4は
信号処理回路、5は制御回路、6はステージコントロー
ラ、!1〜f19は光束、21〜z4は物理光学素子、
al、C2は物理光学素子の光軸、Wは位置ずれ量、g
は間隔である。 特許出願人 キャノン株式会社 一一口 第1図 第2図 1ノ t< a第3図 第5図 第6図 第7図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)第1物体面上と第2物体面上に各々物理光学素子
を設け、これらの物理光学素子に入射させた光束の所定
面上に生ずる所定次数の回折光束の位置情報を検出手段
で検出することにより該第1物体と第2物体との相対的
な位置検出を行う際、該第1物体と該第2物体との相対
的な間隔gにおける相対的なずれ量Wと、該検出手段で
検出される位置情報yとの関係を実験的に求めて記録し
た記録手段を参照して、該検出手段により所定面上に生
ずる少なくとも3つの回折光束の各回折光束間のうち該
第1物体と該第2物体との相対的なずれ量Wと相対的な
間隔gの双方に関係する回折光束間の値を少なくとも2
つ検出し、該検出手段からの出力信号を用いて演算手段
によりずれ量Wと間隔gを求めたことを特徴とする位置
検出装置。(2)前記第1物体面上には第1、第3の2
つの物理光学素子が、前記第2物体面上には第2、第4
の2つの物理光学素子が各々設けられており、前記所定
面上に生ずる回折光束は該第1物体面上の1つの物理光
学素子と、該第2物体面上の1つの物理光学素子で各々
回折された光束であることを特徴とする請求項1記載の
位置検出装置。 (3)前記第1物体面上の2つの物理光学素子と前記第
2物体面上の2つの物理光学素子は各々互いに重複して
1つのパターンを形成していることを特徴とする請求項
2記載の位置検出装置。(4)前記第1、第2の2つの
物理光学素子を介して所定面上に生ずる第1、第2の2
つの回折光束の位置及び前記第3、第4の2つの物理光
学素子を介して所定面上に生ずる第3、第4の2つの回
折光束の位置は各々回折光束の幅以上離れた状態で検出
されていることを特徴とする請求項2記載の位置検出装
置。 (5)前記検出手段は前記ずれ量Wと間隔gの双方に関
する回折光束間の2つの値を1組とした複数個の組合わ
せについて各々検出し、該複数個の組合わせから得られ
たずれ量Wと間隔gを評価手段で評価するようにしたこ
とを特徴とする請求項1、2、3又は4記載の位置検出
装置。 (6)前記評価手段は複数個の組合わせから各々得られ
た複数個のずれ量Wと間隔gの値を平均化していること
を特徴とする請求項5記載の位置検出装置。 (7)前記第1、第2の2つの回折光束の所定面上にお
ける位置間隔D12と前記第3、第4の2つの回折光束
の所定面上における位置間隔D34が異なるように各要
素が設定されていることを特徴とする請求項4記載の位
置検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2339904A JPH04204308A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 位置検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2339904A JPH04204308A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 位置検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04204308A true JPH04204308A (ja) | 1992-07-24 |
Family
ID=18331889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2339904A Pending JPH04204308A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 位置検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04204308A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007300076A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-11-15 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置用アライメントツール |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP2339904A patent/JPH04204308A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007300076A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-11-15 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置用アライメントツール |
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