JPH04204368A - 炭酸水素塩イオン測定用電極 - Google Patents
炭酸水素塩イオン測定用電極Info
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- JPH04204368A JPH04204368A JP2339919A JP33991990A JPH04204368A JP H04204368 A JPH04204368 A JP H04204368A JP 2339919 A JP2339919 A JP 2339919A JP 33991990 A JP33991990 A JP 33991990A JP H04204368 A JPH04204368 A JP H04204368A
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- JP
- Japan
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- electrode
- ion concentration
- ion
- bicarbonate
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は医療用および理化学分析用の化学センサに用い
られる炭酸水素塩イオン測定用電極に関する。
られる炭酸水素塩イオン測定用電極に関する。
体液、特に血液中の炭酸水素塩イオン
(HCO3−)は、呼吸および代謝の状態を把握する重
要な因子であり、その濃度を計測することは極めて重要
である。
要な因子であり、その濃度を計測することは極めて重要
である。
従来、この炭酸水素塩イオンの濃度は、二酸化炭素ガス
の分圧(PCO2)と水素イオン濃度(pH)とを測定
し、これらの値からヘンダーソン・ハッセルバルヒの式
により間接的に求狛ていた。そして、二酸化炭素ガスの
濃度はセパリングハウスのCO2センサで測定し、一方
水素イオン濃度はガラス電極で測定していた。
の分圧(PCO2)と水素イオン濃度(pH)とを測定
し、これらの値からヘンダーソン・ハッセルバルヒの式
により間接的に求狛ていた。そして、二酸化炭素ガスの
濃度はセパリングハウスのCO2センサで測定し、一方
水素イオン濃度はガラス電極で測定していた。
しかしながら、CO□センサの応答時間は1〜2分であ
り、ガラス電極の応答時間(数秒)に比較して時間を要
する。このため、二酸化炭素ガスの濃度と水素イオン濃
度との間には時間のずれが生じる。したがって、各々の
値が変化している場合、これらの値より算出した炭酸水
素塩イオン濃度に誤差が含まれる。また、二酸化炭素ガ
スおよび水素イオン濃度の2つの値の各々の誤差が加算
されるたt、直接炭酸水素塩イオン濃度を測定する場合
に比べて誤差が大きくなると考えられる。
り、ガラス電極の応答時間(数秒)に比較して時間を要
する。このため、二酸化炭素ガスの濃度と水素イオン濃
度との間には時間のずれが生じる。したがって、各々の
値が変化している場合、これらの値より算出した炭酸水
素塩イオン濃度に誤差が含まれる。また、二酸化炭素ガ
スおよび水素イオン濃度の2つの値の各々の誤差が加算
されるたt、直接炭酸水素塩イオン濃度を測定する場合
に比べて誤差が大きくなると考えられる。
これに対して、近年、このような理論式を用いることな
く炭酸水素塩イオンの濃度を求釣るものとして、ワイズ
等が炭酸塩イオンに応答する電極を開示(米国特許公報
3723281 号)し、また、シモン等は炭酸水素塩
イオンに応答するキャリアとり、テxり/ −m7 ミ
ン(Anal、Chem、54.423−429(19
82) ) 、あるいは有機スズ化合物を用いたセン
サを開示した(国内公表公報7900661 号)。
く炭酸水素塩イオンの濃度を求釣るものとして、ワイズ
等が炭酸塩イオンに応答する電極を開示(米国特許公報
3723281 号)し、また、シモン等は炭酸水素塩
イオンに応答するキャリアとり、テxり/ −m7 ミ
ン(Anal、Chem、54.423−429(19
82) ) 、あるいは有機スズ化合物を用いたセン
サを開示した(国内公表公報7900661 号)。
しかしながら、従来の炭酸塩イオンに応答する電極の場
合は、血液中では大部分が炭酸塩イオンではなく、炭酸
水素塩イオンの形で存在しているため、試料溶液にアル
カリ物質、たとえば三塩化水素緩衝液(pH=8.6>
を添加し、炭酸水素塩イオンを炭酸塩イオンに変換した
後に測定する必要があり、その操作が煩雑であるという
問題があった。
合は、血液中では大部分が炭酸塩イオンではなく、炭酸
水素塩イオンの形で存在しているため、試料溶液にアル
カリ物質、たとえば三塩化水素緩衝液(pH=8.6>
を添加し、炭酸水素塩イオンを炭酸塩イオンに変換した
後に測定する必要があり、その操作が煩雑であるという
問題があった。
また、炭酸水素塩イオンセンサの場合は、直接に炭酸水
素塩イオンの濃度を測定できるものの、炭酸水素塩イオ
ンに応答するばかりでなく、試料溶液の水素イオン濃度
(p H)にも応答してしまい、炭酸水素塩イオンの選
択性が低下し、そのため感度が高くないという問題があ
った。
素塩イオンの濃度を測定できるものの、炭酸水素塩イオ
ンに応答するばかりでなく、試料溶液の水素イオン濃度
(p H)にも応答してしまい、炭酸水素塩イオンの選
択性が低下し、そのため感度が高くないという問題があ
った。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、
その目的は、試料溶液の水素イオン濃度に応答すること
がなく、炭酸水素塩イオンの選択性が向上し、測定感度
が向上した炭酸水素塩イオン測定用電極を提供すること
にある。
その目的は、試料溶液の水素イオン濃度に応答すること
がなく、炭酸水素塩イオンの選択性が向上し、測定感度
が向上した炭酸水素塩イオン測定用電極を提供すること
にある。
本発明による炭酸水素塩イオン測定用電極は、基準電極
と、重合不活性支持体材料に可塑剤と炭酸水素塩イオン
キャリア物質とを含有させるとともに、水素イオン濃度
の影響を排除する化合物を含有させてなり、前記基準電
極に電気化学的に接触された炭酸水素塩イオン選択性膜
とを備えている。
と、重合不活性支持体材料に可塑剤と炭酸水素塩イオン
キャリア物質とを含有させるとともに、水素イオン濃度
の影響を排除する化合物を含有させてなり、前記基準電
極に電気化学的に接触された炭酸水素塩イオン選択性膜
とを備えている。
すなわち、本発明の炭酸水素塩イオン測定用電極では、
炭酸水素塩イオン選択性膜に、水素イオン濃度の影響を
排除する化合物を含有することにより、試料溶液中の水
素イオン濃度に依存することがなくなり、これにより選
択的に炭酸水素塩イオンに応答し、測定感度が向上する
。
炭酸水素塩イオン選択性膜に、水素イオン濃度の影響を
排除する化合物を含有することにより、試料溶液中の水
素イオン濃度に依存することがなくなり、これにより選
択的に炭酸水素塩イオンに応答し、測定感度が向上する
。
重合不活性支持体材料としては、可塑化効率が高い塩化
ビニル重合体あるいは塩化ビニル−酢酸、ビニルの共重
合体を用いることが好ましい。また、可塑剤としてはセ
バシン酸エステル、フタル酸エステル、トリメリット酸
エステル等が用いられるが、特にセバシン酸ジ(2−エ
チルヘキシル)が好ましい。
ビニル重合体あるいは塩化ビニル−酢酸、ビニルの共重
合体を用いることが好ましい。また、可塑剤としてはセ
バシン酸エステル、フタル酸エステル、トリメリット酸
エステル等が用いられるが、特にセバシン酸ジ(2−エ
チルヘキシル)が好ましい。
水素イオン濃度の影響を排除する化合物としては、トリ
フルオロアセトフェノン誘導体が用いられる。このトリ
フルオロアセトフェノン誘導体を用いることにより、膜
中の疏水性が高まり、荷電物質つまりイオンの膜中への
進入を阻止することができ、親油的な性質を持つ炭酸水
素塩イオンの選択性を高めることができる。
フルオロアセトフェノン誘導体が用いられる。このトリ
フルオロアセトフェノン誘導体を用いることにより、膜
中の疏水性が高まり、荷電物質つまりイオンの膜中への
進入を阻止することができ、親油的な性質を持つ炭酸水
素塩イオンの選択性を高めることができる。
トリフルオロアセトフェノン誘導体は、一般に次式で表
すことができる。
すことができる。
ここに、R=C+ o H21()リフルオロアセチル
−p−デシルベンゼン) 、CIl 823 ()リフ
ルオロアセチル−p−ウンデシルベンゼン)、C128
2S()リフルオロアセチル−p−ト′デジーメチル−
p−)!Jフルオロアセチルアニリン)、OCs H
I3 (p−オクチルオキシトリフルオロアセチルヘン
ゼン) 、−3−C12H2S (4n−ドデシルチオ
−1−トリフルオロアセチルベンゼン)、 −4−)リフルオロアセチルアニリン)−CON (C
IIHI7) 2 (N、 N−ジオクチル−4−
トリフルオロアセチルベンザミド)、−COOC7H,
S (ヘプチル−p−)リフルオロアセチルベンゾエー
ト)、−8○2 CI 2 H25(4−(n−ドデ
シルサルフォニル) −1−)リフルオロアセチルベン
ゼン) この中で、特に好ましいものとしてはトリフルオロアセ
チルデシルベンセンを挙げることができる。
−p−デシルベンゼン) 、CIl 823 ()リフ
ルオロアセチル−p−ウンデシルベンゼン)、C128
2S()リフルオロアセチル−p−ト′デジーメチル−
p−)!Jフルオロアセチルアニリン)、OCs H
I3 (p−オクチルオキシトリフルオロアセチルヘン
ゼン) 、−3−C12H2S (4n−ドデシルチオ
−1−トリフルオロアセチルベンゼン)、 −4−)リフルオロアセチルアニリン)−CON (C
IIHI7) 2 (N、 N−ジオクチル−4−
トリフルオロアセチルベンザミド)、−COOC7H,
S (ヘプチル−p−)リフルオロアセチルベンゾエー
ト)、−8○2 CI 2 H25(4−(n−ドデ
シルサルフォニル) −1−)リフルオロアセチルベン
ゼン) この中で、特に好ましいものとしてはトリフルオロアセ
チルデシルベンセンを挙げることができる。
炭酸水素塩イオンキャリア物質としては、高級アルキル
置換された有機スズ化合物が用いられる。
置換された有機スズ化合物が用いられる。
この有機スズ化合物のスズは4価で、ハロゲン化あるい
はエーテル化した1ないし3のヒドロキシル基を有する
もの、または03〜CI 2の炭化水素からなる1ない
し3のアルキル基を有するものであることが望ましい。
はエーテル化した1ないし3のヒドロキシル基を有する
もの、または03〜CI 2の炭化水素からなる1ない
し3のアルキル基を有するものであることが望ましい。
これは、炭酸水素イオンに応答するキャリアの条件とし
ては、イオン交換基(ハロゲン基、ヒドロキシル基〉を
有するが、荷電をもたないことが必要であるからである
。4級アミンのようにハロゲン基を有しても、荷電を有
するものは、イオン交換基でHC13−とイオン交換し
、塩化物イオン応答を示すため適さない。
ては、イオン交換基(ハロゲン基、ヒドロキシル基〉を
有するが、荷電をもたないことが必要であるからである
。4級アミンのようにハロゲン基を有しても、荷電を有
するものは、イオン交換基でHC13−とイオン交換し
、塩化物イオン応答を示すため適さない。
また、本発明の炭酸水素塩イオン測定用電極では、可塑
剤中をキャリア物質が移動して炭酸水素塩イオンに応答
性を示すたtに、キャリア物質としては可塑剤中に溶解
する必要がある。二のたt、キャリア物質としては03
〜CI2の炭化水素からなるアルキル基を有することが
望ましい。
剤中をキャリア物質が移動して炭酸水素塩イオンに応答
性を示すたtに、キャリア物質としては可塑剤中に溶解
する必要がある。二のたt、キャリア物質としては03
〜CI2の炭化水素からなるアルキル基を有することが
望ましい。
なお、基準電極は、酸化還元電位を有する酸化還元物質
を用いたものが好ましく、酸化還元物質としては、銀−
ハロゲン化銀、キノン−ヒドロキノン型酸化還元物質、
アミン−キノイド型酸化還元物質、銀−硫化銀等から選
択することが好ましい。
を用いたものが好ましく、酸化還元物質としては、銀−
ハロゲン化銀、キノン−ヒドロキノン型酸化還元物質、
アミン−キノイド型酸化還元物質、銀−硫化銀等から選
択することが好ましい。
以下、図面を参照して本発明の実施例を具体的に説明す
る。
る。
実施例1
以下の組成の溶液を調整後、直径5mm、深さ1mmの
アルミニウム缶に流し込み、170℃で1分間加熱し、
ゲル化させることにより、電極膜としての炭酸水素塩イ
オン選択性膜を作成した。
アルミニウム缶に流し込み、170℃で1分間加熱し、
ゲル化させることにより、電極膜としての炭酸水素塩イ
オン選択性膜を作成した。
(溶液)
トリオクチルティンクロライド 3.0重量%((ca
Hll> 3 S n c 1)トリフルオロア
セチルデシルベンゼン(TFADB)(C,。H21(
Cs H4) COCF3 ) 1 、 8重量%セ
バシン酸ジ(2−エチルヘキシル)63.5((CH2
) 4 COOCa H+i) 2 重量%ポリ塩
化ビニル 31.7重量%次に、第1EI
に示すように、この炭酸水素塩イオン選択性膜11を塩
化ビニル樹脂製のチューブ12の端面に、上記電極膜組
成物のTHF溶液で接着した。続いて、チューブ12内
に50mM’Jン酸塩緩衝液、0.01M塩化ナトリウ
ム水溶液からなる内部液13とともにリード線14が接
続された銀・塩化銀電極15を充填し、炭酸水素塩イオ
ン測定用電極を作製した。
Hll> 3 S n c 1)トリフルオロア
セチルデシルベンゼン(TFADB)(C,。H21(
Cs H4) COCF3 ) 1 、 8重量%セ
バシン酸ジ(2−エチルヘキシル)63.5((CH2
) 4 COOCa H+i) 2 重量%ポリ塩
化ビニル 31.7重量%次に、第1EI
に示すように、この炭酸水素塩イオン選択性膜11を塩
化ビニル樹脂製のチューブ12の端面に、上記電極膜組
成物のTHF溶液で接着した。続いて、チューブ12内
に50mM’Jン酸塩緩衝液、0.01M塩化ナトリウ
ム水溶液からなる内部液13とともにリード線14が接
続された銀・塩化銀電極15を充填し、炭酸水素塩イオ
ン測定用電極を作製した。
(比較例1)
実施例1のトリフルオロアセチルデシルベンゼンの濃度
を0,1.3.5.20重量%に変化させて、実施例と
同様に炭酸水素塩イオン測定用電極を作製した。
を0,1.3.5.20重量%に変化させて、実施例と
同様に炭酸水素塩イオン測定用電極を作製した。
実験例1
実施例1および比較例1の各電極を作用極とし、基準電
極に5SCE(飽和塩化ナトリウムカロメル電極)を用
いて、試料溶液中の炭酸水素塩イオン濃度に対する両電
極間の起電力の関係を調べた。
極に5SCE(飽和塩化ナトリウムカロメル電極)を用
いて、試料溶液中の炭酸水素塩イオン濃度に対する両電
極間の起電力の関係を調べた。
その結果、炭酸水素塩イオン濃度の対数に対して直線性
が得られた。この直線の勾配、すなわち感度ヲトリフル
オロアセチルデシルベンゼンのa度に対してプロットし
たものを第3図に示す。トリフルオロアセチルデシルベ
ンゼンの濃度が5. 0重量%以下であれば、50 m
V /decade以上の感度となり、実用上問題は
ないことがわかった。
が得られた。この直線の勾配、すなわち感度ヲトリフル
オロアセチルデシルベンゼンのa度に対してプロットし
たものを第3図に示す。トリフルオロアセチルデシルベ
ンゼンの濃度が5. 0重量%以下であれば、50 m
V /decade以上の感度となり、実用上問題は
ないことがわかった。
次に、水素イオン濃度(pH)の変化に対して起電力の
変化を調べ、水素イオン濃度に対する依存性ヲトリフル
オロアセチルデシルベンゼンの濃度に対してブロー/
)したものを第4図に示す。実施例1で示した1、8重
量%の濃度において、水素イオン濃度に対する依存性が
殆ど無いことを示している。したがって、実施例1の組
成を用いて作製した炭酸水素塩イオン測定用電極は水素
イオン濃度の影響を受けることなく、選択的に炭酸水素
塩イオンに応答することがわかった。
変化を調べ、水素イオン濃度に対する依存性ヲトリフル
オロアセチルデシルベンゼンの濃度に対してブロー/
)したものを第4図に示す。実施例1で示した1、8重
量%の濃度において、水素イオン濃度に対する依存性が
殆ど無いことを示している。したがって、実施例1の組
成を用いて作製した炭酸水素塩イオン測定用電極は水素
イオン濃度の影響を受けることなく、選択的に炭酸水素
塩イオンに応答することがわかった。
(実施例2)
第2図に示すように周囲を絶縁剤16で絶縁した銀・塩
化銀電極17上に実施例1で作製した炭酸水素塩イオン
選択性膜11を被覆させて炭酸水素塩イオン測定用電極
を作製した。
化銀電極17上に実施例1で作製した炭酸水素塩イオン
選択性膜11を被覆させて炭酸水素塩イオン測定用電極
を作製した。
実験例2
実験例1と同様の方法で、炭酸水素塩イオンおよび水素
イオンに対する応答性を調べた結果、実験例1と同様の
結果が得られた。
イオンに対する応答性を調べた結果、実験例1と同様の
結果が得られた。
以上説明したように本発明の炭酸水素塩イオン測定用電
極によれば、炭酸水素塩イオン選択性膜中に水素イオン
濃度の影響を排除する化合物を含有させたことにより、
試料溶液中の水素イオン濃度に依存することがなくなり
、炭酸水素塩イオンの選択性が向上し、測定感度が向上
する。
極によれば、炭酸水素塩イオン選択性膜中に水素イオン
濃度の影響を排除する化合物を含有させたことにより、
試料溶液中の水素イオン濃度に依存することがなくなり
、炭酸水素塩イオンの選択性が向上し、測定感度が向上
する。
第1図は本発明の実施例1に係る炭酸水素塩イオン選択
性膜電極の構成を示す縦断面図、第2図は本発明の実施
例2に係る炭酸水素塩イオン選択性膜電極の構成を示す
縦断面図、第3図は実施例1の電極の炭酸水素塩イオン
センサの感度のTFADB依存性を示す特性図、第4図
は同じく水素イオン濃度に対する依存性を示す特性図で
ある。 11・・・炭酸水素塩イオン選択性膜 12・・・チニーブ 13・・・内部液 14・・・リード線 15.17・・・銀・塩化銀電極
性膜電極の構成を示す縦断面図、第2図は本発明の実施
例2に係る炭酸水素塩イオン選択性膜電極の構成を示す
縦断面図、第3図は実施例1の電極の炭酸水素塩イオン
センサの感度のTFADB依存性を示す特性図、第4図
は同じく水素イオン濃度に対する依存性を示す特性図で
ある。 11・・・炭酸水素塩イオン選択性膜 12・・・チニーブ 13・・・内部液 14・・・リード線 15.17・・・銀・塩化銀電極
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、基準電極と、重合不活性支持体材料に可塑剤と炭酸
水素塩イオンキャリア物質とを含有させるとともに、水
素イオン濃度の影響を排除する化合物を含有させてなり
、前記基準電極に電気化学的に接触された炭酸水素塩イ
オン選択性膜とを備えたことを特徴とする炭酸水素塩イ
オン測定用電極。 2、水素イオン濃度の影響を排除する化合物としてトリ
フルオロアセトフェノン誘導体を用いてなる請求項1記
載の炭酸水素塩イオン測定用電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2339919A JPH04204368A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 炭酸水素塩イオン測定用電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2339919A JPH04204368A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 炭酸水素塩イオン測定用電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04204368A true JPH04204368A (ja) | 1992-07-24 |
Family
ID=18332006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2339919A Pending JPH04204368A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 炭酸水素塩イオン測定用電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04204368A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6635683B1 (en) | 1998-07-28 | 2003-10-21 | Tokuyama Corporation | Film responsive to bicarbonate ion |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP2339919A patent/JPH04204368A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6635683B1 (en) | 1998-07-28 | 2003-10-21 | Tokuyama Corporation | Film responsive to bicarbonate ion |
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