JPH0420440B2 - - Google Patents
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- JPH0420440B2 JPH0420440B2 JP59041212A JP4121284A JPH0420440B2 JP H0420440 B2 JPH0420440 B2 JP H0420440B2 JP 59041212 A JP59041212 A JP 59041212A JP 4121284 A JP4121284 A JP 4121284A JP H0420440 B2 JPH0420440 B2 JP H0420440B2
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Description
本発明は金属表面の腐蝕および/または金属表
面上のスケール沈積を抑制する方法に関する。 イギリス国特許出願第2112370A号において、
本出願人は、水性系をそれに接触している金属、
特に鉄系金属の腐蝕を抑制するためにおよび/ま
たは水性系からのスケール沈積を抑制するために
処理する方法であつて、 水性系に次式: で表わされる2−ヒドロキシ−ホスホノ酢酸また
はその水溶性塩0.1ないし50000ppmを添加するこ
とからなる方法を記載してクレームとした。 本発明者は、いま、ある種の2−アミノ−ホス
ホノ酢酸化合物を、金属表面と接触した水性系に
添加したとき、また腐蝕またはスケーリング環境
と接触する前に金属表面に前処理として使用した
とき、該化合物が腐蝕抑制剤および/またはスケ
ール沈積抑制剤として効果的であることを見い出
した。 したがつて、本発明は、 金属表面特に鉄、銅(またはそれらの合金)表
面の腐蝕を抑制するためにおよび/または金属表
面上へのスケール沈積を抑制するために金属表面
を状態調節する方法であつて、 前記金属表面を、 A) 腐蝕またはスケーリング環境と接触する前
において、 ) 次式: 〔式中、 R1およびR2は同一または異なつてそれぞ
れ水素原子、炭素原子数1ないし12の直鎖ま
たは分枝鎖アルキル基であつて随意に1また
はそれ以上のヒドロキシおよび/またはカル
ボキシル基で置換されたものおよび/または
随意に1またはそれ以上の酸素原子で中断さ
れたもの、炭素原子数3ないし12の直鎖また
は分枝鎖アルケニル基、炭素原子数7ないし
15のアルアルキル基または−CH2PO3H2を
表わすか、または R1およびR2は、それらがそれぞれ結合し
ている窒素原子とともに、随意に置換された
複素環式環を形成してもよく、 R3は水素原子、炭素原子数1ないし12の
直鎖または分枝鎖アルキル基または随意に置
換された炭素原子数6ないし10のアリール基
を表わし、そして R4は炭素原子数1ないし4のアルキル基、
または好ましくは水素原子を表わす。〕 で表わされる化合物またはその水溶性塩(ま
たは部分エステルもしくは塩);および随意
に ) 金属イオン成分であつて、前記式の化
合物および該金属イオンによつて個々に機能
する状態調節作用を相乗的に高めるもので
b)、 で処理し、および/または B) 金属表面を腐蝕させ得るまたは金属表面上
へスケールを沈積させ得る水性系と接触してい
る間において、 a) 前記式の化合物またはその水溶性塩
(または部分塩);および随意に b) 前記)において定義した金属イオン、
で処理してなる、前記金属表面を状態調節す
る方法を提供するものである。 処理AおよびBは処理すべき金属表面を陰極分
極させることによつて、たとえば慣用の接触圧流
れ技術(たとえばChapter11,“Corrosion”,L.
L.Sheir,Newnes−Butterworth 1976)によつ
て有利に適用され得る。 炭素原子数1ないし12の直鎖または分枝鎖アル
キル基(随意にヒドロキシまたはカルボキシ置換
されたもの)としてのR1および/またはR2の例
としてはメチル、エチル、n−プロピル、イソプ
ロピル、n−ブチル、イソブチル、t−ブチル、
n−ペンチル、n−ヘキシル、n−オクチル、n
−ノニル、n−デシル、n−ウンデシルおよびn
−ドデシル基;2−ヒドロキシエチル、2−ヒド
ロキシプロピル、2−ヒドロキシブチル、および
2,3−ジヒドロキシプロピル基:およびカルボ
キシメチル、2−カルボキシエチル、2−カルボ
キシプロピル、3−カルボキシブチルおよび1,
2−ジカルボキシエチル基を包含する。 炭素原子数3ないし12の直鎖または分枝鎖アル
ケニル基としてのR1および/またはR2の例とし
てはプロペ−2−エニル、n−ブテ−2−エニ
ル、2−メチル−プロペ−2−エニル、n−ペン
テ−2−エニル、n−ヘキセ−2−エニル、n−
ヘキサ−2,4−ジエニル、n−デセ−10−エニ
ルおよびn−ドデセ−12−エニルを包含する。 炭素原子数7ないし15のアルアルキル基R1お
よび/またはR2としてはベンジル、α−メチル
ベンジル、α,α−ジメチル−ベンジル、α−お
よびβ−フエニルエチル、ベンズヒドリル、また
はナフチルメチル基を包含する。 R1およびR2が、それらがそれぞれ結合してい
る窒素原子とともに、随意に置換された複素環式
環を形成するとき、これらはたとえばピロリド
ン、ビベリジン、モルホリンまたは2,5−ジメ
チルモルホリン環であつてもよい。 炭素原子1数ないし4の直鎖または分枝鎖アル
キル基R3としてはたとえばメチル、エチル、n
−プロピル、イソプロピル、n−ブチルまたはt
−ブチル基であり;そして随意に置換された炭素
原子数6ないし10のアリール基R3はフエニル、
トリル、、キシリル、タミル、ブチルフエニルお
よびナフチル基を包含する。 式の好ましい化合物はR1およびR2が水素原
子または炭素原子数1ないし4のアルキル基を表
わし、R3が水素原子を表わしそしてR4が水素原
子を表わすものである。 式の化合物の水溶性塩または部分塩はたとえ
ばリチウム、ナトリウムおよびカリウム塩のよう
なアルカリ金属塩;カルシウム、マグネシウム、
ストロンチウムおよびバリウムのようなアルカリ
土類金属塩;コバルト、鉄、亜鉛、クロム、ニツ
ケル、マンガン、カドミウムおよびセリウム
()イオンのような他の金属イオン;アンモニ
ア;および炭素原子数1ないし20のアルキルアミ
ン塩(随意に1ないし6個のヒドロキシ基で置換
されたもの)たとえばメチルアミン、エチルアミ
ン、n−プロピルアミン、トリメチルアミン、ト
リエチルアミン、n−ブチルアミン、n−ヘキシ
ルアミン、オクチルアミン、エタノールアミンお
よびトリエタノールアミンの塩である。 式の化合物の多くは新規である。しかしなが
ら、式においてR1,R2,R3およびR4がいずれ
も水素原子を表わす化合物は日産化学工業株式会
社によつて日本国特許第5408027号に記載されて
いる。 式の化合物はたとえば下記反応経路で概要を
示す方法によつて製造することができる。 この場合、R1,R2およびR3は前記意味を表わ
し、R4は水素原子またはアルキル基を表わし、
そしてR5およびR6は同一または異なつてそれぞ
れ水素原子、アルキル基、アリール基またはアル
アルキル基を表わす。随意に行なわれる慣用の加
水分解技術は、各種中間体エステルとして、R4,
R5およびR6が水素原子以外のものを表わすとき、
適用される。必要な各種触媒は鉱酸たとえば
HCl、有機酸またはルイス酸たとえばAlCl3、
ZnCl2またはBF3であり得る。 この種の慣用技術はD.RedmoreによつてJ.Org.
Chem、43992(1987)に記載されている: この場合、R3,R4,R5およびR6は前記意味を
表わし、そしてR7は水素原子、アルキル基、ア
ルアルキル基またはアリール基を表わす。 この技術はOleksyszynおよびGruszeekaによ
つてTetrahedron Letters 36,3537(1981)に
記載されている。 この場合R1,R2およびR3は前記意味を表わす。 カルボニル反応体としてホルムアルデヒドを使
用して予備反応にのみ利用される、この方法は、
実質的にMoedritzerおよびIraniによつてJ.Org.
Chem.31,1603(1966)に記載されている: この場合、R4は前記意味を表わし、R8はHま
たは炭素原子数1ないし4のアルキル基を表わ
し、そしてXはClまたはBrを表わす。適する塩
基は水酸化ナトリウムもしくはカリウムまたはト
リエチレンアミンのような第三アミンである。 5) 式においてRおよび/またはR2が−
CH2PO3H2(ホスホノメチレン)を表わす化合物
は、MoedritzerおよびIraniによつてJ.Org.
Chem.31,1603(1966)に記載されているように、
式においてR1およびR2がそれぞれ水素原子を
表わす化合物をホルムアルデヒドおよび亜燐酸と
反応させることによつて製造してもよい。 項目(A)で行なわれる処理に関して、処理すべき
金属表面を、たとえば式の化合物(またはその
水溶性塩)の水溶液と、随意に金属イオン成分特
に式の化合物と組合せたとき腐蝕抑制および/
またはスケール抑制について相乗効果を得る金属
イオンb)と組合せて、接触させてよい。 接触圧流れ技術の好ましい施用態様でなされる
処理A)の幾つかの典型的な用途としては、腐蝕
雰囲気たとえば大気にさらされる金属表面の一時
的保護;後に塗装される金属表面の前処理;ホス
フエート化金属表面をシールするための共処理;
および式の化合物(またはその塩)および随意
に金属イオン成分b)を含有するペイントを配合
し、次いで該ペイントを状態調節すべき金属表面
に、たとえば噴霧、はけ塗り、浸漬、または陰極
電着によつて施用すること;を包含する。 処理A)の典型的な用途の各場合において、金
属表面たとえばホスフエート化軟鋼表面を、随意
に金属イオン成分b)を含有する、式の化合物
(またはその水溶性塩)の溶液に浸漬するか、ま
たは該溶液を前記ホスフエート化金属表面に塗装
もしくは噴霧し得る。 項目A)またはB)としての本発明による処理
において、金属イオン成分は独立した金属塩とし
てもしくは式の化合物の予備形成塩として、ま
たは両者の組合せとして、使用し得る。 適する金属イオン成分bとしては、たとえばコ
バルト、鉄、バリウム、カルシウム、亜鉛、クロ
ム、ニツケル、ストロンチウム、マンガン、カド
ミウム、セリウム()およびマグネシウムイオ
ンを包含する。これらの金属イオンの幾つか、た
とえばカルシウムおよびバリウムは、それ自体で
は腐蝕抑制またはスケール制御を付与しないもの
である。 本発明の状態調節方法にて使用される腐蝕およ
び/またはスケール抑制組成物について用いられ
る、式の化合物(その水溶性塩)と金属イオン
成分b)との比は、たとえば100:1ないし1:
100、さらに好ましくは10:1ないし1:10重量
部の広範囲にて変更し得る。 実際上、たとえば添加すべき組成物を金属表面
に接触する水性系に添加することによつて金属表
面を処理するために使用する、式の化合物およ
び金属イオンからなる粗成物の量は、組成物が果
たすべき保護機能に依存して変化されるべきであ
る。随意にスケール抑制処理と組合わされる、腐
蝕抑制保護処理のためには、水性系に添加される
組成物の量は、水性系に基づいて0.1ないし
50000ppm(または0.00001ないし5重量%)好ま
しくは1ないし500ppm(または0.0001ないし0.5
重量%)の範囲が都合良い。抗スケールのみが目
的である場合、組成物の使用量は水性系に基づい
て1ないし200ppm好ましくは1ないし30ppmが
都合良い。 本発明によつて処理される水性系、特に腐蝕抑
制おけるスケール防止の組合せ処理において重要
なものは、冷却水系、蒸気発生系、海水蒸発器、
静水かま、ガス洗浄系、閉回路加熱系、水性冷却
系および立上り井戸系であり、;腐蝕抑制処理の
みの場合、特に重要な水性系としては水性機械加
工流体配合物(たとえばボーリング、ミリング、
リーマー仕上、ブローチング、延伸、スピニン
グ、旋削、切削、のこ引き、研削およびねじ切削
加工用、または延伸もしくは圧延における非切削
造形加工用)、水性精練系、水性グリコール凍結
防止系を含むエンジンクーラント、水/グリコー
ル圧媒液;および水性ポリマー表面塗装系または
溶媒性ポリマー系たとえばテトラヒドロフラン、
ケトンまたはアルコキシアルカノールを含有する
もの;を包含する。 本発明によつて使用される相乗抑制剤組成物は
単独でまたは水性系の処理において有用な他の公
知化合物と一緒に使用し得る。 完全な水性である系、たとえば冷却水系、空気
調節系、蒸気発生系、海水蒸発系、静水かま、お
よび閉回路加熱または冷却系の処理において、他
の腐蝕抑制剤としては、たとえば、水溶性亜鉛
塩;ホスフエート;ポリホスフエート;ホスホン
酸およびその塩、たとえばアセトジホスホン酸、
ニトリロトリスメチレンホスホン酸およびメチル
アミノジメチレンホスホン酸;2−ヒドロキシ−
ホスホノ酢酸または他のホスホノカルボン酸およ
びその塩、たとえばドイツ特許公開第2632774号
に記載されたもの、2−ホスホノブタン−1,
2,4−トリカルボン酸および英国特許第
1572406号に開示されたもの;クロメート、たと
えば、クロム酸ナトリウム;ニトレート、たとえ
ば硝酸ナトリウム;ニトリツト;たとえば亜硝酸
ナトリウム;モリブデート、たとえばモリブデン
酸ナトリウム;シリケート、たとえば珪酸ナトリ
ウム;ベンゾトリアゾール、ビス−ベンゾトリア
ゾールまたは銅奪活化ベンゾトリアゾールまたは
トリトリアゾール誘導体またはそのマンニツヒ塩
基誘導体;N−アシルサルコシン;N−アシルア
ミノジ酢酸;エタノールアミン;脂肪族アミン;
およびポリカルボン酸、たとえばポリマレイン酸
およびポリアクリル酸、ならびにこれらのアルカ
リ金属塩、マレイン酸無水物のコポリマー、アク
リル酸のコポリマー、およびポリマレイン酸、ポ
リアクリル酸およびそれらのコポリマーの置換誘
導体;のようなものを使用し得る。 さらに、この完全な水性系において、本発明に
よつて使用される抑制剤は、他の分散剤および/
または限界処理剤、たとえば重合性アクリル酸
(またはその塩)、ホスフイノーポリカルボン酸
(英国特許第1458235号に記載されそしてクレーム
されたようなもの)、加水分解されたポリアクリ
ロニトリル、重合性メタクリル酸およびその塩、
ポリアクリルアミドおよびそのアクリルおよびメ
タクリル酸とのコポリマー、リグニンスルホン酸
およびその塩、タンニン、ナフタレンスルホン
酸/ホルムアルデヒド縮合生成物、スターチおよ
びその誘導体、セルロース、アクリル酸/低級ア
ルキルヒドロキシアクリレートコポリマーたとえ
ばアメリカ合衆国特許明細書第4029577号に記載
されたもの、スルホン化スチレン/マレイン酸無
水物コポリマー、スチレン/マレイン酸無水物コ
ポリマーおよびスルホン化スチレンホモポリマー
たとえばアメリカ合衆国特許明細書第4374733号
に記載されたものおよびその組合せ、と一緒に使
用してもよい。たとえば、2−ホスホノブタン−
1,2,4−トリカルボン酸、アセトジホスホン
酸、加水分解されたポリマレイン酸無水物および
その塩、アルキルホスホン酸、1−アミノアルキ
ル−1,1−ジホスホン酸およびその塩、および
アルカリ金属ポリホスフエートのような、特殊な
限界処理剤を、使用してもよい。 アルカリ金属オルト−ホスフエートおよびカル
ボネートのような沈殿剤:アルカリ金属スルフイ
ツトおよびヒドラジンのような酸素脱除剤;ニト
リロトリ酢酸およびその塩のような金属イオン封
鎖剤;シリコーンのような消泡剤、たとえばポリ
ジメチルシロキサン、ジステアリルセバクアミ
ド、ジステアリルセバクアミド、ジステアリルア
ジプアミドおよびエチレンオキシドおよび/また
はプロピレンオキシド縮合から誘導される関連生
成物、さらにカプリルアルコールおよびそのエチ
レンオキシド縮合物のような脂肪アルコール;お
よび殺生剤、たとえばアミン、第四級アンモニウ
ム化合物、クロロフエノール、スルホンのような
硫黄含有化合物、メチレンビスチオシアネートお
よびカルバメート、イソチアゾロン、臭素化プロ
ピオンアミド、トリアジン、ホスホニウム化合
物、塩素および塩素放出剤およびトリブチル錫オ
キシドのような有機金属化合物を使用してもよ
い。 本発明方法によつて処理すべき系が完全な水性
でない、たとえば水性機械加工流体配合物である
場合、それはたとえば水で希釈され得る切削また
は研削流体であり得る。 本発明の水性機械加工流体配合物は、たとえば
金属加工配合物であつてもよい。「金属加工」と
いう語は、「リーマ加工、ブローチング、延伸、
スピニング、切削、研削、穿孔、微粉砕、旋削、
のこ引き、非切削造形または圧延」を意味する。
腐蝕抑制組成物を含浸させてもよい、水で希釈さ
れ得る切削または研削流体の例としては下記のも
のを包含する: a) 本発明による1種以上の腐蝕抑制剤、およ
び所望により1種以上の耐摩耗性添加剤からな
り、通常摩砕流体として1:50ないし1:100
の希釈度で使用される水性濃厚物; b) 殺生物剤、本発明による腐蝕抑制剤および
耐摩耗性添加剤を含有し、切削操作用として
1:20ないし1:40の希釈度で、また摩砕用と
して1:60ないし1:80の希釈度で使用される
ポリグリコール; c) 上記b)と類似する流体であつて、さら
に、水で希釈すると半透明な生成物となる、充
分な乳化剤を伴なつた10ないし23%油を含有す
る半合成切削用流体: d) たとえば乳化剤、本発明による腐蝕抑制剤
高圧/耐摩耗性添加剤、殺生物剤、消泡剤、カ
ツプリング剤などを含有する乳化性鉱油濃厚
物。これらは通常、水により1:10ないし1:
50の割合で希釈されて不透明な白色エマルジヨ
ンとされる。 e) 上記d)に類似する生成物であつて、1:
50ないし1:100の範囲の希釈度で切削または
摩砕操作用の透明なエマルジヨンとされる、上
記d)の流体に比してより少ない油およびより
多い乳化剤を含有する生成物。 水性系成分が水性機械加工流体配合物である、
これらの部分的水性系において、本発明の抑制剤
は、単独で、または他の添加剤たとえば公知の他
の腐蝕抑制剤および/または極圧添加剤と混合し
て使用し得る。 これらの水性系において本発明に係る抑制剤組
成物とともに使用され得る他の腐蝕抑制剤の例と
しては、下記群を包含する: a) 有機酸、そのエステルまたはアンモニウ
ム、アミン、アルカノールアミンおよび金属
塩、たとえば、安息香酸、P−第三ブチル安息
香酸、セバシン酸二ナトリウム、ラウリン酸ト
リエタノールアミン、イソーノナン酸、(p−
トルエンスルホンアミド カプロン酸のトリエ
タノールアミン塩、ベンゼンスルホンアミドカ
プロン酸のトリエタノールアミン塩、欧洲特許
出願第41927号に記載された5−ケトカルボン
酸誘導体のトリエタノールアミン塩、N−ラウ
ロイルサルコシン酸ナトリウムまたはノニルフ
エノキシ酢酸; b) 下記種類のような窒素含有物質:脂肪酸ア
ルカノールアミド;イミダゾリン、たとえば1
−ヒドロキシ−エチル−2−オレイル−イミダ
ゾリン;オキサゾリン;トリアゾール、たとえ
ばベンゾトリアゾール;またはそれらのマンニ
ツヒ塩基誘導体;トリエタノールアミン、脂肪
アミン;および無機塩、たとえば硝酸ナトリウ
ム; c) 下記種類のような燐含有物質:燐酸アミ
ン、ホスホン酸または無機塩、たとえば燐酸水
素ナトリウムまたは燐酸亜鉛; d) 下記種類のような硫黄含有化含物:石油ス
ルホン酸ナトリウム、カルシウムもしくはバリ
ウム、または複素環式化合物、たとえばナトリ
ウムメルカプトベンゾチアゾール。 窒素含有物質、特にトリエタノールアミンが好
ましい。 本発明によつて処理される系に存在させ得る極
圧添加剤の例としては、硫黄および/または燐お
よび/またはハロゲン含有物質、たとえば硫黄化
マツコウ油、硫黄化脂肪、リン酸トリトリル、塩
素化パラフインまたはエトキシル化燐酸エステル
を包含する。 トリエタノールアミンを本発明によつて処理さ
れる水性系に存在させる場合、抑制剤組成物とト
リエタノールアミンとの比が2:1ないし1:20
となるような量で存在させることが好ましい。 本発明方法によつて処理される部分的水性系は
水性表面塗布組成物、たとえば金属基質用のエマ
ルジヨンペイントおよび水性粉末塗料であり得
る。 水性表面塗装組成物は、金属基質を塗装するた
めの、たとえばスチレン−アクリルコポリマーエ
マルジヨンペイントのようなペイント、樹脂、ラ
テツクス、または他の水性ポリマ表面塗装系であ
る。本発明により使用される抑制剤組成物は表面
塗装の旋用中における金属基質の流出錆(flash
rusting)を防止するために、そして塗装された
金属の使用中におけるその後の腐蝕を防止するた
めに利用され得る。 本発明方法によつて処理される水性表面塗装組
成物において、抑制剤組成物は単独で、または他
の添加剤たとえば公知の腐蝕抑制剤、殺生剤、乳
化剤および/または顔料と混合した使用され得
る。 使用され得る他の公知腐蝕抑制剤は、たとえば
前述した類a)、b)、c)およびd)のものであ
る。 式の化合物とともに、これらの水性系に使用
され得る殺生剤の例としては、下記のものを包含
する: フエノール、ならびにアルキル−およびハロゲ
ン化フエノール、たとえばペンタクロロフエノー
ル、o−フエニルフエノール、o−フエノキシフ
エノールおよび塩素化o−フエノキシフエノー
ル;サリチルアニリド;ジアミン;トリアジン;
および有機金属化合物、たとえば有機水銀化合物
および有機錫化合物。 式の化合物とともに、これらの水性系に使用
され得る顔料の例としては、二酸チタン、クロム
酸亜鉛、酸化鉄およびフタロシアニンのような有
機顔料を包含する。 下記実施例によつて本発明をさらに詳述する。 実施例 1 ジエチルアミン塩酸塩16.3重量部、オルト亜燐
酸16.6重量部およびグリオキシル酸(50%水溶
液)29.6重量部を18%塩酸50容量部の中に含有し
てなる溶液を18時間還流加熱する。次いで、揮発
性物質を減圧蒸留によつて除去し、残留油をアセ
トンですり砕いて不純物を除去する。この結果、
下記重量分析値を有する2−ジエチルアミノホス
ホン酢酸塩酸塩一水化物28重量部を得る: 実測値:P11.54%; 計算値(C6H12NO5P.HCl.H2O):P11.67%さら
に、31P−nmrスペクトルにおいて(水中)H3PO4
よりも15.8ppmダウンフイールドのシグナル(JP
−CH=18Hz)を認める。 実施例 2 アセトアミド11.8重量部およびオルト亜燐酸
16.4重量%を無水酢酸40容量部の中に含有してな
る溶液を撹拌しながら45℃に加熱する。この溶液
に、グリオキシル酸水化物22.2重量部を15分かけ
て、数回に分けて、添加する。反応温度は添加中
に80℃まで上昇し、同温を外部加熱によつてさら
に3時間維持する。無水酢酸を減圧下にて留去
し、粘性残留物を濃塩酸100容量部の中に溶解さ
せる溶液を4時間還流加熱し、次いで蒸発乾固さ
せると褐色の結晶固体を得、該固体を60%水性メ
タノール600容量部中に溶解させ、続いて酸化プ
ロピレンを添加すると、195℃で分解を伴なつて
融解し、かつ下記重量元素分析値を有する2−ア
ミノホスホノ酢酸−水化物9.3重量部を得る: 実測値:C13.92;H4.57; N7.97;P17.79% 計算値(C2H6NO3P.H2O): C13.88;H4.66N8.10;P17.90% 実施例 3 グリオキシル酸水化物9.2重量部、モルホリン
8.7重量部およびオルト亜燐酸8.2重量部を18%塩
酸100容量部の中に含有してなる溶液を実施例1
と同様な手順で処理すると、2−N−モルホリノ
ホスホノ酢酸24.5重量部を得る。31P−nmrスペク
トル(水中)においてH3PO4よりも13.8ppmダウ
ンフイルドのシグナル(Jp−CH=18Hz)を認め
る。 実施例 4 実施例1と同様の手順で、サルコシン8.9重量
部およびオルト亜燐酸8.2重量部を18%塩酸100重
量部の中に含有してなる溶液を反応させ、蒸発さ
せることによつて、31P−nmrスペクトルにおいて
水中にてH3PO4よりも13.3ppmダウンフイールド
のシグナル(Jp−CH=18Hz)を有する薄黄色の
無定形固体として2−(N−メチル−N−カルボ
キシメチルアミノ)ホスホノ酢酸塩酸塩25.8重量
部を得る。 実施例 5 2−アミノホスホノ酢酸7.8重量部、P−ホル
ムアルデヒド4.5重量部およびオルト亜燐酸8.2重
量部を濃酸塩40容量部の中に含有してなる溶液を
8時間還流加熱する。溶媒を90℃/12mmHgでの
減圧蒸留によつて除去すると、31P−nmrスペクト
ルが2−(N,N−ビスホスホノメチレンアミノ)
ホスホノ酢酸の構造に合致して、H3PO4に対し
て9.7ppmダウンフイールド(三重項J=13Hz)
および14.6ppmダウンフイールド(二重項J=18
Hz)の二つのピークを有する暗赤色の粘性油16.2
重量部を得る。 実施例 6 式の活性化合物の腐蝕抑制剤活性を、次のよ
うに配合される標準腐蝕水: CaSO4・2H2O 20g MgSO4・7H2O 15g NaHCO3 4.6g CaCl2・6H2O 7.7g 蒸留水 205 を用いて、アエレイテイド・ソリユーシヨン・ボ
ルト試験(Aerated Solution Bottle Test)に
よる下記手順で立証する。 軽石でスクラピングした軟鋼片(5cm2×2.5cm)
を塩酸中に1分間浸漬し、次いで水洗し、乾燥
し、そして秤量する。 所望割合の添加組成物を標準腐蝕水200ml中に
溶解させる。二つの軟鋼片を溶液中にて吊下げ、
全体を温度調節器の密閉ボルト中にて40℃で保管
する。保管期間中、エアを500ml/分で溶液の中
に通す。この場合、エアの通路は軟鋼片から遮蔽
し;蒸発の減水分は追加蒸留水で補償される。 64時間後、軟鋼片を取出し、軽石なしでスクラ
ビングし、ヘキサミン1重量%で抑制された塩酸
中に1分間浸漬し、次いで水洗し、乾燥し、そし
て再秤量する。一定の重量損失が生じるであろ
う。空試験すなわちいかなる潜在的腐蝕抑制剤も
存在させない試験水中における軟鋼片の浸漬を、
一連の各試験について行なう。腐蝕率を損失重量
ミリグラム/平方デシメータ/日(以下、m.d.d.
いう。)で算出するが、便宜上、結果を下記のよ
うに定義した保護パーセントとして示す: 保護%=空試験における腐蝕率(m.d.d.)−実施例にお
ける腐蝕率(m.d.d.)/空試験における腐蝕率(m.d.d.
)×100 腐蝕抑制剤として式の化合物を使用してなる
一連の試験にて得られた結果を表に示す。
面上のスケール沈積を抑制する方法に関する。 イギリス国特許出願第2112370A号において、
本出願人は、水性系をそれに接触している金属、
特に鉄系金属の腐蝕を抑制するためにおよび/ま
たは水性系からのスケール沈積を抑制するために
処理する方法であつて、 水性系に次式: で表わされる2−ヒドロキシ−ホスホノ酢酸また
はその水溶性塩0.1ないし50000ppmを添加するこ
とからなる方法を記載してクレームとした。 本発明者は、いま、ある種の2−アミノ−ホス
ホノ酢酸化合物を、金属表面と接触した水性系に
添加したとき、また腐蝕またはスケーリング環境
と接触する前に金属表面に前処理として使用した
とき、該化合物が腐蝕抑制剤および/またはスケ
ール沈積抑制剤として効果的であることを見い出
した。 したがつて、本発明は、 金属表面特に鉄、銅(またはそれらの合金)表
面の腐蝕を抑制するためにおよび/または金属表
面上へのスケール沈積を抑制するために金属表面
を状態調節する方法であつて、 前記金属表面を、 A) 腐蝕またはスケーリング環境と接触する前
において、 ) 次式: 〔式中、 R1およびR2は同一または異なつてそれぞ
れ水素原子、炭素原子数1ないし12の直鎖ま
たは分枝鎖アルキル基であつて随意に1また
はそれ以上のヒドロキシおよび/またはカル
ボキシル基で置換されたものおよび/または
随意に1またはそれ以上の酸素原子で中断さ
れたもの、炭素原子数3ないし12の直鎖また
は分枝鎖アルケニル基、炭素原子数7ないし
15のアルアルキル基または−CH2PO3H2を
表わすか、または R1およびR2は、それらがそれぞれ結合し
ている窒素原子とともに、随意に置換された
複素環式環を形成してもよく、 R3は水素原子、炭素原子数1ないし12の
直鎖または分枝鎖アルキル基または随意に置
換された炭素原子数6ないし10のアリール基
を表わし、そして R4は炭素原子数1ないし4のアルキル基、
または好ましくは水素原子を表わす。〕 で表わされる化合物またはその水溶性塩(ま
たは部分エステルもしくは塩);および随意
に ) 金属イオン成分であつて、前記式の化
合物および該金属イオンによつて個々に機能
する状態調節作用を相乗的に高めるもので
b)、 で処理し、および/または B) 金属表面を腐蝕させ得るまたは金属表面上
へスケールを沈積させ得る水性系と接触してい
る間において、 a) 前記式の化合物またはその水溶性塩
(または部分塩);および随意に b) 前記)において定義した金属イオン、
で処理してなる、前記金属表面を状態調節す
る方法を提供するものである。 処理AおよびBは処理すべき金属表面を陰極分
極させることによつて、たとえば慣用の接触圧流
れ技術(たとえばChapter11,“Corrosion”,L.
L.Sheir,Newnes−Butterworth 1976)によつ
て有利に適用され得る。 炭素原子数1ないし12の直鎖または分枝鎖アル
キル基(随意にヒドロキシまたはカルボキシ置換
されたもの)としてのR1および/またはR2の例
としてはメチル、エチル、n−プロピル、イソプ
ロピル、n−ブチル、イソブチル、t−ブチル、
n−ペンチル、n−ヘキシル、n−オクチル、n
−ノニル、n−デシル、n−ウンデシルおよびn
−ドデシル基;2−ヒドロキシエチル、2−ヒド
ロキシプロピル、2−ヒドロキシブチル、および
2,3−ジヒドロキシプロピル基:およびカルボ
キシメチル、2−カルボキシエチル、2−カルボ
キシプロピル、3−カルボキシブチルおよび1,
2−ジカルボキシエチル基を包含する。 炭素原子数3ないし12の直鎖または分枝鎖アル
ケニル基としてのR1および/またはR2の例とし
てはプロペ−2−エニル、n−ブテ−2−エニ
ル、2−メチル−プロペ−2−エニル、n−ペン
テ−2−エニル、n−ヘキセ−2−エニル、n−
ヘキサ−2,4−ジエニル、n−デセ−10−エニ
ルおよびn−ドデセ−12−エニルを包含する。 炭素原子数7ないし15のアルアルキル基R1お
よび/またはR2としてはベンジル、α−メチル
ベンジル、α,α−ジメチル−ベンジル、α−お
よびβ−フエニルエチル、ベンズヒドリル、また
はナフチルメチル基を包含する。 R1およびR2が、それらがそれぞれ結合してい
る窒素原子とともに、随意に置換された複素環式
環を形成するとき、これらはたとえばピロリド
ン、ビベリジン、モルホリンまたは2,5−ジメ
チルモルホリン環であつてもよい。 炭素原子1数ないし4の直鎖または分枝鎖アル
キル基R3としてはたとえばメチル、エチル、n
−プロピル、イソプロピル、n−ブチルまたはt
−ブチル基であり;そして随意に置換された炭素
原子数6ないし10のアリール基R3はフエニル、
トリル、、キシリル、タミル、ブチルフエニルお
よびナフチル基を包含する。 式の好ましい化合物はR1およびR2が水素原
子または炭素原子数1ないし4のアルキル基を表
わし、R3が水素原子を表わしそしてR4が水素原
子を表わすものである。 式の化合物の水溶性塩または部分塩はたとえ
ばリチウム、ナトリウムおよびカリウム塩のよう
なアルカリ金属塩;カルシウム、マグネシウム、
ストロンチウムおよびバリウムのようなアルカリ
土類金属塩;コバルト、鉄、亜鉛、クロム、ニツ
ケル、マンガン、カドミウムおよびセリウム
()イオンのような他の金属イオン;アンモニ
ア;および炭素原子数1ないし20のアルキルアミ
ン塩(随意に1ないし6個のヒドロキシ基で置換
されたもの)たとえばメチルアミン、エチルアミ
ン、n−プロピルアミン、トリメチルアミン、ト
リエチルアミン、n−ブチルアミン、n−ヘキシ
ルアミン、オクチルアミン、エタノールアミンお
よびトリエタノールアミンの塩である。 式の化合物の多くは新規である。しかしなが
ら、式においてR1,R2,R3およびR4がいずれ
も水素原子を表わす化合物は日産化学工業株式会
社によつて日本国特許第5408027号に記載されて
いる。 式の化合物はたとえば下記反応経路で概要を
示す方法によつて製造することができる。 この場合、R1,R2およびR3は前記意味を表わ
し、R4は水素原子またはアルキル基を表わし、
そしてR5およびR6は同一または異なつてそれぞ
れ水素原子、アルキル基、アリール基またはアル
アルキル基を表わす。随意に行なわれる慣用の加
水分解技術は、各種中間体エステルとして、R4,
R5およびR6が水素原子以外のものを表わすとき、
適用される。必要な各種触媒は鉱酸たとえば
HCl、有機酸またはルイス酸たとえばAlCl3、
ZnCl2またはBF3であり得る。 この種の慣用技術はD.RedmoreによつてJ.Org.
Chem、43992(1987)に記載されている: この場合、R3,R4,R5およびR6は前記意味を
表わし、そしてR7は水素原子、アルキル基、ア
ルアルキル基またはアリール基を表わす。 この技術はOleksyszynおよびGruszeekaによ
つてTetrahedron Letters 36,3537(1981)に
記載されている。 この場合R1,R2およびR3は前記意味を表わす。 カルボニル反応体としてホルムアルデヒドを使
用して予備反応にのみ利用される、この方法は、
実質的にMoedritzerおよびIraniによつてJ.Org.
Chem.31,1603(1966)に記載されている: この場合、R4は前記意味を表わし、R8はHま
たは炭素原子数1ないし4のアルキル基を表わ
し、そしてXはClまたはBrを表わす。適する塩
基は水酸化ナトリウムもしくはカリウムまたはト
リエチレンアミンのような第三アミンである。 5) 式においてRおよび/またはR2が−
CH2PO3H2(ホスホノメチレン)を表わす化合物
は、MoedritzerおよびIraniによつてJ.Org.
Chem.31,1603(1966)に記載されているように、
式においてR1およびR2がそれぞれ水素原子を
表わす化合物をホルムアルデヒドおよび亜燐酸と
反応させることによつて製造してもよい。 項目(A)で行なわれる処理に関して、処理すべき
金属表面を、たとえば式の化合物(またはその
水溶性塩)の水溶液と、随意に金属イオン成分特
に式の化合物と組合せたとき腐蝕抑制および/
またはスケール抑制について相乗効果を得る金属
イオンb)と組合せて、接触させてよい。 接触圧流れ技術の好ましい施用態様でなされる
処理A)の幾つかの典型的な用途としては、腐蝕
雰囲気たとえば大気にさらされる金属表面の一時
的保護;後に塗装される金属表面の前処理;ホス
フエート化金属表面をシールするための共処理;
および式の化合物(またはその塩)および随意
に金属イオン成分b)を含有するペイントを配合
し、次いで該ペイントを状態調節すべき金属表面
に、たとえば噴霧、はけ塗り、浸漬、または陰極
電着によつて施用すること;を包含する。 処理A)の典型的な用途の各場合において、金
属表面たとえばホスフエート化軟鋼表面を、随意
に金属イオン成分b)を含有する、式の化合物
(またはその水溶性塩)の溶液に浸漬するか、ま
たは該溶液を前記ホスフエート化金属表面に塗装
もしくは噴霧し得る。 項目A)またはB)としての本発明による処理
において、金属イオン成分は独立した金属塩とし
てもしくは式の化合物の予備形成塩として、ま
たは両者の組合せとして、使用し得る。 適する金属イオン成分bとしては、たとえばコ
バルト、鉄、バリウム、カルシウム、亜鉛、クロ
ム、ニツケル、ストロンチウム、マンガン、カド
ミウム、セリウム()およびマグネシウムイオ
ンを包含する。これらの金属イオンの幾つか、た
とえばカルシウムおよびバリウムは、それ自体で
は腐蝕抑制またはスケール制御を付与しないもの
である。 本発明の状態調節方法にて使用される腐蝕およ
び/またはスケール抑制組成物について用いられ
る、式の化合物(その水溶性塩)と金属イオン
成分b)との比は、たとえば100:1ないし1:
100、さらに好ましくは10:1ないし1:10重量
部の広範囲にて変更し得る。 実際上、たとえば添加すべき組成物を金属表面
に接触する水性系に添加することによつて金属表
面を処理するために使用する、式の化合物およ
び金属イオンからなる粗成物の量は、組成物が果
たすべき保護機能に依存して変化されるべきであ
る。随意にスケール抑制処理と組合わされる、腐
蝕抑制保護処理のためには、水性系に添加される
組成物の量は、水性系に基づいて0.1ないし
50000ppm(または0.00001ないし5重量%)好ま
しくは1ないし500ppm(または0.0001ないし0.5
重量%)の範囲が都合良い。抗スケールのみが目
的である場合、組成物の使用量は水性系に基づい
て1ないし200ppm好ましくは1ないし30ppmが
都合良い。 本発明によつて処理される水性系、特に腐蝕抑
制おけるスケール防止の組合せ処理において重要
なものは、冷却水系、蒸気発生系、海水蒸発器、
静水かま、ガス洗浄系、閉回路加熱系、水性冷却
系および立上り井戸系であり、;腐蝕抑制処理の
みの場合、特に重要な水性系としては水性機械加
工流体配合物(たとえばボーリング、ミリング、
リーマー仕上、ブローチング、延伸、スピニン
グ、旋削、切削、のこ引き、研削およびねじ切削
加工用、または延伸もしくは圧延における非切削
造形加工用)、水性精練系、水性グリコール凍結
防止系を含むエンジンクーラント、水/グリコー
ル圧媒液;および水性ポリマー表面塗装系または
溶媒性ポリマー系たとえばテトラヒドロフラン、
ケトンまたはアルコキシアルカノールを含有する
もの;を包含する。 本発明によつて使用される相乗抑制剤組成物は
単独でまたは水性系の処理において有用な他の公
知化合物と一緒に使用し得る。 完全な水性である系、たとえば冷却水系、空気
調節系、蒸気発生系、海水蒸発系、静水かま、お
よび閉回路加熱または冷却系の処理において、他
の腐蝕抑制剤としては、たとえば、水溶性亜鉛
塩;ホスフエート;ポリホスフエート;ホスホン
酸およびその塩、たとえばアセトジホスホン酸、
ニトリロトリスメチレンホスホン酸およびメチル
アミノジメチレンホスホン酸;2−ヒドロキシ−
ホスホノ酢酸または他のホスホノカルボン酸およ
びその塩、たとえばドイツ特許公開第2632774号
に記載されたもの、2−ホスホノブタン−1,
2,4−トリカルボン酸および英国特許第
1572406号に開示されたもの;クロメート、たと
えば、クロム酸ナトリウム;ニトレート、たとえ
ば硝酸ナトリウム;ニトリツト;たとえば亜硝酸
ナトリウム;モリブデート、たとえばモリブデン
酸ナトリウム;シリケート、たとえば珪酸ナトリ
ウム;ベンゾトリアゾール、ビス−ベンゾトリア
ゾールまたは銅奪活化ベンゾトリアゾールまたは
トリトリアゾール誘導体またはそのマンニツヒ塩
基誘導体;N−アシルサルコシン;N−アシルア
ミノジ酢酸;エタノールアミン;脂肪族アミン;
およびポリカルボン酸、たとえばポリマレイン酸
およびポリアクリル酸、ならびにこれらのアルカ
リ金属塩、マレイン酸無水物のコポリマー、アク
リル酸のコポリマー、およびポリマレイン酸、ポ
リアクリル酸およびそれらのコポリマーの置換誘
導体;のようなものを使用し得る。 さらに、この完全な水性系において、本発明に
よつて使用される抑制剤は、他の分散剤および/
または限界処理剤、たとえば重合性アクリル酸
(またはその塩)、ホスフイノーポリカルボン酸
(英国特許第1458235号に記載されそしてクレーム
されたようなもの)、加水分解されたポリアクリ
ロニトリル、重合性メタクリル酸およびその塩、
ポリアクリルアミドおよびそのアクリルおよびメ
タクリル酸とのコポリマー、リグニンスルホン酸
およびその塩、タンニン、ナフタレンスルホン
酸/ホルムアルデヒド縮合生成物、スターチおよ
びその誘導体、セルロース、アクリル酸/低級ア
ルキルヒドロキシアクリレートコポリマーたとえ
ばアメリカ合衆国特許明細書第4029577号に記載
されたもの、スルホン化スチレン/マレイン酸無
水物コポリマー、スチレン/マレイン酸無水物コ
ポリマーおよびスルホン化スチレンホモポリマー
たとえばアメリカ合衆国特許明細書第4374733号
に記載されたものおよびその組合せ、と一緒に使
用してもよい。たとえば、2−ホスホノブタン−
1,2,4−トリカルボン酸、アセトジホスホン
酸、加水分解されたポリマレイン酸無水物および
その塩、アルキルホスホン酸、1−アミノアルキ
ル−1,1−ジホスホン酸およびその塩、および
アルカリ金属ポリホスフエートのような、特殊な
限界処理剤を、使用してもよい。 アルカリ金属オルト−ホスフエートおよびカル
ボネートのような沈殿剤:アルカリ金属スルフイ
ツトおよびヒドラジンのような酸素脱除剤;ニト
リロトリ酢酸およびその塩のような金属イオン封
鎖剤;シリコーンのような消泡剤、たとえばポリ
ジメチルシロキサン、ジステアリルセバクアミ
ド、ジステアリルセバクアミド、ジステアリルア
ジプアミドおよびエチレンオキシドおよび/また
はプロピレンオキシド縮合から誘導される関連生
成物、さらにカプリルアルコールおよびそのエチ
レンオキシド縮合物のような脂肪アルコール;お
よび殺生剤、たとえばアミン、第四級アンモニウ
ム化合物、クロロフエノール、スルホンのような
硫黄含有化合物、メチレンビスチオシアネートお
よびカルバメート、イソチアゾロン、臭素化プロ
ピオンアミド、トリアジン、ホスホニウム化合
物、塩素および塩素放出剤およびトリブチル錫オ
キシドのような有機金属化合物を使用してもよ
い。 本発明方法によつて処理すべき系が完全な水性
でない、たとえば水性機械加工流体配合物である
場合、それはたとえば水で希釈され得る切削また
は研削流体であり得る。 本発明の水性機械加工流体配合物は、たとえば
金属加工配合物であつてもよい。「金属加工」と
いう語は、「リーマ加工、ブローチング、延伸、
スピニング、切削、研削、穿孔、微粉砕、旋削、
のこ引き、非切削造形または圧延」を意味する。
腐蝕抑制組成物を含浸させてもよい、水で希釈さ
れ得る切削または研削流体の例としては下記のも
のを包含する: a) 本発明による1種以上の腐蝕抑制剤、およ
び所望により1種以上の耐摩耗性添加剤からな
り、通常摩砕流体として1:50ないし1:100
の希釈度で使用される水性濃厚物; b) 殺生物剤、本発明による腐蝕抑制剤および
耐摩耗性添加剤を含有し、切削操作用として
1:20ないし1:40の希釈度で、また摩砕用と
して1:60ないし1:80の希釈度で使用される
ポリグリコール; c) 上記b)と類似する流体であつて、さら
に、水で希釈すると半透明な生成物となる、充
分な乳化剤を伴なつた10ないし23%油を含有す
る半合成切削用流体: d) たとえば乳化剤、本発明による腐蝕抑制剤
高圧/耐摩耗性添加剤、殺生物剤、消泡剤、カ
ツプリング剤などを含有する乳化性鉱油濃厚
物。これらは通常、水により1:10ないし1:
50の割合で希釈されて不透明な白色エマルジヨ
ンとされる。 e) 上記d)に類似する生成物であつて、1:
50ないし1:100の範囲の希釈度で切削または
摩砕操作用の透明なエマルジヨンとされる、上
記d)の流体に比してより少ない油およびより
多い乳化剤を含有する生成物。 水性系成分が水性機械加工流体配合物である、
これらの部分的水性系において、本発明の抑制剤
は、単独で、または他の添加剤たとえば公知の他
の腐蝕抑制剤および/または極圧添加剤と混合し
て使用し得る。 これらの水性系において本発明に係る抑制剤組
成物とともに使用され得る他の腐蝕抑制剤の例と
しては、下記群を包含する: a) 有機酸、そのエステルまたはアンモニウ
ム、アミン、アルカノールアミンおよび金属
塩、たとえば、安息香酸、P−第三ブチル安息
香酸、セバシン酸二ナトリウム、ラウリン酸ト
リエタノールアミン、イソーノナン酸、(p−
トルエンスルホンアミド カプロン酸のトリエ
タノールアミン塩、ベンゼンスルホンアミドカ
プロン酸のトリエタノールアミン塩、欧洲特許
出願第41927号に記載された5−ケトカルボン
酸誘導体のトリエタノールアミン塩、N−ラウ
ロイルサルコシン酸ナトリウムまたはノニルフ
エノキシ酢酸; b) 下記種類のような窒素含有物質:脂肪酸ア
ルカノールアミド;イミダゾリン、たとえば1
−ヒドロキシ−エチル−2−オレイル−イミダ
ゾリン;オキサゾリン;トリアゾール、たとえ
ばベンゾトリアゾール;またはそれらのマンニ
ツヒ塩基誘導体;トリエタノールアミン、脂肪
アミン;および無機塩、たとえば硝酸ナトリウ
ム; c) 下記種類のような燐含有物質:燐酸アミ
ン、ホスホン酸または無機塩、たとえば燐酸水
素ナトリウムまたは燐酸亜鉛; d) 下記種類のような硫黄含有化含物:石油ス
ルホン酸ナトリウム、カルシウムもしくはバリ
ウム、または複素環式化合物、たとえばナトリ
ウムメルカプトベンゾチアゾール。 窒素含有物質、特にトリエタノールアミンが好
ましい。 本発明によつて処理される系に存在させ得る極
圧添加剤の例としては、硫黄および/または燐お
よび/またはハロゲン含有物質、たとえば硫黄化
マツコウ油、硫黄化脂肪、リン酸トリトリル、塩
素化パラフインまたはエトキシル化燐酸エステル
を包含する。 トリエタノールアミンを本発明によつて処理さ
れる水性系に存在させる場合、抑制剤組成物とト
リエタノールアミンとの比が2:1ないし1:20
となるような量で存在させることが好ましい。 本発明方法によつて処理される部分的水性系は
水性表面塗布組成物、たとえば金属基質用のエマ
ルジヨンペイントおよび水性粉末塗料であり得
る。 水性表面塗装組成物は、金属基質を塗装するた
めの、たとえばスチレン−アクリルコポリマーエ
マルジヨンペイントのようなペイント、樹脂、ラ
テツクス、または他の水性ポリマ表面塗装系であ
る。本発明により使用される抑制剤組成物は表面
塗装の旋用中における金属基質の流出錆(flash
rusting)を防止するために、そして塗装された
金属の使用中におけるその後の腐蝕を防止するた
めに利用され得る。 本発明方法によつて処理される水性表面塗装組
成物において、抑制剤組成物は単独で、または他
の添加剤たとえば公知の腐蝕抑制剤、殺生剤、乳
化剤および/または顔料と混合した使用され得
る。 使用され得る他の公知腐蝕抑制剤は、たとえば
前述した類a)、b)、c)およびd)のものであ
る。 式の化合物とともに、これらの水性系に使用
され得る殺生剤の例としては、下記のものを包含
する: フエノール、ならびにアルキル−およびハロゲ
ン化フエノール、たとえばペンタクロロフエノー
ル、o−フエニルフエノール、o−フエノキシフ
エノールおよび塩素化o−フエノキシフエノー
ル;サリチルアニリド;ジアミン;トリアジン;
および有機金属化合物、たとえば有機水銀化合物
および有機錫化合物。 式の化合物とともに、これらの水性系に使用
され得る顔料の例としては、二酸チタン、クロム
酸亜鉛、酸化鉄およびフタロシアニンのような有
機顔料を包含する。 下記実施例によつて本発明をさらに詳述する。 実施例 1 ジエチルアミン塩酸塩16.3重量部、オルト亜燐
酸16.6重量部およびグリオキシル酸(50%水溶
液)29.6重量部を18%塩酸50容量部の中に含有し
てなる溶液を18時間還流加熱する。次いで、揮発
性物質を減圧蒸留によつて除去し、残留油をアセ
トンですり砕いて不純物を除去する。この結果、
下記重量分析値を有する2−ジエチルアミノホス
ホン酢酸塩酸塩一水化物28重量部を得る: 実測値:P11.54%; 計算値(C6H12NO5P.HCl.H2O):P11.67%さら
に、31P−nmrスペクトルにおいて(水中)H3PO4
よりも15.8ppmダウンフイールドのシグナル(JP
−CH=18Hz)を認める。 実施例 2 アセトアミド11.8重量部およびオルト亜燐酸
16.4重量%を無水酢酸40容量部の中に含有してな
る溶液を撹拌しながら45℃に加熱する。この溶液
に、グリオキシル酸水化物22.2重量部を15分かけ
て、数回に分けて、添加する。反応温度は添加中
に80℃まで上昇し、同温を外部加熱によつてさら
に3時間維持する。無水酢酸を減圧下にて留去
し、粘性残留物を濃塩酸100容量部の中に溶解さ
せる溶液を4時間還流加熱し、次いで蒸発乾固さ
せると褐色の結晶固体を得、該固体を60%水性メ
タノール600容量部中に溶解させ、続いて酸化プ
ロピレンを添加すると、195℃で分解を伴なつて
融解し、かつ下記重量元素分析値を有する2−ア
ミノホスホノ酢酸−水化物9.3重量部を得る: 実測値:C13.92;H4.57; N7.97;P17.79% 計算値(C2H6NO3P.H2O): C13.88;H4.66N8.10;P17.90% 実施例 3 グリオキシル酸水化物9.2重量部、モルホリン
8.7重量部およびオルト亜燐酸8.2重量部を18%塩
酸100容量部の中に含有してなる溶液を実施例1
と同様な手順で処理すると、2−N−モルホリノ
ホスホノ酢酸24.5重量部を得る。31P−nmrスペク
トル(水中)においてH3PO4よりも13.8ppmダウ
ンフイルドのシグナル(Jp−CH=18Hz)を認め
る。 実施例 4 実施例1と同様の手順で、サルコシン8.9重量
部およびオルト亜燐酸8.2重量部を18%塩酸100重
量部の中に含有してなる溶液を反応させ、蒸発さ
せることによつて、31P−nmrスペクトルにおいて
水中にてH3PO4よりも13.3ppmダウンフイールド
のシグナル(Jp−CH=18Hz)を有する薄黄色の
無定形固体として2−(N−メチル−N−カルボ
キシメチルアミノ)ホスホノ酢酸塩酸塩25.8重量
部を得る。 実施例 5 2−アミノホスホノ酢酸7.8重量部、P−ホル
ムアルデヒド4.5重量部およびオルト亜燐酸8.2重
量部を濃酸塩40容量部の中に含有してなる溶液を
8時間還流加熱する。溶媒を90℃/12mmHgでの
減圧蒸留によつて除去すると、31P−nmrスペクト
ルが2−(N,N−ビスホスホノメチレンアミノ)
ホスホノ酢酸の構造に合致して、H3PO4に対し
て9.7ppmダウンフイールド(三重項J=13Hz)
および14.6ppmダウンフイールド(二重項J=18
Hz)の二つのピークを有する暗赤色の粘性油16.2
重量部を得る。 実施例 6 式の活性化合物の腐蝕抑制剤活性を、次のよ
うに配合される標準腐蝕水: CaSO4・2H2O 20g MgSO4・7H2O 15g NaHCO3 4.6g CaCl2・6H2O 7.7g 蒸留水 205 を用いて、アエレイテイド・ソリユーシヨン・ボ
ルト試験(Aerated Solution Bottle Test)に
よる下記手順で立証する。 軽石でスクラピングした軟鋼片(5cm2×2.5cm)
を塩酸中に1分間浸漬し、次いで水洗し、乾燥
し、そして秤量する。 所望割合の添加組成物を標準腐蝕水200ml中に
溶解させる。二つの軟鋼片を溶液中にて吊下げ、
全体を温度調節器の密閉ボルト中にて40℃で保管
する。保管期間中、エアを500ml/分で溶液の中
に通す。この場合、エアの通路は軟鋼片から遮蔽
し;蒸発の減水分は追加蒸留水で補償される。 64時間後、軟鋼片を取出し、軽石なしでスクラ
ビングし、ヘキサミン1重量%で抑制された塩酸
中に1分間浸漬し、次いで水洗し、乾燥し、そし
て再秤量する。一定の重量損失が生じるであろ
う。空試験すなわちいかなる潜在的腐蝕抑制剤も
存在させない試験水中における軟鋼片の浸漬を、
一連の各試験について行なう。腐蝕率を損失重量
ミリグラム/平方デシメータ/日(以下、m.d.d.
いう。)で算出するが、便宜上、結果を下記のよ
うに定義した保護パーセントとして示す: 保護%=空試験における腐蝕率(m.d.d.)−実施例にお
ける腐蝕率(m.d.d.)/空試験における腐蝕率(m.d.d.
)×100 腐蝕抑制剤として式の化合物を使用してなる
一連の試験にて得られた結果を表に示す。
【表】
実施例 7
炭酸カルシウムについての限界試験
下記溶液(a),(b)および(c)を調製する:
a) 硝酸カルシウム溶液
硝酸カルシウム四水化物1.470gを脱イオン
水中に溶解させ、溶解を1とする; b) 炭酸ナトリウム溶液 炭酸ナトリウム0.646gを脱イオン水中に溶
解させ、溶液を1とする; c) 2−アミノ−ホスホノ酢酸溶液 実施例2で得られた2−アミノ−ホスホノ酢
酸−水化物を水中に溶解させ、有効成分を
1000ppm含有する溶液とする。 硝酸カルシウム溶液50mlsをねじ込みキヤツプ
で施蓋された120g用ガラス壜中に入れる。この
溶液に、試験溶液の最終容量(100ml)中に、そ
れぞれ、5ppm、7.5ppmまたは10ppmの2−アミ
ノ−ホスホノ酢酸−水化物濃度を得るために必要
な容量の溶液(c)を添加する(たとえば0.1%溶液
c1.0mlの場合試験溶液中において2−アミノ−ホ
スホノ酢酸−水化物の濃度が10ppmとなる。)。溶
液b)50mlを添加し、混合物を振る。試験溶液
を、25℃に維持された恒温浴中にて24時間保管す
る。 試験溶液25mlsを取り出し、Pattonおよび
Reader′s Reagent〔2−ヒドロキシ−1−(2−
ヒドロキシ−4−スルホ−1−ナフチルアゾ)−
3−ナフトエ酸〕の結晶、続いて水酸化ナトリウ
ムの二つのペレツトを添加する。生成溶液をエチ
レンジアミンテトラ酢酸二ナトリウム塩の0.01M
標準溶液で滴定する。 下記表4に示した結果においては、空試験(す
なわち2−アミノ−ホスホノ酢酸を含有しないも
の)に対する炭酸カルシウムの沈殿抑制剤%とし
て表わす。 抑制%=実施例滴定量−空試験滴定量/7.78−空試験滴
定量×100 なお、数値「7.78」は100%抑制における最大
可能滴定値である。
水中に溶解させ、溶解を1とする; b) 炭酸ナトリウム溶液 炭酸ナトリウム0.646gを脱イオン水中に溶
解させ、溶液を1とする; c) 2−アミノ−ホスホノ酢酸溶液 実施例2で得られた2−アミノ−ホスホノ酢
酸−水化物を水中に溶解させ、有効成分を
1000ppm含有する溶液とする。 硝酸カルシウム溶液50mlsをねじ込みキヤツプ
で施蓋された120g用ガラス壜中に入れる。この
溶液に、試験溶液の最終容量(100ml)中に、そ
れぞれ、5ppm、7.5ppmまたは10ppmの2−アミ
ノ−ホスホノ酢酸−水化物濃度を得るために必要
な容量の溶液(c)を添加する(たとえば0.1%溶液
c1.0mlの場合試験溶液中において2−アミノ−ホ
スホノ酢酸−水化物の濃度が10ppmとなる。)。溶
液b)50mlを添加し、混合物を振る。試験溶液
を、25℃に維持された恒温浴中にて24時間保管す
る。 試験溶液25mlsを取り出し、Pattonおよび
Reader′s Reagent〔2−ヒドロキシ−1−(2−
ヒドロキシ−4−スルホ−1−ナフチルアゾ)−
3−ナフトエ酸〕の結晶、続いて水酸化ナトリウ
ムの二つのペレツトを添加する。生成溶液をエチ
レンジアミンテトラ酢酸二ナトリウム塩の0.01M
標準溶液で滴定する。 下記表4に示した結果においては、空試験(す
なわち2−アミノ−ホスホノ酢酸を含有しないも
の)に対する炭酸カルシウムの沈殿抑制剤%とし
て表わす。 抑制%=実施例滴定量−空試験滴定量/7.78−空試験滴
定量×100 なお、数値「7.78」は100%抑制における最大
可能滴定値である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 金属表面腐蝕を抑制するためにおよび/また
は金属表面上へのスケール沈積を抑制するために
金属表面を状態調節する方法であつて、 前記金属表面を、 A) 腐蝕またはスケーリング環境と接触する前
において、 ) 次式: 〔式中、 R1およびR2は同一または異なつてそれぞ
れ水素原子、炭素原子数1ないし12の直鎖ま
たは分枝鎖アルキル基であつて随意に1また
はそれ以上のヒドロキシ−および/またはカ
ルボキシル基で置換されたものおよび/また
は随意に1またはそれ以上の酸素原子で中断
されたもの、炭素原子数3ないし12の直鎖ま
たは分枝鎖アルケニル基、炭素原子数7ない
し15のアルアルキル基または−CH2PO3H2
を表わすか、または R1およびR2は、それらがそれぞれ結合し
ている窒素原子とともに、随意に置換された
複素環式環を形成してもよく、 R3は水素原子、炭素原子数1ないし12の
直鎖または分枝鎖アルキル基または随意に置
換された炭素原子数6ないし10のアリール基
を表わし、そして R4は水素原子または炭素原子数1ないし
4のアルキル基を表わす。〕 で表わされる化合物またはその水溶性塩(ま
たは部分エステルもしくは−塩);および随
意に ) 金属イオン成分であつて、前記式の化
合物および該金属イオンによつて個々に機能
する状態調節作用を相乗的に高めるものb)、 で処理し;および/または B) 金属表面を腐蝕させ得るまたは金属表面上
へスケールを沈積させ得る水性系と接触してい
る間において、 a) 前記式の化合物またはその水溶性塩
(または部分塩);および随意に b) 前記)において定義した金属イオン、
で処理してなる、前記金属表面を状態調節す
る方法。 2 R1およびR2がそれぞれ水素原子または炭素
原子数1ないし4のアルキル基を表わし、R3お
よびR4がそれぞれ水素原子を表わす特許請求の
範囲第1項記載の方法。 3 鉄、銅、(またはそれらの合金)表面を処理
する特許請求の範囲第1項記載の方法。 4 処理すべき金属表面が陰極分極される特許請
求の範囲第1項記載の方法。 5 予め腐蝕環境と接触する前の金属表面を、式
の化合物の水溶液(またはその水溶性塩)でお
よび随意に金属イオン成分b)で処理する特許請
求の範囲第1項記載の方法。 6 式の化合物を組合せて相乗的な腐蝕抑制お
よび/またはスケール抑制作用を与える金属イオ
ンを提供する、金属塩を使用する特許請求の範囲
第5項記載の方法。 7 腐蝕雰囲気にさらされる金属表面の一時的保
護;塗装される金属表面の前処理;ホスフエート
化金属表面をシールするための共処理;または式
の化合物(またはその水溶性塩)および随意に
金属イオン成分b)を含有するペイントを配合
し、次いで該ペイントを状態調節すべき金属表面
上に施用すること;に実施する特許請求の範囲第
5項記載の方法。 8 金属表面を、成分b)としての、1またはそ
れ以上のコバルト、鉄、バリウム、カルシウム、
亜鉛、クロム、ニツケル、ストロンチウム、マン
ガン、カドミウム、セリウム()またはマグネ
シウムイオン、と接触させる特許請求の範囲第1
項記載の方法。 9 式の化合物(またはその水溶性塩)と金属
イオン成分b)との比を100:1ないし1:100の
範囲内にする特許請求の範囲第1項記載の方法。 10 式の化合物(またはその水溶性塩)と成
分b)との比を10:1ないし1:10にする特許請
求の範囲第9項記載の方法。 11 成分a)およびb)からなる抑制剤組成物
を水性系にて、腐蝕抑制および随意にスケール抑
制保護処理を要求する金属表面と接触させて、水
性系に基づいて1ないし500ppmの量で、使用す
る特許請求の範囲第1項記載の方法。 12 成分a)およびb)からなる抑制剤組成物
を水性系に基づいて1ないし100ppmの量で添加
する特許請求の範囲第11項記載の方法。 13 成分a)およびb)からなる抑制剤組成物
を水性系に、スケール抑制処理のみを要求する金
属表面と接触させて、水性系に基づいて1−
200ppmの量で、添加する特許請求の範囲第1項
記載の方法。 14 成分a)およびb)からなる抑制剤組成物
を水性系に、水性系に基づいて1ないし30ppmの
量で添加する特許請求の範囲第13項記載の方
法。 15 水性系が腐蝕抑制系のみを要求する金属表
面と接触されるものであつて、水性機械加工流
体、水性精練系、水性グリコール凍結防止系、
水/グリコール圧媒液または水性表面塗料である
特許請求の範囲第13項記載の方法。 16 水性機械加工流体配合物が水で希釈され得
る切削または研削流体である特許請求の範囲第1
5項記載の方法。 17 水性系が腐蝕抑制および抗スケールの組合
せ処理を要求する金属表面と接触されるものであ
つて、冷却水系、蒸気発生系、海水蒸発器、静水
かま、ガス洗浄系、閉回路加熱系、水性冷却系ま
たは立下り井戸系である特許請求の範囲第1項記
載の方法。 18 成分a)およびb)からなる抑制剤組合物
を単独にまたは全体的もしくは部分的水性系の処
理にて有用である他の公知化合物と一緒に使用す
る特許請求の範囲第1項記載の方法。 19 水性系が完全な水性系であつて、冷却水
系、空気調節系、蒸気発生系、海水蒸発器、静水
かま、ガス洗浄系または閉回路加熱もしくは冷却
系であり、かつ、成分a)およびb)からなる抑
制剤組成物が1またはそれ以上の他の腐蝕抑制
剤、分散および/または限界(threshold)処理
剤、沈殿剤、酸素脱除剤、金属イオン封鎖剤およ
び消泡剤ならびに殺生剤とともに使用される特許
請求の範囲第18項記載の方法。 20 部分的水性系が水性表面塗料であり、か
つ、成分a)およびb)からなる抑制剤組成物が
1またはそれ以上の腐蝕抑制剤、殺生剤、乳化剤
および/または顔料と一緒に使用される特許請求
の範囲第18項記載の方法。 21 水性系が部分的にのみ水性であつて、水性
機械加工流体であり、かつ、成分a)およびb)
からなる抑制剤配合物が1またはそれ以上の他の
腐蝕抑制剤および/または極圧添加剤と一緒に使
用される特許請求の範囲第18項記載の方法。 22 他の腐蝕抑制剤がトリエタノールアミンで
ある特許請求の範囲第21項記載の方法。 23 トリエタノールアミンを、成分a)および
b)からなる抑制剤組成物とトリエタノールアミ
ンとの比が2:1ないし1:20になる量で存在さ
せる特許請求の範囲第22項記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB838305933A GB8305933D0 (en) | 1983-03-03 | 1983-03-03 | Process of inhibiting corrosion of metal surfaces |
| GB8305933 | 1983-03-03 | ||
| GB8316711 | 1983-06-20 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59173277A JPS59173277A (ja) | 1984-10-01 |
| JPH0420440B2 true JPH0420440B2 (ja) | 1992-04-02 |
Family
ID=10538958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4121284A Granted JPS59173277A (ja) | 1983-03-03 | 1984-03-03 | 金属表面の腐蝕および/または金属表面上へのスケ−ル沈積を抑制する方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59173277A (ja) |
| GB (2) | GB8305933D0 (ja) |
| ZA (1) | ZA841588B (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1663880B1 (en) * | 2003-09-22 | 2011-06-08 | Buckman Laboratories International, Inc. | Use of cerium salts to inhibit manganese deposition in water systems |
| WO2015093542A1 (ja) * | 2013-12-17 | 2015-06-25 | ニッソーファイン株式会社 | 気化性防錆剤組成物 |
| JP7165540B2 (ja) * | 2018-08-31 | 2022-11-04 | Eneos株式会社 | 熱媒体液及び工作機械の温度を制御する方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5634693A (en) * | 1979-08-31 | 1981-04-06 | Kyowa Hakko Kogyo Co Ltd | Preparation of alpha-aminophosphonoacetates |
-
1983
- 1983-03-03 GB GB838305933A patent/GB8305933D0/en active Pending
- 1983-06-20 GB GB838316711A patent/GB8316711D0/en active Pending
-
1984
- 1984-03-02 ZA ZA841588A patent/ZA841588B/xx unknown
- 1984-03-03 JP JP4121284A patent/JPS59173277A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ZA841588B (en) | 1984-10-31 |
| GB8316711D0 (en) | 1983-07-20 |
| JPS59173277A (ja) | 1984-10-01 |
| GB8305933D0 (en) | 1983-04-07 |
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