JPH04204523A - 光導波路装置 - Google Patents
光導波路装置Info
- Publication number
- JPH04204523A JPH04204523A JP33043590A JP33043590A JPH04204523A JP H04204523 A JPH04204523 A JP H04204523A JP 33043590 A JP33043590 A JP 33043590A JP 33043590 A JP33043590 A JP 33043590A JP H04204523 A JPH04204523 A JP H04204523A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical waveguide
- thin film
- film heater
- waveguide layer
- waveguide device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の背景
技術分野
この発明は、熱光学効果を利用して光を制御する光導波
路装置に関する。
路装置に関する。
従来技術とその問題点
熱光学効果を利用して光を制御する従来の光導波路の1
つにイオン交換ガラス導波路があり。
つにイオン交換ガラス導波路があり。
カットオフ形スイッチ、分岐スイッチなどが実現されて
いる。このような光導波路装置を作製するためにはパタ
ーニングを行なった上でイオン交換を行ない、その後加
熱電極を装荷する工程が必要である。
いる。このような光導波路装置を作製するためにはパタ
ーニングを行なった上でイオン交換を行ない、その後加
熱電極を装荷する工程が必要である。
しかしながらイオン交換に比較的長時間を要するという
問題がある。また、加熱電極をイオン交換光導波路に対
して正確に位置合わせしなければならず、この作業にも
比較的長い時間が必要である。
問題がある。また、加熱電極をイオン交換光導波路に対
して正確に位置合わせしなければならず、この作業にも
比較的長い時間が必要である。
発明の概要
発明の目的
この発明は、製造時間を短縮できるとともに加熱電極の
位置合わせが不要な光導波路装置を提供することを目的
とする。
位置合わせが不要な光導波路装置を提供することを目的
とする。
発明の構成2作用および効果
この発明による光導波路装置は、基板、熱光学効果を有
する材料を用いて上記基板上に形成された光導波層、お
よび三次元光導波路を形成するために上記光導波層の上
面および下面の少なくともいずれか一方に装荷されかつ
形成すべき光導波路パターンを有する加熱電極から構成
されている。
する材料を用いて上記基板上に形成された光導波層、お
よび三次元光導波路を形成するために上記光導波層の上
面および下面の少なくともいずれか一方に装荷されかつ
形成すべき光導波路パターンを有する加熱電極から構成
されている。
この発明によると、熱光学効果を有する材料により構成
される光導波層の上面または下面に光導波路パターンを
有する加熱電極が形成されている。
される光導波層の上面または下面に光導波路パターンを
有する加熱電極が形成されている。
加熱電極に電流を流すと電極が発熱し、その直下または
直上の光導波層部分が熱せられる。熱せられた先導波層
の部分は屈折率が増加し、加熱電極パターンにそって三
次元光導波路が形成される。
直上の光導波層部分が熱せられる。熱せられた先導波層
の部分は屈折率が増加し、加熱電極パターンにそって三
次元光導波路が形成される。
この発明による光導波路装置は従来のイオン交換光導波
路と異なり、イオン交換なしで三次元光導波路が得られ
るので、製造時間の短縮化を図ることができる。したが
って製造コストを下げることができる。また、加熱電極
は三次元光導波路を実現すべき部分に設ければよく、従
来のように光導波路に位置合わせして形成する必要がな
い。したがって製造時間の短縮化を図ることができる。
路と異なり、イオン交換なしで三次元光導波路が得られ
るので、製造時間の短縮化を図ることができる。したが
って製造コストを下げることができる。また、加熱電極
は三次元光導波路を実現すべき部分に設ければよく、従
来のように光導波路に位置合わせして形成する必要がな
い。したがって製造時間の短縮化を図ることができる。
実施例の説明
第1図はこの発明による光導波路装置を示す分解斜視図
である。
である。
ガラス基板1の表面上に薄膜ヒータ(電極)3が装荷さ
れている。この薄膜ヒータ3は形成すべき一直線状の光
導波路のパターンに形成され、その両端部間には電源4
がオン、オフ制御可能に接続されている。ガラス基板1
上には熱光学効果を有する材料によりなる先導波層2が
形成されている。熱光学効果を有する材料にはたとえば
紫外線硬化樹脂が挙げられる。
れている。この薄膜ヒータ3は形成すべき一直線状の光
導波路のパターンに形成され、その両端部間には電源4
がオン、オフ制御可能に接続されている。ガラス基板1
上には熱光学効果を有する材料によりなる先導波層2が
形成されている。熱光学効果を有する材料にはたとえば
紫外線硬化樹脂が挙げられる。
第1図に示す先導波路において、電源4によって薄膜ヒ
ータ3に電流が流されると薄膜ヒータ3が発熱する。こ
れにより薄膜ヒータ3上の光導波層2の部分も薄膜ヒー
タ3のパターンにそって熱せられる。熱せられた光導波
層2の部分は他の部分に比べて屈折率が増加する。これ
より三次元光導波路が形成される。したがってこの三次
元光導波路の一端から光が入射すると、入射した光は三
次元光導波路を導波する。
ータ3に電流が流されると薄膜ヒータ3が発熱する。こ
れにより薄膜ヒータ3上の光導波層2の部分も薄膜ヒー
タ3のパターンにそって熱せられる。熱せられた光導波
層2の部分は他の部分に比べて屈折率が増加する。これ
より三次元光導波路が形成される。したがってこの三次
元光導波路の一端から光が入射すると、入射した光は三
次元光導波路を導波する。
第1図に示す先導波路装置は以下のようにして作製する
ことができる。
ことができる。
ガラス基板1を用意する。ガラス基板1上にスパッタリ
ングまたは蒸着により薄膜ヒータ3を装荷する。この際
またはその後薄膜ヒータ3の両端部に電源4を接続する
ためのリード部分を形成する。
ングまたは蒸着により薄膜ヒータ3を装荷する。この際
またはその後薄膜ヒータ3の両端部に電源4を接続する
ためのリード部分を形成する。
ガラス基板1上に光導波層となる液状材料をスピンコー
ティングし、その後この液状材料を硬化させることによ
り光導波層2を形成する。液状材料として紫外線硬化樹
脂を選択した場合には、硬化させるために紫外線を照射
する。
ティングし、その後この液状材料を硬化させることによ
り光導波層2を形成する。液状材料として紫外線硬化樹
脂を選択した場合には、硬化させるために紫外線を照射
する。
薄膜ヒータ3は第1図に示すように光導波層2の下面に
限らず、第2図に示すように光導波層2の上面に装荷し
てもよい。薄膜ヒータ3を光導波層2の上面に装荷した
場合にも薄膜ヒータ3に電源4から電流を流すことによ
り、薄膜ヒータ3の真下の光導波層部分が熱せられる。
限らず、第2図に示すように光導波層2の上面に装荷し
てもよい。薄膜ヒータ3を光導波層2の上面に装荷した
場合にも薄膜ヒータ3に電源4から電流を流すことによ
り、薄膜ヒータ3の真下の光導波層部分が熱せられる。
これにより薄膜ヒータ3の真下の光導波層2の部分の屈
折率が薄膜ヒータ3にそって増大する。したがって薄膜
ヒータ3の真下の先導波層2の部分が光導波路化する。
折率が薄膜ヒータ3にそって増大する。したがって薄膜
ヒータ3の真下の先導波層2の部分が光導波路化する。
第3図は他の実施例を示すもので、この発明を光スィッ
チに適用した実施例の分解斜視図である。
チに適用した実施例の分解斜視図である。
ガラス基板1上に2つの薄膜ヒータ3Aおよび3Bが装
荷されている。一方の薄膜ヒータ3Aの両端部間には電
源4Aが接続されており、他方の薄膜ヒータ3Bの両端
部間にも電源4Bが接続されている。
荷されている。一方の薄膜ヒータ3Aの両端部間には電
源4Aが接続されており、他方の薄膜ヒータ3Bの両端
部間にも電源4Bが接続されている。
薄膜ヒータ3Aと3Bは、一方の端部においてはそれら
の間の間隔が非常に狭く、中間部付近で間隔がしだいに
増大し、他方の端部では間隔は大きくなっている。
の間の間隔が非常に狭く、中間部付近で間隔がしだいに
増大し、他方の端部では間隔は大きくなっている。
これらの薄膜ヒータ3A、3Bを含む基板1の上面上に
光導波層2が形成されている。
光導波層2が形成されている。
間隔が狭い一端部において、薄膜ヒータ3Aと3Bの真
上の光導波層2に光を入射させるとする。一方の薄膜ヒ
ータ(たとえば4B)にのみ通電して加熱すると、この
薄膜ヒータの真上部分にのみ三次元光導波路が形成され
るので、光導波層2への入射光は加熱された薄膜ヒータ
の真上部分を通ってその他端部から出射する。通電する
薄膜ヒータを選択することにより、光導波層2における
薄膜ヒータの真上部分に形成される一方の三次元光導波
路にのみ光を導波させることができる。
上の光導波層2に光を入射させるとする。一方の薄膜ヒ
ータ(たとえば4B)にのみ通電して加熱すると、この
薄膜ヒータの真上部分にのみ三次元光導波路が形成され
るので、光導波層2への入射光は加熱された薄膜ヒータ
の真上部分を通ってその他端部から出射する。通電する
薄膜ヒータを選択することにより、光導波層2における
薄膜ヒータの真上部分に形成される一方の三次元光導波
路にのみ光を導波させることができる。
これは一種の分岐型光スイッチである。
第3図に示す光スィッチもガラス基板]−上に薄膜ヒー
タ3Aおよび3Bを形成したのち、ガラス基板1上に熱
光学効果を有する液状材料をスピンコーティングしてこ
の液状材料を硬化することにより作製することができる
。
タ3Aおよび3Bを形成したのち、ガラス基板1上に熱
光学効果を有する液状材料をスピンコーティングしてこ
の液状材料を硬化することにより作製することができる
。
光導波層2の上面上に薄膜ヒータ3A、3Bを形成する
ようにしてもよい。
ようにしてもよい。
薄膜ヒータのパターンは形成すべき三次元光導波路の形
状に応じて作製すればよく、任意の形のものとすること
ができる。
状に応じて作製すればよく、任意の形のものとすること
ができる。
以上のようにして、薄膜ヒータのパターンをもつ三次元
光導波路が形成されるので、パターニングは薄膜ヒータ
のみてよ<、シかも光導波路に対する位置合わせは全く
不要である。とくに、光導波層を液状材料を硬化させる
ことによりスタンパを用いることなく、任意の形状の三
次元光導波路の作製が可能となる。
光導波路が形成されるので、パターニングは薄膜ヒータ
のみてよ<、シかも光導波路に対する位置合わせは全く
不要である。とくに、光導波層を液状材料を硬化させる
ことによりスタンパを用いることなく、任意の形状の三
次元光導波路の作製が可能となる。
第1図はこの発明の実施例を示すもので、光導波路装置
の分解斜視図である。第2図はこの発明の他の実施例を
示し、光導波路装置の斜視図である。 第3図はこの発明による光導波路装置を光スィッチに応
用した実施例を示す分解斜視図である。 1・・・ガラス基板。 2・・・光導波層。 3.3A、3B・・・薄膜ヒータ。 以 上
の分解斜視図である。第2図はこの発明の他の実施例を
示し、光導波路装置の斜視図である。 第3図はこの発明による光導波路装置を光スィッチに応
用した実施例を示す分解斜視図である。 1・・・ガラス基板。 2・・・光導波層。 3.3A、3B・・・薄膜ヒータ。 以 上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板、 熱光学効果を有する材料を用いて上記基板上に形成され
た光導波層、および 三次元光導波路を形成するために上記光導波層の上面お
よび下面の少なくともいずれか一方に装荷されかつ形成
すべき光導波路パターンを有する加熱電極、 から構成される光導波路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33043590A JPH04204523A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 光導波路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33043590A JPH04204523A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 光導波路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04204523A true JPH04204523A (ja) | 1992-07-24 |
Family
ID=18232581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33043590A Pending JPH04204523A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 光導波路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04204523A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1279973A3 (en) * | 2001-07-21 | 2003-06-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Integrated heat transfer device for planar light-wave circuit module |
| KR100416967B1 (ko) * | 2001-06-30 | 2004-02-05 | 삼성전자주식회사 | 열전달 장치를 구비한 평면 광도파로 소자 모듈 |
| US8098968B2 (en) | 2007-09-04 | 2012-01-17 | International Business Machines Corporation | Silicide thermal heaters for silicon-on-insulator nanophotonic devices |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP33043590A patent/JPH04204523A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100416967B1 (ko) * | 2001-06-30 | 2004-02-05 | 삼성전자주식회사 | 열전달 장치를 구비한 평면 광도파로 소자 모듈 |
| EP1279973A3 (en) * | 2001-07-21 | 2003-06-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Integrated heat transfer device for planar light-wave circuit module |
| KR100416993B1 (ko) * | 2001-07-21 | 2004-02-05 | 삼성전자주식회사 | 평면 광도파로 소자 모듈의 일체형 열전달 장치 |
| US6757452B2 (en) | 2001-07-21 | 2004-06-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Integrated heat transfer device for PLC module |
| US8098968B2 (en) | 2007-09-04 | 2012-01-17 | International Business Machines Corporation | Silicide thermal heaters for silicon-on-insulator nanophotonic devices |
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