JPH04206121A - 真空バルブ用接点材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） この発明は、轟空バルブに関し、より詳細には、耐消耗
特性の安定化と同時に大電流しゃ断特性を向上させた真
空バルブ用接点材料に関する。

（従来の技術） 真空中でのアーク拡散性を利用して高真空中で大電流遮
断或いは定格電流開閉を行なわせる真空バルブの接点は
、対向する固定、可動の２つの接点から構成されている
。

このような真空バルブ用接点に要求される特性としでは
、 （１）電流遮断或いは開閉に対して耐溶岩性かよいこと
、 （２）良好な遮断特性であること、 （３）耐電圧特性かよいこと、 が挙げられる。これらは最も基本的な二要件として従来
より重視され、新たな合金系の研究、電極構造の研究、
機構の研究など多角的な研究かなされ、この基本三要件
において飛躍的進歩かなされている。上記の各性能で示
される基本三要件とこの他の温度上昇、接触抵抗、消耗
性が低く安定していること及びさい断電流値か低く安定
していることが重要な要件となっている。しかしなから
、これらの要件の中には相反するものがある関係上、単
一の金属種によって全ての要件を満足させることは不可
能である。このため、実用されている多くの接点材料に
おいては、不足する性能を相互に補えるような２種以上
の元素を組合せ、かつ大電流用あるいは高電圧用等のよ
うに特定の用途に合った接点材料の開発が行なわれ、そ
れなりに優れた特性を有するものが開発されているが、
さらに強まる高耐圧化および大電流化の要求を充分満足
するＡ１バルブ用接点材料は未だ得られていないのが実
情である。

一方、近年では、需要家の使用条件の過酷化と共に、負
荷の多様化が進行している。その結果、上記の基本三要
件を一定レベルに維持した上で、更に他の特性（適用回
路、装置など負荷の要求）を強調して対応できる真空バ
ルブも必要となっている。このようなケースは近年では
多くあるが、標準仕様の真空バルブのシリーズのなかか
ら１ランク上位のバルブを適用し、これに対応している
のが現状である。その結果はシステムの大形化を余儀さ
れると共に、経済性も失なわれることになる。そして、
例えば、このようなケースとして前述のように基本的三
妻件は、確保した上で大電流しゃ断特性と耐消耗性とを
両立させた要求が多くなっている。

この傾向は、大電流しゃ断を行なった接点の表面が著し
く損傷し、その結果材料の損耗を招くものであり、この
ように損耗した表面を持つ接点か次の開閉時或いはしゃ
断時には２次的な多くの不利を持たらすことになる。そ
のため大電流をしゃ断してもなお損耗（消耗）の少ない
、すなわち両立させる要求か多くなっている。

上記の基本的三要件を満す接点材料としてＢ１のような
溶着防止成分を５重量％（以下、Ｗｊ％と記載）以下の
量で含有するＣｕ−Ｂ１合金が知られている（特公昭４
１−１２１３１号公報）。

このＣｕ−Ｂ１系接点は、脆いＢｉが結晶粒界に存在す
る結果、合金自体を脆化し、低溶着用外し力が実現した
ことから、大電流遮断特性に優れている。

また、大電流化を指向した他の接点材料として、Ｃｕ−
Ｔｅ合金も知られている（特公昭４４−２３７５１号公
報）。この合金は、Ｃｕ−Ｂ１系合金が持つ上記問題点
を緩和してはいるが、Ｃｕ−Ｂ１系合金に比較して雰囲
気に対し、より敏感なため接触抵抗等の安定性に欠ける
。さらに、これらＣｕ−Ｔｅ、Ｃｕ−Ｂ１等の接点の共
通的特徴として、耐溶着性に優れているものの、耐電圧
特性か従来の中電圧クラスへの適用には充分であるとし
ても、これ以上高い電圧分野への応用に対しては、必ず
しも満足するものでないことが明らかとなってきた。

一方、Ｃｒを含有したＣｕ−Ｃｒ合金が真空しゃ断器用
接点材料として知られている。この接点合金は、高温下
でのＣｒとＣｕとの熱特性が好ましい状態で発揮される
ため、高耐圧大電流用としてすぐれた特性を有している
。すなわち、Ｃｕ−Ｃ「合金は、高耐圧特性と大容量し
ゃ断とを両立させ得る接点として多用されている。しか
しながら、Ｃｕ−Ｃｒ合金は、しゃ断器用接点材料とし
て一般に利用されている前記Ｂｉを５％程度以下添加し
たＣｕ−Ｂ１接点と比較して、耐溶着特性が大幅に劣っ
ている。従って、この材料を用いた真空バルブを駆動さ
せる操作機構は、Ｃｕ−Ｂ１に比べ引き離し力を大きく
設計する必要があり、小型化、経済性の点で不利がある
。

また、Ｃｕ−Ｃｒ系合金に前記Ｂｉ、Ｔｅなとの溶石防
１１−金属を添加したＣｕ−Ｃｒ−Ｂ１合金なども知ら
れている。この合金によって材料の耐溶着性は、著しく
向上するが、ベーキング、ロウづけなどの加熱処理時の
条件によって蒸発するＢｉ量が異なるため、その結果、
大電流しゃ所持性及び耐消耗性にばらつきが生じるとい
う新たな問題が発生する。

開閉時のサージに対し格別の配慮をしていない一般の真
空バルブを用いて、電動機負荷などの誘導性回路の電流
をしゃ断するとき、過度の異常サージ電圧が発生し、負
荷機器を破壊させる恐れがある。

この異常サージ電圧の発生原因は、例えば、真空中にお
ける小電流しゃ断時に発生するさい新現象（交流電流波
形の自然ゼロ点を待たずに強制的に電流しゃ断が行なわ
れること）、或いは高周波消弧現象などによるものであ
る。

さい新現象による異常サージ電圧の値Ｖｓは、回路のサ
ージインピーダンスＺｏと、電流さい断値Ｉｃの積、す
なわちＶｓ−Ｚｏ−ＩＣで表される。従って、異常サー
ジ電圧Ｖｓを低くするためにはｍＡさい断＠ｌｃを小さ
くしな（ではならない。

上記の要求に対して、炭化タングステン（ＷＣ）と銀（
Ａｇ）とを複合化した合金の接点を用いた真空密閉器が
開発され（特願昭４２−６８４４７号、米国特許第３６
８３１３８号）、これが実用化されている。

このＡ　ｇ　−ＷＣ系合金の接点は、 （１）　　ＷＣの介在が電子放射を容易にさせ、（２）
　電界放射電子の衝突による電極面の加熱に基づく接点
材料の蒸発を促進させ、さらに、（３）　接点材料の炭
化物がアークにより分解し、荷電体を精製してアークを
接続する等の点で優れた低さい断電流特性を発揮する。

低さい断電流特性を得る他の接点材料として、ＡｇとＣ
ｕとの比率をほぼ７：３としたＡｇ−Ｃｕ−ＷＣ合金が
提案されている（特願昭５７−３９８５１号）。この合
金において、従来にない限定をしたＡｇとＣｕとの比率
を選択するので、安定したさい断電流特性を発揮すると
記載されている。

さらに、特願昭６０−２１６６４８号明細書には、耐弧
性材料の粒径（例えば、ＷＣの粒径）を０、　２〜１μ
ｍとすることにより、低さい断電流特性の改善に有効で
あることが示唆されている。

さらに、特開昭５３−３５１７４号公報には、」二記焼
結合金の耐溶着性を一層向上させたＣｕ−ＷＣ−Ｂｉ−
Ｗ合金が開示されている。

（発明が解決しようとする課８） 真空バルブ用接点材料には、前記した基本的三要件と、
この他に需要家が強調する他の要件（耐消耗性）との両
立が重要となっている。

しかしながら、これらの要件の中には相反する関係にあ
るものがあるので、単一の金属材料によって全ての要件
を満足させることは不可能である。

このため、実用されている多くの接点材料においては、
不足する性能を相互に補えるような２種以上の元素を組
合せ、かつ大電流用あるいは高電圧用等のように特定の
用途に合った接点材料の開発か行われ、それなりに優れ
た特性を有するものか開発されている。しかし、さらに
強まる高信頼性の要求を充分満足する真空ノ＼ルブ用接
点材料は未だ得られていないのが実状である。

即ち、消耗に係る耐弧性は、高融点成分か有利であるか
、高融点材料は一般にアークを受けた時、亮温度となる
ため、熱電子放出か著しく、大電流しゃ断性を維持向上
させるには、逆に不利となる。

前記したＣｕ−Ｂ１系接点材料では、素材の脆弱性を利
用して耐溶着性を確保しているため、耐消耗性において
致命的な欠点を有するのみならず、電流遮断或いは開閉
による表面荒れの発生で接触抵抗特性もばらつきか大き
い。

また、従来の、通常のＡ　ｇ−ＷＣ系接点材料では、電
流遮断或いは開閉数の経過と共に、比較的早い時期にＡ
ｇが選択的に蒸発し、局部的にＡｇの存在しない部分か
発生して接点消耗の増大を招いている。すなわち、例え
ば前記ＷＣとＡｇとを単に複合化しただけの従来の合金
の接点では、ＷＣＯ量を調節することにより大電流しゃ
断特性を改善できるか、一方、相対的にＡｇの量か変動
してしまうため、耐消耗特性も変化する。従って、同一
のＡｇＲであっても、より低く、安定化した両特性を得
るよう改善を計る必要がある。

ＷＣ，！＝Ａｇとを複合化した合金の接点（特願昭４２
−６８４４７号、米国特許節３６８３１３８号）では、
大電流しゃ断時性自体が不十分であるのみならず、耐消
耗特性の改善に対して何等の配慮がなされていない。

また、ＡｇとＣｕとの重量比率をほぼ７：３としたＡｇ
−Ｃｕ−ＷＣ合金（特願昭５７−３９８５１号）及び耐
弧性材料の粒径を０．　２〜１μｍとする合金（特願昭
６０−２１６６４８号）では、耐消耗特性を十分に満足
していない。

一方、Ｃｕ　−ＷＣ−Ｂ　ｉ　−Ｗ系接点材料において
は、ＷＣと特にＢｉの存在の相乗効果で、Ｃ，ｕ−Ｗ系
接点の耐溶着性の向上が計られているが、耐消耗特性に
、なおばらつきか見られている。

本発明は上述の背景に基づきなされたものであり、その
目的とするところは、優れた大電流しや断特性と耐消耗
特性を兼備し、苛酷化する真空遮断器への要求に充分応
える真空バルブ用接点材料を提供することである。

〔発明の構成〕

（課題を解決するための手段） 本発明者は、上記の課題解決のために研究開発を進めた
結果、高導電性成分と耐弧性成分とて構成された合金系
に於てこれらの比率を最適化し、特に耐弧性成分の粒径
と合金中に耐弧性成分か存在するときの各耐弧性粒子の
平均粒子間距離とを所定値に最適化すれば、この発明の
目的達成に有効であるとの知見を得て、本発明の完成に
至った。

すなわち本発明の真空バルブに於て、これに用いる接点
材料は、Ａｇおよび／またはＣｕよりなる高導電性成分
と、ＷＣなどの耐弧性成分とを含むＡｇまたはＡｇ−Ｃ
ｕ金属炭化物（以下、耐弧性成分を便宜上ＷＣで代表し
て表記する場合がある）系真空バルブ用接点材料であっ
て、（１）　高導電性成分の含有量はＡ　ｇ　／　Ｃｕ
の総計量が２５〜７０ｖｏ１％であり、 （２）　耐弧性成分の含有量は３０〜７５ｖｏ１％であ
り、該成分は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ５Ｔ　ａ　
％　Ｃｒ　−、Ｍ　ｏまたはＷの各炭化物の少なくとも
１種であり、 （３）　この接点材料は、０．３〜３μｍの東向粒子径
を有する耐弧性成分が、０．１〜１μｍの平均粒子間距
離を保ちなから存在していることを特徴とする。

この発明の好ましい一態様においてＦ　ｅ　−、ＣＯ％
Ｎｉから選ばれた１０ｖｏ１％以下の補助成分を存在さ
せることができる。

（作用） 以下の記載においては、導電性成分をＡｇとし耐弧性成
分をＷＣて代表して説明するが、本発明はこれらに限定
されるものではない。

Ａ　ｇ−ＷＣ系接点材料の大電流しゃ断特性と、耐消耗
特性とを同時に改善するには、同合金中のＡｇ量、合金
中のＷＣの存在形態、すなわち、各ＷＣ粒子の平均粒子
間距離とＷＣ粒径等を好ましい範囲に制御することか重
要であり、特にしゃ断電流値自体をより大きな値に維持
すること以外にも、そのばらつき幅を縮めることならび
に消耗量を所定の範囲内に抑えることと共に開閉の経過
に伴い変化（消耗が増大してゆく）することを避けるこ
とも極めて重要である。前述の大電流しゃ断特性は、接
点間の蒸気量（材料物性としては蒸気圧、熱伝導）、接
点材料からの放出電子などと関係が深い。従って、しゃ
断時に電極空間に放出される蒸気量を過不足ない状態に
接点が自己制御することが重要である。上記ＷＣ粒径限
定とＷＣ平均粒子間距離との相互の同時制御によって自
己制御か可能となる。

すなわち、Ａ　ｇ−ＷＣで代表されるＡｇ−耐弧性材料
系合金では、耐弧性材料（この場合ＷＣ）の高点におけ
るＡｇの蒸気量に左右されるものの他方、前記Ｃｕ−Ｂ
１系におけるＢｉの蒸気圧よりＡｇの蒸気圧は著しく低
いために接点のどの位置に（Ａｇか耐弧性材料か）にア
ークの足が固着するかによって、温度の変動すなわち蒸
気量の変動を招くことがある。結果的には、ばらつきが
現れることか確認された。このように電流しゃ断、時の
接点面の急激な温度変化をＡｇと耐弧性材料との組合わ
せのみによる従来の合金状態によってアークを制御させ
ることは既に限界であると考えられた。さらに高性能化
するためには、何等かの補助技術を付与する必要かある
との結論に至った。

この改良の１つの考えとして、前記特願昭５７−３９８
５１号明細書では、高導電性成分をＡｇとＣｕとの合金
にすることによって結晶粒を細かく分布させる技術を示
唆している。この技術により飛躍的に特性の安定化が図
られた。アークか主として固着する位置が、耐弧性成分
の場合とＡｇ−Ｃｕ系合金との場合かあり、いずれの場
合もＡｇ。

Ｃｕ蒸気の供給を制御し、しゃ断電流特性の向上（改良
）が行なわれるが、耐弧性成分に固着した場合には、若
干のばらつきが発生した。

一方、耐弧性成分をより微細化することて、ばらつき幅
の改善が見られる。従って、耐弧性成分の粒径が大電流
しゃ断特性に重要な役割を果すことを示唆すると共に、
耐弧性成分が初期粒径のほぼ１０〜２０倍程度の大きさ
に偏析が見られた接点材料では著しいばらつきを示した
観察結果を併せて考慮すると、粒径に特定の範囲がある
ことを示唆している。

しかしながら、低裁断値化を目ざした特願昭５７−３９
８５１号ではＡｇとＣｕとの量及びＷＣの粒径を所定の
値に制御して、さい断電流特性の改善か行なわれ、重要
な技術的進展が見られたものの、これらの技術から、よ
り一層の大電流しゃ断特性の向上及び低く、安定した耐
消耗特性の同時確保は、得られなかった。

前述のように、本発明接点材料では、微細なＷＣ粉の採
用、Ａｇの量、ＷＣ粉の好ましい存在状態（平均粒子間
距離）の採用などで、接点組織の微細化、均一化を達成
しているので、安定した大電流しゃ断特性を示し、耐消
耗特性についても同様である。多数個の開閉回数の経過
後でも開閉時のジュール熱及びアーク熱によって蒸発す
るＡｇの量を制御し安定した大電流しゃ断特性を示す。

前記した状態の改善のため、本発明では、大電流しゃ断
特性を支配する高導電性成分（Ａｇ）の蒸発量を制御す
るために耐弧性成分（ＷＣ）の平均粒子径を所定の好ま
しい範囲とすると同時に特にＷＣ各粒子間の平均粒子間
距離を所定の範囲内に存在させた。

このようにすることによって耐消耗性に害を与えること
なくＡｇ成分の蒸発状態を制御出来、結果的に大電流し
ゃ断性能を安定化させた。

すなわちＷＣ成分の平均粒子径が３μｍより人の場合（
例えば６〜４４μｍの範囲で実験）にはＷＣ粒子の平均
粒子間距離が所定の値の範囲０．１〜１μｍの範囲にあ
っても大電流しゃ断特性が低下する（比較例−Ａ５）。

一方、ＷＣ成分の平均粒径が０．　３μｍより小の場合
、ＷＣ成分の平均粒子間距離が０，１〜１μｍの範囲に
あっても接点面に亀裂が認められる場合が見られ耐消耗
特性の安定性に問題があると同時に同一のＷＣ量にあっ
ては、ＷＣの平均粒子間距離が小さい場合（０，１μｍ
以下）しゃ新生の電極空間へのＡｇの蒸発供給か多回と
なる傾向にあり、大電流しゃ断特性の劣下も伴う。

これに対しＷＣ粒子径を所定値以内の０．　３〜３μｍ
としたときには、大電流しゃ所持性耐消耗性共、成る程
度のレベルを得るか、更にＷＣ粒子の平均粒子間距離も
、所定値以内としたときには、両特性とも、バラツキ幅
も著しく小となり特性の向上に加え安定性向上も認めら
れる。

大電流しゃ断特性と耐消耗特性との両立、改善のために
本発明では、高導電性成分と耐弧性成分とで構成された
接点合金中の高導電性成分を２５〜７０ｖｏ１％のＡｇ
または／およびＣｕとし、耐弧性成分としてはＴ　ｉｓ
　Ｚ　ｒ　ｓ　Ｈｆ　ＳＶ　−、Ｎ　ｂ、Ｔａ５Ｃｒ％
Ｍｏ、Ｗの各炭化物の少なくとも１つとして構成した接
点材料に於て、０．３〜３μｍの平均粒子径を有する耐
弧性成分が０．１〜１μｍの平均粒子間距離を保ちなが
ら存在していることが必須である。

これによって大電流しゃ断特性を支配するしゃ断時に電
極空間に放出される高導電性成分の量を電流しゃ断に悪
影響を及ぼさない範囲に自己制御し同時に接点の消耗を
少なく維持する・すなわち同一のＷＣｆｆｉではＷＣ径
が小（細かい）方が同一の熱入力（例えばしゃ断時のア
ーク）に対しアークスポット部或いはその周辺部の微少
部の温度の上昇の程度は大きい（温度か高くなる）。

この温度上昇に対しＷＣの東向粒子間距離が成る程度小
さいときには同様に温度上昇を相乗的に増長させこのＷ
Ｃ粒子をとり囲むＡｇ（高導電性成分）の過剰な蒸発、
消耗を誘発する。

逆にＷＣの平均粒子間距離が成る程度大きいときには、
確率的にアークスポットかＷＣ部、Ａｇ部に２極化され
る傾向になり特性のばらつき幅の増大を招く。

このような現象のためＷＣの粒径の適切な値の選択と、
ＷＣの平均粒子間距離の好ましい範囲の選択とを同時に
満たす必要がある。

（実施例） 図面を参照しつつ、この発明をより具体的に説明する。

第１図は真空バルブの断面図、第２図は真空バルブの電
極部の拡大断面図である。

第１図において、しゃ断室１は、絶縁材料によりほぼ円
筒状に形成された絶縁容器２と、この両端に封止金具３
ａ、３ｂを介して設けた金属性の蓋体４ａ、４ｂとて真
空密に構成されている。

前記しゃ断室１内には、導電棒５，６の対向する端部に
取付けられた１対の電極７，８が配設され、上部の電極
７を固定電極、下部の電極８を可動電極としている。ま
たこの電極８の電極棒６には、ベローズ９が取付けられ
しゃ断室１内を真空密に保持しながら電極８の軸方向の
移動を可能にしている。またこのベローズ９上部には金
属性のアークシールド１０が設けられ、ベローズ９がア
ーク蒸気で覆われることを防止している。また、前記電
極７，８を覆うようにしゃ断室１内に金属性のアークシ
ールド１１が設けられ、これにより絶縁容器２がアーク
蒸気で覆われることを防止している。さらに電極８は、
第２図に拡大して示す如く導電棒６にろう何部１２によ
って固定されるか、またはかしめによって圧着接続され
ている。

接点１３ａは電極８にろう付１４によってろう付で取付
けられる。なお、接点１３ｂは電極７にろう付により取
付けられる。

次に、この接点材料の製造方法の一例につき説明する。

ここでもＡ　ｇ−ＷＣを代表例として説明する。製造に
先立って、必要粒径別に耐弧性成分及び補助成分を分類
する。分類作業は例えば篩分けと沈降法とを併用して行
うことて容易に所定粒径の粉末を得る。まず所定粒径の
ＷＣを所定量及び、所定粒径のＡｇを所定量の一部用意
し、これらを混合し、その後加圧成型して粉末形体を得
る。

ついで、この粉末成形体を露点が一５０℃以下の水素雰
囲気或いは真空度が、１．３Ｘ１０’Ｐａ以下で、所定
温度、例えば１１５０℃×１時間にて仮焼結し、仮焼結
体を得る。

ついで、この仮焼結体の残存空孔中に所定量のＡｇを１
１５０℃×１時間で溶浸しＡ　ｇ−ＷＣ合金を得る。溶
浸は主として真空中で行うか、水素中でも可能である。

ユニで、接点製造時に於ける接点中のＷＣ粒子の゛１ａ
重粒子間距離の調整の一例につき述べる。本発明合金中
のＷＣの平均粒子間距離はＷＣ粒子の形状、ＷＣ粒子の
表面汚染の状態、ＷＣ粒子の粒子径、ＷＣ粒子の粒度分
布、ＷＣ粒子中の不純物の種類とそのｉ７ｐの粉末状態
か重要であり、これらを厳しく管理した上で焼結助剤の
有無、高導電性材料との混合時間潤滑材の有無、成形圧
力、焼結温度及び場合により溶浸温度が関係する。

例えば０．７μｍの平均粒径を持つＷＣ粉を６００ｇｒ
、５μｍの平均粒径を持つＡｇ粉を６００ｇ　ｒ、焼結
補助材として５μｍの平均粒径を持つＣｏ粉を１０．５
ｇｒをボールミル巾で２時間混合後所定の成形圧力で得
た成形体を、管理した雰囲気中で焼結し焼結体を得て、
この焼結体中に残存する空孔中に、Ａｇを１０５０℃で
溶浸させ４０％ＷＣ−５９．３％Ａｇ−０．７％Ｃ。

合金とし、該合金中のＷＣ粒子の平均粒子間距離が０．
　３μｍの合金を得た。前記粉末状態の制御と成形圧力
、焼結温度の制御の組合せによって他の平均粒子間距離
を持つＡ　ｇ−ＷＣ合金を得る。

これらの実験を他の粒子径のＷＣについても行ない各粒
子径のＷＣについて、所定の平均粒子間距離を持つ合金
を得る。粒径により適宜前記条件を選択する。

次に、本発明実施例データを得た評価方法、及び評価条
件につき述べる。

１、大電流しゃ断時性 表面荒さを５μｍに仕上げたフラット電極と同じ表面荒
さを持つ曲率半径１００Ｒの凸状電極とを対向させる。

画電極を開閉機構を持つ真空度１０’Ｐａ以下に排気し
た着脱可能な真空容器に取付け、４０ｋｇの荷重を与え
た上で、７．　２ｋＶ−３１，５ｋＡの電ツノを投入・
しゃ断する。この投入、しゃ断を１０回繰返したとき溶
着、再点弧などの発生のないしゃ断が可能がどうがを評
価する。投入、しゃ断の回数が１０回に至る前に溶着或
いは再点弧の発生が多く見られたときテストを中止した
。

２、耐消耗特性 上記と同し電極条件の電極を対向させ、１Ｏ−３Ｐａ以
下の頁空容器のなかで７．２ｋＶ−４，４ｋＡの電力を
１０００回開閉させたときの前後の電極の重量の変化を
測定し消耗とした。尚、データは実施例−２の消耗量を
１．０としたときの倍率で示した。

３、供試接点の内容 表に供試接点の材料内容とその対応する測定データを示
す。

表のように、Ａ　ｇ　−ｗｃ　合金中のＡｇ量（一部Ａ
ｇ−Ｃｕ合金）を、１５〜１６％のものから８２〜８３
％のものまで変化させた所定の粒子径（ＷＣ）を持つ供
試材につき、顕微鏡的評価等によって所定の平均粒子間
距離を持つ接点を決定しその値か＜０．１μｍから２．
２１μｍまでのものを夫々選出した。これらの接点は前
述したように主として成形圧力、焼結温度の制御、また
ｒ・備品合材（成形時にＡｇの一部をあらかじめＷＣに
混合した混合粉を成形）の量の制御によって得る。

更に使用する耐弧性成分の種類を変化させ評価した。

実施例Ａ１〜Ａ３．比較例Ａ１〜Ａ２ 平均粒径が約０．１μｍ５及び０．３〜６μｍの計５種
のＷＣ粉（但し０．１μｍのＷＣ粉については、０．３
μｍ粉末のなかから微粉の部分を集め０．　１μｍとし
た）及び平均粒径５μｍのＡｇ粉末を用意する。

ＡｇとＷＣを所定比率混合後、焼結後のスケルトンの残
存空隙量を調整するよう成形圧をゼロ−８トン／ｃｊの
範囲で適宜選択しかつ一部のものにはＷＣのみのスケル
トンを作製し同様の操作を行なった。

このようにして最終の組成比率が３４〜３５ｖｏ１％の
Ａｇとなるよう調節した接点を前記した評価条件に従っ
た大電流しゃ断テスト及び耐消耗性テストを行なり八〇 その結果表１によればＷＣの粒子径が０．１μｍ、かつ
平均粒子間距離が＜０．１μｍでは前記した条件による
しゃ断テストに於て数回の投入しゃ断て、しゃ断不能を
呈し、更に４．４ｋＡ１０００回しゃ断後の材料損失も
大きいことが判った（比較例−ＡＩ）。

これに対しＷＣ粒子径か０．３〜３μｍかつ平均粒子間
距離が０．　１〜１μｍのものでは３１．５ｋＡを１０
回しゃ断に成功した上に耐消耗性も安定した状態であっ
た。（実施例Ａ１〜Ａ３）。

しかしＷＣ粒子径が６μｍでかつ平均粒子間距離も、大
きい場合には充分なしゃ断性能と、耐消耗特性が得られ
なかった（比較例−Ａ２）従ってＷＣの粒子径は０．３
〜３μｍの範囲で、平均粒子間距離は０．１〜１．０μ
ｍの範囲が好ましいことが判った。

実施例Ａ４〜Ａ７．比較例八３〜Ａ６ 粒子径が前述した好ましい範囲（ＷＣ径が０．３〜３μ
ｍのもの）にある０、７μｍの場合でも平均粒子径が好
ましい範囲（ＷＣ粒子の平均粒子間距離が０．１〜１μ
ｍのもの）にない０．０８μｍの供試材（比較例−３）
では、表−１のように大電流しゃ断時性、耐消耗性共に
好ましくない傾向を下した。同じくＷＣ粒子の平均粒子
間距離か好ましい範囲外の２，２μｍの供試十Ａ（比較
例−Ａ４）でも、両特性は、好ましくない傾向にある。

一部に溶着の発生も見られている（比較例−Ａ４）。

また、逆に平均粒子間距離が好ましい範囲である０、３
μｍであっても、ＷＣ粒子径か６μｍ（好ましい範囲外
）の場合には、同様に両特性は劣ることか示された（比
較例−Ａ５）。

また上記の結果は、供試材中のＡｇの量（高導電性成分
のｆｆ１）は、実施例ＡＩ、Ａ２．Ａ３．Ａ４、Ａ５．
Ａ６のように２５〜２６ｖｏ１％〜６９〜７０ｖｏ１％
の範囲か両特性が好ましいことが判る。特にＡｇの量か
これより少ない１５〜１６ｖｏ１％（比較例−Ａ３）で
は、１０回のしゃ断テスト総てがしゃ断不能を示しまた
、Ａｇの量か多ＬＳ８２〜８３ｖｏ１％（比較例＝Ａ４
）では耐消耗性か著しく劣った。

上記に示したのは高導電性成分は総てＡｇの場合を示し
たが、（Ａｇ−Ｃｕ）であっても粒子径及び平均粒子間
距離が前記所定範囲にあるので両特性は良好である（実
施例−Ａ７）。実施例−Ａ７では高導電性成分中のＣｕ
が６０ｖｏ１％であったが、これが８０ｖｏ１％となる
と接触抵抗にばらつきと増大の傾向が見られたので、テ
ストを中止した（比較例−Ａ６）。

実施例Ａ８〜Ａ２１ 前記した実施例Ａ１〜Ａ７、比較例ＡＩ−Ａ６では耐弧
性成分は総てＷＣを使用した。耐弧性成分の粒子径及び
同平均粒子間距離が前記した所定範囲にあるときには、
ＷＣ以外の耐弧性成分子ｉｃ、ＺｒＣ，ＨｆＣ，ＶＣ，
ＮｂＣ，ＴａＣ。

Ｃｒ３Ｃ２ｌＭｏ２Ｃ（実施例Ａ８〜Ａ１５）に於ても
同様の好結果を得た。

また、耐弧性成分は１種でなく、（ＷＣ−Ｍ　Ｏ２Ｃ）
の如く、複数種であっても同じように粒子径、平均粒子
間距離を所定範囲に管理することによって好結果を示し
た（実施例Ａ１６）。これらの実施例Ａ８〜Ａ２１では
補助成分とじてＮ１、Ｃ０１Ｆｅを添加したが同様に好
結果か得られている。

その補助成分の量は、１０ｖｏ１％までは充分な特性を
示した（実施例−Ａ１７）。

以上述べた実施例のように、Ａｇまたは／およびＣｕか
らなる高導電性成分の総：１量と、かつ０．３〜３μｍ
の平均粒子径を持つ耐弧性成分とを選択した上で耐弧性
成分の平均粒子間距離を０．１〜１μｍの範囲に制御す
ることによって大電流しゃ断時性と耐消耗性の両立か可
能となった。

ところで、真空遮断器には低サード性が要求され、その
ためには、従来では、上述のように低裁断電流特性（低
チョッピング特性）か要求されていた。

しかしなから、真空バルブは、近年、大容量電動機等の
誘導副回路に適用されることか一層増えると共に、高サ
ージ・インピーダンス負荷も出現したため、真空バルブ
は、−層安定した低裁断特性を持つことが望まれるのは
勿論のこと、大電流遮断特性についても兼錫しなくては
ならない。

従来、これらの両特性を同時に満足させる接点材料はな
かった。

ＷＣとＡｇを複合化した合金の接点（特願昭４２−６８
４４７号、米穀特許第３６８３１３８号）では、裁断電
流自体が不十分であるのみならず、大電流遮断特性の改
善に何等配慮かなされていない。

ｌ　Ｑ　ｗ　ｔ　％のＢ１とＣｕとを複合化した合金（
特公昭３５　１４９７４号、−米国特許第２９７５２５
６号）では、開閉回数の増大と共に電極空間への金属蒸
気の供給量か減少し、低裁断電流特性の劣化か現れ、高
蒸気圧元素量に依存して耐電圧特性の劣化も指摘されて
いる。

０．５ｗｔ％のＢ１とＣｕとを複合化した合金（特公昭
４１−１２１３１号、米国特許第３２４６９７９号）で
は、低裁断電流特性が不十分である。

また、ＡｇとＣｕとの重量比率をほぼ７：３としたＡｇ
−Ｃｕ−ＷＣ合金（特願昭５７−３９８５１号）および
耐弧性材料の粒径を０．２〜１μｍとする合金（特願昭
６０−２１６６４８号）では１、大容量遮断特性の改善
に何等配慮かなされていない。

この発明者らは、上記のような、Ａｇ−Ｃｕ−ＷＣ系接
点材料において、下記のように接点材料の組成、組織な
らびに相対密度を設定することによって、特性の向上し
た接点材料を得ることかできることを見出している。

すなわち、この態様の真空バルブ用接点材料は、Ａｇお
よび／またはＣｕの高導電性成分と、ＷＣの耐弧性成分
と、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉの少なくとも一つからなる補助成
分で構成されるＡｇ−Ｃｕ−ＷＣ−Ｃｏ系真空バルブ用
接点材料において、接点材料の組成は、 高導電性成分の含有量か２５〜６５容積９ｏてあり、そ
の高導電性成分全体に占める、Ａｇの比率［Ａｇ／　（
Ａｇ＋Ｃｕ）〕が４Ｕ〜１００容積％であり、 補助成分の含有量が１容量％以丁であり、残部が耐弧性
成分であり、 接点材料の組織は、 その一部または全てが高導電性成分のマトリックスと、
３μｍ以下の耐弧性成分により構成されるスケルトンと
からなり、残部が高導電性成分のみて５μｍ以上の粗大
な島状の組織を形成し、かつ この島状組織部を除いた残部の耐弧性成分の不連続粒の
平均粒子間距離（式〕による＝１算値）か０，１〜０．
５μｍであり、 接点の相対密度が、９０容積９０以上 である真空バルブ用接点材料である。

以下、この態様について説明する。

接点材料によって決まる裁断電流値を低く抑えることは
、低サージ性を確保するための必要条件である。この裁
断電流値は、統計的な分布を持つ値であり、毎回同じ値
を再現性よくとるような物性値とは異なり、工業的な視
点から見た場合はその値は、ある回数測定した時の最大
値により評価せざるを得ない。最大値を低下させるため
には、分布の平均値とその分散を低下させる必要かある
。

金属成分を含む接点材料の場合、電流裁断現象は、アー
クの陰極点において、アーク放電を維持している電荷（
金属イオンおよび電子）と接点材料から放出される金属
蒸気および熱電子とのバランスか、交流電流の零点直前
で、電流減少による入力エネルギーの低下に１＋い、不
均衡を生じることにより起こるものである。従って、裁
断電流値の平均値を低下させるためには、導電成分の蒸
気圧か高く、かつ接点材料全体の熱伝導率か低いことは
もちろんのこと、耐弧材の蓄熱効果によって、電流減少
と共に低ドするアークからの人力エネルギーを補い、必
要量の金属蒸気の蒸発に消費されるエネルギーをより電
流零点の近くまで維持することか重要である。そのため
には、耐弧材量をある程度以上にすること、逆にニえば
、導電成分量をある所定の量以下とすることか好ましい
。Ａｇ−ＷＣ系接点及び、Ａｇ−Ｃｕ−ＷＣ系接点の場
合、導電成分量は６５容積９０以下とすることが好まし
い。

さらに、Ｃｏ等の焼結補助成分の存在は、裁断特性を阻
害するため、その量は必要最小限とすることが好ましい
。

また、アークの陰極点は、実際には接点表面が移動して
いるため、接点材料組織が不均一なものである場合には
、裁断電流値の分散か大きくなってしまう。Ａ　ｇ−Ｗ
Ｃ系接点及び、Ａｇ−Ｃｕ−ＷＣ系接点の場合、裁断電
流値の分散を低く抑えるには、ＷＣ粒径は、３μｍ以下
である必要かある。

一方、大電流遮断を可能とするには、接点材料としては
、電流遮断時に発生する金属蒸気密度を区＜シ、遮断後
の絶縁回復を容易とすることか要求される。しかしなが
ら、Ａ　ｇ−ＷＣ系接点及び、Ａｇ−Ｃｕ−ＷＣ系接点
の場合、低サージ性（低裁断電流特性）の観点から、単
独の陰極点からの金属蒸気の放出量か多くなければなら
ないので、金属蒸気密度を低くするには、アークの陰極
点をスムーズに接点表面上に拡散させ、陰極点密度を低
くせねばならない。金属蒸気の放出が最も盛んであるの
は、ＷＣ／Ａｇ界面であるので、アークの陰極点をスム
ーズに移動させるには、そのＷＣの粒子間距離か狭い方
か良いと考え得る。しかし、粒子間距離か極端に小さい
接点材料を作製しようとすると、ＷＣの粒成長あるいは
凝集が生じ、実際には反って粒子間距離か大きくなって
しまう。

従って、作製する材料のＷＣの平均的な粒子間距離を最
も小さくしようとするためには、接点材料の組成および
単独のＷＣの粒径から下記式（１）によって計算される
平均粒子間距離を、０．１〜０．５μｍに設定すること
が好ましい。

これに加えて、Ａ　ｇ−ＷＣ系接点及び、Ａｇ−Ｃｕ−
ＷＣ系接点の場合、導電成分量が２５容積９０以下では
導電率が著しく低くなるため大電流の通電が困難となる
。

さらに、接点材料の相対密度か低い場合には、空隙内の
内蔵ガスおよび吸着ガスか、大電流放電時に解放され真
空度低ドによる絶縁破壊を生するため、大・電流遮断が
困難となる。

以上述べたように低裁断電流特性、および大電流遮断特
性は、適度な導電成分量、充分少ないＣｏａｌ＝ｉ’量
、充分微細なＷＣ粒径、適度なＷＣの平均粒子間距１ｌ
Ｉｌ（計算値）、および充分高い接点の相対密度によっ
て、兼備することが可能となるものである。

次に上記態様の接点材料の製造方法の１例について説明
する。製造に先立って必要拉径別に耐弧性成分および補
助成分を分類する。分類作業は例えばふるい分けと沈降
法とを併用して行うことで容易に所定粒径の粉末を得る
。まず所定粒径のＷＣとＣｏおよび／またはＣを所定量
および、所定粒径のＡｇを所定量の一部用意し、これら
を混合し、その後加工成形して粉末成形体を得る。

ついで、この粉末成形体を露点が、１．３×１０’Ｐａ
以ドで、所定温度、例えば１１５０℃、１時間の条件に
て仮焼結し、仮焼結体を得る。

ついで、この仮焼結体の残存空孔中に所定温および所定
比率のＡｇ−Ｃｕを１１５０℃、１時間で溶浸しＡｇ−
Ｃｕ−Ｃｏ−ＷＣ合金を得る。溶浸は主として真空中で
行うが、水素中でも可能である。

尚、合金中の導電成分量の比率Ａｇ／（Ａｇ＋Ｃｕ）の
制御は、次の様にして行った。例えばあらかじめ所定比
率のＡｇ／（Ａｇ＋Ｃｕ）を有するインゴットを、温度
１２００℃、真空度１．３Ｘ１０’Ｐａで真空溶解を行
い、切断し溶浸用素材として用いた。導電成分の比率Ａ
ｇ／（Ａｇ＋Ｃｕ）の制御の他の方法は、仮焼結体を作
る際、あらかじめ、所定量の一部をＷＣ中に混合させる
ことでも、所望組成の接点合金を得ることかできる。

また、ＷＣの平均粒子間距離は、導電成分の全体量、仮
焼結時にＷＣに予備配合される導電成分量（全導電成分
量中に占める、仮焼結時にＷＣに予備配合されることに
よって材料中に導入された導電成分の割合を、以下にお
いて、“予備配合率”と呼ぶ）、ＷＣ粒径および、Ｃｏ
含有量を調整することにより制御される。ここで言うＷ
Ｃの平均粒子間距離は（１）式に基づき得られる値であ
り、実際には以下のようにして計算することができる。

２　　１００−（Ｐ　／１００）・ｆＥλｙｃ−ｄｗｃ
　（１）　−−（２） ３　　　　１００−ｆＥ−ｆＣＯ λ１．ｃ：溶浸部のＷＣの平均粒子間距離（μｍ）。

ｄｖｃ：ＷＣ粒径（μｍ） ｆＥ：導電成分’ｉｉｔ　（ｖｏｌ　Ｑｏ）　。

ｔ　ｃｏ：　Ｃｏ含Ｋｍ　（ｖｏｌ　％）　。

ＰＥ：’ｆｉｔ配合率（ｖｏｌ　９ｏ）上記の溶浸部と
は、島状組織を除いた残りの部分、すなわち高導電性成
分のマトリックスと、３μｍ以下の耐弧性成分により構
成されるスケルトンとからなる部分を指す。

以下、上記態様の接点材料の実施例について説明する。

この場合のデータを得た評価方法、および計画条件は前
述した実施例Ａの場合と同様である。

供試接点の内容 第２表に供試接点の材料内容とその対応する特性データ
を示す。

表のようにＡｇ−Ｃｕ−ＷＣ−Ｃｏ合金中の導電成分組
成を６９容積９−ｏＡ　ｇ　−Ｃｕ　（Ａ　ｇとＣｕの
共晶組成）としくたたし実施例２１〜２４、比較例１４
．１５は除く）、導電成分量、すなわちＡ　ｇ　＋　Ｃ
ｕ　量を２０〜７０　ｗ　ｔ％、Ａｇの導電成分中に占
める割合いＡｇ／　（Ａｇ＋Ｃｕ）をＯ〜１１’Ｈ１ｗ
ｔ９ｏの範囲に変化させ、またＣｏ３角°量は、０〜７
ｗｔ％、ＷＣ粒径は、０．３〜５μｍの範囲で変化させ
た。なお、ＷＣの平均粒子間距離は、導電成分量、ＷＣ
粒径および、予備配合率（接点中の全導電成分のうつ予
備配合によって導入される導電成分が占める割合）が変
化することにより、後述する（２）式のように変化する
。

先ず、導電成分量、ＷＣ粒径、Ｃｏ含有量および、予備
配合率のうちいずれか一つのパラメータのみを変化させ
て、ＷＣの平均粒子間距離を変化させた場合について述
べる〇 実施例−Ｂｌ、Ｂ２および比較例−Ｂｌ、Ｂ２接点中の
導電成分量のみを変化させ、接点の特性を調べた。導電
成分量が２５〜４０容積％（実施例−Ｂｌ、Ｂ２）では
、ＷＣの平均粒子間距離が適度であり遮断特性が良好で
あると同時に、裁断特性も導電成分量が比較的少ないた
めに良好である。これに対して、導電成分量が５５容積
％以上（比較例−Ｂｌ、Ｂ２）では、ＷＣの平均粒子間
距離が大きく遮断性能が低下しているうえ導電成分量が
多すぎるため裁断特性も低くなっている。

実施例−Ｂ３．Ｂ４および比較例−８３，Ｂ４接点中の
ＷＣ粒径のみを変化させ、接点の特性を調べた。ＷＣ粒
径が０．３〜０．８μｍ（実施例−８３，Ｂ４）では、
ＷＣの平均粒子間距離か適度であり遮断特性か良好であ
ると同時に、裁断特性も導電成分量か比較的少ないため
に良好である。これに対して、ＷＣ粒径か１，５〜３．
０μｍ（比較例−Ｂ３．Ｂ４）では、裁断特性は、導電
成分量か変わらないため許容範囲内であるものの、ＷＣ
の平均粒子間距離か大きく遮断性能か低下している。

実施例−Ｂ５．Ｂ６．Ｂ７および比較例−８５゜接点中
のＣｏ含有量のみを変化させ、接点の特性を調べた。Ｃ
ｏ含有量の変化は少ないので、これによるＷＣの平均粒
子間距離の変化は僅かであるため、裁断性能もいずれも
良好である。しかし、Ｃｏ含有量が１．０容積％以下（
実施例−８５゜Ｂ６．Ｂ７）では、Ｃｏ含有量か充分小
ないため、裁断特性が良好であるのに対して、Ｃｏ含有
量か１．０容積９０を越えるもの（比較例−Ｂ５．Ｂ６
）では、裁断特性は、低下している。

実施例−Ｂ８．Ｂ９．ＢＩＯおよび比較例−Ｂ７゜全導
電成分子ｆｉ２５容積Ｏｏて一定とし、予備配合率のみ
を変化させ、接点の特性を調べた。予備配合率か４０容
積％以下（実施例−８８，Ｂ９．　　Ｂ１０）では、Ｗ
Ｃの平均粒子間距離が適度であり遮断特性が良好である
と同時に、裁断特性も導電成分量か比較的少ないために
良好である。これに対して、予備配合率が５０容積％以
上（比較例−Ｂ７．Ｂ８）では、裁断特性は、導電成分
量が変わらないため変化していないものの、ＷＣの平均
粒子間距離か小さく遮断性能が低ドしている。

実施例−Ｂｌｌ、Ｂ１２および比較例−Ｂ９．ＢＩＯ 全導電成分ｍ６５容積９δで一定とし、″ｒ−備配合率
のみを変化させ、接点の特性を調べた。予価配合率か５
５容積％以上（実施例−Ｂｌｌ、Ｂ１２）では、ＷＣの
平均粒子間距離か適度であり遮断特性が良好であると同
時に、裁断特性も導電成分量か比較的少ないために良好
である。これに対して、予備配合率か４０容積ｑｏ以下
（比較例−８９，Ｂ１０）では、裁断特性は、導電成分
量が変わらないため変化していないものの、ＷＣの平均
粒子間距離が人さく遮断性能が低下している。

以上の実施例、および比較例より、裁断特性は、全導電
成分量が４０容積９０以下、ＷＣ粒径が３μｍ以下、Ｃ
ｏ含有量が１容積以下であれば満足することができるか
、これに加えて良好な遮断性能を得るには、ＷＣ平均粒
子間距離を０．　１〜０．５μｍの範囲とし、かつ、接
点の相対密度か９０容積％以上となることか必要である
ことかわかる。

上記の実施例および比較例では、（２）弐右辺中のパラ
メータのうちいずれかひとつによりＷＣの平均粒子間距
離を制御したが、２つ以上のパラメータを変化させれば
、ＷＣの平均粒子間距離を０．１〜０．５μｍとし得る
、導電成分量、ＷＣ粒径のとり得る範囲が広くなる。以
下の実施例、および比較例では、導電成分量、ＷＣ粒径
のそれぞれに対し、予価配合率を同時に変化させた場合
について述べる。

実施例−８１３〜Ｂ１６および比較例−Ｂ１１゜接点中
の導電成分量を変化させ、これと同時に予備配合率を変
化させ、ＷＣの平均粒子間距離を０．３μｍに最も近づ
けた接点の特性を調べた。

導電成分量か２５〜６５容積％（実施例−Ｂ１３〜８１
６）では、ＷＣの平均粒子間距離か適度であり遮断特性
が良好であると同時に、裁断特性も導電成分量が比較的
少ないために良好である。しかし、導電成分量が２０容
積％以下（比較例−８１１）では、接点の導電率が不十
分なため、遮断特性が低下してしまう。また、導電成分
量か６５容積％を越えるもの（比較例−Ｂ１２）では、
導電成分量が過剰なため、裁断性能が低下してしまって
いる。

実施例−Ｂ１７〜Ｂ２０および比較例−８１３接点中の
ＷＣ粒径を変化させ、これと同時に予備配合率を変化さ
せ、ＷＣの・Ｖ均粒子間距離を０．３μｍに最も近づけ
た接点の特性を調べた。

ＷＣ粒径か３μｍ以下（実施例−Ｂ１７〜Ｂ２０）では
、ＷＣの平均粒子間距離が適度であり遮断特性が良好で
あると同時に、裁断特性も導電成分量が比較的少ないた
めに良好である。しかし、ＷＣ粒径が３μｍを越えるも
の（比較例Ｂ−１３）では、予備配合率を高めてもＷＣ
の平均粒子間距離が大きいうえ、予備配合率を高め過ぎ
たことにより、溶浸部のＷＣ容積％が高くなり、このた
め、ｃｌｏｓｅｄ　ｐｏｒｅが生じ、相対密度が低下し
てしまっているため、遮断性能が大幅に低下している。

なお、以上では導電成分を全て６９容積９ｏ　Ａ　ｇ−
Ｃｕ　（ＡｇとＣｕとの共晶組成）の場合のみにおいて
示したが以下の実施例のごとく導電成分中のＡｇが４０
容積％以上であれば良好な裁断特性を示しく実施例−８
２１〜Ｂ２４および比較例−８１４、Ｂ１５）、同時に
遮断特性も満足し得る。

また上記の実施例では、焼結補助材としてＣ。

を用いて説明したが、Ｃｏの代わりに同じ鉄属元素のＦ
ｅあるいはＮｉを用いても同様な結果か得られている（
実施例Ｂ２５．Ｂ２６）。

以上の実施例、比較例で明らかなように、接点材料の導
電成分をＡｇおよび／またはＣｕとし、導電成分組成を
Ａｇ／　（Ａｇ十Ｃｕ）が４０容積９０以上となるよう
にし、かつ、耐弧材ＷＣの粒径を３μｍ以下として、ま
た、補助成分（Ｃｏ。

Ｆｅ、Ｎｉの少な（とも一つからなる）の含何；を１容
積％以下とすると同時に、式１による溶ｄ部のＷＣの平
均粒子間距離を０．１〜０．５ｆｔｍとなるようにし、
さらに接点材料の相対密度を９０容積％以上とすること
により、低サージ性に優れかつ大電流遮断Ｊ能な真空遮
断器用接点材料を実現することができる。

〔発明の効果〕

以上詳記したように本発明によれば次の様な効果を奏す
る。すなわち、大電流しゃ断時性を向上させることが出
来る。さらに耐消耗性も同時に向上させることが出来る
。従って本発明は、上記両特性の安定性をより一層向上
した真空バルブを提供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による真空ノ・ルブ用の接点材料か適用
される真空ノ１ルブの断面図、第２図は第１図に示す真
空バルブの電極部分の拡大断面図である。 １・・しゃ断室、２・・絶縁容器、３ａ、３ｂ・・封止
金具、４ａ、４ｂ・・蓋体、５．６・・・導電棒、７．
８・電極、９・・ベローズ、１０．１１・・アークシー
ルド、１２・・ろう何部、１３ａ、１３ｂ−・接点。 出願人代理人　　佐　　藤　　−雄

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、Ａｇおよび／またはＣｕからなる２５〜７０容積％
   の高導電性成分と、 Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏおよび
   Ｗからなる群から選ばれた元素の炭化物からなる７５〜
   ３０容量％の耐弧性成分、とから構成された接点合金で
   あって、 前記耐弧性成分の平均粒子径が０．３〜３μｍであり、
   かつ、その平均粒子間距離が０．１〜１μｍの範囲であ
   ることを特徴とする、真空バルブ用接点材料。 ２、高導電性成分が６０容量％以下のＣｕを含有する、
   請求項１に記載の真空バルブ用接点材料。 ３、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉから選ばれた１０容量％以下（ゼ
   ロ含む）の補助成分を含有する、請求項１に記載の真空
   バルブ用接点材料。 ４、接点材料の組成は、 高導電性成分の含有量が２５〜６５容積％であり、その
   高導電性成分全体に占める、Ａｇの比率〔Ａｇ／（Ａｇ
   ＋Ｃｕ）〕が４０〜 １００容積％であり、 補助成分の含有量が１容量％以下であり、 残部が耐弧性成分からなるものであり、 接点材料の組織は、 その一部または全てが高導電性成分のマトリックスと、
   ３μｍ以下の耐弧性成分により構成されるスケルトンと
   からなり、残部が高導電性成分のみで５μｍ以上の粗大
   な島状の組織を形成し、 かつこの島状組織部を除いた残部の耐弧性成分の下記式
   （１）によって計算される平均粒子間距離が０．１〜０
   ．５μｍであり、 接点の相対密度が、９０容積％以上 であることを特徴とする、請求項１に記載の真空バルブ
   用接点材料。 λ＿Ｗ＿Ｃ＝２／３・ｄ＿Ｗ＿Ｃ（［ｆ＿１／ｆ］−１
   ）・・・・・・（１）λ＿Ｗ＿Ｃ：ＷＣ平均粒子間距離
   （μｍ）、ｄ＿Ｗ＿Ｃ：ＷＣ粒径（μｍ）、 ｆ＿１：Ｑ状組織を除いた部分の容積％、 ｆ＿Ｗ＿Ｃ：ＷＣの容積％。