JPH04206426A - イオン源 - Google Patents
イオン源Info
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- JPH04206426A JPH04206426A JP2338313A JP33831390A JPH04206426A JP H04206426 A JPH04206426 A JP H04206426A JP 2338313 A JP2338313 A JP 2338313A JP 33831390 A JP33831390 A JP 33831390A JP H04206426 A JPH04206426 A JP H04206426A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明（よ 半導体工業における半導体素子製造や表面
処理等に用いるイオン源に関するものであり、特にイオ
ンを用いて大面積の半導体素子や半導体薄膜等への不純
物注入及び表面処理を短時間で一様に行う処理装置のイ
オン源に関するものである。
処理等に用いるイオン源に関するものであり、特にイオ
ンを用いて大面積の半導体素子や半導体薄膜等への不純
物注入及び表面処理を短時間で一様に行う処理装置のイ
オン源に関するものである。
従来の技術
大面積の半導体素子や半導体薄膜等への不純物注入や表
面処理を行う技術として（よ １）イオン源で発生した
イオンをビーム状に絞り、 このイオンビームを加速し
質量分離及びビームの電気的な走査を行って、機械的
に走査されている大面積の基板に対してイオンビームを
照射する技瓶２）フィラメントから発生した熱電子と多
極磁界によって大口径のイオンビームを発生させるパケ
ット型イオン源を用いる技術や、 ３）真空槽内に高周
波電極を設け、一方の高岡１Ｎ電極上に大面積の試料を
置き、高周波電極間で生じたプラズマ中のイオンを照射
する技術等かあった 発明が解決しようとする課題 大面積の半導体素子や半導体薄膜等への不純物注入や表
面処理を行う従来の技術のう板 １）の絞ったイオンビ
ームを電気的に走査し さらに機械的に走査した大面積
の試料に対してイオンビームを照射注入する技術（よ
装置構成が複雑であり、かつ処理時間が長いという課題
があっ九 また２）のパケット型イオン源（よ フィラ
メントから発生する不純物による汚染が起こるという課
題や、フィラメントが活性なガスのプラズマに曝される
たぬ イオン源の寿命が短いという課題があっ九さらに
３）α 高周波放電により発生するプラズマ中に試料を
置き、プラズマ中のイオンを照射する技術は 装置構成
が簡易でありしかも大面積の試料に対して容易にイオン
を照射することができる力丈 照射するイオンのエネル
ギー及び量が正確に制御できず不揃いであること、また
イオンのエネルギーが数十エレクトロンボルト程度であ
ることか社 照射・注入するイオンの量および深さを制
御した処理か出来ないという課題かあっ九課題を解決す
るための手段 向かい合って設けられ直流電源と接続された２つの電極
の１方に開口部を設け、さらにこれら２つの電極と絶縁
体を介して、高周波電源と接続された導体容器を設ける
。
面処理を行う技術として（よ １）イオン源で発生した
イオンをビーム状に絞り、 このイオンビームを加速し
質量分離及びビームの電気的な走査を行って、機械的
に走査されている大面積の基板に対してイオンビームを
照射する技瓶２）フィラメントから発生した熱電子と多
極磁界によって大口径のイオンビームを発生させるパケ
ット型イオン源を用いる技術や、 ３）真空槽内に高周
波電極を設け、一方の高岡１Ｎ電極上に大面積の試料を
置き、高周波電極間で生じたプラズマ中のイオンを照射
する技術等かあった 発明が解決しようとする課題 大面積の半導体素子や半導体薄膜等への不純物注入や表
面処理を行う従来の技術のう板 １）の絞ったイオンビ
ームを電気的に走査し さらに機械的に走査した大面積
の試料に対してイオンビームを照射注入する技術（よ
装置構成が複雑であり、かつ処理時間が長いという課題
があっ九 また２）のパケット型イオン源（よ フィラ
メントから発生する不純物による汚染が起こるという課
題や、フィラメントが活性なガスのプラズマに曝される
たぬ イオン源の寿命が短いという課題があっ九さらに
３）α 高周波放電により発生するプラズマ中に試料を
置き、プラズマ中のイオンを照射する技術は 装置構成
が簡易でありしかも大面積の試料に対して容易にイオン
を照射することができる力丈 照射するイオンのエネル
ギー及び量が正確に制御できず不揃いであること、また
イオンのエネルギーが数十エレクトロンボルト程度であ
ることか社 照射・注入するイオンの量および深さを制
御した処理か出来ないという課題かあっ九課題を解決す
るための手段 向かい合って設けられ直流電源と接続された２つの電極
の１方に開口部を設け、さらにこれら２つの電極と絶縁
体を介して、高周波電源と接続された導体容器を設ける
。
または 高周波電源と接続された電極 及びこの電極と
対向する位置に直流電源と接続されて開口部を有した電
極を設け、これら２つの電極の間に少なくとも何れか１
方の電極と絶縁体を介して導体容器を設けも 作用 導体容器と、導体容器に対して絶縁体を挟んで設けた電
極との間に高周波電界を印加することにより、大口径の
容器内に均一なプラズマを発生することが可能となも
すなわち放電のためのフィラメントが不要であるた敢
装置の寿命が長く、かつ汚染が発生しなしも さらに
このようにして発生したプラズマに対して、特定の電極
に直流高電圧を印加することにより、エネルギーを制御
した大口径のイオンビームを−様に生成することが可能
となも すなわち簡素な装置構成で、大面積の試料に対
して−様なイオン照蝕 及びそれによるドーピング等の
処理を行うことが可能とな本実施例 以下図面に基づいて本発明をさらに詳しく説明すも 第１図（よ 本発明の第１の実施例におけるイオン源の
概略構成を示したものであム ＡＩ、ＳＯ８等で作られ
た導体容器１０１（友 １３．５６ＭＨｚの高周波電源
１０２にマツチングボックス１０３を介して接続されて
いも この導体容器（１０１）の断面形状は円形・楕円
形成は矩形の何れでもよ（ｔ 導体容器（１０１）に対
して、石英・セラミックス・ガラス等からなる絶縁体１
０４及び絶縁体１０５を挟んで設けられた電極１０６及
び１０７（ｉ Ａｌ、 ＳＯ５，Ｍｏ、Ｔａ等で作
られていも これらの電極（１０６）及び（１０７）は
コイル１０８を介して直流電源１０９と接続されていも
コイル（１０８）は高周波信号が直流電源（１０９）
に流入することを防ぎミ 安定した直流電圧を供給する
ために設けている。 １０−２〜１０−’Ｐａの圧力の
もとて 導体容器（１０１）と電極（１０６）及び電極
（１０７）の間に印加される高周波電力により、放電室
Ａ内に均一なプラズマ１１０が生成されも 生成されたプラズマ（１１０）中のイオン１１１（よ
電極（１０７）の開口部に設けた Ａ Ｉ。
対向する位置に直流電源と接続されて開口部を有した電
極を設け、これら２つの電極の間に少なくとも何れか１
方の電極と絶縁体を介して導体容器を設けも 作用 導体容器と、導体容器に対して絶縁体を挟んで設けた電
極との間に高周波電界を印加することにより、大口径の
容器内に均一なプラズマを発生することが可能となも
すなわち放電のためのフィラメントが不要であるた敢
装置の寿命が長く、かつ汚染が発生しなしも さらに
このようにして発生したプラズマに対して、特定の電極
に直流高電圧を印加することにより、エネルギーを制御
した大口径のイオンビームを−様に生成することが可能
となも すなわち簡素な装置構成で、大面積の試料に対
して−様なイオン照蝕 及びそれによるドーピング等の
処理を行うことが可能とな本実施例 以下図面に基づいて本発明をさらに詳しく説明すも 第１図（よ 本発明の第１の実施例におけるイオン源の
概略構成を示したものであム ＡＩ、ＳＯ８等で作られ
た導体容器１０１（友 １３．５６ＭＨｚの高周波電源
１０２にマツチングボックス１０３を介して接続されて
いも この導体容器（１０１）の断面形状は円形・楕円
形成は矩形の何れでもよ（ｔ 導体容器（１０１）に対
して、石英・セラミックス・ガラス等からなる絶縁体１
０４及び絶縁体１０５を挟んで設けられた電極１０６及
び１０７（ｉ Ａｌ、 ＳＯ５，Ｍｏ、Ｔａ等で作
られていも これらの電極（１０６）及び（１０７）は
コイル１０８を介して直流電源１０９と接続されていも
コイル（１０８）は高周波信号が直流電源（１０９）
に流入することを防ぎミ 安定した直流電圧を供給する
ために設けている。 １０−２〜１０−’Ｐａの圧力の
もとて 導体容器（１０１）と電極（１０６）及び電極
（１０７）の間に印加される高周波電力により、放電室
Ａ内に均一なプラズマ１１０が生成されも 生成されたプラズマ（１１０）中のイオン１１１（よ
電極（１０７）の開口部に設けた Ａ Ｉ。
ＳＯ３，Ｍｏ、 Ｔａ等からなる多孔電極１１２が仮
イオン源の外に押し出されも マツチングボックス（
１０３）中のＬＣ回路 特にバリコンの耐圧 すなわち
接地電位に対して印加できる電圧の上限のた数 本実施
例では数ｋＶ程度までの加速電圧を印加することができ
も この方法に対し さらに高周波電源（１０４）の接地側
を電極（１０６）と直流的に接続して、高周波電源（＋
０４）の接地部１１３の電位を直流電源（１０７）の高
圧側の電位と等しくさせムすなわちマツチングボックス
（１０３）及び高周波電源（１０４）の電位を、全て接
地電位に対して高電位とすることにより、マツチングボ
ックス（１０３）中のバリコンの耐圧に関係なく、 １
００ｋＶ程度まで加速電圧を印加することができもなお
この場合、マツチングボックス（１０３）及び高周波電
源（＋０４）の電位（よ 全て接地電位に対して高圧に
なっているた八 高圧容器内に隔離するとともに 制御
は光ファイバー等を用いて行１．ｋ 高周波電源（１
０４）の電力供給は絶縁トランスを介して行う等の高電
圧対策を付加する。
イオン源の外に押し出されも マツチングボックス（
１０３）中のＬＣ回路 特にバリコンの耐圧 すなわち
接地電位に対して印加できる電圧の上限のた数 本実施
例では数ｋＶ程度までの加速電圧を印加することができ
も この方法に対し さらに高周波電源（１０４）の接地側
を電極（１０６）と直流的に接続して、高周波電源（＋
０４）の接地部１１３の電位を直流電源（１０７）の高
圧側の電位と等しくさせムすなわちマツチングボックス
（１０３）及び高周波電源（１０４）の電位を、全て接
地電位に対して高電位とすることにより、マツチングボ
ックス（１０３）中のバリコンの耐圧に関係なく、 １
００ｋＶ程度まで加速電圧を印加することができもなお
この場合、マツチングボックス（１０３）及び高周波電
源（＋０４）の電位（よ 全て接地電位に対して高圧に
なっているた八 高圧容器内に隔離するとともに 制御
は光ファイバー等を用いて行１．ｋ 高周波電源（１
０４）の電力供給は絶縁トランスを介して行う等の高電
圧対策を付加する。
まｆ−第２図（よ 本発明のイオン源の第２の実施例を
用いたイオンドーピング装置のを示したものである。導
体容器２０１（よ 高周波電源２０２にマツチングボッ
クス２０３を介して接続されていも この導体容器（２
０１）に対して、絶縁体２０４及び絶縁体２０５を挟ん
てミ 電極２０６及び２０７を設ける。これらの電極（
２０６）及び（２０７）はコイル２０８を介して直流電
源２０９と接続されている。 １０−２〜１０−’Ｐａ
の圧力下で、導体容器（２０１）と電極（２０６）及び
電極（２０７）の間に印加される高周波電力により、放
電室Ａ内に均一なプラズマ２１０が生成される。生成さ
れたプラズマ（２０９）中のイオン２１１（よ 電極（
２０７）の開口部に設けた多孔電極２１２かぺ イオン
源の外に押し出される。
用いたイオンドーピング装置のを示したものである。導
体容器２０１（よ 高周波電源２０２にマツチングボッ
クス２０３を介して接続されていも この導体容器（２
０１）に対して、絶縁体２０４及び絶縁体２０５を挟ん
てミ 電極２０６及び２０７を設ける。これらの電極（
２０６）及び（２０７）はコイル２０８を介して直流電
源２０９と接続されている。 １０−２〜１０−’Ｐａ
の圧力下で、導体容器（２０１）と電極（２０６）及び
電極（２０７）の間に印加される高周波電力により、放
電室Ａ内に均一なプラズマ２１０が生成される。生成さ
れたプラズマ（２０９）中のイオン２１１（よ 電極（
２０７）の開口部に設けた多孔電極２１２かぺ イオン
源の外に押し出される。
なお導体容器（２０１）のプラズマに曝される側に（よ
石英・セラミックス・ガラス等からなる絶縁体２１３
が設けられていも この絶縁体（２］１）と、マツチン
グボックス（２０３）内のＬＣ回路とを合成した耐圧の
だム 第２実施例では１０数ｋＶ程度まで加速電圧を印
加することができも この方法に対し さらに高周波電源（２０４）゛の接地
部２１４を電極（２０６）と直流的に接続して、高周波
電源（２０４）の接地側の電位を直流電源（２０７）の
高圧側の電位と等しくさせることにより、 １００ｋＶ
程度の加速電圧を印加することができも なおイオン源の開口部（２１２）と連結した真空槽２１
５（よ 原料ガスの導入を行うガス導入管２１６、及び
真空度の制御を行うガス排出管２１７に接続されていも
開口部の多孔電極（２１２）から出たイオン（２１１
）４１ 接地電位の多孔電極２１８との間で加速され
も そしてイオン（２１１）は 多孔電極（２１８）を
通過した後、慣性で試料台２１９上の試料２２０に照射
し ドーピング等の処理を行う。
石英・セラミックス・ガラス等からなる絶縁体２１３
が設けられていも この絶縁体（２］１）と、マツチン
グボックス（２０３）内のＬＣ回路とを合成した耐圧の
だム 第２実施例では１０数ｋＶ程度まで加速電圧を印
加することができも この方法に対し さらに高周波電源（２０４）゛の接地
部２１４を電極（２０６）と直流的に接続して、高周波
電源（２０４）の接地側の電位を直流電源（２０７）の
高圧側の電位と等しくさせることにより、 １００ｋＶ
程度の加速電圧を印加することができも なおイオン源の開口部（２１２）と連結した真空槽２１
５（よ 原料ガスの導入を行うガス導入管２１６、及び
真空度の制御を行うガス排出管２１７に接続されていも
開口部の多孔電極（２１２）から出たイオン（２１１
）４１ 接地電位の多孔電極２１８との間で加速され
も そしてイオン（２１１）は 多孔電極（２１８）を
通過した後、慣性で試料台２１９上の試料２２０に照射
し ドーピング等の処理を行う。
第３図（よ 本発明の第３の実施例におけるイオン源の
概略構成図であも 導体容器３０１に対して、絶縁体３
０２を挟んで、電極３０３を設ける。
概略構成図であも 導体容器３０１に対して、絶縁体３
０２を挟んで、電極３０３を設ける。
電極（３０３）ｆ’ｉ 高周波電源３０４にマツチン
グボックス３０５を介して接続されていも 導体容器（
３０１）と連結して設けられた電極３０６は コイル３
０７を介して直流電源３０８と接続されていも また高
周波電源（３０４）の接地部を電極（３０６）と直流的
に接続して、高周波電源（３０４）の接地側の電位を直
流電源（３０８）の高圧側の電位と等しくさせていも
さらに高周波電力の供給部と直流電源の出力部（よ コ
イル３０９で接続している。このコイル（３０９）によ
り、直流的に電極（３０３）と電極（３０６）を短絡し
て、イオン源内の直流的な電界分布のバランスをとって
いる。 １０−Ｑ〜１０−’Ｐａの圧力下で、電極（３
０３）と導体容器（３０１）との間に印加される高周波
電力により、放電室Ａ内に均一なプラズマ３１０が生成
される。
グボックス３０５を介して接続されていも 導体容器（
３０１）と連結して設けられた電極３０６は コイル３
０７を介して直流電源３０８と接続されていも また高
周波電源（３０４）の接地部を電極（３０６）と直流的
に接続して、高周波電源（３０４）の接地側の電位を直
流電源（３０８）の高圧側の電位と等しくさせていも
さらに高周波電力の供給部と直流電源の出力部（よ コ
イル３０９で接続している。このコイル（３０９）によ
り、直流的に電極（３０３）と電極（３０６）を短絡し
て、イオン源内の直流的な電界分布のバランスをとって
いる。 １０−Ｑ〜１０−’Ｐａの圧力下で、電極（３
０３）と導体容器（３０１）との間に印加される高周波
電力により、放電室Ａ内に均一なプラズマ３１０が生成
される。
以上のようにして生成したプラズマ（３１０）中のイオ
ン３１１ ＋＆ 電極（３０６）の開口部に設けた多
孔電極３１２か収 イオン源の外に押し出されも 本実
施例では１００ｋＶ程度まで加速電圧を印加することが
できる。
ン３１１ ＋＆ 電極（３０６）の開口部に設けた多
孔電極３１２か収 イオン源の外に押し出されも 本実
施例では１００ｋＶ程度まで加速電圧を印加することが
できる。
第４図は本発明の第４の実施例におけるイオン源の概略
構成図である。導体容器４０１に対して、絶縁体４０２
を挟んで、電極４０３を設けも 電極（４０３）Ｉｔ
高周波電源４０４にマツチングボックス４０５を介し
て接続されている。導体容器（４０１）と連結して設け
られた電極４０６（よ直流電源４０７と接続されていも
電極（４０３）と導体容器（４０１）との間に印加さ
れる高周波電力により、放電室Ａ内に均一なプラズマ４
０８が生成される。この時の圧力は１０−２〜１０−’
Ｐａにする。生成されたプラズマ（４０８）中のイオン
４０９（よ 電極（４０６）の開口部に設けた多孔電極
４１０か収 イオン源の外に押し出される。なお電極（
４０３）の内側には絶縁体４１１、導体容器（４０１）
と電極（４，０６）の内側には絶縁体４１２が設けられ
ていも この絶縁体（４１１）と、マツチングボックス
（４０５）のＬＣ回路とを合成した耐圧のだ教 本実施
例では１０数ｋＶ程度まで加速電圧を印加することがで
きもさらに高周波電源（４０４）の接地部４１３を電極
（４０６）と直流的に接続して、高周波電源（４０４）
の接地側の電位を直流電源（４０７）の高圧側の電位と
等しくさせることにより、 １００ｋＶ程度の加速電圧
を印加することができる。
構成図である。導体容器４０１に対して、絶縁体４０２
を挟んで、電極４０３を設けも 電極（４０３）Ｉｔ
高周波電源４０４にマツチングボックス４０５を介し
て接続されている。導体容器（４０１）と連結して設け
られた電極４０６（よ直流電源４０７と接続されていも
電極（４０３）と導体容器（４０１）との間に印加さ
れる高周波電力により、放電室Ａ内に均一なプラズマ４
０８が生成される。この時の圧力は１０−２〜１０−’
Ｐａにする。生成されたプラズマ（４０８）中のイオン
４０９（よ 電極（４０６）の開口部に設けた多孔電極
４１０か収 イオン源の外に押し出される。なお電極（
４０３）の内側には絶縁体４１１、導体容器（４０１）
と電極（４，０６）の内側には絶縁体４１２が設けられ
ていも この絶縁体（４１１）と、マツチングボックス
（４０５）のＬＣ回路とを合成した耐圧のだ教 本実施
例では１０数ｋＶ程度まで加速電圧を印加することがで
きもさらに高周波電源（４０４）の接地部４１３を電極
（４０６）と直流的に接続して、高周波電源（４０４）
の接地側の電位を直流電源（４０７）の高圧側の電位と
等しくさせることにより、 １００ｋＶ程度の加速電圧
を印加することができる。
第５図（よ 本発明の第２の実施例におけるイオン源を
用いたイオンドーピング装置（第２図）によって、 ド
ーピングを行った試料の電気伝導率分布を示した図であ
も 試料として６インチ角のガラス基板上に形成した非
晶質シリコン膜（電気伝導率： 〜ｌ Ｏ−”Ｓ／ａ
ｍ）を用ｕｋ 原料ガスとして５％水素希釈のホスフ
ィン（ＰＨ３＞を用いたまたイオンの注入照射条件は
基板温度−３Ｑ○鵞 イオン電流密度＝１５μＡ／ａｍ
２、イオンの加速電圧＝１０ｋＶ、イオンの照射時間＝
６０秒とした イオン照射によってドーピングされた非
晶質シリコンの電気伝導率は５ｘｌＯ−’Ｓ／ｃｍで、
面内の電気伝導率のばらつき（標準偏差）も電気伝導率
の平均値に対して±３％以下と、極めて均一なドーピン
グが行われていることを確認した 以上のように本発明は イメージスキャナーやアクティ
ブマトリックス方式の液晶デイスプレィ°パネルにおけ
る薄膜トランジスターアレイ等の大面積半導体素子製造
における高純度の不純物ドーピング或は表面処理を、高
精度かつ−様に短時間に行うことが可能とするという点
で、極めて有用性の高いものであ４ 発明の効果 本発明によれは 導体容器と導体容器を挟む電極との間
に高周波電界を印加することにより、大口径の容器内に
均一なプラズマを発生することが可能となも すなわち
放電のためのフィラメントが不要であるた嵌 装置の寿
命が長く、かつ汚染が発生しない。さらに発生したプラ
ズマに対して特定の電極に直流高電圧を印加することに
より、エネルギーを制御した大口径のイオンビームを−
様に生成することが可能となも すなわち簡素な装置構
成で、大面積の試料に対して−様なイオン照蝕 及びそ
れによる処理を行うことが可能となも また 高周波電源の接地側の電位を直流高圧電源で与え
られる電位にすることにより、加速電圧を百ｋＶ程度ま
で印加することが可能となも 実施例から明らかなよう
に本発明は装置構成が簡易であり、 しかも大面積の試
料に対して短時間で注入処理することが可能となも
用いたイオンドーピング装置（第２図）によって、 ド
ーピングを行った試料の電気伝導率分布を示した図であ
も 試料として６インチ角のガラス基板上に形成した非
晶質シリコン膜（電気伝導率： 〜ｌ Ｏ−”Ｓ／ａ
ｍ）を用ｕｋ 原料ガスとして５％水素希釈のホスフ
ィン（ＰＨ３＞を用いたまたイオンの注入照射条件は
基板温度−３Ｑ○鵞 イオン電流密度＝１５μＡ／ａｍ
２、イオンの加速電圧＝１０ｋＶ、イオンの照射時間＝
６０秒とした イオン照射によってドーピングされた非
晶質シリコンの電気伝導率は５ｘｌＯ−’Ｓ／ｃｍで、
面内の電気伝導率のばらつき（標準偏差）も電気伝導率
の平均値に対して±３％以下と、極めて均一なドーピン
グが行われていることを確認した 以上のように本発明は イメージスキャナーやアクティ
ブマトリックス方式の液晶デイスプレィ°パネルにおけ
る薄膜トランジスターアレイ等の大面積半導体素子製造
における高純度の不純物ドーピング或は表面処理を、高
精度かつ−様に短時間に行うことが可能とするという点
で、極めて有用性の高いものであ４ 発明の効果 本発明によれは 導体容器と導体容器を挟む電極との間
に高周波電界を印加することにより、大口径の容器内に
均一なプラズマを発生することが可能となも すなわち
放電のためのフィラメントが不要であるた嵌 装置の寿
命が長く、かつ汚染が発生しない。さらに発生したプラ
ズマに対して特定の電極に直流高電圧を印加することに
より、エネルギーを制御した大口径のイオンビームを−
様に生成することが可能となも すなわち簡素な装置構
成で、大面積の試料に対して−様なイオン照蝕 及びそ
れによる処理を行うことが可能となも また 高周波電源の接地側の電位を直流高圧電源で与え
られる電位にすることにより、加速電圧を百ｋＶ程度ま
で印加することが可能となも 実施例から明らかなよう
に本発明は装置構成が簡易であり、 しかも大面積の試
料に対して短時間で注入処理することが可能となも
第１図は本発明の第１の実施例におけるイオン源の概略
構成を示す断面図 第２図は本発明の第２の実施例にお
けるイオン源を用いたイオンドーピング装置の概略構成
を示す断面図 第３図は本発明の第３の実施例における
イオン源の概略構成を示す断面図 第４図は本発明の第
４の実施例におけるイオン源の概略構成を示す断面図
第５図（よ 本発明の第２の実施例におけるイオン源を
用いたイオンドーピング装置によってドーピングを行っ
た試料の電気伝導率分布を示したグラフであム １０１・・・導体容器 １０２・・・高周波型＃１゜３
・・・マツチングポック７、、 １０４、１０５・・・
絶縁恢 １０６、１０７−・・電Ｖ７Ｉｈ １０Ｂ−コ
イル、 １０９・・・直流型ｆ！Ｌ １１０・・・ブラ
ズス １１１・・・イオン。 代理人の氏名 弁理士 小鍜治 明 ほか２名第１図 １０１・・・導体容器 １０２・・・高周波電源 ＋０４．１０５・・・絶縁体 １０６．１０７・・・電極 １０８・・・コイル １０９・・・直流電源 １１０・・プラズマ ＩＩＩ・・・イオン 第２図 第３図
構成を示す断面図 第２図は本発明の第２の実施例にお
けるイオン源を用いたイオンドーピング装置の概略構成
を示す断面図 第３図は本発明の第３の実施例における
イオン源の概略構成を示す断面図 第４図は本発明の第
４の実施例におけるイオン源の概略構成を示す断面図
第５図（よ 本発明の第２の実施例におけるイオン源を
用いたイオンドーピング装置によってドーピングを行っ
た試料の電気伝導率分布を示したグラフであム １０１・・・導体容器 １０２・・・高周波型＃１゜３
・・・マツチングポック７、、 １０４、１０５・・・
絶縁恢 １０６、１０７−・・電Ｖ７Ｉｈ １０Ｂ−コ
イル、 １０９・・・直流型ｆ！Ｌ １１０・・・ブラ
ズス １１１・・・イオン。 代理人の氏名 弁理士 小鍜治 明 ほか２名第１図 １０１・・・導体容器 １０２・・・高周波電源 ＋０４．１０５・・・絶縁体 １０６．１０７・・・電極 １０８・・・コイル １０９・・・直流電源 １１０・・プラズマ ＩＩＩ・・・イオン 第２図 第３図
Claims (5)
- （１）直流電源と接続された一対の電極の一方に開口部
を設け、高周波電源と接続された導体容器を、前記一対
の電極との間に絶縁体を介して設けたことを特徴とする
イオン源。 - （２）高周波電源と接続された電極、及び前記電極と対
向する位置に開口部を有し直流電源と接続された電極を
設け、前記２つの電極の間に少なくとも何れか一方の電
極と絶縁体を介して導体容器を設けたことを特徴とする
イオン源。 - （３）導体容器或は電極の、プラズマに曝される側に絶
縁体を設けたことを特徴とする請求項１または２に記載
のイオン源。 - （４）高周波電源の接地側の電位を、直流電源で与えら
れる電位にしたことを特徴とする請求項１または２に記
載のイオン源。 - （５）高周波電源の出力部と直流電源の出力部の間にコ
イルを入れたことを特徴とする請求項４に記載のイオン
源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2338313A JPH04206426A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | イオン源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2338313A JPH04206426A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | イオン源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04206426A true JPH04206426A (ja) | 1992-07-28 |
Family
ID=18316962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2338313A Pending JPH04206426A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | イオン源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04206426A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60130039A (ja) * | 1983-12-16 | 1985-07-11 | Jeol Ltd | イオン源 |
| JPH03203146A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-04 | Nissin Electric Co Ltd | イオン源装置 |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP2338313A patent/JPH04206426A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60130039A (ja) * | 1983-12-16 | 1985-07-11 | Jeol Ltd | イオン源 |
| JPH03203146A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-04 | Nissin Electric Co Ltd | イオン源装置 |
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