JPH04206544A - 半導体ウエハの移送方法 - Google Patents
半導体ウエハの移送方法Info
- Publication number
- JPH04206544A JPH04206544A JP2329537A JP32953790A JPH04206544A JP H04206544 A JPH04206544 A JP H04206544A JP 2329537 A JP2329537 A JP 2329537A JP 32953790 A JP32953790 A JP 32953790A JP H04206544 A JPH04206544 A JP H04206544A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chuck mechanism
- semiconductor wafer
- wafer
- transfer arm
- liquid
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は研削盤等のチャック機構において、該チャック
機構から脆性で極薄の半導体ウエノ１を取外すと共に次
の加工工程を行うチャック機構へ移送する方法に関する
ものである。
機構から脆性で極薄の半導体ウエノ１を取外すと共に次
の加工工程を行うチャック機構へ移送する方法に関する
ものである。
本発明に係るこの種の半導体ウェハにおいては。
コンピュータ等の電子関連機器、所謂○Ａｍ）ＩＩ等の
集積回路に使用されており、その開発は日々進歩してお
り機器そのものの小型化に伴う、より極薄で、より超高
精度の質性と、作業性の観点からより一層の拡径化が要
求されてきている。
集積回路に使用されており、その開発は日々進歩してお
り機器そのものの小型化に伴う、より極薄で、より超高
精度の質性と、作業性の観点からより一層の拡径化が要
求されてきている。
従来の研削盤等のバキューム吸着機能を有するチャック
機構においては、先ず、半導体ウェハをバキューム吸着
し研削加工を施して、研削加工後にバキューム吸着を開
放し、エアーを逆送して半導体ウェハを浮上さるように
して吸着パットで吸着し移送アームを上昇させることに
よって剥がしているが、エアーの噴流のみでは乗載台等
の上面に付着する研削屑等の微粒異物は充分に除去でき
ず、乗載台の上面に残留したままであり、通常の厚みの
半導体ウェハであれば多少の微粒異物が残留したままバ
キューム吸着させても半導体ウェハの上面が歪んだり破
損したりする等の問題点は殆ど発生しなかった。
機構においては、先ず、半導体ウェハをバキューム吸着
し研削加工を施して、研削加工後にバキューム吸着を開
放し、エアーを逆送して半導体ウェハを浮上さるように
して吸着パットで吸着し移送アームを上昇させることに
よって剥がしているが、エアーの噴流のみでは乗載台等
の上面に付着する研削屑等の微粒異物は充分に除去でき
ず、乗載台の上面に残留したままであり、通常の厚みの
半導体ウェハであれば多少の微粒異物が残留したままバ
キューム吸着させても半導体ウェハの上面が歪んだり破
損したりする等の問題点は殆ど発生しなかった。
６然し乍ら、昨今要求されている極薄の半導体ウェハで
はチャック機構の乗載台の上面に研削屑等の微粒異物が
僅かに残留していてもバキューム吸着すると脆性で極薄
の半導体ウェハは折損したり、半導体ウェハそのものが
微粒異物によって歪んで研削加工する上面の平坦精度が
でなかったり、又、研削後の鏡面仕上された半導体ウェ
ハの上面を吸着パットで吸着しチャック機構の上面から
剥がす場合もチャック機構の上面に付着している液体の
表面張力による吸着作用によって、半導体ウェハの損傷
が頻繁に発生し、しかも高速度回転で研削加工するので
摩擦熱の蓄熱による半導体ウェハへのダメージが引き起
こされる等の諸問題が出てきている。
はチャック機構の乗載台の上面に研削屑等の微粒異物が
僅かに残留していてもバキューム吸着すると脆性で極薄
の半導体ウェハは折損したり、半導体ウェハそのものが
微粒異物によって歪んで研削加工する上面の平坦精度が
でなかったり、又、研削後の鏡面仕上された半導体ウェ
ハの上面を吸着パットで吸着しチャック機構の上面から
剥がす場合もチャック機構の上面に付着している液体の
表面張力による吸着作用によって、半導体ウェハの損傷
が頻繁に発生し、しかも高速度回転で研削加工するので
摩擦熱の蓄熱による半導体ウェハへのダメージが引き起
こされる等の諸問題が出てきている。
その為に研削加工後にその都度チャック機構の上面を別
の洗浄装置で洗浄する方法も取られているが時間的なロ
スが大きいものであった。
の洗浄装置で洗浄する方法も取られているが時間的なロ
スが大きいものであった。
又、本件出願人が先に開示した特許出願公告子２−１７
３０Ｏｒチャック機構における半導体ウェハの取外し方
法」は水の表面張力を破壊するに十分の水流によって浮
上させ一１水平方向に若干ずらせて上昇させるものであ
ったが移送に時間的なロスが有り、移送機構が複雑化す
るものであった。
３０Ｏｒチャック機構における半導体ウェハの取外し方
法」は水の表面張力を破壊するに十分の水流によって浮
上させ一１水平方向に若干ずらせて上昇させるものであ
ったが移送に時間的なロスが有り、移送機構が複雑化す
るものであった。
本発明は上記の事由に鑑みて鋭意研鑵の結果、これらの
チャック機構の間隙部へ一時的に噴流する液体又は泡状
流体を滞溜させ、静止状態の液体の表面張力を破壊する
に充分の量の液体又は泡状流体を有孔物質から成る乗載
台を浸透させ上面に噴流させて、半導体ウェハの下面全
体を均等に浮上させながら、移送アームの先端部に備え
た吸着パットで吸着させ、該移送アームを水平方向へ旋
回及び進退、旋回又は進退させて取り外すと共にそのま
ま水平移動させることによって、同一平面上に位置する
次のチャック機構へ最短距離を経由して移送する方法を
提供する目的である。
チャック機構の間隙部へ一時的に噴流する液体又は泡状
流体を滞溜させ、静止状態の液体の表面張力を破壊する
に充分の量の液体又は泡状流体を有孔物質から成る乗載
台を浸透させ上面に噴流させて、半導体ウェハの下面全
体を均等に浮上させながら、移送アームの先端部に備え
た吸着パットで吸着させ、該移送アームを水平方向へ旋
回及び進退、旋回又は進退させて取り外すと共にそのま
ま水平移動させることによって、同一平面上に位置する
次のチャック機構へ最短距離を経由して移送する方法を
提供する目的である。
〔発明の実施例〕
斯る目的を達成した本発明の半導体ウェハ移送方法の実
施例を以下図面を用いて説明する。
施例を以下図面を用いて説明する。
第１図は本発明の実施による研削盤等のチャック機構本
体の一部分の構成要部を現した概要説明図であって、第
２図は液体又は泡状流体によって半導体ウェハの浮上さ
せた状態を呪した概要説明図であり、第３図は移送アー
ムの吸着パットで吸着させた状態の説明図であり、第４
図は移送アームによって水平方向へ移送を開始した説明
図である。
体の一部分の構成要部を現した概要説明図であって、第
２図は液体又は泡状流体によって半導体ウェハの浮上さ
せた状態を呪した概要説明図であり、第３図は移送アー
ムの吸着パットで吸着させた状態の説明図であり、第４
図は移送アームによって水平方向へ移送を開始した説明
図である。
本発明は研削盤等のチャック機構１において、該チャッ
ク機構１から脆性で極薄の半導体ウェハＡを取外すと共
に次の加工工程を行うチャック機構１へ移送する方法に
関するものであり、チャック機構１へ円筒状の陥部２を
形設し、該陥部２の底面に間隙部５を設けて有孔物質か
ら成る円盤状の乗載台４を回転自在に軸承固定し、該軸
の中心部を貫通する通気口兼注水口３を設けバキューム
吸着機能を有するチャック機構１と、先端部７に備えた
吸着パット８が少なくとも２箇所のチャック機構上の中
心部の上方辺を往復動可能に水平方向へ旋回且つ進退自
在な移送アーム６とを設け、極薄の半導体ウェハＡを研
削加工するために複数箇所にチャック機構１を配設した
研削盤等において、前記乗載台４へ載置された研削加工
後の極薄の半導体ウェハＡのバキューム吸着を解除する
と同時に前記通気口兼注水口３より液体を噴流させて間
隙部５へ一時的に滞溜させ、該乗載台４の上面へ静止状
態でできる液体層の表面張力を破壊するに充分の量の液
体を有孔物質から成る乗載台４を浸透させ、該乗載台４
の上面に噴流して半導体ウェハＡの下面全体を均等に浮
上させながら、前記移送アーム６の先端部７に備えた吸
着パット８で吸着させ、該移送アーム６を水平方向に旋
回及び／又は進退させて取外すと共に次チャック機構１
に移送させる半導体ウェハＡの移送方法であり、チャッ
ク機構１へ円筒状の陥部２を形設し、該陥部２の底面に
間隙部５を設けて有孔物質から成る円盤状の乗載台４を
回転自在に軸承固定し、該軸の中心部を貫通する通気口
兼注水口３を設けバキューム吸着機能を有するチャック
機構１と、先端′部７に備えた吸着パット８が少なくと
も２箇所のチャック機構１の中心部の上方辺を往復動可
能に水平方向へ旋回且つ進退自在な移送アーム６とを設
け、極薄の半導体ウェハＡを研削加工するために複数箇
所にチャック機構１を配設した研削盤等において、前記
乗載台４へ載置された研削加工後の極薄の半導体ウェハ
Ａのバキューム吸着を解除すると同時に前記通気口兼注
水口３より液体と気体とを混在させて泡状流体として噴
流させて前記間隙部５へ一時的に滞溜させ、該乗載台４
の上面へ静止状態でできる液体層の表面張力を破壊する
に充分の泡状流体の量を有孔物質から成る乗載台４を浸
透させ、該乗載台４の上面に噴流して半導体ウェハＡの
下面全体を均等に浮上させながら、前記移送アー４６の
先端部７に備えた吸着パット８で吸着させ、該移送アー
ム６を水平方向に旋回及び／又は進退させて取外すと共
に次チャック機構１に移送させる半導体ウェハＡの移送
方法である。
ク機構１から脆性で極薄の半導体ウェハＡを取外すと共
に次の加工工程を行うチャック機構１へ移送する方法に
関するものであり、チャック機構１へ円筒状の陥部２を
形設し、該陥部２の底面に間隙部５を設けて有孔物質か
ら成る円盤状の乗載台４を回転自在に軸承固定し、該軸
の中心部を貫通する通気口兼注水口３を設けバキューム
吸着機能を有するチャック機構１と、先端部７に備えた
吸着パット８が少なくとも２箇所のチャック機構上の中
心部の上方辺を往復動可能に水平方向へ旋回且つ進退自
在な移送アーム６とを設け、極薄の半導体ウェハＡを研
削加工するために複数箇所にチャック機構１を配設した
研削盤等において、前記乗載台４へ載置された研削加工
後の極薄の半導体ウェハＡのバキューム吸着を解除する
と同時に前記通気口兼注水口３より液体を噴流させて間
隙部５へ一時的に滞溜させ、該乗載台４の上面へ静止状
態でできる液体層の表面張力を破壊するに充分の量の液
体を有孔物質から成る乗載台４を浸透させ、該乗載台４
の上面に噴流して半導体ウェハＡの下面全体を均等に浮
上させながら、前記移送アーム６の先端部７に備えた吸
着パット８で吸着させ、該移送アーム６を水平方向に旋
回及び／又は進退させて取外すと共に次チャック機構１
に移送させる半導体ウェハＡの移送方法であり、チャッ
ク機構１へ円筒状の陥部２を形設し、該陥部２の底面に
間隙部５を設けて有孔物質から成る円盤状の乗載台４を
回転自在に軸承固定し、該軸の中心部を貫通する通気口
兼注水口３を設けバキューム吸着機能を有するチャック
機構１と、先端′部７に備えた吸着パット８が少なくと
も２箇所のチャック機構１の中心部の上方辺を往復動可
能に水平方向へ旋回且つ進退自在な移送アーム６とを設
け、極薄の半導体ウェハＡを研削加工するために複数箇
所にチャック機構１を配設した研削盤等において、前記
乗載台４へ載置された研削加工後の極薄の半導体ウェハ
Ａのバキューム吸着を解除すると同時に前記通気口兼注
水口３より液体と気体とを混在させて泡状流体として噴
流させて前記間隙部５へ一時的に滞溜させ、該乗載台４
の上面へ静止状態でできる液体層の表面張力を破壊する
に充分の泡状流体の量を有孔物質から成る乗載台４を浸
透させ、該乗載台４の上面に噴流して半導体ウェハＡの
下面全体を均等に浮上させながら、前記移送アー４６の
先端部７に備えた吸着パット８で吸着させ、該移送アー
ム６を水平方向に旋回及び／又は進退させて取外すと共
に次チャック機構１に移送させる半導体ウェハＡの移送
方法である。
即ち、本発明を実施する装置は、第１図に図示の如く、
研削盤等のチャック機構本体１へは円筒状で平坦な底面
を有する陥部２を形設し、該陥部２の底面とポーラス状
セラミック等の有孔物質から成る円盤状の乗載台４の下
面との間に適宜な容積を有する間隙部５を設けて乗載台
４を段部を形成する手段等によって回転自在に軸承固定
し、該軸の中心部を貫通する排気口兼注水口３を設け、
該通気口兼注水口３はチャック機構１を貫いて真空ポン
プ及び送水ポンプ或いは発泡装置と接続されているもの
で、真空ポンプを可動させて負荷をかけ極薄の半導体ウ
ェハＡをバキューム吸着機能を有するチャック機構１と
、該チャック機構１の上方辺へ先端部７に吸着パット８
を備えた水平方向へ旋回且つ進退可能な移送アーム６を
設けた装置を用いて実施するものである。
研削盤等のチャック機構本体１へは円筒状で平坦な底面
を有する陥部２を形設し、該陥部２の底面とポーラス状
セラミック等の有孔物質から成る円盤状の乗載台４の下
面との間に適宜な容積を有する間隙部５を設けて乗載台
４を段部を形成する手段等によって回転自在に軸承固定
し、該軸の中心部を貫通する排気口兼注水口３を設け、
該通気口兼注水口３はチャック機構１を貫いて真空ポン
プ及び送水ポンプ或いは発泡装置と接続されているもの
で、真空ポンプを可動させて負荷をかけ極薄の半導体ウ
ェハＡをバキューム吸着機能を有するチャック機構１と
、該チャック機構１の上方辺へ先端部７に吸着パット８
を備えた水平方向へ旋回且つ進退可能な移送アーム６を
設けた装置を用いて実施するものである。
前記乗載台４へ載置された研削加工後の極薄の半導体ウ
ェハＡのバキューム吸着を解除すると同時に、前記通気
口兼注水口３より送水ポンプを可動させて液体又は泡状
流体を噴流させると、液体又は泡状流体は容積を有する
間隙部５へ一時的に滞溜するものであり、更に送水を続
けると液体又は泡状流体は該間隙部５を満たし一気に多
量の液体又は泡状流体がポーラス状セラミック等の有孔
物質から成る乗載台４を浸透させ上面に噴流させるもの
で、該乗載台４の上面へ静止状態でできる液体層の表面
張力を破壊させるに充分な量を噴流させるものであり、
半導体ウェハＡの下面全体を該液体又は泡状流体の量に
よって均等に浮上させながら、加えて、移送アーム６の
先端部７に備えた吸着パット８で吸着させ、移送アーム
６を水平方向に旋回又は進退させることによって、更に
、表面張力による吸着作用を弱めて取外すと共にそのま
まの水平移動によって最短距離を経由して。
ェハＡのバキューム吸着を解除すると同時に、前記通気
口兼注水口３より送水ポンプを可動させて液体又は泡状
流体を噴流させると、液体又は泡状流体は容積を有する
間隙部５へ一時的に滞溜するものであり、更に送水を続
けると液体又は泡状流体は該間隙部５を満たし一気に多
量の液体又は泡状流体がポーラス状セラミック等の有孔
物質から成る乗載台４を浸透させ上面に噴流させるもの
で、該乗載台４の上面へ静止状態でできる液体層の表面
張力を破壊させるに充分な量を噴流させるものであり、
半導体ウェハＡの下面全体を該液体又は泡状流体の量に
よって均等に浮上させながら、加えて、移送アーム６の
先端部７に備えた吸着パット８で吸着させ、移送アーム
６を水平方向に旋回又は進退させることによって、更に
、表面張力による吸着作用を弱めて取外すと共にそのま
まの水平移動によって最短距離を経由して。
同一平面上に位置する次のチャック機構１へ移送するも
ので、該極薄の半導体ウェハＡを破損させること無く取
外す共にロス無く移送することができ、半導体ウェハＡ
の下面と乗載台４等のチャック機構１の上面とを多量の
液体又は泡状流体によって洗い流し洗浄すると同時に研
削による摩擦熱を冷却させるものである。
ので、該極薄の半導体ウェハＡを破損させること無く取
外す共にロス無く移送することができ、半導体ウェハＡ
の下面と乗載台４等のチャック機構１の上面とを多量の
液体又は泡状流体によって洗い流し洗浄すると同時に研
削による摩擦熱を冷却させるものである。
この様にして静止状態でできる液体層の表面張力を破壊
させるに充分な量の液体又は泡状流体を噴流させること
と、移送アーム６によって水平方向へ移動させることに
より液体による吸着作用の影響を殆ど受けず、安全確実
に半導体ウェハＡを次の加工工程の次チャック機構１へ
移送することができ、且つ、時間的なロスをすることが
なく、加えて、流出する液体又は泡状流体によって洗浄
され、更に、研削することにより引き起こされる摩擦熱
を蓄えることなく冷却させる移送方法であって、半導体
ウェハＡは次のチャック機構へ移送された後、次の未研
削の半導体ウェハＡは効率よく充分に洗浄され、摩擦熱
も解消されたチャック機構１の上面へバキューム吸着さ
れ、順次研削することができるものである。
させるに充分な量の液体又は泡状流体を噴流させること
と、移送アーム６によって水平方向へ移動させることに
より液体による吸着作用の影響を殆ど受けず、安全確実
に半導体ウェハＡを次の加工工程の次チャック機構１へ
移送することができ、且つ、時間的なロスをすることが
なく、加えて、流出する液体又は泡状流体によって洗浄
され、更に、研削することにより引き起こされる摩擦熱
を蓄えることなく冷却させる移送方法であって、半導体
ウェハＡは次のチャック機構へ移送された後、次の未研
削の半導体ウェハＡは効率よく充分に洗浄され、摩擦熱
も解消されたチャック機構１の上面へバキューム吸着さ
れ、順次研削することができるものである。
以上の如く、本発明は時間的ロスをすることなく研削後
の半導体ウェハの鏡面に何等障害を及ぼさずに移送する
ことができるだけでなく、半導体ウェハの下面及びチャ
ック機構の上面の洗浄を行い、合わせて研削による摩擦
熱を冷却できるものであって、其の貢献性は計り知れな
いものがあり、極めて有意義な効果を奏するものである
。
の半導体ウェハの鏡面に何等障害を及ぼさずに移送する
ことができるだけでなく、半導体ウェハの下面及びチャ
ック機構の上面の洗浄を行い、合わせて研削による摩擦
熱を冷却できるものであって、其の貢献性は計り知れな
いものがあり、極めて有意義な効果を奏するものである
。
第１図は本発明の実施による研削盤等のチャック機構本
体の一部分の構成要部を現した概要説明図である。第２
図は液体又は泡状流体によって半導体ウェハの浮上させ
た状態を現した概要説明図である。第３図は移送アーム
の吸着パットで吸着させた状態の説明図である。第４図
は移送アームによって水平方向へ移送を開始した説明図
である。 八−半導体ウェハ。 １−チャック機構、２−陥部、３−排気口兼注水口、４
−乗載台、５−間隙部、６−移送アーム、７−先端部、
８−吸着パット。 特許出願人 芝山機械株式会社 代表取締役 石 村 吉 男 １１１図 第２図 第３図
体の一部分の構成要部を現した概要説明図である。第２
図は液体又は泡状流体によって半導体ウェハの浮上させ
た状態を現した概要説明図である。第３図は移送アーム
の吸着パットで吸着させた状態の説明図である。第４図
は移送アームによって水平方向へ移送を開始した説明図
である。 八−半導体ウェハ。 １−チャック機構、２−陥部、３−排気口兼注水口、４
−乗載台、５−間隙部、６−移送アーム、７−先端部、
８−吸着パット。 特許出願人 芝山機械株式会社 代表取締役 石 村 吉 男 １１１図 第２図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）チャック機構へ円筒状の陥部を形設し、該陥部の底
面に間隙部を設けて有孔物質から成る円盤状の乗載台を
回転自在に軸承固定し、該軸の中心部を貫通する通気口
兼注水口を設けバキューム吸着機能を有するチャック機
構と、先端部に備えた吸着パットが少なくとも２箇所の
チャック機構の中心部の上方辺を往復動可能に水平方向
へ旋回且つ進退自在な移送アームとを設け、極薄の半導
体ウェハを研削加工するために複数箇所にチャック機構
を配設した研削盤等において、 前記乗載台へ載置された研削加工後の極薄の半導体ウェ
ハのバキューム吸着を解除すると同時に前記通気口兼注
水口より液体を噴流させて間隙部へ一時的に滞溜させ、
該乗載台の上面へ静止状態でできる液体層の表面張力を
破壊するに充分の量の液体を有孔物質から成る乗載台を
浸透させ、該乗載台の上面に噴流して半導体ウェハの下
面全体を均等に浮上させながら、前記移送アームの先端
部に備えた吸着パットで吸着させ、該移送アームを水平
方向に旋回及び／又は進退させて取外すと共に次チャッ
ク機構に移送させることを特徴とする半導体ウェハの移
送方法。 ２）チャック機構へ円筒状の陥部を形設し、該陥部の底
面に間隙部を設けて有孔物質から成る円盤状の乗載台を
回転自在に軸承固定し、該軸の中心部を貫通する通気口
兼注水口を設けバキューム吸着機能を有するチャック機
構と、先端部に備えた吸着パットが少なくとも２箇所の
チャック機構の中心部の上方辺を往復動可能に水平方向
へ旋回且つ進退自在な移送アームとを設け、極薄の半導
体ウェハを研削加工するために複数箇所にチャック機構
を配設した研削盤等において、 前記乗載台へ載置された研削加工後の極薄の半導体ウェ
ハのバキューム吸着を解除すると同時に前記通気口兼注
水口より液体と気体とを混在させて泡状流体として噴流
させて前記間隙部へ一時的に滞溜させ、該乗載台の上面
へ静止状態でできる液体層の表面張力を破壊するに充分
の泡状流体の量を有孔物質から成る乗載台を浸透させ、
該乗載台の上面に噴流して半導体ウェハの下面全体を均
等に浮上させながら、前記移送アームの先端部に備えた
吸着パットで吸着させ、該移送アームを水平方向に旋回
及び／又は進退させて取外すと共に次チャック機構に移
送させることを特徴とする半導体ウェハの移送方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2329537A JPH04206544A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体ウエハの移送方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2329537A JPH04206544A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体ウエハの移送方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04206544A true JPH04206544A (ja) | 1992-07-28 |
Family
ID=18222472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2329537A Pending JPH04206544A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 半導体ウエハの移送方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04206544A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007165746A (ja) * | 2005-12-16 | 2007-06-28 | Tokyo Electron Ltd | 液処理方法、液処理装置、制御プログラム、およびコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
| JP2008270580A (ja) * | 2007-04-23 | 2008-11-06 | Nachi Fujikoshi Corp | 薄厚ウエハの搬送方法 |
| US7914626B2 (en) | 2005-11-24 | 2011-03-29 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing method and liquid processing apparatus |
| CN108767092A (zh) * | 2018-07-17 | 2018-11-06 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种批量转移MicroLED芯片的方法和装置 |
| WO2019216314A1 (ja) * | 2018-05-11 | 2019-11-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム及び基板処理方法 |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP2329537A patent/JPH04206544A/ja active Pending
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