JPH04206927A - エッチング装置 - Google Patents
エッチング装置Info
- Publication number
- JPH04206927A JPH04206927A JP33863390A JP33863390A JPH04206927A JP H04206927 A JPH04206927 A JP H04206927A JP 33863390 A JP33863390 A JP 33863390A JP 33863390 A JP33863390 A JP 33863390A JP H04206927 A JPH04206927 A JP H04206927A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- etching
- light
- detector
- end point
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明はエツチング装置に関し、特にＳｉウェハ主面に
形成した導電性祠料やレジストなどの被膜のエツチング
のエンドポイントを調べる機能を有したエツチング装置
に関する。
形成した導電性祠料やレジストなどの被膜のエツチング
のエンドポイントを調べる機能を有したエツチング装置
に関する。
（従来の技術）
周知の如く、例えば反応性ドライエツチング装置におい
ては、ウェハ表面のＡｇ膜をエツチングする時プラズマ
が発光する。従って、こうしたエツチング装置では、そ
のプラズマ中の特定波長の発光量の変化を検出すること
によってエツチングの終点を検出していた。
ては、ウェハ表面のＡｇ膜をエツチングする時プラズマ
が発光する。従って、こうしたエツチング装置では、そ
のプラズマ中の特定波長の発光量の変化を検出すること
によってエツチングの終点を検出していた。
しかしながら、従来のエツチング装置によれば、エツチ
ングのガス種や被エツチング祠料等によりプラズマの発
光のモードが変化する。従って、夫々のモードの特性を
調べ、それに対応する検出器を必要とするという問題点
があった。
ングのガス種や被エツチング祠料等によりプラズマの発
光のモードが変化する。従って、夫々のモードの特性を
調べ、それに対応する検出器を必要とするという問題点
があった。
（発明が解決しようとする課題）
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、Ｓｔウェハ
表面に形成した被膜のエツチングの終点を容易に検出し
えるエツチング装置を提ｆｊ（することを目的とする。
表面に形成した被膜のエツチングの終点を容易に検出し
えるエツチング装置を提ｆｊ（することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明は、Ｓｉウェハ上に形成された被膜をエツチング
するエツチング装置において、前記Ｓｉウェハの裏面側
に波長１１０００ｎ以上の赤外線を検出する検出器を配
置し、前記ウェハのエツチングの終点を検出することを
特徴とするエツチング装置である。
するエツチング装置において、前記Ｓｉウェハの裏面側
に波長１１０００ｎ以上の赤外線を検出する検出器を配
置し、前記ウェハのエツチングの終点を検出することを
特徴とするエツチング装置である。
本発明において、Ｓｉウェハ表面の被膜としては、八Ω
あるいはＳｉ含有Ａρ等の配線利料からなる膜、レジス
ト膜などが挙げられる。
あるいはＳｉ含有Ａρ等の配線利料からなる膜、レジス
ト膜などが挙げられる。
本発明において、検出器の波長を１１０００ｎ以上とす
るのは、］、 ＯＯＯｎ ｍ未満の場合赤外線がＳｉウ
ェハを透過せず、被膜のエツチングの終点を検出できな
いからである。
るのは、］、 ＯＯＯｎ ｍ未満の場合赤外線がＳｉウ
ェハを透過せず、被膜のエツチングの終点を検出できな
いからである。
本発明において、Ｓｌウェハ表面の被膜のエツチングの
終点を検出する手段としては、例えば■プラズマを利用
したエツチング装置であれば、そのプラズマからの発光
を検知する検出器を例えばウェハの裏面側に配置して終
点を求める、■ウェハの表面側に投光器を配置するとと
もにウェハの裏面側に検出器を配置し、投光器からの発
光のウェハの透過度合により終点を求める、■投光器及
び検出器をウェハ裏面側に配置し、ウェハ裏面からの光
の反η・ｊ度合により終点を求める等の手段が挙げられ
る。
終点を検出する手段としては、例えば■プラズマを利用
したエツチング装置であれば、そのプラズマからの発光
を検知する検出器を例えばウェハの裏面側に配置して終
点を求める、■ウェハの表面側に投光器を配置するとと
もにウェハの裏面側に検出器を配置し、投光器からの発
光のウェハの透過度合により終点を求める、■投光器及
び検出器をウェハ裏面側に配置し、ウェハ裏面からの光
の反η・ｊ度合により終点を求める等の手段が挙げられ
る。
（作用）
本発明においては、赤外光検出器を８１ウエハの裏面側
に設けるとともに、必要に応じてウェハの表面側又は裏
面側に投光器を設け、赤外光がウェハ中を透過１反射す
るのを利用することにより光の強度を検出器で検出し、
もって光の強度が大きく変化する時を求め、エツチング
の終点を従来と比べ簡単でかつ確実に検出することがで
きる。
に設けるとともに、必要に応じてウェハの表面側又は裏
面側に投光器を設け、赤外光がウェハ中を透過１反射す
るのを利用することにより光の強度を検出器で検出し、
もって光の強度が大きく変化する時を求め、エツチング
の終点を従来と比べ簡単でかつ確実に検出することがで
きる。
（実施例）
以下、本発明の一実施例に係るエツチング装置について
説明する。
説明する。
第１図は本発明に係るドライエツチング装置の説明図で
ある。図中の１は、真空容器を示す。
ある。図中の１は、真空容器を示す。
この真空容器１内には、Ｓ１ウエハ２が電極を兼ねる載
置台３上に載置されて配置されている。前記ウェハ２は
、第２図に示す如くシリコン括板１ｊ上に厚み１００Ｏ
Ａ程度の熱酸化膜１２を形成し、この熱酸化膜１２上に
Ｓｔを含有した厚み約８０００ＡのＡΩ膜（アルミ膜）
１３を形成し、更にこのアルミ膜１３上にポジ型レジス
トからなる厚み１．２μｍのマスク１４を形成した構成
となっている。ここに、アルミ膜１３の光透過率は１０
％以下である。
置台３上に載置されて配置されている。前記ウェハ２は
、第２図に示す如くシリコン括板１ｊ上に厚み１００Ｏ
Ａ程度の熱酸化膜１２を形成し、この熱酸化膜１２上に
Ｓｔを含有した厚み約８０００ＡのＡΩ膜（アルミ膜）
１３を形成し、更にこのアルミ膜１３上にポジ型レジス
トからなる厚み１．２μｍのマスク１４を形成した構成
となっている。ここに、アルミ膜１３の光透過率は１０
％以下である。
前記ウェハ２の上方には、多数のガス導入口を有したガ
ス導入管４が配置されている。前記真空容器１の側壁に
は、ガス排気口５が取付けられている。前記ウエノ＼２
の裏面には、光ファイバ６を介して赤外検出器７が接続
されている（第４図参照）。前記載置台３には、マツチ
ングボックス８を介してＲＦ電源９が接続されている。
ス導入管４が配置されている。前記真空容器１の側壁に
は、ガス排気口５が取付けられている。前記ウエノ＼２
の裏面には、光ファイバ６を介して赤外検出器７が接続
されている（第４図参照）。前記載置台３には、マツチ
ングボックス８を介してＲＦ電源９が接続されている。
また、前記載置台３には冷却用の水が循環するようにな
っている。
っている。
こうしたエツチング装置において、前記ウェハ２のアル
ミ膜１３のエツチング前は第２図に示す状態にあり、こ
の状態ではプラズマ中の光はアルミ膜１３により反射さ
れ、検出器７により検出されない。しかし、アルミ膜１
３のエツチングが終了する（第３図図示）と、マスク１
４の開口部１４ａからプラズマ中の光がウェハ２を透過
し、検出器７により検出される。第５図はプラズマ中の
光の強度と時間との関係を示す特性図である。同図より
、時間Ｔ近くまでは光がウェハを透過しないため光の強
度が０であり、時間Ｔでアルミ膜がエツチングされて急
に大きな光強度を示すことが確認できる。
ミ膜１３のエツチング前は第２図に示す状態にあり、こ
の状態ではプラズマ中の光はアルミ膜１３により反射さ
れ、検出器７により検出されない。しかし、アルミ膜１
３のエツチングが終了する（第３図図示）と、マスク１
４の開口部１４ａからプラズマ中の光がウェハ２を透過
し、検出器７により検出される。第５図はプラズマ中の
光の強度と時間との関係を示す特性図である。同図より
、時間Ｔ近くまでは光がウェハを透過しないため光の強
度が０であり、時間Ｔでアルミ膜がエツチングされて急
に大きな光強度を示すことが確認できる。
このように、上記実施例に係るエツチング装置によれば
、Ｓｉウェハ２の裏面に光ファイバ６を介して赤外検出
器７が接続させ、プラズマ中の光をエツチング前をウェ
ハて遮断し、エツチング後は透過させる構成となってい
るため、ウェハ２のアルミ膜１３のエツチングの終点を
正確かつ容易に把握することができる。
、Ｓｉウェハ２の裏面に光ファイバ６を介して赤外検出
器７が接続させ、プラズマ中の光をエツチング前をウェ
ハて遮断し、エツチング後は透過させる構成となってい
るため、ウェハ２のアルミ膜１３のエツチングの終点を
正確かつ容易に把握することができる。
なお、上記実施例では、プラズマ中の光がウェハを透過
するかしいないかということによりエツチングの終点を
検出する場合について述べたが、これに限定されない。
するかしいないかということによりエツチングの終点を
検出する場合について述べたが、これに限定されない。
例えば、第６図に示す如くウェハ２の表面側に投光器２
１を設はウェハ２の裏面側に検出器７を設けて、この投
光器２１からの光を検出器７により検出する構成として
もよい。あるいは、第７図に示す如くウェハ２の裏面側
に投光器２Ｉ及び検出器を設け、投光器２１からの光が
ウェハ裏面で反射するのを利用した構成としてもよい。
１を設はウェハ２の裏面側に検出器７を設けて、この投
光器２１からの光を検出器７により検出する構成として
もよい。あるいは、第７図に示す如くウェハ２の裏面側
に投光器２Ｉ及び検出器を設け、投光器２１からの光が
ウェハ裏面で反射するのを利用した構成としてもよい。
ここに、後者の場合、ウェハ裏面からの反射光の強度と
時間との関係は第８図に示す特性図となる。同図より、
アルミ膜のエツチング前は投光器２１からの光がウェハ
を透過しないため、光の強度が大きい（１１）。しかし
、時間Ｔになってアルミ膜がエツチングされると、投光
器２１からの光の大部分がウェハ２を透過するため光の
強度が小さくなる（Ｉ２）ことが理解できる。従って、
光の強度の落差の最も大きい時をもってエツチングの終
点を確認できる。
時間との関係は第８図に示す特性図となる。同図より、
アルミ膜のエツチング前は投光器２１からの光がウェハ
を透過しないため、光の強度が大きい（１１）。しかし
、時間Ｔになってアルミ膜がエツチングされると、投光
器２１からの光の大部分がウェハ２を透過するため光の
強度が小さくなる（Ｉ２）ことが理解できる。従って、
光の強度の落差の最も大きい時をもってエツチングの終
点を確認できる。
なお、上記実施例では、ウェハ表面に形成したＳｉ含有
アルミ膜のエツチングの終点を求める場合について述べ
たが、これに限定されない。例えば、他の金属祠料から
なる膜やレジストなどの被膜のエツチングの終点を求め
る場合についても同様に適用できる。
アルミ膜のエツチングの終点を求める場合について述べ
たが、これに限定されない。例えば、他の金属祠料から
なる膜やレジストなどの被膜のエツチングの終点を求め
る場合についても同様に適用できる。
なお、上記実施例では、検出器でウェハ裏面の１点を検
出する場合について述べたが、これに限らず、検出器で
数点を検出する場合でもよい。このようにすることによ
り、ウェハ面内のより正確な終点を検出できる。
出する場合について述べたが、これに限らず、検出器で
数点を検出する場合でもよい。このようにすることによ
り、ウェハ面内のより正確な終点を検出できる。
［発明の効果コ
以上詳述した如く本発明によれば、Ｓｔウェハ表面に形
成した被膜のエツチングの終点を容易にかつ確実に検出
しえる高信頓性のエツチング装置を提供できる。
成した被膜のエツチングの終点を容易にかつ確実に検出
しえる高信頓性のエツチング装置を提供できる。
第１図は本発明の一実施例に係るドライエツチング装置
の説明図、第２図は同装置で用いたエツチング前のＳｉ
ウェハの断面図、第３図はエツチング後のＳｉウェハの
断面図、第４図は第１図の部分拡大説明図、第５図は第
１図の装置によるウェハのプラズマ光の強度と時間との
関係を示す特性図、第６図及び第７図は本発明のその他
の実施例に係るエツチング装置の説明図、第８図は第７
図の装置によるウェハの反射光の強度と時間との関係を
示す特性図である。 １・・・真空容器、２・・・Ｓｉウェハ、３・・・載置
台、４・・・ガス導入管、５・・・ガス排気口、６・・
・光ファイバ、７・・・赤外光検出器、１１・・・シリ
コン基板、１３・・・アルミ膜、１４・・・マスク、２
１・・・投光器。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第 ６ 第７図
の説明図、第２図は同装置で用いたエツチング前のＳｉ
ウェハの断面図、第３図はエツチング後のＳｉウェハの
断面図、第４図は第１図の部分拡大説明図、第５図は第
１図の装置によるウェハのプラズマ光の強度と時間との
関係を示す特性図、第６図及び第７図は本発明のその他
の実施例に係るエツチング装置の説明図、第８図は第７
図の装置によるウェハの反射光の強度と時間との関係を
示す特性図である。 １・・・真空容器、２・・・Ｓｉウェハ、３・・・載置
台、４・・・ガス導入管、５・・・ガス排気口、６・・
・光ファイバ、７・・・赤外光検出器、１１・・・シリ
コン基板、１３・・・アルミ膜、１４・・・マスク、２
１・・・投光器。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第 ６ 第７図
Claims (1)
- Ｓｉウェハ上に形成された被膜をエッチングするエッチ
ング装置において、前記Ｓｉウェハの裏面側に波長１０
００ｎｍ以上の赤外線を検出する検出器を配置し、前記
ウェハのエッチングの終点を検出することを特徴とする
エッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33863390A JPH04206927A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | エッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33863390A JPH04206927A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | エッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04206927A true JPH04206927A (ja) | 1992-07-28 |
Family
ID=18320014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33863390A Pending JPH04206927A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | エッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04206927A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6174407B1 (en) * | 1998-12-03 | 2001-01-16 | Lsi Logic Corporation | Apparatus and method for detecting an endpoint of an etching process by transmitting infrared light signals through a semiconductor wafer |
| US10366899B2 (en) | 2016-07-04 | 2019-07-30 | Spts Technologies Limited | Method of detecting a condition |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP33863390A patent/JPH04206927A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6174407B1 (en) * | 1998-12-03 | 2001-01-16 | Lsi Logic Corporation | Apparatus and method for detecting an endpoint of an etching process by transmitting infrared light signals through a semiconductor wafer |
| US10366899B2 (en) | 2016-07-04 | 2019-07-30 | Spts Technologies Limited | Method of detecting a condition |
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