JPH04207026A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH04207026A JPH04207026A JP2339786A JP33978690A JPH04207026A JP H04207026 A JPH04207026 A JP H04207026A JP 2339786 A JP2339786 A JP 2339786A JP 33978690 A JP33978690 A JP 33978690A JP H04207026 A JPH04207026 A JP H04207026A
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- Japan
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- converter
- controlled
- plasma processing
- wafer
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的コ
（産業上の利用分野）
本発明は、プラズマ処理装置に関する。
（従来の技術）
例えばプラズマエッチング装置では、プラズマ処理部に
位置する各種駆動部に駆動制御信号を伝送し、各種セン
サからの出力信号を受信する等して、装置の稼動を実施
している。この際、プラズマ処理部から離れた位置には
ホストＣＰＵ （中央制御装置）が設けられ、プラズマ
処理部側には端末ＣＰＵが設けられ、ホストＣＰＵとこ
の端末側ＣＰＵとの間で種々の信号の送受が行われる。
位置する各種駆動部に駆動制御信号を伝送し、各種セン
サからの出力信号を受信する等して、装置の稼動を実施
している。この際、プラズマ処理部から離れた位置には
ホストＣＰＵ （中央制御装置）が設けられ、プラズマ
処理部側には端末ＣＰＵが設けられ、ホストＣＰＵとこ
の端末側ＣＰＵとの間で種々の信号の送受が行われる。
すなわち、ホストＣＰＵからは各駆動部の駆動管理を行
うためのデータがコントロールユニットへ伝送される。
うためのデータがコントロールユニットへ伝送される。
そして一般には、ホストＣＰＵからはデジタル信号が各
被制御系へパラレル出力される。
被制御系へパラレル出力される。
（発明が解決しようとする課題）
パラレル送信の場合には、その分ケーブル数か多くなり
不利であるか、これは公知のパラレル−シリアル変換に
より解決できる。ところで、ホストＣＰＵから送出され
るデジタル信号は、周知であるが端末側ではその電圧レ
ベルがグランドレベルに対して設定された所定のスレッ
ショルドレヘルを超えた場合に旧ｇｈ信号と判定され、
電圧レベルがスレッショルドレベル以下の場合にＬｏｗ
信号として判定される。
不利であるか、これは公知のパラレル−シリアル変換に
より解決できる。ところで、ホストＣＰＵから送出され
るデジタル信号は、周知であるが端末側ではその電圧レ
ベルがグランドレベルに対して設定された所定のスレッ
ショルドレヘルを超えた場合に旧ｇｈ信号と判定され、
電圧レベルがスレッショルドレベル以下の場合にＬｏｗ
信号として判定される。
しかしながら、このようなデジタル信号の伝送によりプ
ラズマ処理装置を制御した場合、所望するプラズマ処理
を実行できず原因が不明であった。
ラズマ処理装置を制御した場合、所望するプラズマ処理
を実行できず原因が不明であった。
そこで、本発明者等は種々実験した結果、プラズマ処理
装置においてはホストＣＰＵ側と端末（＋１＋１ ＣＰ
Ｕの信号判定部側とでは、種々の要因によりグランドレ
ベルに差が生じてしまう場合があることを見出した。こ
のように両者のグランドレベルの差か生した場合には、
本来スレッショルドレベルを超えない電圧レベルが旧ｇ
ｈ信号と判定されたり、本来スレッショルドレベルを超
える電圧レベルのものがＬｏν信号と判定されたりする
場合が生しると思われる。
装置においてはホストＣＰＵ側と端末（＋１＋１ ＣＰ
Ｕの信号判定部側とでは、種々の要因によりグランドレ
ベルに差が生じてしまう場合があることを見出した。こ
のように両者のグランドレベルの差か生した場合には、
本来スレッショルドレベルを超えない電圧レベルが旧ｇ
ｈ信号と判定されたり、本来スレッショルドレベルを超
える電圧レベルのものがＬｏν信号と判定されたりする
場合が生しると思われる。
このようなデータの誤認が生ずると、各駆動部へ誤った
制御信号が送られ、所望するプラズマ処理か実行できず
信頼性が損われるという問題がある。
制御信号が送られ、所望するプラズマ処理か実行できず
信頼性が損われるという問題がある。
このような問題は、駆動部側でノイズが多く発生するよ
うなプラズマ処理装置、例えばプラズマエツチング装置
などにおいて顕著に発生する。特に、異方性エツチング
の場合垂直なエツチングがエツチング性に影響する場合
がある。これらの現象はプラズマエツチング装置の例え
ば作動時には高周波ノイズが発生し、データ信号に重畳
してしまうからである。その上、端末側ＣＰＵの信号判
定部において基準となるグランドレベルかホストＣＰＵ
側と相違することで、データの誤認が多発する恐れがあ
る。
うなプラズマ処理装置、例えばプラズマエツチング装置
などにおいて顕著に発生する。特に、異方性エツチング
の場合垂直なエツチングがエツチング性に影響する場合
がある。これらの現象はプラズマエツチング装置の例え
ば作動時には高周波ノイズが発生し、データ信号に重畳
してしまうからである。その上、端末側ＣＰＵの信号判
定部において基準となるグランドレベルかホストＣＰＵ
側と相違することで、データの誤認が多発する恐れがあ
る。
さらに、ホストＣＰＵ側でのパラレル−シリアル変換は
、ホストＣＰＵの制御にしたがって実施されている。こ
のため、変換後のシリアルデータ中には変換タイミング
となるコマンドデータが挿入され、データ内容が増大す
る。しかも、端末側でも、そのようなシリアルデータを
パラレルデータに変換するに際してＣＰＵの制御が不可
欠となってしまう。
、ホストＣＰＵの制御にしたがって実施されている。こ
のため、変換後のシリアルデータ中には変換タイミング
となるコマンドデータが挿入され、データ内容が増大す
る。しかも、端末側でも、そのようなシリアルデータを
パラレルデータに変換するに際してＣＰＵの制御が不可
欠となってしまう。
本発明は上記問題点を解決することを課題としてなされ
たものであり、その目的は、プラズマ発生用高周波ノイ
ズにより妨害されず、適切なプラズマ処理の実行が可能
なプラズマ処理装置を提供することにある。
たものであり、その目的は、プラズマ発生用高周波ノイ
ズにより妨害されず、適切なプラズマ処理の実行が可能
なプラズマ処理装置を提供することにある。
［発明の構成コ
（課題を解決するための手段）
本発明は、中央制御部によりプラズマ処理を行うための
制御信号の伝送を行うプラズマ処理装置において、 前記中央制御部側に設けられ、前記中央制御部からのパ
ラレル制御信号をシリアル制御信号に変換し、かつ、こ
のシリアル制御信号を第１の信号およびその反転信号で
ある第２の信号として出力する第１の変換器と、 前記制御信号に制御される被制御部側に設けられ、前記
第１．第２の信号のレベル差からデータ内容を判定し、
かつ、パラレル信号として出方してプラズマ処理の制御
をする第２の変換器と、前記第１および第２の変換器に
、少なくとも基準クロックおよび変換同期信号から成る
送受信タイミング信号を送出して所望するプラズマ処理
を実行する通信タイミング制御回路と、を備えたことを
特徴とする （作 用） 前記構成のプラズマ処理装置によれば、中央制御部から
のパラレル制御信号は、タイミング制御回路からの送受
タイミング信号にしたがって、ＣＰＵの制御に頼ること
なく第１の変換器においてシリアル制御信号に変換され
、さらに、このシリアル制御信号は第１の信号およびそ
の反転信号である第２の信号で構成される差動信号のが
たちで出力される。この差動信号は端末制御部側の第２
の変換器に入力する。まず、２つの信号のレベル差ニヨ
リ旧ｇｈ／Ｌｏｗの判定が実施される。この２っの信号
のレベル差は、中央制御部側と端末制御部側とでグラン
ドレベルに差が生じている場合でも不変である。さらに
、第２の変換器は前記タイミング制御回路の送受タイミ
ング信号（ケーブルを介して第１の変換器側より受信し
ても良い）にしたがってシリアル−パラレル変換してデ
ータ信号を端末制御部側に送出する。この結果、第１、
第２の変換器間はシリアル伝送で済み、ケーブル数を低
減でき、誤動作することなく、しかもＣＰＵの制御に頼
らずにパラレル−シリアル変換することができる。
制御信号の伝送を行うプラズマ処理装置において、 前記中央制御部側に設けられ、前記中央制御部からのパ
ラレル制御信号をシリアル制御信号に変換し、かつ、こ
のシリアル制御信号を第１の信号およびその反転信号で
ある第２の信号として出力する第１の変換器と、 前記制御信号に制御される被制御部側に設けられ、前記
第１．第２の信号のレベル差からデータ内容を判定し、
かつ、パラレル信号として出方してプラズマ処理の制御
をする第２の変換器と、前記第１および第２の変換器に
、少なくとも基準クロックおよび変換同期信号から成る
送受信タイミング信号を送出して所望するプラズマ処理
を実行する通信タイミング制御回路と、を備えたことを
特徴とする （作 用） 前記構成のプラズマ処理装置によれば、中央制御部から
のパラレル制御信号は、タイミング制御回路からの送受
タイミング信号にしたがって、ＣＰＵの制御に頼ること
なく第１の変換器においてシリアル制御信号に変換され
、さらに、このシリアル制御信号は第１の信号およびそ
の反転信号である第２の信号で構成される差動信号のが
たちで出力される。この差動信号は端末制御部側の第２
の変換器に入力する。まず、２つの信号のレベル差ニヨ
リ旧ｇｈ／Ｌｏｗの判定が実施される。この２っの信号
のレベル差は、中央制御部側と端末制御部側とでグラン
ドレベルに差が生じている場合でも不変である。さらに
、第２の変換器は前記タイミング制御回路の送受タイミ
ング信号（ケーブルを介して第１の変換器側より受信し
ても良い）にしたがってシリアル−パラレル変換してデ
ータ信号を端末制御部側に送出する。この結果、第１、
第２の変換器間はシリアル伝送で済み、ケーブル数を低
減でき、誤動作することなく、しかもＣＰＵの制御に頼
らずにパラレル−シリアル変換することができる。
（実施例）
以下、図面に基づいて本発明の好適な実施例について説
明する。
明する。
プラズマ処理装置例えばマグネトロンエツチング装置の
制御系は第１図のように構成されている。
制御系は第１図のように構成されている。
すなわちＣＰＵｌ０からデータバス１４を介してＩ１０
ポート１６に接続され、このＩ１０ボート・１６からＣ
ＰＵｌ０側の第１の変換器１８に接続されている。
ポート１６に接続され、このＩ１０ボート・１６からＣ
ＰＵｌ０側の第１の変換器１８に接続されている。
そして、コントロールユニット１２には端末側の第２の
変換器２０か接続され、ＣＰＵ側の第コの変換器１８か
らのデータが受信される。
変換器２０か接続され、ＣＰＵ側の第コの変換器１８か
らのデータが受信される。
また、このコントロールユニット１２は、マグネトロン
エツチング反応室に近接して設けられ、プラズマエツチ
ングを行う上で必要な各種の駆動部２２に接続されてお
り、コントロールユニット１２はこの駆動部２２へ制御
信号を送る。この駆動部２２は、同図では一つのみ示し
ているか、実際にはモータやポンプなどの各種の駆動部
か存在している。また、コントロールユニット］２には
プラズマエツチング反応における反応状態を監視するセ
ンサ２４群が接続されており、例えば位置検出や圧力検
出の結果プラズマ状態の監視、処理の終点検出等の出力
が入力される。
エツチング反応室に近接して設けられ、プラズマエツチ
ングを行う上で必要な各種の駆動部２２に接続されてお
り、コントロールユニット１２はこの駆動部２２へ制御
信号を送る。この駆動部２２は、同図では一つのみ示し
ているか、実際にはモータやポンプなどの各種の駆動部
か存在している。また、コントロールユニット］２には
プラズマエツチング反応における反応状態を監視するセ
ンサ２４群が接続されており、例えば位置検出や圧力検
出の結果プラズマ状態の監視、処理の終点検出等の出力
が入力される。
さらに、本実施例においてはＣＰＵ側の第１の変換器１
８および端末側の第２の変換器２０のそれぞれに通信タ
イミング制御回路２６か接続されている。この通信タイ
ミング制御回路２６は第１゜第２の変換器１８．２０の
データ送受信の同期を取るための送受タイミング信号を
それぞれの変換器に供給するものである。この送受タイ
ミング信号としては、少なくとも基準クロックと、−デ
ータ長さに対応する所定ビット例えば８ビツトの同期信
号とから構成される。本実施例では通信タイミング制御
回路２６は第１の変換器１８側に設けられ、上記基準ク
ロックおよび同期信号はそれぞれ第１の変換器１８に入
力され、さらに伝送ラインＬ、、Ｌ４を介して第２の変
換器２０側に伝送される。
８および端末側の第２の変換器２０のそれぞれに通信タ
イミング制御回路２６か接続されている。この通信タイ
ミング制御回路２６は第１゜第２の変換器１８．２０の
データ送受信の同期を取るための送受タイミング信号を
それぞれの変換器に供給するものである。この送受タイ
ミング信号としては、少なくとも基準クロックと、−デ
ータ長さに対応する所定ビット例えば８ビツトの同期信
号とから構成される。本実施例では通信タイミング制御
回路２６は第１の変換器１８側に設けられ、上記基準ク
ロックおよび同期信号はそれぞれ第１の変換器１８に入
力され、さらに伝送ラインＬ、、Ｌ４を介して第２の変
換器２０側に伝送される。
本実施例では、ＣＰＵ側の第１の変換器１８において、
まずＩ１０ポート１６を介して送られてきたパラレル信
号を、ＣＰＵｌ０の制御に頼らずに通信タイミング制御
回路２６からのタイミング信号によりシーケンシャルに
てシリアル信号に変換している。したがって、通常は各
データ毎にその先頭部分と終了部分を示す信号が乗せら
れるが、本実施例では、通信タイミング制御回路２６を
設け、第１の変換器１８と２０とのデータ伝送を所定タ
イミングで同期させて行うことができるので、そのよう
な先頭や終了を示すデータを信号として乗せる必要がな
く、伝送信号はデータのみ構成することができる。
まずＩ１０ポート１６を介して送られてきたパラレル信
号を、ＣＰＵｌ０の制御に頼らずに通信タイミング制御
回路２６からのタイミング信号によりシーケンシャルに
てシリアル信号に変換している。したがって、通常は各
データ毎にその先頭部分と終了部分を示す信号が乗せら
れるが、本実施例では、通信タイミング制御回路２６を
設け、第１の変換器１８と２０とのデータ伝送を所定タ
イミングで同期させて行うことができるので、そのよう
な先頭や終了を示すデータを信号として乗せる必要がな
く、伝送信号はデータのみ構成することができる。
さらに変換したシリアル信号を、第２図に示すように第
１の信号Ａおよびその位相が１８０度反軸反転反転信号
である第２の信号Ｂとして出力する。この第１の信号Ａ
および第２の信号Ｂは、位相をずらすことなく端末側に
送られる。
１の信号Ａおよびその位相が１８０度反軸反転反転信号
である第２の信号Ｂとして出力する。この第１の信号Ａ
および第２の信号Ｂは、位相をずらすことなく端末側に
送られる。
２つの信号ＡおよびＢは、それぞれ伝送ラインＬ、、Ｌ
２を介して端末側の第２の変換器２０に送られ、この第
２の変換器２０において再びタイミング信号で周期を取
りパラレル信号に変換され、コントロールユニット１２
に送られる。本実施例では、第１の変換器１８から送ら
れてくる２つの信号に基づく旧ｇｈ −Ｌｏｗの判定は
、コントロールユニット１２内に設けた判定手段によっ
て行−）でいる。すなわち、第２図に示す例では２つの
信号Ａ、Ｂの小さいレベル差Ｘの部分ついてはＬｏｗと
判定し、大きいレベル差Ｙの部分については旧ｇｈと判
定することにより高周波ノイズを受けてもデ−夕を正確
に読み込むことができる。これは、ＣＰＵｌ０側と端末
側の信号の判定部との間においてグランドレベルの差が
生じた場合においても、前記２つの信号のレベル差Ｘお
よびＹは正確に一定の電位差を保つことができるので、
端末側のコントロールユニット１２におけるデータの読
込みの誤りを有効に防止することができる。
２を介して端末側の第２の変換器２０に送られ、この第
２の変換器２０において再びタイミング信号で周期を取
りパラレル信号に変換され、コントロールユニット１２
に送られる。本実施例では、第１の変換器１８から送ら
れてくる２つの信号に基づく旧ｇｈ −Ｌｏｗの判定は
、コントロールユニット１２内に設けた判定手段によっ
て行−）でいる。すなわち、第２図に示す例では２つの
信号Ａ、Ｂの小さいレベル差Ｘの部分ついてはＬｏｗと
判定し、大きいレベル差Ｙの部分については旧ｇｈと判
定することにより高周波ノイズを受けてもデ−夕を正確
に読み込むことができる。これは、ＣＰＵｌ０側と端末
側の信号の判定部との間においてグランドレベルの差が
生じた場合においても、前記２つの信号のレベル差Ｘお
よびＹは正確に一定の電位差を保つことができるので、
端末側のコントロールユニット１２におけるデータの読
込みの誤りを有効に防止することができる。
判定されたデータは、前記伝送ラインＬ３゜Ｌ４を介し
て送られてきたタイミンク信号したがって、端末側にＣ
ＰＵを設けることなくシーケンシャルにてシリアル／パ
ラレル変換できる。
て送られてきたタイミンク信号したがって、端末側にＣ
ＰＵを設けることなくシーケンシャルにてシリアル／パ
ラレル変換できる。
なお、第１の変換器１．８および第２の変換器２０にパ
ラレル信号とシリアル信号との間の相互の変換を行う機
能を持たせることにより、端末側節２の変換器２０から
ＣＰＵ側第１の変換器１８への信号の伝送を前記実施例
と同様の動作によって行うことができることは勿論であ
る。
ラレル信号とシリアル信号との間の相互の変換を行う機
能を持たせることにより、端末側節２の変換器２０から
ＣＰＵ側第１の変換器１８への信号の伝送を前記実施例
と同様の動作によって行うことができることは勿論であ
る。
次に、本発明に係るプラズマ処理装置を効果的に用いる
プラズマ処理装置の例としてのマグネトロンプラズマエ
ツチング装置について説明する。
プラズマ処理装置の例としてのマグネトロンプラズマエ
ツチング装置について説明する。
第３図はマグネトロンエツチング装置の一例を示す概略
断面図であり、被処理体である半導体ウェハ３０は、静
電チャック３２上に設置されている。そして、この静電
チャック３２は、サセプター３４上に固定されている。
断面図であり、被処理体である半導体ウェハ３０は、静
電チャック３２上に設置されている。そして、この静電
チャック３２は、サセプター３４上に固定されている。
また、反応室を形成するためのチャンバーは金属からな
る下部チャンバー３６と金属からなる上部チャンバー３
８とから構成されている。下部チャンバー３６はサセプ
ター３４上のウェハ載置面側のみをチャンバー室内に露
出し、他の部分を覆うような有底筒部を有し、その下段
側が前記上部チャンバー３８と連結され、真空処理室３
９を構成している。上記上部チャンバー３８の上方には
半導体ウェハ３０の表面に均一な水平磁界を構成する如
く磁界発生装置例えば永久磁石４５が設けられ、ウェハ
３０の表面にて直交電磁界が形成される。
る下部チャンバー３６と金属からなる上部チャンバー３
８とから構成されている。下部チャンバー３６はサセプ
ター３４上のウェハ載置面側のみをチャンバー室内に露
出し、他の部分を覆うような有底筒部を有し、その下段
側が前記上部チャンバー３８と連結され、真空処理室３
９を構成している。上記上部チャンバー３８の上方には
半導体ウェハ３０の表面に均一な水平磁界を構成する如
く磁界発生装置例えば永久磁石４５が設けられ、ウェハ
３０の表面にて直交電磁界が形成される。
さらに、ＲＩＥ方式のプラズマエツチングを採用してお
り、サセプター３４の対極電極を構成する上部チャンバ
ー３８が接地され、サセプター３４にはＲＦ給電棒４０
を介してＲＦ電源４２が接続され、ＲＦカソードとして
機能させている。
り、サセプター３４の対極電極を構成する上部チャンバ
ー３８が接地され、サセプター３４にはＲＦ給電棒４０
を介してＲＦ電源４２が接続され、ＲＦカソードとして
機能させている。
また、静電チャック３２には直流電源４４が接続され、
ウェハ３０をプラズマを介して接地することで、クーロ
ン力によりウェハ３０の固定を可能としている。
ウェハ３０をプラズマを介して接地することで、クーロ
ン力によりウェハ３０の固定を可能としている。
プラズマエツチング装置の作動は、真空処理室３９内を
所定真空度に真空引きした後、この気密室３つ内に図示
しない上部電極３８に設けられる拡散孔からエツチング
ガスが導入され、さらにサセプター３４および上部チャ
ンバー３８で構成される平行平板電極間にＲＦパワー周
波数例えば１３．７５ＭＨｚで供給し、この電極間にエ
ツチングガスによるマグネトロンプラズマ放電を形成し
て低圧エツチングを行うものである。
所定真空度に真空引きした後、この気密室３つ内に図示
しない上部電極３８に設けられる拡散孔からエツチング
ガスが導入され、さらにサセプター３４および上部チャ
ンバー３８で構成される平行平板電極間にＲＦパワー周
波数例えば１３．７５ＭＨｚで供給し、この電極間にエ
ツチングガスによるマグネトロンプラズマ放電を形成し
て低圧エツチングを行うものである。
従って、この装置を作動させるためには、ウェハ３０の
搬入出駆動、前記真空処理室３９内の真空度調整、電源
のＯＮ、ＯＦＦなどの駆動を正確に制御する必要がある
。しかしながら、このようなプラズマエツチング装置で
は、プラズマの生成のために高周波ノイズが多く発生す
ることから、これが伝送信号に重畳しやすい。しかも、
従来のようにグランドレベルを基準として信号の判定を
行う場合には、端末側のグランドレベルに相違があると
、その信号判定に誤りが生し易くなる。
搬入出駆動、前記真空処理室３９内の真空度調整、電源
のＯＮ、ＯＦＦなどの駆動を正確に制御する必要がある
。しかしながら、このようなプラズマエツチング装置で
は、プラズマの生成のために高周波ノイズが多く発生す
ることから、これが伝送信号に重畳しやすい。しかも、
従来のようにグランドレベルを基準として信号の判定を
行う場合には、端末側のグランドレベルに相違があると
、その信号判定に誤りが生し易くなる。
従って、本発明のプラズマ処理装置を用いることにより
、プラズマ生成時におけるノイズの発生に影響されるこ
となく ＣＰＵＩ Ｏからのデータを常に正確に判定す
ることができるので、各種駆動制御を正確に行うことが
でき、プラズマエツチング動作の信頼性を向上させるこ
とができる。
、プラズマ生成時におけるノイズの発生に影響されるこ
となく ＣＰＵＩ Ｏからのデータを常に正確に判定す
ることができるので、各種駆動制御を正確に行うことが
でき、プラズマエツチング動作の信頼性を向上させるこ
とができる。
ここで、上記信号伝送により制御される動作の一例を下
記に列挙する。例えば、 （１）ウェハキャリアから１枚の被処理ウェハ３０を取
り出しロードロック室（図示せず）を介して反応室３７
の静電チャック３２上に載置制御する。
記に列挙する。例えば、 （１）ウェハキャリアから１枚の被処理ウェハ３０を取
り出しロードロック室（図示せず）を介して反応室３７
の静電チャック３２上に載置制御する。
（２）静電チャック３２にチャックのための電圧を印加
制御する。
制御する。
（３）反応室（気密室）３７内を予め定められた厚内に
監視制御する。
監視制御する。
（４）ＲＦ電源４２から高周波電力を上部チャンバ３８
およびサセプタ３４間に印加制御する。
およびサセプタ３４間に印加制御する。
（５）上部チャンバ３８に設けられる上記拡散孔からエ
ツチング反応ガスをウェハ３０方向に供給制御する。
ツチング反応ガスをウェハ３０方向に供給制御する。
（６）ウェハ３０の表面に形成される直交電磁界Ｂ、Ｅ
により反応ガスにマグネトロンプラズマ放電を生起させ
、これを監視制御する。
により反応ガスにマグネトロンプラズマ放電を生起させ
、これを監視制御する。
（７）マグネトロンプラズマ放電状態を監視し、プラズ
マＲＩＥエツチングの終点を監視し、終点検出するとエ
ツチング終了を制御する。
マＲＩＥエツチングの終点を監視し、終点検出するとエ
ツチング終了を制御する。
（８）反応ガスの供給を停止制御する。
（９）ＲＦ電力の印加を停止制御する。
（ｌＯ）反応ガスの排気を検出した後、静電チャック電
圧を停止制御すする。
圧を停止制御すする。
（１１）処理済ウェハ３０をロードロック室（図示せず
）を介してアンロード制御する。
）を介してアンロード制御する。
（１２）次のウェハの処理プログラムを実行制御する。
なお、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、
本発明の要旨の範囲内で種にの変形実施が可能である。
本発明の要旨の範囲内で種にの変形実施が可能である。
例えばプラズマ処理装置としては、プラズマスパッタ、
プラズマＣＶＤ等、プラズマを用いて処理を行う種々の
装置に本発明を適用できる。
プラズマＣＶＤ等、プラズマを用いて処理を行う種々の
装置に本発明を適用できる。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明に係るプラズマ処理装置に
よれば、中央制御部からのディジタル制御信号によりプ
ラズマ処理する際ディジタル制御信号およびこの制御信
号の１８０度反転信号を送出し、これら２つの信号から
受信側で制御するのでプラズマ処理ノイズによらず所望
するプラズマ処理制御を実行できる効果がある。
よれば、中央制御部からのディジタル制御信号によりプ
ラズマ処理する際ディジタル制御信号およびこの制御信
号の１８０度反転信号を送出し、これら２つの信号から
受信側で制御するのでプラズマ処理ノイズによらず所望
するプラズマ処理制御を実行できる効果がある。
第１図は本発明に係るプラズマ処理装置の実施例の概略
構成図、 第２図は伝送される２つの信号の例を示す説明図、 第３図は本発明の実施例か好適に用いられるマグネトロ
ンプラズマエツチング装置の概略断面図である。 １０ ・・・ 中央制御部 １２ ・・・ 端末制御部 １８ ・・・ 第１の変換器 ２０ ・・・ 第２の変換器 ２２ ・・・ 駆動部 ２６ ・・・・ 通信タイミング制御回路Ａ ・・・
第１の信号 Ｂ ・・・ 第２の信号
構成図、 第２図は伝送される２つの信号の例を示す説明図、 第３図は本発明の実施例か好適に用いられるマグネトロ
ンプラズマエツチング装置の概略断面図である。 １０ ・・・ 中央制御部 １２ ・・・ 端末制御部 １８ ・・・ 第１の変換器 ２０ ・・・ 第２の変換器 ２２ ・・・ 駆動部 ２６ ・・・・ 通信タイミング制御回路Ａ ・・・
第１の信号 Ｂ ・・・ 第２の信号
Claims (1)
- （１）中央制御部によりプラズマ処理を行うための制御
信号の伝送を行うプラズマ処理装置において、 前記中央制御部側に設けられ、前記中央制御部からのパ
ラレル制御信号をシリアル制御信号に変換し、かつ、こ
のシリアル制御信号を第１の信号及びその反転信号であ
る第２の信号として出力する、第１の変換器と、 前記制御信号に制御される被制御部側に設けられ、前記
第１、第２の信号のレベル差からデータ内容を判定し、
かつ、パラレル信号として出力してプラズマ処理の制御
をする第２の変換器と、前記第１および第２の変換器に
、少なくとも基準クロックおよび変換同期信号から成る
送受信タイミング信号を送出して所望するプラズマ処理
を実行する通信タイミング制御回路と、を備えたことを
特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2339786A JPH04207026A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | プラズマ処理装置 |
| KR1019910021331A KR100238624B1 (ko) | 1990-11-30 | 1991-11-26 | 구동제어부를 구비한 플라즈마 처리장치 |
| US07/800,025 US5203945A (en) | 1990-11-30 | 1991-11-29 | Plasma processing apparatus having driving control section |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2339786A JPH04207026A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04207026A true JPH04207026A (ja) | 1992-07-29 |
Family
ID=18330796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2339786A Pending JPH04207026A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | プラズマ処理装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5203945A (ja) |
| JP (1) | JPH04207026A (ja) |
| KR (1) | KR100238624B1 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5460684A (en) * | 1992-12-04 | 1995-10-24 | Tokyo Electron Limited | Stage having electrostatic chuck and plasma processing apparatus using same |
| KR100290748B1 (ko) * | 1993-01-29 | 2001-06-01 | 히가시 데쓰로 | 플라즈마 처리장치 |
| KR0149392B1 (ko) * | 1994-02-28 | 1998-12-01 | 이노우에 아끼라 | 마그네트론 플라스마 처리 시스템 |
| US5587045A (en) * | 1995-04-27 | 1996-12-24 | International Business Machines Corporation | Gettering of particles from an electro-negative plasma with insulating chuck |
| WO2000063947A1 (en) * | 1999-03-30 | 2000-10-26 | Chessen Group Inc. | Temperature controller for plasma processing |
| US6447719B1 (en) * | 2000-10-02 | 2002-09-10 | Johnson & Johnson | Power system for sterilization systems employing low frequency plasma |
| US6852277B2 (en) * | 2000-10-02 | 2005-02-08 | Ethicon, Inc. | Sterilization system employing a switching module adapted to pulsate the low frequency power applied to a plasma |
| US6841124B2 (en) * | 2000-10-02 | 2005-01-11 | Ethicon, Inc. | Sterilization system with a plasma generator controlled by a digital signal processor |
| US20040262146A1 (en) * | 2000-10-02 | 2004-12-30 | Platt Robert C. | Sterilization system plasma generation control |
| JP4657473B2 (ja) * | 2001-03-06 | 2011-03-23 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| DE10228905A1 (de) * | 2002-06-27 | 2004-01-15 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Datenübertragung |
| GB2490857A (en) * | 2010-11-05 | 2012-11-21 | Kratos Analytical Ltd | Timing device and method |
| US20120244290A1 (en) | 2011-03-24 | 2012-09-27 | United Technologies Corporation | Deposition Substrate Temperature and Monitoring |
| US9522202B1 (en) * | 2013-05-07 | 2016-12-20 | Getinge Stericool Medikal Aletler San, Ve Tic. A.S. | Variable plasma generator for use with low temperature sterilizers |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4695700A (en) * | 1984-10-22 | 1987-09-22 | Texas Instruments Incorporated | Dual detector system for determining endpoint of plasma etch process |
| JPS6218028A (ja) * | 1985-07-16 | 1987-01-27 | Toshiba Corp | デイスカム装置 |
| JPH0834205B2 (ja) * | 1986-11-21 | 1996-03-29 | 株式会社東芝 | ドライエツチング装置 |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP2339786A patent/JPH04207026A/ja active Pending
-
1991
- 1991-11-26 KR KR1019910021331A patent/KR100238624B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1991-11-29 US US07/800,025 patent/US5203945A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5203945A (en) | 1993-04-20 |
| KR920010486A (ko) | 1992-06-26 |
| KR100238624B1 (ko) | 2000-01-15 |
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