JPH04207255A - イメージセンサー及びイメージセンサユニット - Google Patents
イメージセンサー及びイメージセンサユニットInfo
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- JPH04207255A JPH04207255A JP2332431A JP33243190A JPH04207255A JP H04207255 A JPH04207255 A JP H04207255A JP 2332431 A JP2332431 A JP 2332431A JP 33243190 A JP33243190 A JP 33243190A JP H04207255 A JPH04207255 A JP H04207255A
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- image sensor
- light
- conductor layer
- circuit conductor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光学画像を電気信号に変換するイメージセンサ
−及びイメージセンサユニットに関するものであ４ 従来の技術 従来 イメージセンサ−は 第３図に於て導体配線を形
成した基板上に 受光素子３２を含む半導体素子を導電
性接着剤により固定し 半導体の電極３９と回路導体層
３２とをワイヤーボンド法により金やアルミニウムなど
の金属細線で接続しさら凶 その上から透明なモールド
樹脂によって封止する構造をとっていた また 上記従来のイメージセンサ−を用いたイメージセ
ンサ−ユニットにおいて（よ イメージセンサ−と、Ｌ
ＥＤアレイ３５ （光源）及び集束性ロッドレンズ３４
とを、各々ホルダーに組立 調整しなければならなかっ
な 発明が解決しようとする課題 上記従来の構成では ワイヤーボンド等複雑な工程が必
要な上に イメージセンサ−ユニットを作る上で、集束
性ロッドレンズをイメージセンサ−に位置調整して組み
込む必要があり、かつレンズの共役長のために寸法が大
きくなってしまうという課題があっな 課題を解決するための手段 上記課題を解決するために 本発明は 表面上に回路導
体層を形成した透光性基板に 光硬化型絶縁樹脂を介し
て受光素子を有する半導体素子とを、フェイスダウンで
その素子上に形成された取り出し電極が上記回路導体層
に当接するように実装することによりイメージセンサ−
を作成すもここに於て、第一の発明は 上記透光性基板
の厚みが２５μｍ〜２００μｍを有するものをものを用
いも また第二の発明（よ 上記透光性基板の透過率がλ＞３
５０ｎｍで６５％以上 λ＞５００ｎｍで８５％以上を
有するものを用いも また第三の発明ζ瓜 上記透光性基板の加熱収縮率が０
．０１％〜０．４％（１８０肱 ３ｈｒ）を有するもの
を用いも また第四の発明ｔヨ 上記透光性基板の線膨張係数が
４． Ｏｘ １０−６〜７． Ｏｘ １０−５ｃｍ
／ ａｍ／℃を有するものを用いも また第五の発明り友 上記イメージセンサ−を用いて
、上記透光性基板の受光素子を有する半導体素子が実装
されている側より照明を当て、他方表面を原稿密着面と
して、レンズなしで原稿を読み取ることができるイメー
ジセンサ−ユニットを作成するものであも 作用 第１の発明：よ 透光性基板の厚みが２５μｍ〜２００
μｍのものを用いることにより照明光及び原稿からの光
情報の伝達効率の向上を見いだしたものであム 第２の発明において＋１ 透光性基板の透過率力丈λ
〉３５０μｍで６５％以上 λ〉５００μｍで８５％以
上のものを用いることにより効率よく透光性基板を通し
て、紫外線を光硬化型絶縁樹脂に照射したり、照明光や
原稿からの光情報を効率よく導くことを見いだしたもの
であム 第３の発明において（よ 透光性基板の加熱収縮率が０
．０１％〜０．４％（１８０℃、３ｈｒ）のものを用い
ることにより、半導体素子の実装後の位置精度及び実装
の信頼性（特に高温高湿試験に対する）の向上を実現す
ることを見いだしたものであ４ 第４の発明においては 透光性基板の熱膨張係数が４．
０Ｘ１０−６〜７． Ｏｘ１０−５ｃｍ／ｃｍ／℃
のものを用いることにより、回路導体層と透光性基板の
密着性を良くし かつ実装の信頼性（特に熱衝撃試験に
対する）の向上を見いだしたものである。
−及びイメージセンサユニットに関するものであ４ 従来の技術 従来 イメージセンサ−は 第３図に於て導体配線を形
成した基板上に 受光素子３２を含む半導体素子を導電
性接着剤により固定し 半導体の電極３９と回路導体層
３２とをワイヤーボンド法により金やアルミニウムなど
の金属細線で接続しさら凶 その上から透明なモールド
樹脂によって封止する構造をとっていた また 上記従来のイメージセンサ−を用いたイメージセ
ンサ−ユニットにおいて（よ イメージセンサ−と、Ｌ
ＥＤアレイ３５ （光源）及び集束性ロッドレンズ３４
とを、各々ホルダーに組立 調整しなければならなかっ
な 発明が解決しようとする課題 上記従来の構成では ワイヤーボンド等複雑な工程が必
要な上に イメージセンサ−ユニットを作る上で、集束
性ロッドレンズをイメージセンサ−に位置調整して組み
込む必要があり、かつレンズの共役長のために寸法が大
きくなってしまうという課題があっな 課題を解決するための手段 上記課題を解決するために 本発明は 表面上に回路導
体層を形成した透光性基板に 光硬化型絶縁樹脂を介し
て受光素子を有する半導体素子とを、フェイスダウンで
その素子上に形成された取り出し電極が上記回路導体層
に当接するように実装することによりイメージセンサ−
を作成すもここに於て、第一の発明は 上記透光性基板
の厚みが２５μｍ〜２００μｍを有するものをものを用
いも また第二の発明（よ 上記透光性基板の透過率がλ＞３
５０ｎｍで６５％以上 λ＞５００ｎｍで８５％以上を
有するものを用いも また第三の発明ζ瓜 上記透光性基板の加熱収縮率が０
．０１％〜０．４％（１８０肱 ３ｈｒ）を有するもの
を用いも また第四の発明ｔヨ 上記透光性基板の線膨張係数が
４． Ｏｘ １０−６〜７． Ｏｘ １０−５ｃｍ
／ ａｍ／℃を有するものを用いも また第五の発明り友 上記イメージセンサ−を用いて
、上記透光性基板の受光素子を有する半導体素子が実装
されている側より照明を当て、他方表面を原稿密着面と
して、レンズなしで原稿を読み取ることができるイメー
ジセンサ−ユニットを作成するものであも 作用 第１の発明：よ 透光性基板の厚みが２５μｍ〜２００
μｍのものを用いることにより照明光及び原稿からの光
情報の伝達効率の向上を見いだしたものであム 第２の発明において＋１ 透光性基板の透過率力丈λ
〉３５０μｍで６５％以上 λ〉５００μｍで８５％以
上のものを用いることにより効率よく透光性基板を通し
て、紫外線を光硬化型絶縁樹脂に照射したり、照明光や
原稿からの光情報を効率よく導くことを見いだしたもの
であム 第３の発明において（よ 透光性基板の加熱収縮率が０
．０１％〜０．４％（１８０℃、３ｈｒ）のものを用い
ることにより、半導体素子の実装後の位置精度及び実装
の信頼性（特に高温高湿試験に対する）の向上を実現す
ることを見いだしたものであ４ 第４の発明においては 透光性基板の熱膨張係数が４．
０Ｘ１０−６〜７． Ｏｘ１０−５ｃｍ／ｃｍ／℃
のものを用いることにより、回路導体層と透光性基板の
密着性を良くし かつ実装の信頼性（特に熱衝撃試験に
対する）の向上を見いだしたものである。
第五の発明において１よ 第一の発明におけるイメージ
センサ−を用いて、透光性基板を通して、半導体素子が
実装されている側から照明光を入射し 他方面を原稿密
着面として原稿に光を当て、原稿からの光情報を、透光
性基板を通してレンズを使うことなく直接受光素子へ導
いて、原稿を読み取るイメージセンサ−ユニットを見い
だしたものである。この時、透光性基板の厚みは２５μ
ｍ〜２００μｍと充分に薄いのてミ はとんど光のクロ
ストークなく高解像度で読み取ることができも実施例 以下、本発明におけるイメージセンサ−及びイメージセ
ンサ−ユニットの構成を図面を用いて説明すも 第１図（ａ）、（ｂ）ｉ；Ｌ 本発明の実施例におけ
るイメージセンサ−の正面断面図と側面断面図を示した
ものである。 １１は透光性基板、１２は透光性基板の
表面上に形成された回路導体層 １３は半導体素子とし
て用いたイメージセンサ−チップ、１４は半導体イメー
ジセンサ−チップ１３に設けらレテいる電＆ １５は
半導体イメージセンサ−チップ１３を、透光性基板１１
へ実装するための透明光硬化型絶縁樹脂１６は半導体イ
メージセンサ−チップ１３を保護するための保護服Ｉ７
は半導体イメージセンサ−チップ１３に設けられている
受光素子である。
センサ−を用いて、透光性基板を通して、半導体素子が
実装されている側から照明光を入射し 他方面を原稿密
着面として原稿に光を当て、原稿からの光情報を、透光
性基板を通してレンズを使うことなく直接受光素子へ導
いて、原稿を読み取るイメージセンサ−ユニットを見い
だしたものである。この時、透光性基板の厚みは２５μ
ｍ〜２００μｍと充分に薄いのてミ はとんど光のクロ
ストークなく高解像度で読み取ることができも実施例 以下、本発明におけるイメージセンサ−及びイメージセ
ンサ−ユニットの構成を図面を用いて説明すも 第１図（ａ）、（ｂ）ｉ；Ｌ 本発明の実施例におけ
るイメージセンサ−の正面断面図と側面断面図を示した
ものである。 １１は透光性基板、１２は透光性基板の
表面上に形成された回路導体層 １３は半導体素子とし
て用いたイメージセンサ−チップ、１４は半導体イメー
ジセンサ−チップ１３に設けらレテいる電＆ １５は
半導体イメージセンサ−チップ１３を、透光性基板１１
へ実装するための透明光硬化型絶縁樹脂１６は半導体イ
メージセンサ−チップ１３を保護するための保護服Ｉ７
は半導体イメージセンサ−チップ１３に設けられている
受光素子である。
以上のように構成されるイメージセンサ−の製造方法を
説明すも 先ず半導体プロセスを用いて単結晶シリコン基板（ウェ
ハ）上へ フォトトランジスタ又はフォトダイオード等
の受光素子１７とＣＣＤやＭ ＯＳ。
説明すも 先ず半導体プロセスを用いて単結晶シリコン基板（ウェ
ハ）上へ フォトトランジスタ又はフォトダイオード等
の受光素子１７とＣＣＤやＭ ＯＳ。
バイポーラＩＣ等のアクセス回路（図示せず）を設けた
ものを作る。各電極１４につぃ゛ては ２層ＡＩ配線の
プロセスを用しく スパッタリング方法により数μｍ程
度ウェハ表面より突出した構造になっていも その後こ
のウェハを高精度ダイシング技術により切断し 半導体
イメージセンサ−チップ１３を作４ 次にポリエーテル
サルフ、オン（ＰＥＳ）、ポリエチレンテレフタレート
（ＰＥＴ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）
等の透光性基板１１上に 銅等の金属を、蒸着法または
スパッタリング法を用いて形成Ｌ 後にフォトリソ法に
よって回路導体層１２を形成してもよ（℃ この透光性
基板１１の所定の位置へ アクリレート系の透明光硬化
型絶縁樹脂１５をスタンピング法やスクリーン印刷法等
で所定量塗布し その上に半導体イメージセンサ−チッ
プ１３を電極１４が所定の回路導体層１２に電接するよ
うにフェイスダウンで配置すム その後、この半導体イ
メージセンサ−チップ１３の上方から圧力を加えなが収
透明光硬化型絶縁樹脂１５に透光性基板１１を通して
紫外線照射をし 硬化させ、実装を完了す４ さらにそ
の上からシリコーン等の樹脂をデイスペンサー等で塗布
し 保護層１６を形成すも このイメージセンサ−についてζ友 透光性基板１１及
び透明光硬化型絶縁樹脂工５を通して光情報を受光素子
１７が検知し これを電気信号に変換するようになって
いる。
ものを作る。各電極１４につぃ゛ては ２層ＡＩ配線の
プロセスを用しく スパッタリング方法により数μｍ程
度ウェハ表面より突出した構造になっていも その後こ
のウェハを高精度ダイシング技術により切断し 半導体
イメージセンサ−チップ１３を作４ 次にポリエーテル
サルフ、オン（ＰＥＳ）、ポリエチレンテレフタレート
（ＰＥＴ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）
等の透光性基板１１上に 銅等の金属を、蒸着法または
スパッタリング法を用いて形成Ｌ 後にフォトリソ法に
よって回路導体層１２を形成してもよ（℃ この透光性
基板１１の所定の位置へ アクリレート系の透明光硬化
型絶縁樹脂１５をスタンピング法やスクリーン印刷法等
で所定量塗布し その上に半導体イメージセンサ−チッ
プ１３を電極１４が所定の回路導体層１２に電接するよ
うにフェイスダウンで配置すム その後、この半導体イ
メージセンサ−チップ１３の上方から圧力を加えなが収
透明光硬化型絶縁樹脂１５に透光性基板１１を通して
紫外線照射をし 硬化させ、実装を完了す４ さらにそ
の上からシリコーン等の樹脂をデイスペンサー等で塗布
し 保護層１６を形成すも このイメージセンサ−についてζ友 透光性基板１１及
び透明光硬化型絶縁樹脂工５を通して光情報を受光素子
１７が検知し これを電気信号に変換するようになって
いる。
光硬化型透明絶縁樹脂としてＩｔ ウレタンアクリレ
ート慕 あるいはエポキシアクリレート系紫外線硬化樹
脂が接着法 光感度の点から好適であム 第２図は 本発明の実施例におけるイメージセンサ−ユ
ニットの側面断面図を示したものであム２１は透光性基
板２２は透光性基板の表面上に形成された回路導体層２
３は半導体素子として用いたイメージセンサ−チップ、
２４は半導体イメージセンサ−チップ２３に設けられて
いる電極２５は半導体イメージセンサ−チップ２３を、
透光性基板２１へ実装するための透明光硬化型絶縁樹脂
２６は半導体イメージセンサ−チップ２３を保護するた
めの透明保護層、２７は半導体イメージセンサ−チップ
２３に設けられている受光素子、２９は照明に用いる光
源（ＬＥＤアレイ）、２８は透光性基板２１の裏面に密
着して配置される読み取るべき原稿であム以下、本発明
の実施例について説明すも実施例１ 上記第１図の構成のイメージセンサ−を作成する際の紫
外線光硬化絶縁樹脂として、メタクリロイル基（ＣＩ（
２−Ｃ（Ｃ１（３）ＣＯ−）をもつポリエーテルウレタ
ンアクリレートを光重合性オリゴマーとして用（＼希釈
剤として用いる反応性モノマーとしてはメタクリレート
モノマーを主成分とした樹脂を用い九透光性基板にはボ
リアリレートフィルムを用Ｉ、＼スッパッタリング法及
びフォトリソ法により回路導体層を形成した 半導体イメージセンサチップをボリアリレートフィルム
に実装する際１：、このフィルムを通して紫外線（λ＝
３６５ｎｍ）を光硬化型絶縁樹脂に照射するので、フィ
ルムの透過率をλ＞３５０ｎｍで６５％以上とし また
このフィルムを通して原稿からの光を受光素子で読み取
るので、 λ〉５００ｎｍで８５％とし池 これにより
、効率よく紫外線を光硬化型絶縁樹脂に照射することが
でき、生産性の向上を実現できると共＆ミ 原稿面の照
射も効率よくでき、光源（ＬＥＤアレイ）のコストダウ
ンにも効果があっち このイメージセンサ−の実装の信頼性に重要なパラメー
ターには 光硬化型絶縁樹脂や透光性基板等の諸物性値
及び実装方法がある力丈 そのなかでも透光性基板に使
用したボリアリレートの物性値が一番大きく効いている
。信頼性試験に（よ 高温高温 高温 低温及び熱衝撃
試験等がある力丈その中でも高温高温、熱衝撃が重要で
ある。ボリアリレートフィルムの加熱収縮率を０．０１
％〜０．４％（１８０”Ｃ，３ｈ ｒ ）にすることに
より、高温高温（８５℃、、 ８５％）の信頼性試験
において、光硬化型絶縁樹脂とボリアリレートフィルム
間の剥離がなくなり、実装の信頼性が飛躍的に向上しな
また ボリアリレートフィルムの線膨張係数を４．
Ｏｘ １０−’６〜７． Ｏｘ １０−５ｃｍ／
ｃｍ／℃とすることにより、熱衝撃（−４０℃〜＋８５
℃）の信頼性試験において、光硬化型絶縁樹脂とボリア
リレートフィルム間の剥離がなくなり、実装の信頼性の
向上を実現できｆ。
ート慕 あるいはエポキシアクリレート系紫外線硬化樹
脂が接着法 光感度の点から好適であム 第２図は 本発明の実施例におけるイメージセンサ−ユ
ニットの側面断面図を示したものであム２１は透光性基
板２２は透光性基板の表面上に形成された回路導体層２
３は半導体素子として用いたイメージセンサ−チップ、
２４は半導体イメージセンサ−チップ２３に設けられて
いる電極２５は半導体イメージセンサ−チップ２３を、
透光性基板２１へ実装するための透明光硬化型絶縁樹脂
２６は半導体イメージセンサ−チップ２３を保護するた
めの透明保護層、２７は半導体イメージセンサ−チップ
２３に設けられている受光素子、２９は照明に用いる光
源（ＬＥＤアレイ）、２８は透光性基板２１の裏面に密
着して配置される読み取るべき原稿であム以下、本発明
の実施例について説明すも実施例１ 上記第１図の構成のイメージセンサ−を作成する際の紫
外線光硬化絶縁樹脂として、メタクリロイル基（ＣＩ（
２−Ｃ（Ｃ１（３）ＣＯ−）をもつポリエーテルウレタ
ンアクリレートを光重合性オリゴマーとして用（＼希釈
剤として用いる反応性モノマーとしてはメタクリレート
モノマーを主成分とした樹脂を用い九透光性基板にはボ
リアリレートフィルムを用Ｉ、＼スッパッタリング法及
びフォトリソ法により回路導体層を形成した 半導体イメージセンサチップをボリアリレートフィルム
に実装する際１：、このフィルムを通して紫外線（λ＝
３６５ｎｍ）を光硬化型絶縁樹脂に照射するので、フィ
ルムの透過率をλ＞３５０ｎｍで６５％以上とし また
このフィルムを通して原稿からの光を受光素子で読み取
るので、 λ〉５００ｎｍで８５％とし池 これにより
、効率よく紫外線を光硬化型絶縁樹脂に照射することが
でき、生産性の向上を実現できると共＆ミ 原稿面の照
射も効率よくでき、光源（ＬＥＤアレイ）のコストダウ
ンにも効果があっち このイメージセンサ−の実装の信頼性に重要なパラメー
ターには 光硬化型絶縁樹脂や透光性基板等の諸物性値
及び実装方法がある力丈 そのなかでも透光性基板に使
用したボリアリレートの物性値が一番大きく効いている
。信頼性試験に（よ 高温高温 高温 低温及び熱衝撃
試験等がある力丈その中でも高温高温、熱衝撃が重要で
ある。ボリアリレートフィルムの加熱収縮率を０．０１
％〜０．４％（１８０”Ｃ，３ｈ ｒ ）にすることに
より、高温高温（８５℃、、 ８５％）の信頼性試験
において、光硬化型絶縁樹脂とボリアリレートフィルム
間の剥離がなくなり、実装の信頼性が飛躍的に向上しな
また ボリアリレートフィルムの線膨張係数を４．
Ｏｘ １０−’６〜７． Ｏｘ １０−５ｃｍ／
ｃｍ／℃とすることにより、熱衝撃（−４０℃〜＋８５
℃）の信頼性試験において、光硬化型絶縁樹脂とボリア
リレートフィルム間の剥離がなくなり、実装の信頼性の
向上を実現できｆ。
実施例２
上記第２図の構成のイメージセンサ−については 上記
第１図のイメージセンサ−において受光素子を半導体イ
メージセンサ−チップの一端側に配置させたものを用い
て、透光性基板の裏面を原稿密着面とし 上方からＬＥ
Ｄアレイにより透明保護服 透明光硬化型絶縁樹脂及び
透光性基板を透して原稿を照明し 原稿からの光情報を
透光性基板及び透明光硬化型絶縁樹脂を透して受光素子
へ導き、原稿の情報を読み取るものである。
第１図のイメージセンサ−において受光素子を半導体イ
メージセンサ−チップの一端側に配置させたものを用い
て、透光性基板の裏面を原稿密着面とし 上方からＬＥ
Ｄアレイにより透明保護服 透明光硬化型絶縁樹脂及び
透光性基板を透して原稿を照明し 原稿からの光情報を
透光性基板及び透明光硬化型絶縁樹脂を透して受光素子
へ導き、原稿の情報を読み取るものである。
このとき、透光性基板として厚み２５μｍ〜２００μｍ
程度の薄いボリアリレートフィルムを使用し 原稿から
の光情報をレンズ系なしに光のクロストークなく高分解
能で読み取ることができる（ＭＴＦ値５０％（４１ｐ／
ｍｍ））と同時にイメージセンサ−ユニット自身のサイ
ズを飛躍的に小さくすることができた また 従来のレンズ系を使うより光の伝送率が２〜３倍
程度になり、光源（ＬＥＤアレイ）のコスト低減にも寄
与しｋ な耘 ここで用いた半導体イメージセンサ−チップはフ
ォトトランジスターを受光素子とし 走査回路にサイリ
スター駆動型のバイポーラトランジスター素子を配列し
たチップを用いた発明の効果 以上のように本発明によれば 半導体イメージセンサ−
素子を金属細線による配線（ワイヤーボンド）作業を行
わず、また 半導体素子においてもバンプ電極を形成す
ることなく、回路導体層を設けた透光性基板に実装し
しかも安価なイメージセンサ−を提供することができる
。
程度の薄いボリアリレートフィルムを使用し 原稿から
の光情報をレンズ系なしに光のクロストークなく高分解
能で読み取ることができる（ＭＴＦ値５０％（４１ｐ／
ｍｍ））と同時にイメージセンサ−ユニット自身のサイ
ズを飛躍的に小さくすることができた また 従来のレンズ系を使うより光の伝送率が２〜３倍
程度になり、光源（ＬＥＤアレイ）のコスト低減にも寄
与しｋ な耘 ここで用いた半導体イメージセンサ−チップはフ
ォトトランジスターを受光素子とし 走査回路にサイリ
スター駆動型のバイポーラトランジスター素子を配列し
たチップを用いた発明の効果 以上のように本発明によれば 半導体イメージセンサ−
素子を金属細線による配線（ワイヤーボンド）作業を行
わず、また 半導体素子においてもバンプ電極を形成す
ることなく、回路導体層を設けた透光性基板に実装し
しかも安価なイメージセンサ−を提供することができる
。
さらに本発明のイメージセンサ−ユニットにおいて（よ
非常にシンプルでコンパクト、かつ低コストで原稿を
読み取ることができる。
非常にシンプルでコンパクト、かつ低コストで原稿を
読み取ることができる。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例の正面断
面図と側面断面＠ 第２図は本発明の第２の実施例の側
面断面図 第３図は従来例の断面図である。 １１・・・透光性基板、 １２・・・回路導体層１３・
・・半導体イメージセンサーヂッズ １４・・・電極
１５・・・透明光硬化型絶縁樹脂１１６・・・保護＃
１７・・・受光素子、 ２１・・・透光性基板 ２２・
・・回路導体層 ２３・・・半導体イメージセンサ−チ
ップ、２４・・・電極 ２５・・・透明光硬化型絶縁樹
脂 ２６・・・透明保護＃ ２７・・・受光素子、２８
・・・原、！ ２９・−・光源（ＬＥＤアレイ）、
３゜・・・基板、 ３１・・・半導体イメージセン＋ｌ
−−チップ、 ３２・・・受光素子、 ３３・・・封止
ガラ入 ３４・・・集束性口・ソトルンズアレイ、 ３
５・ ・・ＬＥＤアレイ、 ３６・ ・ ・原種 ３７
・・・ホルダー、３８・・・回路導体＠、 ３９・・・
電極 ４０・・・金属細亀 代理人の氏名 弁理士 小鍜治 明 ほか２名
面図と側面断面＠ 第２図は本発明の第２の実施例の側
面断面図 第３図は従来例の断面図である。 １１・・・透光性基板、 １２・・・回路導体層１３・
・・半導体イメージセンサーヂッズ １４・・・電極
１５・・・透明光硬化型絶縁樹脂１１６・・・保護＃
１７・・・受光素子、 ２１・・・透光性基板 ２２・
・・回路導体層 ２３・・・半導体イメージセンサ−チ
ップ、２４・・・電極 ２５・・・透明光硬化型絶縁樹
脂 ２６・・・透明保護＃ ２７・・・受光素子、２８
・・・原、！ ２９・−・光源（ＬＥＤアレイ）、
３゜・・・基板、 ３１・・・半導体イメージセン＋ｌ
−−チップ、 ３２・・・受光素子、 ３３・・・封止
ガラ入 ３４・・・集束性口・ソトルンズアレイ、 ３
５・ ・・ＬＥＤアレイ、 ３６・ ・ ・原種 ３７
・・・ホルダー、３８・・・回路導体＠、 ３９・・・
電極 ４０・・・金属細亀 代理人の氏名 弁理士 小鍜治 明 ほか２名
Claims (5)
- （１）表面上に回路導体層を形成した透光性基板と、こ
の透光性基板の表面上に、光硬化型絶縁樹脂を介して実
装した受光素子を有する半導体素子とを備え、上記半導
体素子はフェイスダウンで、その素子上に形成された取
り出し電極が上記回路導体層に当接する構造をしたイメ
ージセンサにおいて、上記透光性基板の厚みが２５μｍ
〜２００μｍを有するイメージセンサ。 - （２）表面上に回路導体層を形成した透光性基板と、こ
の透光性基板の表面上に、光硬化型絶縁樹脂を介して実
装した受光素子を有する半導体素子とを備え、上記半導
体素子はフェイスダウンで、その素子上に形成された取
り出し電極が上記回路導体層に当接する構造をしたイメ
ージセンサにおいて、上記透光性基板の透過率がλ＞３
５０ｎｍで６５％以上、λ＞５００ｎｍで８５％以上を
有するイメージセンサー。 - （３）表面上に回路導体層を形成した透光性基板と、こ
の透光性基板の表面上に、光硬化型絶縁樹脂を介して実
装した受光素子を有する半導体素子とを備え、上記半導
体素子はフェイスダウンでその素子上に形成された取り
出し電極が上記回路導体層に当接する構造をしたイメー
ジセンサにおいて、上記透光性基板の加熱収縮率が０．
０１％〜０４％（１８０℃、３ｈｒ）を有するイメージ
センサー。 - （４）表面上に回路導体層を形成した透光性基板と、こ
の透光性基板の表面上に、光硬化型絶縁樹脂を介して実
装した受光素子を有する半導体素子とを備え、上記半導
体素子はフェイスダウンで、その素子上に形成された取
り出し電極が上記回路導体層に当接する構造をしたイメ
ージセンサにおいて、上記透光性基板の線膨張係数が４
．０×１０−６〜７．０×１０−５ｃｍ／ｃｍ／℃を有
するイメージセンサー。 - （５）請求項１に記載のイメージセンサーにおいて、透
光性基板の半導体素子を実装した側に上記半導体素子に
近接する位置で光源を取り付け、上記透光性基板の他方
表面を原稿密着面としたイメージセンサーユニット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2332431A JPH04207255A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | イメージセンサー及びイメージセンサユニット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2332431A JPH04207255A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | イメージセンサー及びイメージセンサユニット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04207255A true JPH04207255A (ja) | 1992-07-29 |
Family
ID=18254897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2332431A Pending JPH04207255A (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | イメージセンサー及びイメージセンサユニット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04207255A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61188964A (ja) * | 1985-02-18 | 1986-08-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 密着型イメ−ジセンサ |
| JPS62256472A (ja) * | 1986-04-30 | 1987-11-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 密着型イメ−ジセンサ−の組み立て方法 |
| JPS6398292A (ja) * | 1986-10-15 | 1988-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像部品 |
-
1990
- 1990-11-28 JP JP2332431A patent/JPH04207255A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61188964A (ja) * | 1985-02-18 | 1986-08-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 密着型イメ−ジセンサ |
| JPS62256472A (ja) * | 1986-04-30 | 1987-11-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 密着型イメ−ジセンサ−の組み立て方法 |
| JPS6398292A (ja) * | 1986-10-15 | 1988-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像部品 |
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