JPH0420742B2 - - Google Patents
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- JPH0420742B2 JPH0420742B2 JP62105290A JP10529087A JPH0420742B2 JP H0420742 B2 JPH0420742 B2 JP H0420742B2 JP 62105290 A JP62105290 A JP 62105290A JP 10529087 A JP10529087 A JP 10529087A JP H0420742 B2 JPH0420742 B2 JP H0420742B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acid
- polishing
- water
- wafer
- composition
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
「産業上の利用分野」
本発明は、電気集積回路の支持結晶として広範
囲に使用されているウエハーの研磨を行う際に、
研磨剤中の金属原子がウエハーの表面に移行せ
ず、ウエハー表面を汚染することのない工業的に
有利なウエハー用研磨剤組成物に関する。 「従来の技術」 一般に、電気集積回路の支持結晶として広範に
使用されているウエハーは、周期律表の４族また
は３〜５族原子の単結晶からなつており、これら
の結晶のインゴツトをスライスし、研磨して使用
されている。そして、近年電気集積回路の集積度
が上がるに従つて、ウエハーの電気特性は、ミク
ロ的に均一であることが要求されてきている。 しかしながら、研磨中ウエハーの表面は化学的
に活性なため、研磨剤中の金属原子を吸着し易
く、吸着した金属原子がウエハー中を熱拡散し、
ウエハーにドープされる現象が誘起されることと
なる。そして、このことがウエハーの電気特性を
ミクロ的に不均一なものとする原因となる欠点が
あつた。ドープされているウエハーを研磨後の工
程で、ゲツタリングによつてウエハー上の電気集
積を組まない面に熱拡散させる方法がとられてい
る。しかしこの方法では工業的に極めて不利であ
り、実用的に満足できるものではない。 従つて、金属原子を含まない研磨剤が要求され
ているが、このような研磨剤を作ることは非常に
困難であり、しかも経済的にも高価なものとなり
実用的でない。 「発明が解決しようとする問題点」 本発明はウエハーを研磨した時に、金属原子が
ウエハー表面に吸着されにくく、従つて、熱拡散
もドープもされないような研磨剤を提供しようと
するものである。 「発明が解決するための手段」 本発明の要旨とするところは、水、粒状アモル
フアスシリカおよび水溶性キレート剤および／ま
たは分子量5000以上の高分子イオンを含有し、か
つアルカリ性化合物によつてPH９以上に調整され
てなることを特徴とするウエハー用研磨剤組成物
に存する。 以下、本発明を詳細に説明する。 本発明において使用される粒状アモルフアスシ
リカとしてはコロイダルシリカまたはシリカパウ
ダーなどがあり、これらはコロイダルシリカゾル
の形や、シリカパウダーを水に懸濁させた水性ス
ラリーの形で使用するか、または水中に加えた時
水性スラリーとすることができるような形で使用
される。特に、水性スラリーにした時の安定性あ
るいは均一分散性などの点でコロイダルシリカ、
例えばサイトン（登録商標、、三菱モンサント化
成(株)社が再販中）が好ましい。水性スラリーにし
た時のスラリー中のシリカ濃度は通常１〜５重量
％が好ましい。 しかして、上記の粒状アモルフアスシリカは、
通常平均粒径が5mμないし10μの範囲のものが使
用される。平均粒径が5mμ以下では、粒子中に含
まれるケイ素のモノマーやオリゴマーの割合が多
くなり、これらの多く含むもので研磨するとウエ
ハー表面にシリカとなつて付着するので好ましく
なく、10μを超えるとウエハー表面に引つかき傷
が生じやすくなるので好ましくない。なお、本発
明で平均粒径とは、粒子が凝集せず単離した状態
で存在する場合にはその状態にある粒子の平均粒
径を意味し、粒子が凝集した状態で存在する場合
にはその状態にある凝集した粒子の平均粒径を意
味する。 また、研磨用組成物中の粒状アモルフアスシリ
カの含有量は、余り少ないとその効果が充分でな
いので、通常0.1重量％以上の割合で使用される。 本発明において水溶性キレート剤は、研磨剤組
成物中において、強い静電場を形成し、研磨剤組
成物中に含まれる水、金属原子と複合体を形成
し、研磨剤組成物中の金属原子がウエハー表面に
吸着されないように機能する。水溶性キレート剤
としては、水に可溶性のエチレンジアミン４酢
酸、ニトリロ３酢酸、ヒドロキシエチルエチレン
ジアミン３酢酸、ジエチレントリアミン５酢酸、
またはヒドロキシエチルイミノ２酢酸から選ばれ
た１種類または２種類以上が使用される。 これらのキレート剤の対イオンは一般に規定度
で過剰のアンモニウム、第４級アンモニウムまた
はアミンになつており、これらは通常研磨剤組成
物中に0.001重量％以上の濃度で含有させて、組
成物を調製する。 本発明において分子量5000以上の高分子イオン
は、研磨剤組成物中において、強い静電場を形成
し、研磨剤組成物中に含まれる水、金属原子と複
合体を形成し、研磨剤組成物中の金属原子がウエ
ハー表面に吸着されないように機能する。分子量
5000以上の高分子イオンとしては、アニオン性の
高分子イオン、例えばポリアクリル酸、ポリメタ
クリル酸、ポリイタコン酸、ポリマレイン酸、マ
レイン酸と各種ビニル基との共重合体、ポリスチ
レンスルホン酸、ポリリン酸、コンドロイチン硫
酸、デキストラン硫酸、ケラタン硫酸、ヘパリン
硫酸などの高分子化合物のイオンの１種または２
種以上が使用される。 しかして、これらの高分子イオンの分子量が
5000より小さい場合には、有効な静電場が形成さ
れず、研磨剤組成物中に含まれる水、金属原子と
複合体を形成しにくくなり、好ましくない。 また、これらの高分子イオンの研磨剤組成物中
への含有量は、0.01重量％以上の濃度とするのが
よい。 本発明に係る研磨剤組成物においては、上記水
溶性のキレート剤または分子量5000以上の高分子
イオンの、いずれか一方だけを含有させてもよい
し、また、これらの両方を含有させてもよい。 本発明に係る研磨剤組成物は、研磨剤組成物を
安定に保つために通常、上記アルカリ性化合物を
加えて、PH９以上、好ましくはPH10.5以上11.5以
下となるようにアルカリ性化合物の量を調整する
のがよい。 本発明においてアルカリ性化合物としては、金
属アルカリ、アンモニウム、水酸化４級アンモニ
ウム、またはアミン類などがあり、特にエチレン
ジアミンを使用した組成物を用いてウエハーを研
磨する時は、研磨速度をあげることができるので
好ましい化合物である。 「発明の効果」 本発明は、次のように特別に顕著な効果を奏す
るので、その産業上の利用価値は極めて大であ
る。 (1) 本発明に係る研磨剤組成物には、キレート剤
または／および高分子イオンを含んでおり、こ
れらと研磨剤組成物中に含まれる金属原子とが
水分子とともに強い複合体を形成するので研磨
剤組成物中に存在する遊離の金属原子を極力少
なくすることができる。 (2) 本発明に係る研磨剤組成物を用いてウエハー
表面を研磨する時には研磨剤中の金属原子がウ
エハー表面に吸着されにくく、従つて熱拡散も
ドープもされることがない。 (3) 従つて、本発明に係る研磨剤組成物を用いて
研磨されたウエハーの電気特性は、ミクロ的に
均一であつて、工業的に極めて有利である。 「実施例」 以下、本発明を実施例と比較例によつて更に具
体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない
限り以下の例に限定されるものではない。 実施例１、２および比較例 粒状アモルフアスシリカとしてコロイダルシリ
カ“サイトンHT−50”（登録商標、三菱モンサ
ント化成(株)が再販中）を用い、第１表に掲げたキ
レート剤、高分子イオンおよびエチレンジアミン
を、同表に記載の割合で含有する研磨剤組成物を
調製した。 得られた研磨剤組成物を用い、次のような方法
でシリコンウエハーの研磨を行つた。 研磨機：スピードフアム製、SPAW26 研磨布：不織布タイプ シリコンウエハーと研磨布との相対速度：90m／
分 研磨圧力：280ｇ／cm2 研磨中の研磨布温度：40℃ 研磨剤組成物の流速：750ml／分＊１ 研磨時間：30分 ［註］＊１ 研磨剤組成物は、ポンプによつて
継続的に研磨布へ循環供給した。 研磨後のウエハーについて、ウエハーの表面か
ら3.6μmの深さまでのケイ素原子とナトリウム原
子の相対的濃度を、２次イオンマススペクトロス
コピーで測定した。結果を、第１表と第１図に示
す。 第１図において、縦軸はシリコンウエハーに分
布するケイ素原子とナトリウム原子の相対的含量
（単位：counts）であり、横軸はウエハー表面か
らの深さ（単位：μm）である。図において、１
は実施例１の研磨用組成物で研磨されたウエハー
のケイ素原子、２はナトリウム原子、３は比較例
の研磨用組成物で研磨されたウエハーのケイ素原
子、４はナトリウム原子それぞれの、濃度変化状
況をを示す曲線である。
囲に使用されているウエハーの研磨を行う際に、
研磨剤中の金属原子がウエハーの表面に移行せ
ず、ウエハー表面を汚染することのない工業的に
有利なウエハー用研磨剤組成物に関する。 「従来の技術」 一般に、電気集積回路の支持結晶として広範に
使用されているウエハーは、周期律表の４族また
は３〜５族原子の単結晶からなつており、これら
の結晶のインゴツトをスライスし、研磨して使用
されている。そして、近年電気集積回路の集積度
が上がるに従つて、ウエハーの電気特性は、ミク
ロ的に均一であることが要求されてきている。 しかしながら、研磨中ウエハーの表面は化学的
に活性なため、研磨剤中の金属原子を吸着し易
く、吸着した金属原子がウエハー中を熱拡散し、
ウエハーにドープされる現象が誘起されることと
なる。そして、このことがウエハーの電気特性を
ミクロ的に不均一なものとする原因となる欠点が
あつた。ドープされているウエハーを研磨後の工
程で、ゲツタリングによつてウエハー上の電気集
積を組まない面に熱拡散させる方法がとられてい
る。しかしこの方法では工業的に極めて不利であ
り、実用的に満足できるものではない。 従つて、金属原子を含まない研磨剤が要求され
ているが、このような研磨剤を作ることは非常に
困難であり、しかも経済的にも高価なものとなり
実用的でない。 「発明が解決しようとする問題点」 本発明はウエハーを研磨した時に、金属原子が
ウエハー表面に吸着されにくく、従つて、熱拡散
もドープもされないような研磨剤を提供しようと
するものである。 「発明が解決するための手段」 本発明の要旨とするところは、水、粒状アモル
フアスシリカおよび水溶性キレート剤および／ま
たは分子量5000以上の高分子イオンを含有し、か
つアルカリ性化合物によつてPH９以上に調整され
てなることを特徴とするウエハー用研磨剤組成物
に存する。 以下、本発明を詳細に説明する。 本発明において使用される粒状アモルフアスシ
リカとしてはコロイダルシリカまたはシリカパウ
ダーなどがあり、これらはコロイダルシリカゾル
の形や、シリカパウダーを水に懸濁させた水性ス
ラリーの形で使用するか、または水中に加えた時
水性スラリーとすることができるような形で使用
される。特に、水性スラリーにした時の安定性あ
るいは均一分散性などの点でコロイダルシリカ、
例えばサイトン（登録商標、、三菱モンサント化
成(株)社が再販中）が好ましい。水性スラリーにし
た時のスラリー中のシリカ濃度は通常１〜５重量
％が好ましい。 しかして、上記の粒状アモルフアスシリカは、
通常平均粒径が5mμないし10μの範囲のものが使
用される。平均粒径が5mμ以下では、粒子中に含
まれるケイ素のモノマーやオリゴマーの割合が多
くなり、これらの多く含むもので研磨するとウエ
ハー表面にシリカとなつて付着するので好ましく
なく、10μを超えるとウエハー表面に引つかき傷
が生じやすくなるので好ましくない。なお、本発
明で平均粒径とは、粒子が凝集せず単離した状態
で存在する場合にはその状態にある粒子の平均粒
径を意味し、粒子が凝集した状態で存在する場合
にはその状態にある凝集した粒子の平均粒径を意
味する。 また、研磨用組成物中の粒状アモルフアスシリ
カの含有量は、余り少ないとその効果が充分でな
いので、通常0.1重量％以上の割合で使用される。 本発明において水溶性キレート剤は、研磨剤組
成物中において、強い静電場を形成し、研磨剤組
成物中に含まれる水、金属原子と複合体を形成
し、研磨剤組成物中の金属原子がウエハー表面に
吸着されないように機能する。水溶性キレート剤
としては、水に可溶性のエチレンジアミン４酢
酸、ニトリロ３酢酸、ヒドロキシエチルエチレン
ジアミン３酢酸、ジエチレントリアミン５酢酸、
またはヒドロキシエチルイミノ２酢酸から選ばれ
た１種類または２種類以上が使用される。 これらのキレート剤の対イオンは一般に規定度
で過剰のアンモニウム、第４級アンモニウムまた
はアミンになつており、これらは通常研磨剤組成
物中に0.001重量％以上の濃度で含有させて、組
成物を調製する。 本発明において分子量5000以上の高分子イオン
は、研磨剤組成物中において、強い静電場を形成
し、研磨剤組成物中に含まれる水、金属原子と複
合体を形成し、研磨剤組成物中の金属原子がウエ
ハー表面に吸着されないように機能する。分子量
5000以上の高分子イオンとしては、アニオン性の
高分子イオン、例えばポリアクリル酸、ポリメタ
クリル酸、ポリイタコン酸、ポリマレイン酸、マ
レイン酸と各種ビニル基との共重合体、ポリスチ
レンスルホン酸、ポリリン酸、コンドロイチン硫
酸、デキストラン硫酸、ケラタン硫酸、ヘパリン
硫酸などの高分子化合物のイオンの１種または２
種以上が使用される。 しかして、これらの高分子イオンの分子量が
5000より小さい場合には、有効な静電場が形成さ
れず、研磨剤組成物中に含まれる水、金属原子と
複合体を形成しにくくなり、好ましくない。 また、これらの高分子イオンの研磨剤組成物中
への含有量は、0.01重量％以上の濃度とするのが
よい。 本発明に係る研磨剤組成物においては、上記水
溶性のキレート剤または分子量5000以上の高分子
イオンの、いずれか一方だけを含有させてもよい
し、また、これらの両方を含有させてもよい。 本発明に係る研磨剤組成物は、研磨剤組成物を
安定に保つために通常、上記アルカリ性化合物を
加えて、PH９以上、好ましくはPH10.5以上11.5以
下となるようにアルカリ性化合物の量を調整する
のがよい。 本発明においてアルカリ性化合物としては、金
属アルカリ、アンモニウム、水酸化４級アンモニ
ウム、またはアミン類などがあり、特にエチレン
ジアミンを使用した組成物を用いてウエハーを研
磨する時は、研磨速度をあげることができるので
好ましい化合物である。 「発明の効果」 本発明は、次のように特別に顕著な効果を奏す
るので、その産業上の利用価値は極めて大であ
る。 (1) 本発明に係る研磨剤組成物には、キレート剤
または／および高分子イオンを含んでおり、こ
れらと研磨剤組成物中に含まれる金属原子とが
水分子とともに強い複合体を形成するので研磨
剤組成物中に存在する遊離の金属原子を極力少
なくすることができる。 (2) 本発明に係る研磨剤組成物を用いてウエハー
表面を研磨する時には研磨剤中の金属原子がウ
エハー表面に吸着されにくく、従つて熱拡散も
ドープもされることがない。 (3) 従つて、本発明に係る研磨剤組成物を用いて
研磨されたウエハーの電気特性は、ミクロ的に
均一であつて、工業的に極めて有利である。 「実施例」 以下、本発明を実施例と比較例によつて更に具
体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない
限り以下の例に限定されるものではない。 実施例１、２および比較例 粒状アモルフアスシリカとしてコロイダルシリ
カ“サイトンHT−50”（登録商標、三菱モンサ
ント化成(株)が再販中）を用い、第１表に掲げたキ
レート剤、高分子イオンおよびエチレンジアミン
を、同表に記載の割合で含有する研磨剤組成物を
調製した。 得られた研磨剤組成物を用い、次のような方法
でシリコンウエハーの研磨を行つた。 研磨機：スピードフアム製、SPAW26 研磨布：不織布タイプ シリコンウエハーと研磨布との相対速度：90m／
分 研磨圧力：280ｇ／cm2 研磨中の研磨布温度：40℃ 研磨剤組成物の流速：750ml／分＊１ 研磨時間：30分 ［註］＊１ 研磨剤組成物は、ポンプによつて
継続的に研磨布へ循環供給した。 研磨後のウエハーについて、ウエハーの表面か
ら3.6μmの深さまでのケイ素原子とナトリウム原
子の相対的濃度を、２次イオンマススペクトロス
コピーで測定した。結果を、第１表と第１図に示
す。 第１図において、縦軸はシリコンウエハーに分
布するケイ素原子とナトリウム原子の相対的含量
（単位：counts）であり、横軸はウエハー表面か
らの深さ（単位：μm）である。図において、１
は実施例１の研磨用組成物で研磨されたウエハー
のケイ素原子、２はナトリウム原子、３は比較例
の研磨用組成物で研磨されたウエハーのケイ素原
子、４はナトリウム原子それぞれの、濃度変化状
況をを示す曲線である。
【表】
〓註〓 ＊２ ポリアクリル酸の分子量は約５万
である。
＊３ 比較例のものを１とした場合の相対
値を意味する。
第１表および第１図より、本発明に係る研磨剤
組成物を用いて研磨されたウエハーには、ナトリ
ウム原子の濃度が著しく少なく、ミクロ的に均一
であることが明らかである。
である。
＊３ 比較例のものを１とした場合の相対
値を意味する。
第１表および第１図より、本発明に係る研磨剤
組成物を用いて研磨されたウエハーには、ナトリ
ウム原子の濃度が著しく少なく、ミクロ的に均一
であることが明らかである。
第１図は、ウエハー表面から3.6μmの深さまで
のケイ素原子とナトリウム原子の相対的濃度を示
す図であり、縦軸は相対的濃度を、横軸はウエハ
ー表面からの深さを意味する。 図において、１と２は実施例１の研磨剤組成物
によつて研磨したもので、１はケイ素原子、２は
ナトリウム原子の相対的濃度の変化状況を示し、
３と４は比較例の研磨剤組成物によつて研磨した
もので３はケイ素原子、４はナトリウム原子の相
対的濃度の変化状況を示す。
のケイ素原子とナトリウム原子の相対的濃度を示
す図であり、縦軸は相対的濃度を、横軸はウエハ
ー表面からの深さを意味する。 図において、１と２は実施例１の研磨剤組成物
によつて研磨したもので、１はケイ素原子、２は
ナトリウム原子の相対的濃度の変化状況を示し、
３と４は比較例の研磨剤組成物によつて研磨した
もので３はケイ素原子、４はナトリウム原子の相
対的濃度の変化状況を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 水、粒状アモルフアスシリカおよび水溶性キ
レート剤および／または分子量5000以上の高分子
イオンを含有し、かつアルカリ性化合物によつて
PH９以上に調整されてなることを特徴とするウエ
ハー用研磨剤組成物。 ２ 粒状アモルフアスシリカの平均粒径が5mμな
いし10μの範囲のものであることを特徴とする特
許請求の範囲１に記載のウエハー用研磨剤組成
物。 ３ 水溶性キレート剤が水溶性のエチレンジアミ
ン４酢酸、ニトリロ３酢酸、ヒドロキシエチルエ
チレンジアミン３酢酸、ジエチレントリアミン５
酢酸、またはヒドロキシエチルイミノ２酢酸から
選ばれた１種類以上であることを特徴とする特許
請求の範囲１に記載のウエハー用研磨剤組成物。 ４ 分子量5000以上の高分子イオンがポリアクリ
ル酸、ポリメタクリル酸、ポリイタコン酸、ポリ
マレイン酸、マレイン酸と各種ビニル基を有する
化合物との共重合体、ポリスチレンスルホン酸、
ポリリン酸、コンドロイチン硫酸、デキストラン
硫酸、ケラタン硫酸、またはヘパリン硫酸などの
高分子化合物のイオンであることを特徴とする特
許請求の範囲１に記載のウエハー用研磨剤組成
物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62105290A JPS63272460A (ja) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | ウエハ−用研磨剤組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62105290A JPS63272460A (ja) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | ウエハ−用研磨剤組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63272460A JPS63272460A (ja) | 1988-11-09 |
| JPH0420742B2 true JPH0420742B2 (ja) | 1992-04-06 |
Family
ID=14403554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62105290A Granted JPS63272460A (ja) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | ウエハ−用研磨剤組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63272460A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008532329A (ja) * | 2005-03-07 | 2008-08-14 | チェイル インダストリーズ インコーポレイテッド | シリコンウエハの表面品質を改善する研磨用スラリー組成物、及びそれを用いたシリコンウエハの研磨方法 |
| US10460947B2 (en) | 2014-12-15 | 2019-10-29 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for polishing silicon wafer |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999032570A1 (en) * | 1997-12-23 | 1999-07-01 | Akzo Nobel N.V. | A composition for chemical mechanical polishing |
| JP3810588B2 (ja) * | 1998-06-22 | 2006-08-16 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| US6896825B1 (en) | 1998-08-31 | 2005-05-24 | Hitachi Chemical Company, Ltd | Abrasive liquid for metal and method for polishing |
| DE60015411T2 (de) * | 1999-03-18 | 2005-10-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba, Kawasaki | Wässerige Dispersionsaufschlämmung für chemisch-mechanisches Polierverfahren |
| JP2008155368A (ja) * | 1999-06-23 | 2008-07-10 | Jsr Corp | 研磨用組成物、および研磨方法 |
| JP3440419B2 (ja) | 2001-02-02 | 2003-08-25 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法 |
| US7481949B2 (en) | 2002-11-08 | 2009-01-27 | Wako Pure Chemical Industries, Ltd | Polishing composition and rinsing composition |
| JP4814502B2 (ja) | 2004-09-09 | 2011-11-16 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
| TW200619368A (en) * | 2004-10-28 | 2006-06-16 | Nissan Chemical Ind Ltd | Polishing composition for silicon wafer |
| US20090127501A1 (en) * | 2005-05-27 | 2009-05-21 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Polishing Composition for Silicon Wafer |
| JP5412115B2 (ja) | 2006-12-04 | 2014-02-12 | 野村マイクロ・サイエンス株式会社 | キレート剤添加薬液の精製方法 |
| JP7379789B2 (ja) | 2020-03-02 | 2023-11-15 | 株式会社タイテム | コロイダルシリカスラリー |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3328141A (en) * | 1966-02-28 | 1967-06-27 | Tizon Chemical Corp | Process for polishing crystalline silicon |
| JPS6287242A (ja) * | 1985-05-29 | 1987-04-21 | Nippon Shokubai Kagaku Kogyo Co Ltd | 安定な金属酸化物系ゾル組成物 |
-
1987
- 1987-04-28 JP JP62105290A patent/JPS63272460A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008532329A (ja) * | 2005-03-07 | 2008-08-14 | チェイル インダストリーズ インコーポレイテッド | シリコンウエハの表面品質を改善する研磨用スラリー組成物、及びそれを用いたシリコンウエハの研磨方法 |
| US10460947B2 (en) | 2014-12-15 | 2019-10-29 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for polishing silicon wafer |
| DE112015005277B4 (de) | 2014-12-15 | 2024-05-02 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Verfahren zum Polieren von Siliciumwafern |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63272460A (ja) | 1988-11-09 |
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