JPH04208234A - キシレン類の製造装置および製造方法 - Google Patents
キシレン類の製造装置および製造方法Info
- Publication number
- JPH04208234A JPH04208234A JP2330531A JP33053190A JPH04208234A JP H04208234 A JPH04208234 A JP H04208234A JP 2330531 A JP2330531 A JP 2330531A JP 33053190 A JP33053190 A JP 33053190A JP H04208234 A JPH04208234 A JP H04208234A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- toluene
- xylene
- column
- benzene
- tower
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/10—Process efficiency
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、キシレン類の製造装置および製造方法に関し
、さらに詳細には、原料として少なくともトルエンを使
用してキシレンを効率よく製造するための製造装置およ
び製造方法に係わる。
、さらに詳細には、原料として少なくともトルエンを使
用してキシレンを効率よく製造するための製造装置およ
び製造方法に係わる。
゛ 〔従来の技術９発明が解決しようとする課題〕□
従来、キシレンは主としてトルエンの不均化により、ま
た、場合によっては、トルエンと、たとえば、トリメチ
ルベンゼンなどのＣ１の芳香族炭化水素とを反応させる
トランスアルキレーションまたは前記の不均化とトラン
スアルキレーションとを併用して製造されている。しか
して、この製造には、キシレン類の分離回収に多大なエ
ネルギーが消費されている。
従来、キシレンは主としてトルエンの不均化により、ま
た、場合によっては、トルエンと、たとえば、トリメチ
ルベンゼンなどのＣ１の芳香族炭化水素とを反応させる
トランスアルキレーションまたは前記の不均化とトラン
スアルキレーションとを併用して製造されている。しか
して、この製造には、キシレン類の分離回収に多大なエ
ネルギーが消費されている。
特に、一般に反応生成液中に最も多量に含有されている
物質は未反応のトルエンであり、この分離には多大なエ
ネルギーが必要とされており、また、分離されたトルエ
ンが持ち去るエネルギーは多大の量であるにもかかわら
ず、このエネルギーは殆ど有効に活用されることなく廃
棄されていた。
物質は未反応のトルエンであり、この分離には多大なエ
ネルギーが必要とされており、また、分離されたトルエ
ンが持ち去るエネルギーは多大の量であるにもかかわら
ず、このエネルギーは殆ど有効に活用されることなく廃
棄されていた。
〔課題を解決するための手段１作用〕
本発明者らは、トルニジを原料とする従来のキシレンの
製造法における前記のような欠点を克服すべく鋭意研究
を重ね、トルエンの分離においてトルエンによって持ち
去られていた多大な量のエネルギーを有効に活用するこ
とにより、キシレン類を効率よく製造するための装置お
よび方法を開発しようやく本発明に到達した。
製造法における前記のような欠点を克服すべく鋭意研究
を重ね、トルエンの分離においてトルエンによって持ち
去られていた多大な量のエネルギーを有効に活用するこ
とにより、キシレン類を効率よく製造するための装置お
よび方法を開発しようやく本発明に到達した。
すなわち、本発明の一つは、少なくともトルエンを原料
としてトルエンをキシレンおよ゛びベンゼンに不均化さ
せるための反応器を含む反応工程、該反応工程から排出
された少なくともベンゼン、ト′ルエンおよびキシレン
を含有する反応生成液からベンゼン、トルエンおよびキ
シレンのそれぞれを蒸留によって分離するための少なく
ともベンゼン塔およびトルエン塔を有する蒸留工程、な
らびに該蒸留工程からのキシレン留分からパラキシレン
を分離回収するためのバラキシル１フ回収工程を順次連
結してなるキシレン類の製造装置において、トルエン塔
塔頂に２個のコンデンサが配設され、その中の１個のコ
ンデンサがベンゼン塔のリホイラーとされ、他の１個の
コンデンサが廃熱回収用コンデンサとされたことを特徴
とするキシレン類の製造装置である。
としてトルエンをキシレンおよ゛びベンゼンに不均化さ
せるための反応器を含む反応工程、該反応工程から排出
された少なくともベンゼン、ト′ルエンおよびキシレン
を含有する反応生成液からベンゼン、トルエンおよびキ
シレンのそれぞれを蒸留によって分離するための少なく
ともベンゼン塔およびトルエン塔を有する蒸留工程、な
らびに該蒸留工程からのキシレン留分からパラキシレン
を分離回収するためのバラキシル１フ回収工程を順次連
結してなるキシレン類の製造装置において、トルエン塔
塔頂に２個のコンデンサが配設され、その中の１個のコ
ンデンサがベンゼン塔のリホイラーとされ、他の１個の
コンデンサが廃熱回収用コンデンサとされたことを特徴
とするキシレン類の製造装置である。
また、本発明のもう一つの発明は、少なくともトルエン
を原料として、少なくともベンゼン、トルエンおよびキ
シレンを含有する反応生成液を得、該反応生成液から蒸
留によってベンゼン、トルエンおよびキシレン類をそれ
ぞれ分離し、次いで該キシレン留分からパラキシレンを
分離回収するキシレン類・の製造方法において、トルエ
ンを蒸留で分離するためのトルエン塔塔頂から留出した
トルエン蒸気を、少くとも２つに分け、一方をベンゼン
塔のリボイラー熱源として使用し、残部を該トルエン製
造装置内での機器のエネルギー源として使用することを
特徴とするキシレン類の製造方法である。
を原料として、少なくともベンゼン、トルエンおよびキ
シレンを含有する反応生成液を得、該反応生成液から蒸
留によってベンゼン、トルエンおよびキシレン類をそれ
ぞれ分離し、次いで該キシレン留分からパラキシレンを
分離回収するキシレン類・の製造方法において、トルエ
ンを蒸留で分離するためのトルエン塔塔頂から留出した
トルエン蒸気を、少くとも２つに分け、一方をベンゼン
塔のリボイラー熱源として使用し、残部を該トルエン製
造装置内での機器のエネルギー源として使用することを
特徴とするキシレン類の製造方法である。
本発明の装置は、反応工程、蒸留工程およびパめの反応
器がある。反応器は回分式および連続式のいずれをも使
用し得るが、実用上、連続式が好ましい。また、反応器
には、水素ガスが送入されるのが一般であるが、この場
合には、反応器出口において、反応生成液と混合してい
た水素ガスはフラッシュセパレーターで分離され、この
回収された水素は圧縮機によって加圧され、反応器に戻
されて再使用される。この圧縮器は、ターボ型および容
積型のどちらをも使用し得るが、ターボ型および回転式
容積型などが好ましい。
器がある。反応器は回分式および連続式のいずれをも使
用し得るが、実用上、連続式が好ましい。また、反応器
には、水素ガスが送入されるのが一般であるが、この場
合には、反応器出口において、反応生成液と混合してい
た水素ガスはフラッシュセパレーターで分離され、この
回収された水素は圧縮機によって加圧され、反応器に戻
されて再使用される。この圧縮器は、ターボ型および容
積型のどちらをも使用し得るが、ターボ型および回転式
容積型などが好ましい。
水素ガスが除去された後の反応生成液は、蒸留工程へ送
られる。
られる。
蒸留工程では、上流側から順次、反応生成液中の低沸成
分、ベンゼン、トルエン、キシレンおよび高沸成分を蒸
留によって分離するための低沸基、ベンゼン塔、トルエ
ン塔、キシレン塔および高沸基が一般に配設されている
。
分、ベンゼン、トルエン、キシレンおよび高沸成分を蒸
留によって分離するための低沸基、ベンゼン塔、トルエ
ン塔、キシレン塔および高沸基が一般に配設されている
。
蒸留塔の型式には特に制限はないが、段塔および充填塔
のどちらをも使用し得る。
のどちらをも使用し得る。
なお、反応生成液中のキシレン類より沸点が高い成分が
少なく、単一キシレンの含有率が高く、トルエン塔の塔
底液中の単一キシレンの含有率が高い場合にはキシレン
塔を省略することができる。
少なく、単一キシレンの含有率が高く、トルエン塔の塔
底液中の単一キシレンの含有率が高い場合にはキシレン
塔を省略することができる。
また、キシレン類をさらに各キシレンに分離するために
は、蒸留にかえて吸着分離法、ＩＰ−ＢＰ。
は、蒸留にかえて吸着分離法、ＩＰ−ＢＰ。
とキシレンとのコンプレックス反応を利用する方法およ
び溶媒抽出法などによ葛こともできいる。
び溶媒抽出法などによ葛こともできいる。
蒸留工程で得られたキシレンを含有するトルエン塔塔底
液またはキシレン塔塔頂液などのキシレン留分はそれぞ
れキシレンを分離回収するためにパラキシレン回収工程
へ送られる。
液またはキシレン塔塔頂液などのキシレン留分はそれぞ
れキシレンを分離回収するためにパラキシレン回収工程
へ送られる。
パラキシレン回収工程は、通常は晶析法による。
晶析法としては高圧加圧晶析法および冷却結晶化法のど
ちらも使用することができるが、冷却結晶化法が好まし
い。冷却結晶化法としては、たとましい。この「向流式
冷却溶融精製法」とは、上部に清澄部を有する冷却式結
晶槽と、上部に清澄部を底部に加熱器をそれぞれ有し、
前記結晶槽より高い温度で運転する竪型精製塔とを組み
合わせ、前記結晶槽において生成した結晶は前記精製塔
上に対して底部の加熱器により加熱溶融し、溶融物の一
部を製品として取出し、他の部分を還流液として上昇さ
せ、前記下部へ移行する結晶層の洗浄を行い、精製塔上
部の清澄液は結晶槽の清澄沈降部へ導く方法である。
ちらも使用することができるが、冷却結晶化法が好まし
い。冷却結晶化法としては、たとましい。この「向流式
冷却溶融精製法」とは、上部に清澄部を有する冷却式結
晶槽と、上部に清澄部を底部に加熱器をそれぞれ有し、
前記結晶槽より高い温度で運転する竪型精製塔とを組み
合わせ、前記結晶槽において生成した結晶は前記精製塔
上に対して底部の加熱器により加熱溶融し、溶融物の一
部を製品として取出し、他の部分を還流液として上昇さ
せ、前記下部へ移行する結晶層の洗浄を行い、精製塔上
部の清澄液は結晶槽の清澄沈降部へ導く方法である。
ここで使用される結晶槽は上部が清澄部となる結晶槽で
あればよく、特に制限はないが、たとえば特開昭５５．
−ＩＱ９４０３号公報に記載されている「掻取循環式晶
析機」が好適に使用される。
あればよく、特に制限はないが、たとえば特開昭５５．
−ＩＱ９４０３号公報に記載されている「掻取循環式晶
析機」が好適に使用される。
この「掻取循環式晶析機」は、掻取式晶析槽の内部を回
転する掻取機構にドラフトチューブを設け、該ドラフト
チューブの内外部に循環流を生ぜしめるための攪拌羽根
を取付け、前記旋回流を上下流に変えるための前記晶析
槽の上部蓋及び底板から前記掻取機構のサポートブーム
近くまで前記ドラフトチューブの外側と内側に挿入され
たある曲率をもったバッフルを具備した結晶槽である。
転する掻取機構にドラフトチューブを設け、該ドラフト
チューブの内外部に循環流を生ぜしめるための攪拌羽根
を取付け、前記旋回流を上下流に変えるための前記晶析
槽の上部蓋及び底板から前記掻取機構のサポートブーム
近くまで前記ドラフトチューブの外側と内側に挿入され
たある曲率をもったバッフルを具備した結晶槽である。
また、ここで使用される竪型精製塔としては、たとえば
特公昭６２−５９６．０３号公報に記載されている「純
化装置」が好適に使用される。この「純化装置」は、開
口を有した加熱可能な仕切棚が設けられている装置であ
る。
特公昭６２−５９６．０３号公報に記載されている「純
化装置」が好適に使用される。この「純化装置」は、開
口を有した加熱可能な仕切棚が設けられている装置であ
る。
この結晶槽を冷却する冷媒としては、特に制限がないが
、通常はアンモニアが使用される。また、このアンモニ
アを冷媒とする冷凍方式としては、所謂、圧縮冷凍方式
および吸収冷凍方式のいずれをも使用し得るが、実用上
、後者が好ましい。
、通常はアンモニアが使用される。また、このアンモニ
アを冷媒とする冷凍方式としては、所謂、圧縮冷凍方式
および吸収冷凍方式のいずれをも使用し得るが、実用上
、後者が好ましい。
トルエン塔塔頂から留出したトルエン蒸気のうち、一部
はベンゼン塔の熱源として使用され残部のトルエン蒸気
のエネルギは、たとえば、パラキシレン回収工程におい
て、吸収冷凍法におけるアンモニア蒸留塔のリボイラー
熱源、前記の竪型精製塔のりフラックス用熱源、さらに
は水素圧縮用圧縮機の動力源、もしくは、装置内の照明
、制御、ポンプ類などの電源を得るためのタービン式発
電機のエネルギー源としてまたは溶媒抽出に使用された
溶媒の除去の熱源に活用することができる。
はベンゼン塔の熱源として使用され残部のトルエン蒸気
のエネルギは、たとえば、パラキシレン回収工程におい
て、吸収冷凍法におけるアンモニア蒸留塔のリボイラー
熱源、前記の竪型精製塔のりフラックス用熱源、さらに
は水素圧縮用圧縮機の動力源、もしくは、装置内の照明
、制御、ポンプ類などの電源を得るためのタービン式発
電機のエネルギー源としてまたは溶媒抽出に使用された
溶媒の除去の熱源に活用することができる。
通常は、前−考または前二者によって残部のトルエン蒸
気のエネルギーの大部分が消費されることになるが、余
剰がある場合には、前記の他のエネルギー源として使用
すこともできる。
気のエネルギーの大部分が消費されることになるが、余
剰がある場合には、前記の他のエネルギー源として使用
すこともできる。
すなわち、このトルエン蒸気をエネルギー源として直接
使用する場合には、廃熱用コンデンサは、たとえば、ア
ンモニア蒸留塔下部のリボイラおよとになる。
使用する場合には、廃熱用コンデンサは、たとえば、ア
ンモニア蒸留塔下部のリボイラおよとになる。
他方、このトルエン蒸気を熱源として水蒸気を発生させ
てこの水蒸気をエネルギー源として使用ＩＩＩＩＩ＋ する場合には、廃錆コンデンサはスチームボイラとされ
る。
てこの水蒸気をエネルギー源として使用ＩＩＩＩＩ＋ する場合には、廃錆コンデンサはスチームボイラとされ
る。
この水蒸気は、そのま＼では圧が低いので、たとえば、
水素圧縮用タービン駆動圧縮機およびタービン式発電機
などの電力源として使用する場合には加熱して昇圧させ
た中圧〜高圧水蒸気を使用しなければならない。
水素圧縮用タービン駆動圧縮機およびタービン式発電機
などの電力源として使用する場合には加熱して昇圧させ
た中圧〜高圧水蒸気を使用しなければならない。
また、トルエン塔すボイラを、高温の熱媒油などの熱媒
体を使用して加熱することもできるが、トルエン塔のリ
ボイラの熱源は、本発明のキシレン装置の電源用のター
ビン式発電機を駆動した背圧スチームおよび／または水
素コンプレッサ駆動用水蒸気タービンの背圧スチームを
使用することができ、かつ、好ましい。
体を使用して加熱することもできるが、トルエン塔のリ
ボイラの熱源は、本発明のキシレン装置の電源用のター
ビン式発電機を駆動した背圧スチームおよび／または水
素コンプレッサ駆動用水蒸気タービンの背圧スチームを
使用することができ、かつ、好ましい。
なお、前記のタービン式発電機および水素コンプレッサ
駆動用水蒸気タービン用の水蒸気を発生させるボイラの
Ｂ、Ｆ、Ｗ （ボイラ供給水−以下同様）は一般には直
接加熱炉によるが、一部または全部としてトルエン塔頂
の廃熱用コンデンサからの水蒸気を充当することもでき
る。
駆動用水蒸気タービン用の水蒸気を発生させるボイラの
Ｂ、Ｆ、Ｗ （ボイラ供給水−以下同様）は一般には直
接加熱炉によるが、一部または全部としてトルエン塔頂
の廃熱用コンデンサからの水蒸気を充当することもでき
る。
本発明のキシレン類の製造装置の代表例のフロ−シート
を第１図に示す。第１図のフローシートで示されたキシ
レン類の製造装置はキシレン塔が省略されており、回収
系には３基の結晶槽および竪型精製塔を有する向流式冷
却晶析精製装置を使用し、かつ、この向流冷却晶析精製
装置の冷媒であるアンモニアは吸収冷凍方式によって冷
却されている。
を第１図に示す。第１図のフローシートで示されたキシ
レン類の製造装置はキシレン塔が省略されており、回収
系には３基の結晶槽および竪型精製塔を有する向流式冷
却晶析精製装置を使用し、かつ、この向流冷却晶析精製
装置の冷媒であるアンモニアは吸収冷凍方式によって冷
却されている。
原料トルエンは、トルエン塔１７で分離回収され凝縮せ
しめられたトルエンと合して熱交換器３で反応器２から
の反応生成液によって予熱され、さらに加熱炉１で所定
の温度まで加熱されて反応器２に供給される。一方、水
素ガスが反応器２に供給される。反応器２でトルエンは
反応せしめられ、反応器２からの主としてトルエン、ベ
ンゼンおよびキシレンさらには低沸成分および水素ガス
を含有する反応生成液はフラッシュセパレーター４へ送
られここで水素ガスが分離され、この水素ガスは所望に
より新しく補給された水素ガスと合して水素コンプレッ
サ５で昇圧され、反応器２へ循環される。供給液と熱交
換後にフラッシュセパレーク−４から排出された反応生
成液は放圧フラッジタンク６に送られ、ここで放圧フラ
ッシュした反応生成液中の蒸気成分は凝縮せしめられて
排出される。さらに液分は放圧フラッシュタンク６の塔
底から低沸塔１０へ送られる。
しめられたトルエンと合して熱交換器３で反応器２から
の反応生成液によって予熱され、さらに加熱炉１で所定
の温度まで加熱されて反応器２に供給される。一方、水
素ガスが反応器２に供給される。反応器２でトルエンは
反応せしめられ、反応器２からの主としてトルエン、ベ
ンゼンおよびキシレンさらには低沸成分および水素ガス
を含有する反応生成液はフラッシュセパレーター４へ送
られここで水素ガスが分離され、この水素ガスは所望に
より新しく補給された水素ガスと合して水素コンプレッ
サ５で昇圧され、反応器２へ循環される。供給液と熱交
換後にフラッシュセパレーク−４から排出された反応生
成液は放圧フラッジタンク６に送られ、ここで放圧フラ
ッシュした反応生成液中の蒸気成分は凝縮せしめられて
排出される。さらに液分は放圧フラッシュタンク６の塔
底から低沸塔１０へ送られる。
低沸塔１０では蒸留によって反応生成液中の軽質炭化水
素などの低沸分が除去される。除去された低沸分は低沸
塔コンデンサ１１で凝縮せしめられて、その１部は還流
され残部は塔外へ折中される。低沸成分が除去された反
応生成液は低沸塔塔底液としてベンゼン塔１４へ送られ
る。ここで低沸塔塔底液中のベンゼンが蒸留によって除
去され、このベンゼンはベンゼン塔コンデンサ１５で凝
縮せしめられて、その一部は還流され、残部は塔外へ排
出される。さらに、ベンゼンを実質的に含有しないベン
ゼン塔塔底液はトルエン塔１７に送られる。ここでベン
ゼ′ン塔塔底液中のトルエンは蒸留によって分離され、
このトルエンはトルエン塔１７の塔頂から排出され、２
つの流れに分けられ、１つの流れはベンゼン塔す゛ボイ
ラ１６の熱源として使用されて凝縮せしめられる。また
、もう１つの流れは廃熱回収用コンデンサ１８に送られ
水蒸気発生の熱源として活用される一方、トルエンは凝
縮せしめられる。ベンゼン塔リボイラー１６および廃熱
回収用コンデンサー１８のそれぞれ琢凝集せしめられた
トルエンはその一部は還流され、残部は原料トルエンと
合して反応器２へ戻される。
素などの低沸分が除去される。除去された低沸分は低沸
塔コンデンサ１１で凝縮せしめられて、その１部は還流
され残部は塔外へ折中される。低沸成分が除去された反
応生成液は低沸塔塔底液としてベンゼン塔１４へ送られ
る。ここで低沸塔塔底液中のベンゼンが蒸留によって除
去され、このベンゼンはベンゼン塔コンデンサ１５で凝
縮せしめられて、その一部は還流され、残部は塔外へ排
出される。さらに、ベンゼンを実質的に含有しないベン
ゼン塔塔底液はトルエン塔１７に送られる。ここでベン
ゼ′ン塔塔底液中のトルエンは蒸留によって分離され、
このトルエンはトルエン塔１７の塔頂から排出され、２
つの流れに分けられ、１つの流れはベンゼン塔す゛ボイ
ラ１６の熱源として使用されて凝縮せしめられる。また
、もう１つの流れは廃熱回収用コンデンサ１８に送られ
水蒸気発生の熱源として活用される一方、トルエンは凝
縮せしめられる。ベンゼン塔リボイラー１６および廃熱
回収用コンデンサー１８のそれぞれ琢凝集せしめられた
トルエンはその一部は還流され、残部は原料トルエンと
合して反応器２へ戻される。
実質的にキシレン類のみとされたｌ・ルエン塔塔底液は
パラキシレン回収工程に送られる。パラキシレン回収工
程における３基の結晶槽は、上部が清澄部となる特開昭
５５−１０９４０３号公報に記載されている掻取循環式
晶析機である。これらの結晶槽の外套部には液体アンモ
ニアが流され液体アンモニアの蒸発潜熱によって冷却さ
れている。
パラキシレン回収工程に送られる。パラキシレン回収工
程における３基の結晶槽は、上部が清澄部となる特開昭
５５−１０９４０３号公報に記載されている掻取循環式
晶析機である。これらの結晶槽の外套部には液体アンモ
ニアが流され液体アンモニアの蒸発潜熱によって冷却さ
れている。
これらの結晶槽の第１槽は竪型精製塔と接続されている
。この竪型精製塔は特公昭６２−５９６０３号公報に記
載されている純化装置である。
。この竪型精製塔は特公昭６２−５９６０３号公報に記
載されている純化装置である。
トルエン塔塔底液は第１結晶槽５０に供給される。第１
結晶槽５０の上部の清澄液は第２結晶槽５１へ送られ、
同様にして第２結晶槽５１の上部の清澄液は第３結晶槽
５２に送られ、第３結晶槽５２の上部の清澄液は残渣と
して装置外へ排出される。また、第３結晶槽５２の結晶
スラリは第２結晶槽５１へ送られ、第２結晶槽５１の結
晶スラリは第１結晶槽５０へ送られ、第１結晶槽５０の
結晶スラリは竪型精製塔５３の上部に送られる。
結晶槽５０の上部の清澄液は第２結晶槽５１へ送られ、
同様にして第２結晶槽５１の上部の清澄液は第３結晶槽
５２に送られ、第３結晶槽５２の上部の清澄液は残渣と
して装置外へ排出される。また、第３結晶槽５２の結晶
スラリは第２結晶槽５１へ送られ、第２結晶槽５１の結
晶スラリは第１結晶槽５０へ送られ、第１結晶槽５０の
結晶スラリは竪型精製塔５３の上部に送られる。
ここで結晶スラリは下部へ沈降移行し下部の加熱器５４
で加熱され溶融せしめられる。溶融物の一部は竪型精製
塔５３の下部から取り出されて高純度のキシレンが製品
として得られる。残部の溶融物は竪型精製塔５３内を上
昇しつつ、塔内を下降する結晶と接触せしめられて結晶
を洗浄する。竪型精製塔５３上部の清澄液は第１結晶槽
５０に戻される。
で加熱され溶融せしめられる。溶融物の一部は竪型精製
塔５３の下部から取り出されて高純度のキシレンが製品
として得られる。残部の溶融物は竪型精製塔５３内を上
昇しつつ、塔内を下降する結晶と接触せしめられて結晶
を洗浄する。竪型精製塔５３上部の清澄液は第１結晶槽
５０に戻される。
第３結晶槽５２の外套部からのアンモニア蒸気は第１ス
ーパーヒーター４１を経由して第１エゼクタへ至り、こ
こで稀アンモニア水と混合され、この混合物はついで第
１低圧コンデンサ３４、第１稀薄液受槽および第１昇圧
ポンプ計６を順次経由して第２エゼクタへ送られる。
ーパーヒーター４１を経由して第１エゼクタへ至り、こ
こで稀アンモニア水と混合され、この混合物はついで第
１低圧コンデンサ３４、第１稀薄液受槽および第１昇圧
ポンプ計６を順次経由して第２エゼクタへ送られる。
第２結晶槽５１および第１結晶槽５０のそれぞれの外套
部からのアンモニア蒸気は第２スーパーヒーター４０を
経由して第２エゼクタに至り、ここで第１昇圧ポンプ３
６て送られた加圧稀アンモニア水と混合され、この混合
物は第２昇圧ポンプ３７、第２稀薄液受槽３８および第
３昇圧ポンプ３９を順次経路して、さらに第２アンモニ
ア蒸留塔熱交換器３３を経由して第２アンモニア塔２９
に送られる。ここで、蒸留によってアンモニア蒸気が分
離される。第２アンモニア塔２９の塔底液は稀アンモニ
ア水であるが、この塔底液は第２アンモニア蒸留塔交換
器３３を経由して第１エゼクタへ至り、ここでアンモニ
ア蒸気と混合される。
部からのアンモニア蒸気は第２スーパーヒーター４０を
経由して第２エゼクタに至り、ここで第１昇圧ポンプ３
６て送られた加圧稀アンモニア水と混合され、この混合
物は第２昇圧ポンプ３７、第２稀薄液受槽３８および第
３昇圧ポンプ３９を順次経路して、さらに第２アンモニ
ア蒸留塔熱交換器３３を経由して第２アンモニア塔２９
に送られる。ここで、蒸留によってアンモニア蒸気が分
離される。第２アンモニア塔２９の塔底液は稀アンモニ
ア水であるが、この塔底液は第２アンモニア蒸留塔交換
器３３を経由して第１エゼクタへ至り、ここでアンモニ
ア蒸気と混合される。
第２アンモニア蒸留塔２９の塔頂からのアンモニア蒸気
は第２アンモニア蒸留塔コンデンサ３０および第２アン
モニア蒸留塔リフラツクスドラム３１を経由して液分が
除去される。このアンモニア蒸気は第１アン、モニア蒸
留塔２０の塔底液である稀アンモニア水と混合され濃厚
アンモニア水とされ、高圧吸収コンデンサ２５、リフラ
ソクスド１ｔ） ラム２６、溶液ポンプ２７および第１アンモニア蒸留塔
熱交換器２４を経由して第１アンモニア蒸留塔２０に送
られ、ここで蒸留により加圧アンモニア蒸気が分離され
る。第１アンモニア蒸留塔２０の塔底液は加圧稀アンモ
ニア水であるが、この塔底液は第１アンモニア藤留塔熱
交換器２４を、経由して、第２アンモニア蒸留塔２９の
塔頂からの加圧アンモニア蒸気と混合される。
は第２アンモニア蒸留塔コンデンサ３０および第２アン
モニア蒸留塔リフラツクスドラム３１を経由して液分が
除去される。このアンモニア蒸気は第１アン、モニア蒸
留塔２０の塔底液である稀アンモニア水と混合され濃厚
アンモニア水とされ、高圧吸収コンデンサ２５、リフラ
ソクスド１ｔ） ラム２６、溶液ポンプ２７および第１アンモニア蒸留塔
熱交換器２４を経由して第１アンモニア蒸留塔２０に送
られ、ここで蒸留により加圧アンモニア蒸気が分離され
る。第１アンモニア蒸留塔２０の塔底液は加圧稀アンモ
ニア水であるが、この塔底液は第１アンモニア藤留塔熱
交換器２４を、経由して、第２アンモニア蒸留塔２９の
塔頂からの加圧アンモニア蒸気と混合される。
第１アンモニア蒸留塔２０からの加圧アンモニア蒸気は
、第１アンモニア蒸留塔コンデンサ２２で液化せしめら
れ、この液化アンモニアはりフラックスドラム２３に送
られて、その一部はアンモニア蒸留塔２０へ還流され、
残部は２つの流れに分けられ、一方の流れは第２スーパ
ーヒータ４０を経由して第１結晶槽５０の外套部へ送ら
れ、また、他方の流れは第１スーパーヒータ４１を経由
して第２結晶槽５１および第３結晶槽５２のそれぞれの
外套部に送られる。
、第１アンモニア蒸留塔コンデンサ２２で液化せしめら
れ、この液化アンモニアはりフラックスドラム２３に送
られて、その一部はアンモニア蒸留塔２０へ還流され、
残部は２つの流れに分けられ、一方の流れは第２スーパ
ーヒータ４０を経由して第１結晶槽５０の外套部へ送ら
れ、また、他方の流れは第１スーパーヒータ４１を経由
して第２結晶槽５１および第３結晶槽５２のそれぞれの
外套部に送られる。
廃熱用コンデンサ１８でトルエン塔１７キからのトルエ
ン蒸気を熱源として得られた水蒸気は第１アンモニア蒸
留塔リボイラ２１および第２アンモニア蒸留塔リボイラ
３２に導かれて、両蒸留塔の熱源として使用され、残部
の水蒸気は竪型精製塔加熱器５４に導かれて竪型精製塔
の熱源として使用される。
ン蒸気を熱源として得られた水蒸気は第１アンモニア蒸
留塔リボイラ２１および第２アンモニア蒸留塔リボイラ
３２に導かれて、両蒸留塔の熱源として使用され、残部
の水蒸気は竪型精製塔加熱器５４に導かれて竪型精製塔
の熱源として使用される。
トルエン塔の加熱方式の代表例を第２図および第３図の
それぞれのフローシートで説明する。
それぞれのフローシートで説明する。
第２図において、Ｂ、Ｆ、’Ｗ、がボイラ６１に供給さ
れ水蒸気とされる。得られた水蒸気（高圧スチーム）は
水蒸気タービン６２を回転させて発電機６３を駆動し、
タービン６２を回転させたのちの廃熱蒸気（中圧スチー
ム）はトルエン塔すボイラ１９に導かれて、トルエン塔
１７の熱源として使用される。
れ水蒸気とされる。得られた水蒸気（高圧スチーム）は
水蒸気タービン６２を回転させて発電機６３を駆動し、
タービン６２を回転させたのちの廃熱蒸気（中圧スチー
ム）はトルエン塔すボイラ１９に導かれて、トルエン塔
１７の熱源として使用される。
第３図において、第２図と同様にして得られた水蒸気（
高圧スチーム）で水蒸気タービン７１を回転させて発電
機７２を駆動するとともに水素コンプレッサ５も駆動し
、水蒸気タービン７１を回転させたのもの廃水蒸気（中
圧スチーム）はトルエン塔すホイラ１９に導かれて、ト
ルエン塔１７の熱源として使用される。
高圧スチーム）で水蒸気タービン７１を回転させて発電
機７２を駆動するとともに水素コンプレッサ５も駆動し
、水蒸気タービン７１を回転させたのもの廃水蒸気（中
圧スチーム）はトルエン塔すホイラ１９に導かれて、ト
ルエン塔１７の熱源として使用される。
なお前記においてボイラ６１へのＢ、Ｆ、Ｗ。
の一部または全部を事前加熱する為に、廃熱用コンプレ
ッサ１８で発生させた水蒸気を使用することもできる。
ッサ１８で発生させた水蒸気を使用することもできる。
反応器１において、トルエンの不均化および／またはト
ルエンと、たとえば、トリメチルベンセンのような炭素
数９の芳香族炭化水素とのトランスアルキレーションに
よることができる。これらの反応は、たとえば、シリカ
アルミナなどの固体酸触媒およびシリカアルミナに貴金
属を担持させた触媒の存在下で、３０〜６０ｂａｒ、３
００〜３５０℃で水素の使用量を送入されるトルエンに
対して３〜８倍モルとする通常の条件下で行なわれる。
ルエンと、たとえば、トリメチルベンセンのような炭素
数９の芳香族炭化水素とのトランスアルキレーションに
よることができる。これらの反応は、たとえば、シリカ
アルミナなどの固体酸触媒およびシリカアルミナに貴金
属を担持させた触媒の存在下で、３０〜６０ｂａｒ、３
００〜３５０℃で水素の使用量を送入されるトルエンに
対して３〜８倍モルとする通常の条件下で行なわれる。
たとえば、東し株式会社によるＴＡＴＯＲＡＹプロセス
、アトランチツク リッチフィールド社（八ｔｌａｎｔ
ｉｃ Ｒ４ｃｈｆｉｅｋｄ Ｃｏ、）によるＡ Ｒ□
ＣＯ−キシレン プラス法およびモーピル社による５Ｔ
ＤＰ（Ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ Ｔｏｌｕｅｎｃｅ ｄｉ
ｓｐｒｏｐｏｒｔｉｏｎａｔｉｏｎ）などにおける反応
条件を採用することができる。
、アトランチツク リッチフィールド社（八ｔｌａｎｔ
ｉｃ Ｒ４ｃｈｆｉｅｋｄ Ｃｏ、）によるＡ Ｒ□
ＣＯ−キシレン プラス法およびモーピル社による５Ｔ
ＤＰ（Ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ Ｔｏｌｕｅｎｃｅ ｄｉ
ｓｐｒｏｐｏｒｔｉｏｎａｔｉｏｎ）などにおける反応
条件を採用することができる。
これらのうち、利用価値の高いパラキシレンが選択性高
く、効率よく得られることから５ＴＤＰにおける反応条
件を採用することが好ましい。
く、効率よく得られることから５ＴＤＰにおける反応条
件を採用することが好ましい。
なお、この反応で使用されるトルエンは一般の工業原料
に使用されているものを使用することができる。たとえ
ば、Ａ’ＳＴＭ（八ｍｅｒｉｃａｎ ５ｏｃｉｅｔｙｏ
ｆ Ｔｅｓｔｉｎｇ Ｍａｔｅｒｉａｌ −米国材料試
験協会−規格）Ｄ３６２−８０に規定され、かつ、純度
９９．９重量％以上のものが使用される。
に使用されているものを使用することができる。たとえ
ば、Ａ’ＳＴＭ（八ｍｅｒｉｃａｎ ５ｏｃｉｅｔｙｏ
ｆ Ｔｅｓｔｉｎｇ Ｍａｔｅｒｉａｌ −米国材料試
験協会−規格）Ｄ３６２−８０に規定され、かつ、純度
９９．９重量％以上のものが使用される。
は、反応生成液の組成などによって異るが、通常採用さ
ている条件でよいが、実用上たとえば次の低沸塔
ベンセン 塔 トルエン 塔段数（
段）１５〜２５２５〜３０段 ３０〜３５段供給段（
段） ７〜１０５〜８段 ５〜８ 段なお、
キシレン塔が配設される場合には、段数２０〜３０、供
給段５〜１０段、温度は塔頂で１６０〜１８０℃、塔底
で１９０〜２．３０℃、圧力は塔頂で１〜３ｂａｒ、と
される。この場合にはキシレン塔コンデンサを廃熱ボイ
ラとして使用すれば１４０〜１６０℃の水蒸気が得られ
、この水蒸気も同一プラントのエネルギー源として使用
することができ、かつ、好ましい。
ている条件でよいが、実用上たとえば次の低沸塔
ベンセン 塔 トルエン 塔段数（
段）１５〜２５２５〜３０段 ３０〜３５段供給段（
段） ７〜１０５〜８段 ５〜８ 段なお、
キシレン塔が配設される場合には、段数２０〜３０、供
給段５〜１０段、温度は塔頂で１６０〜１８０℃、塔底
で１９０〜２．３０℃、圧力は塔頂で１〜３ｂａｒ、と
される。この場合にはキシレン塔コンデンサを廃熱ボイ
ラとして使用すれば１４０〜１６０℃の水蒸気が得られ
、この水蒸気も同一プラントのエネルギー源として使用
することができ、かつ、好ましい。
パラキシレン回収工程において、自流式冷却晶析精製装
置を使用した場合の各種の温度は第１結晶槽に供給され
るキシレンを含有するトルエン塔塔底液およびキシレン
塔塔頂液の組成によって異る。
置を使用した場合の各種の温度は第１結晶槽に供給され
るキシレンを含有するトルエン塔塔底液およびキシレン
塔塔頂液の組成によって異る。
たとえば第１結晶槽へ供給される液のキシレンの含有率
６０〜８０ｗｔ％である場合には、第１結晶槽−５〜０
℃、第２結晶槽−１５°Ｃ１第３結晶槽−２５〜−３５
°Ｃおよび第４結晶槽〜６５〜−４５℃ならびに竪型精
製塔上部−３〜３°Ｃとすることが好ましい。
６０〜８０ｗｔ％である場合には、第１結晶槽−５〜０
℃、第２結晶槽−１５°Ｃ１第３結晶槽−２５〜−３５
°Ｃおよび第４結晶槽〜６５〜−４５℃ならびに竪型精
製塔上部−３〜３°Ｃとすることが好ましい。
また、パラキシレンの含有率が２５〜３５ｗｔ％である
場合には供給液は第２結晶槽に供給されて、第１結晶槽
−１０〜−１５°Ｃ１第２結晶槽−３０℃、第３結晶槽
−４５°Ｃおよび第４槽、−６５℃ならびに竪型精製塔
上部−２℃とすることが好ましい。
場合には供給液は第２結晶槽に供給されて、第１結晶槽
−１０〜−１５°Ｃ１第２結晶槽−３０℃、第３結晶槽
−４５°Ｃおよび第４槽、−６５℃ならびに竪型精製塔
上部−２℃とすることが好ましい。
また、このパラキシレン回収工程における冷媒であるア
ンモニアを冷凍する条件は、パラキシレン回収工程に供
給される液の組成および量により適宜決定される。
ンモニアを冷凍する条件は、パラキシレン回収工程に供
給される液の組成および量により適宜決定される。
本発明を実施例によってさらに具体的に説明する。
なお、本発明は実施例によって限定されるものではない
。
。
実施例１
第１図のフローシートで示され、た装置によってｐ−キ
シレンを製造した。 ７ １、反応工程 ゼオライト触媒のＺＳＭ＝５を使用して反応を行なった
。すなわち、 （１１触媒 ＺＳＭ−５ （２）トルエン ＡＳＴＭ Ｄ３６２粗当品１トル
エン純度 ９９．９ｗｔ％ （３）トルエン供給速度 ５ｋｇ／触媒１’ｋｇ／ｈｒ
（補充トルエン：循環トルエン−１：３．３＞（４）水
素供給速度 ２ ｋｇ−ｍｏｌ ／Ｔｏｌｕｅ、Ｍ
ｋｇ−ｍｏｌ／ｈｒ （５）圧力 ３０ ｂａｒ（６）温度
４００ ℃ （７）反応生成液排出量 ８４０３ ｋｇ／ｈｒ（８
）反応生成液組成（水素ガス除去後）ｍｏ１％ Ｃ５以下 ： ５．２０ ベンゼン ： １５．８３ トルエン ： ６６．８０ Ｐ−キシレン：’ １０．１４ Ｍ−キシレン： １．８０ ０−キシレン： ０．１９ Ｃ７以上 ： ０．０４ トルエン塔のリボイラは高温熱媒油を使用し、その入口
温度および出口温度はそれぞれ２４０°Ｃおよび２００
’Ｃとした。
シレンを製造した。 ７ １、反応工程 ゼオライト触媒のＺＳＭ＝５を使用して反応を行なった
。すなわち、 （１１触媒 ＺＳＭ−５ （２）トルエン ＡＳＴＭ Ｄ３６２粗当品１トル
エン純度 ９９．９ｗｔ％ （３）トルエン供給速度 ５ｋｇ／触媒１’ｋｇ／ｈｒ
（補充トルエン：循環トルエン−１：３．３＞（４）水
素供給速度 ２ ｋｇ−ｍｏｌ ／Ｔｏｌｕｅ、Ｍ
ｋｇ−ｍｏｌ／ｈｒ （５）圧力 ３０ ｂａｒ（６）温度
４００ ℃ （７）反応生成液排出量 ８４０３ ｋｇ／ｈｒ（８
）反応生成液組成（水素ガス除去後）ｍｏ１％ Ｃ５以下 ： ５．２０ ベンゼン ： １５．８３ トルエン ： ６６．８０ Ｐ−キシレン：’ １０．１４ Ｍ−キシレン： １．８０ ０−キシレン： ０．１９ Ｃ７以上 ： ０．０４ トルエン塔のリボイラは高温熱媒油を使用し、その入口
温度および出口温度はそれぞれ２４０°Ｃおよび２００
’Ｃとした。
３、 キシレン回収工程
３基の結晶槽はいずれも直径１．８ｍおよび高さ２．４
ｍで、伝熱面積は１０Ｍであった。
ｍで、伝熱面積は１０Ｍであった。
また、３基の結晶槽における運転条件は次の如くとした
。
。
結晶化温度（”ｃ） ２．０ −１３
−３０除去した熱量 ４７ ４４
２０（１０３Ｋｃａｌ／ｈｒ） 冷媒蒸発温度（”ｃ） −１０−２５−４５冷媒蒸
発量（ｋｇ／ｈｒ） １６２ １５０
６８供給液 量ｋｇ ／ ｌｒ １２３２”＊トル
エン塔塔底から なお、第３結晶槽からは下記の組成を有する残渣が２８
６．７ ｋｇ／ｈｒ排出された。
−３０除去した熱量 ４７ ４４
２０（１０３Ｋｃａｌ／ｈｒ） 冷媒蒸発温度（”ｃ） −１０−２５−４５冷媒蒸
発量（ｋｇ／ｈｒ） １６２ １５０
６８供給液 量ｋｇ ／ ｌｒ １２３２”＊トル
エン塔塔底から なお、第３結晶槽からは下記の組成を有する残渣が２８
６．７ ｋｇ／ｈｒ排出された。
残渣の組成 （ｍｏ１％）
トルエン １．５０
エチルベンゼン １３．９３
ｐ−キシレン ２８．８４
０〜キシレン ３７．１８
ｍ−キシレン ６．５３
Ｃ７以上 １２．０２
また、竪型精製塔の諸元および運転条件は次の如くとし
た。
た。
塔径 ｍφ ７５０
高さ ｍ３．０
清澄液 排出量 ｋｇ／ｈｒ
組成 モル％
トルエン ０．４
エチルベンゼン ４．Ｏ
ｐ−キシレン ７９．４
０−キシレン １０．８
ｍ−キシレン １．９
Ｃ１以上 ３．５
結晶スラリー供給量 ｋｇ／ｈｒ １１７２．０スラ
リ一濃度 ｉｖｔ％ ４５ 溶融物 排出量 ｋｒ／ｈｒ ２９３．Ｏｐ−キ
シレン純度 ％ ９９．９ 第 １アンモニア 第２アンモニア蒸留塔
蒸留塔 塔頂圧力ａｔａ １２．０ ５．８塔
頂部度 ℃４４８９ 塔底温度 °ｃ １０６ １０６蒸気
量 ｋｇ ／ ｈｒ ５１５ ３４２濃
厚アンモニア水 舅中供給１ ｋ
ｇ／Ｈ８４３Ｑ’＋３ アンモニア 濃度 ｗｔχ ７５
２８稀アンモニア水 排出量 ｋｇ／Ｈ２９３６６３ ２９＾＾・ ｔ Φ アンモニア 濃度 弱ｔ％ ２８
１６塔頂ガス 排出量 ｋｇ／Ｈ５５０１１０ アンモニア ｖｏｌ Ｚ ９９．
９ ９０．２還流比
０．１５ ０．３第 １アンモニア
第２７ン干ニア吸収塔 吸収塔 コンデンサ コンデンサ 圧力 ａｔａ ０．０７ ０．
８温度 ”Ｃ３８３８ ５、エネルギー量の比較 蒸留工程および回収工程における製品ｐ−キシレン１
ｋｇあたりの所要エネルギー量は、この実施例において
は１．８キロジユールであった。他方、トルエン塔のト
ルエンの廃熱を活用しない場合には３．３キロジユール
であった。
リ一濃度 ｉｖｔ％ ４５ 溶融物 排出量 ｋｒ／ｈｒ ２９３．Ｏｐ−キ
シレン純度 ％ ９９．９ 第 １アンモニア 第２アンモニア蒸留塔
蒸留塔 塔頂圧力ａｔａ １２．０ ５．８塔
頂部度 ℃４４８９ 塔底温度 °ｃ １０６ １０６蒸気
量 ｋｇ ／ ｈｒ ５１５ ３４２濃
厚アンモニア水 舅中供給１ ｋ
ｇ／Ｈ８４３Ｑ’＋３ アンモニア 濃度 ｗｔχ ７５
２８稀アンモニア水 排出量 ｋｇ／Ｈ２９３６６３ ２９＾＾・ ｔ Φ アンモニア 濃度 弱ｔ％ ２８
１６塔頂ガス 排出量 ｋｇ／Ｈ５５０１１０ アンモニア ｖｏｌ Ｚ ９９．
９ ９０．２還流比
０．１５ ０．３第 １アンモニア
第２７ン干ニア吸収塔 吸収塔 コンデンサ コンデンサ 圧力 ａｔａ ０．０７ ０．
８温度 ”Ｃ３８３８ ５、エネルギー量の比較 蒸留工程および回収工程における製品ｐ−キシレン１
ｋｇあたりの所要エネルギー量は、この実施例において
は１．８キロジユールであった。他方、トルエン塔のト
ルエンの廃熱を活用しない場合には３．３キロジユール
であった。
本発明において、高純度のキシレンが比較的少ないエネ
ルギー量で効率よく得られる。
ルギー量で効率よく得られる。
第１図乃至第３図は、本発明の実施態様を示すフローシ
ートである。 図面において ｌ−加熱炉 ２−反応器 ４−フラッシュセパレータ ５−水素コンプレツサ ６−放圧フランシュタンク １０−低沸基 １４−ヘンゼン塔１７− トル
エン塔 １８−廃熱回収用コンデンサ ２〇−第１アンモニア蒸留塔 ２６− リフランクストラム ２７−溶液ポンプ ２９・−第２アンモニア蒸留塔 ３５−第１稀薄液受槽 ３６−第１昇圧ポンプ ３８−第２稀薄液受槽 ３９・−第３昇圧ポンプ ４〇−第２スーパーヒータ ４１−第１スーパーヒータ ５〇−第１結晶槽 ５１−第２結晶槽５２−第３結
晶槽 ５３−竪型精製塔６１−ボイラ ６
２−水蒸気タービン６３−発電機 ７１−水蒸
気タービン７２−発電機
ートである。 図面において ｌ−加熱炉 ２−反応器 ４−フラッシュセパレータ ５−水素コンプレツサ ６−放圧フランシュタンク １０−低沸基 １４−ヘンゼン塔１７− トル
エン塔 １８−廃熱回収用コンデンサ ２〇−第１アンモニア蒸留塔 ２６− リフランクストラム ２７−溶液ポンプ ２９・−第２アンモニア蒸留塔 ３５−第１稀薄液受槽 ３６−第１昇圧ポンプ ３８−第２稀薄液受槽 ３９・−第３昇圧ポンプ ４〇−第２スーパーヒータ ４１−第１スーパーヒータ ５〇−第１結晶槽 ５１−第２結晶槽５２−第３結
晶槽 ５３−竪型精製塔６１−ボイラ ６
２−水蒸気タービン６３−発電機 ７１−水蒸
気タービン７２−発電機
Claims (8)
- （１）少なくともトルエンを原料として、トルエンをベ
ンゼンおよびキシレンに不均化させるための反応器を含
む反応工程、該反応工程から排出された少なくともベン
ゼン、トルエンおよびキシレンを含有する反応生成液か
らベンゼン、トルエンおよびキシレンのそれぞれを蒸留
によって分離するための少なくともベンゼン塔およびト
ルエン塔を有する蒸留工程ならびに該蒸留工程からのキ
シレン留分からパラキシレンを分離回収するためのキシ
レン回収工程を有するキシレン類の製造装置において、
トルエン塔頂に２個のコンデンサが配設され、その中の
１個のコンデンサがベンゼン塔のリボイラとされ、他の
１個のコンデンサが廃熱回収用コンデンサとされたこと
を特徴とするキシレン類の製造装置。 - （２）パラキシレン回収工程が、冷却結晶法によるもの
である請求項（１）記載のキシレン類の製造装置。 - （３）パラキシレン回収工程が、向流式冷却溶融精製法
によるものである請求項（１）または（２）記載のキシ
レン類の製造装置。 - （４）冷却結晶法によるパラキシレン回収工程を冷却す
る冷媒を製造する設備が吸収冷凍方式によるものである
請求項（２）または（３）記載のキシレン類の製造装置
。 - （５）トルエン塔塔頂に配設された２個のコンデンサの
うちのベンゼン塔のリボイラーとされた以外のコンデン
サが吸収冷凍方式による冷凍設備の内のアンモニア蒸留
塔のリボイラに接続されている請求項（１）または（４
）記載のキシレン類の製造装置。 - （６）トルエン塔塔頂に配設された２個のコンデンサの
うちベンゼン塔のリボイラとされた以外のコンデンサが
パラキシレン回収工程の竪型精製塔の下部と接続されて
いる請求項（１）または（３）記載のキシレン類の製造
装置。 - （７）パラキシレン回収工程が向流式冷却溶融精製法に
よるものであり、該パラキシレン回収工程における冷却
する冷媒を製造する装置が吸収冷凍方式によるものであ
り、トルエン塔塔頂に配設された２個のコンデンサのう
ちのベンゼン塔のリボイラとされた以外のコンデンサが
、前記の冷凍設備の内のアンモニア蒸留塔および前記の
キシレン回収工程における竪型精製塔の下部と接続され
ている請求項（１）、（３）、（４）、（５）または（
６）記載のキシレン類の製造装置。 - （８）少なくともトルエンを原料として、少なくともベ
ンゼン、トルエンおよびキシレンを含有する反応生成液
を得、該反応生成液から蒸留によってベンゼン、トルエ
ンおよびキシレン類をそれぞれ分離し、次いで該キシレ
ン留分からパラキシレンを分離回収するキシレン類の製
造法において、トルエンを蒸留で分離するためのトルエ
ン塔塔頂から留出したトルエン蒸気を、少くとも２つに
分け、一方をベンゼン塔のリボイラー熱源として使用し
、残部を該トルエン製造装置内での機器のエネルギー源
として使用することを特徴とするキシレン類の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2330531A JP2929393B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | キシレン類の製造装置および製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2330531A JP2929393B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | キシレン類の製造装置および製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04208234A true JPH04208234A (ja) | 1992-07-29 |
| JP2929393B2 JP2929393B2 (ja) | 1999-08-03 |
Family
ID=18233679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2330531A Expired - Fee Related JP2929393B2 (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | キシレン類の製造装置および製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2929393B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08208554A (ja) * | 1994-12-01 | 1996-08-13 | Mitsubishi Chem Corp | ブチルアルデヒドの製造方法 |
| KR100473672B1 (ko) * | 1995-09-29 | 2005-07-07 | 앵스띠뛰 프랑세 뒤 뻬뜨롤 | 모의이동베드흡착및결정화공정을병용하여파라선택성톨루엔불균화반응의유출액으로부터파라-크실렌을제조하는방법 |
| JP2010523572A (ja) * | 2007-04-04 | 2010-07-15 | エクソンモービル・ケミカル・パテンツ・インク | パラキシレン製造プロセス及び装置 |
| CN105837389A (zh) * | 2015-01-14 | 2016-08-10 | 中国石油化工股份有限公司 | 一种生产对二甲苯的方法及此过程的换热网络 |
| JP2016166214A (ja) * | 2010-12-13 | 2016-09-15 | ルムス テクノロジー インコーポレイテッド | 共沸気化及び低い水対エチルベンゼン総比率を用いた、エチルベンゼンからのスチレンの製造方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101292923B1 (ko) | 2011-09-09 | 2013-08-02 | 삼성토탈 주식회사 | 나프타 공급 이중화에 의한 방향족 화합물의 분리공정에서의 에너지 절감방법 |
| CN103755515B (zh) * | 2014-01-02 | 2016-08-17 | 中山大学 | 一种甲苯歧化生产苯和二甲苯的方法及其设备 |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP2330531A patent/JP2929393B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08208554A (ja) * | 1994-12-01 | 1996-08-13 | Mitsubishi Chem Corp | ブチルアルデヒドの製造方法 |
| KR100473672B1 (ko) * | 1995-09-29 | 2005-07-07 | 앵스띠뛰 프랑세 뒤 뻬뜨롤 | 모의이동베드흡착및결정화공정을병용하여파라선택성톨루엔불균화반응의유출액으로부터파라-크실렌을제조하는방법 |
| JP2010523572A (ja) * | 2007-04-04 | 2010-07-15 | エクソンモービル・ケミカル・パテンツ・インク | パラキシレン製造プロセス及び装置 |
| US8502008B2 (en) | 2007-04-04 | 2013-08-06 | Exxonmobil Chemical Patents Inc. | Process and apparatus for para-xylene production |
| US8907152B2 (en) | 2007-04-04 | 2014-12-09 | Exxonmobil Chemical Patents Inc. | Process and apparatus for para-xylene production |
| JP2016166214A (ja) * | 2010-12-13 | 2016-09-15 | ルムス テクノロジー インコーポレイテッド | 共沸気化及び低い水対エチルベンゼン総比率を用いた、エチルベンゼンからのスチレンの製造方法 |
| CN105837389A (zh) * | 2015-01-14 | 2016-08-10 | 中国石油化工股份有限公司 | 一种生产对二甲苯的方法及此过程的换热网络 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2929393B2 (ja) | 1999-08-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SU1523052A3 (ru) | Способ разделени продуктов реакции парофазной дегидроциклодимеризации С @ -С @ -углеводородов | |
| KR101432517B1 (ko) | 순수 형태를 포함하는 방향족 카르복실산의 제조 방법 및제조 장치 | |
| RU2292332C2 (ru) | Способ получения очищенной терефталевой кислоты | |
| JP2778878B2 (ja) | エチレンオキシドの製造方法 | |
| EP0343991A2 (en) | Process for production of aromatic polycarboxylic acids | |
| JP5463281B2 (ja) | パラキシレン製造プロセス及び装置 | |
| EP4541782A1 (en) | Production process for synthesizing bisphenol a by a resin method | |
| JPH0133203B2 (ja) | ||
| EP3098213A1 (en) | Method for producing aromatic hydrocarbons from natural gas and installation for implementing same | |
| JPS5966305A (ja) | 向流式溶融物冷却精製法 | |
| US3484458A (en) | Trimellitic acid production and recovery of intramolecular anhydride | |
| TWI647213B (zh) | 用於製造芳香族羧酸之經改良的方法及裝置 | |
| JP2929393B2 (ja) | キシレン類の製造装置および製造方法 | |
| CN118679233A (zh) | 用于对费托反应器出口料流进行气液分离的装置和方法 | |
| JPH0377174B2 (ja) | ||
| US8163970B2 (en) | Method for adiabatic cooling type crystallization of organic compound and apparatus therefor | |
| CN115589781B (zh) | 制备异丙醇的方法 | |
| JP4526142B2 (ja) | ノルボルネンおよび高純度テトラシクロドデセンの同時製造方法 | |
| CN110944972A (zh) | 制造芳族羧酸的方法 | |
| KR20190099301A (ko) | 정제된 테레프탈산 (pta) 배출 스팀 사용 | |
| CN114014743A (zh) | 一种连续生产六氟丁二烯的方法 | |
| KR102891743B1 (ko) | 알칸설폰산의 제조 공정 | |
| WO2007086239A1 (ja) | ビスフェノールａの製造方法 | |
| KR100497134B1 (ko) | 조(粗) 프탈산 무수물의 처리방법 | |
| JPH06228127A (ja) | トリオキサンの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080521 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090521 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100521 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |