JPH04208577A - ホトダイオード及びその製造方法 - Google Patents
ホトダイオード及びその製造方法Info
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- JPH04208577A JPH04208577A JP2340920A JP34092090A JPH04208577A JP H04208577 A JPH04208577 A JP H04208577A JP 2340920 A JP2340920 A JP 2340920A JP 34092090 A JP34092090 A JP 34092090A JP H04208577 A JPH04208577 A JP H04208577A
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Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、リモートコントロールなどにｆＵＪｌれるホ
トダイオード及びその製造方法に関し、詳細には、高光
検出感度及び高周波応答性の優れたホトダイオード及び
その製造方法に関する。
トダイオード及びその製造方法に関し、詳細には、高光
検出感度及び高周波応答性の優れたホトダイオード及び
その製造方法に関する。
従来のホトダイオードを第４図に基づいて説明する。
第４図、従来のホトダイオードの一例を示す平面図であ
り、このホトダイオードは、半導体チップ内に単一の受
光部１２となる７ノート領域１１を形成した後、アノー
ド電極１３を形成して構成されている。
り、このホトダイオードは、半導体チップ内に単一の受
光部１２となる７ノート領域１１を形成した後、アノー
ド電極１３を形成して構成されている。
ところで、最近の光半導体応用の普及に伴い、高光検出
感度及び高周波応答性の向上がますます要望されている
。
感度及び高周波応答性の向上がますます要望されている
。
しかしながら、上述した従来のホトダイオードは、アノ
ード領域１１がそのまま受光部１２となっているので、
光検出感度を上げようとすると、受光部１２であるアノ
ード領域１１の面積を大きくしなければならず、また、
これを大きくすると、アノード面積に比例するアノード
・カソード間の容量が大きくなり、周波数特性が悪くな
るという欠点を有している。
ード領域１１がそのまま受光部１２となっているので、
光検出感度を上げようとすると、受光部１２であるアノ
ード領域１１の面積を大きくしなければならず、また、
これを大きくすると、アノード面積に比例するアノード
・カソード間の容量が大きくなり、周波数特性が悪くな
るという欠点を有している。
この応答性の指標は、遮断周波数ｆｃで示され、ｆｃと
アノード・カソード容量Ｃｔとは第（１）式の関係があ
り、ｆｃが大きい方が応答性が良い。
アノード・カソード容量Ｃｔとは第（１）式の関係があ
り、ｆｃが大きい方が応答性が良い。
ｆｃ ” Ｋｏ／Ｒ−Ｃｔ −（１
）ここで、ｆｃを大きくするには、Ｃｔが小さい方が良
いことが理解できる。（但し、Ｋｏは定数）本発明者等
は、この第（１）式に着目して本発明を完成したもので
あって、本発明の目的は、上記した従来のホトダイオー
ドの有する欠点を解消するホトダイオード及びその製造
方法を提供するにあり、そして、上述した要望に沿うホ
トダイオード及びその製造方法を提供するにある。
）ここで、ｆｃを大きくするには、Ｃｔが小さい方が良
いことが理解できる。（但し、Ｋｏは定数）本発明者等
は、この第（１）式に着目して本発明を完成したもので
あって、本発明の目的は、上記した従来のホトダイオー
ドの有する欠点を解消するホトダイオード及びその製造
方法を提供するにあり、そして、上述した要望に沿うホ
トダイオード及びその製造方法を提供するにある。
口課題を解決するための手段〕
そして、本発明のホトダイオードは、一導電型の半導体
基板の内部の共通カソード領域の上層部に受光部を除い
て列島状に形成された逆導電型の複数のアノード領域と
、該アノード領域とそれぞれコンタクト層を介して接続
しかつ列島状に表面に形成された共通アノード電極とを
含んで構成されている。
基板の内部の共通カソード領域の上層部に受光部を除い
て列島状に形成された逆導電型の複数のアノード領域と
、該アノード領域とそれぞれコンタクト層を介して接続
しかつ列島状に表面に形成された共通アノード電極とを
含んで構成されている。
上記の共通アノード電極としては、本発明において限定
するものではないが、アルミ層を蒸着したアルミ電極、
又は、導電性の透明ポリシリコン膜からなる透明電極が
挙げられ、このうち、光検出感度のより一層の向上とい
う面から透明電極が好適である。
するものではないが、アルミ層を蒸着したアルミ電極、
又は、導電性の透明ポリシリコン膜からなる透明電極が
挙げられ、このうち、光検出感度のより一層の向上とい
う面から透明電極が好適である。
また、本発明の上記ホトダイオードの製造方法は、ｎ−
型の共通カソード領域の上層に、７ノーＦ領域を列島状
に配置できるようにパターニングし、イオン注入法によ
りｐ型不純物を注入・酸化する工程、 チップ外周部のｎ＋領領域パターニングし、熱拡散法に
てｎ型不純物を拡散・酸化する工程、チップ表面に絶縁
層を形成する工程、 この絶縁層に複数のアノードコンタクト用の開孔部を設
け、基板表面を露出する工程、絶縁層表面にアルミ層な
いしは導電性の透明ポリシリコン膜を設け、受光部を除
き、アノード列島をパターニングして共通アノード電極
を形成する工程、 よりなるものである。
型の共通カソード領域の上層に、７ノーＦ領域を列島状
に配置できるようにパターニングし、イオン注入法によ
りｐ型不純物を注入・酸化する工程、 チップ外周部のｎ＋領領域パターニングし、熱拡散法に
てｎ型不純物を拡散・酸化する工程、チップ表面に絶縁
層を形成する工程、 この絶縁層に複数のアノードコンタクト用の開孔部を設
け、基板表面を露出する工程、絶縁層表面にアルミ層な
いしは導電性の透明ポリシリコン膜を設け、受光部を除
き、アノード列島をパターニングして共通アノード電極
を形成する工程、 よりなるものである。
次に本発明の実施例を第１図〜第３図に基づいて説明す
る。
る。
実施例１
第１図（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１の実施例を示
す図であって、第１図（ａ）はその平面図、（ｂ）は第
１図（ａ）のＡ−Ａ′線断面図である。
す図であって、第１図（ａ）はその平面図、（ｂ）は第
１図（ａ）のＡ−Ａ′線断面図である。
ｎ−型の共通カッ−Ｆ領域７の上層に例えば１５０μｍ
間隔にアノード領域１を列島状に配置できるようにパタ
ーニングし、イオン注入法によりｐ型不純物であるポロ
ンを注入・酸化する。
間隔にアノード領域１を列島状に配置できるようにパタ
ーニングし、イオン注入法によりｐ型不純物であるポロ
ンを注入・酸化する。
次の工程で、チップ外周部のｎ＋領域６をパターニング
し、熱拡散法にてｎ型不純物であるリン拡散・酸化する
。この時裏面にもｎ＋領域６が形成される。
し、熱拡散法にてｎ型不純物であるリン拡散・酸化する
。この時裏面にもｎ＋領域６が形成される。
次に、チップ表面に絶縁層５を形成した後、複数のアノ
ードコンタクト４用の開孔部を絶縁層５に設は基板表面
を露出する。次いで、表面にアルミ層を蒸着し、受光部
２を除き第１．第２のアノード列島２１．２２をパター
ニングして共通アノード電極３を形成する。
ードコンタクト４用の開孔部を絶縁層５に設は基板表面
を露出する。次いで、表面にアルミ層を蒸着し、受光部
２を除き第１．第２のアノード列島２１．２２をパター
ニングして共通アノード電極３を形成する。
この第１の実施例は、第１図に示すように、共通カソー
ド領域７及び共通アノード電極３を有し、アノード領域
ｌが分離し、そして、第２図（これは第１図の等価回路
図である。）に示すように、光ｐを入力する６個の並列
タイオートからなる。
ド領域７及び共通アノード電極３を有し、アノード領域
ｌが分離し、そして、第２図（これは第１図の等価回路
図である。）に示すように、光ｐを入力する６個の並列
タイオートからなる。
光ρは、各アノード列島２１及び２２間の受光部２の絶
縁層５を通して共通カソード容量７に入るようになる。
縁層５を通して共通カソード容量７に入るようになる。
この第１の実施例ては、アノード・カソード間の面積に
対応する７ノード・カソード問答Ａｃｔが小さいので、
従来よりも光検出感度が高く、かつ高周波応答のよいホ
トダイオードが得られる。
対応する７ノード・カソード問答Ａｃｔが小さいので、
従来よりも光検出感度が高く、かつ高周波応答のよいホ
トダイオードが得られる。
実施例２゜
第３図は、本発明の第２の実施例のホトダイオードの平
面図である。
面図である。
この第２の実施例は、各アノード列島部２１゜２２のア
ノードコンタクト４を接続する部分のアルミ電極の代わ
りに導電性の透明ポリシリコン膜３１を使用したもので
あり、これ以外の製造は、第１図の実施例と同様である
。なお、３２は、スルーホールである。
ノードコンタクト４を接続する部分のアルミ電極の代わ
りに導電性の透明ポリシリコン膜３１を使用したもので
あり、これ以外の製造は、第１図の実施例と同様である
。なお、３２は、スルーホールである。
この第２の実施例では、導電性の透明ポリシリコン膜３
１を用いて透明電極にし、これにより、光検出感度を更
に良好にしたものである。
１を用いて透明電極にし、これにより、光検出感度を更
に良好にしたものである。
以上説明したように、本発明は、アノード領域を列島状
に配置することにより、全アノード面積に比べて大きな
受光部が得られ、アノード・カソード容量を小さくした
まま、すなわち高周波応答性をそこなわずに光検出感度
をあげる効果が生するものである。
に配置することにより、全アノード面積に比べて大きな
受光部が得られ、アノード・カソード容量を小さくした
まま、すなわち高周波応答性をそこなわずに光検出感度
をあげる効果が生するものである。
第１図及び第２図は、本発明の第１の実施例を示す図て
あって、第１図（ａ）は、その平面図、同（ｂ）は、同
（ａ）のＡ−Ａ′線断面図であり、第２図は、第１図の
等価回路図である。第３図は、本発明の第２の実施例を
示す平面図であり、第４図は、従来のホトダイオードの
一例を示す平面図である。 ■ ・・・アノード領域、２・・受光部、３・・・・・
共通アノード電極、４・・・・・アノードコンタクト、
５・・・絶縁層、６ ・・・ｎ−領域、７・・ ・共通
カソード領域、１１・・・・・・アノード領域、１２
・ 受光部、１３・・・・・アノード電極、２１・・・
第１アノード′列島、２２・・・・・第２アノード列島
、３１・・・・透明ボリンリコン膜、３２・・・スルー
ホール。 代理人 弁理士 内 原 晋 ・ひ亡じ １ １少Ｊ イ 第２ 図
あって、第１図（ａ）は、その平面図、同（ｂ）は、同
（ａ）のＡ−Ａ′線断面図であり、第２図は、第１図の
等価回路図である。第３図は、本発明の第２の実施例を
示す平面図であり、第４図は、従来のホトダイオードの
一例を示す平面図である。 ■ ・・・アノード領域、２・・受光部、３・・・・・
共通アノード電極、４・・・・・アノードコンタクト、
５・・・絶縁層、６ ・・・ｎ−領域、７・・ ・共通
カソード領域、１１・・・・・・アノード領域、１２
・ 受光部、１３・・・・・アノード電極、２１・・・
第１アノード′列島、２２・・・・・第２アノード列島
、３１・・・・透明ボリンリコン膜、３２・・・スルー
ホール。 代理人 弁理士 内 原 晋 ・ひ亡じ １ １少Ｊ イ 第２ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）一導電型の半導体基板の内部の共通カソード領域
の上層部に受光部を除いて列島上状に形成された逆導電
型のカソード領域と、該カソード領域とそれぞれのコン
タクト層を介して接続しかつ列島状に表面に形成された
共通アノード電極とを含むことを特徴とするホトダイオ
ード。（２）共通アノード電極は、アルミ電極からなる
請求項（１）に記載のホトダイオード。 （３）共通アノード電極は、導電性の透明ポリシリコン
膜の透明電極からなる請求項（１）に記載のホトダイオ
ード。 （４）ｎ＾−型の共通カソード領域の上層に、アノード
領域を列島状に配置できるようにパターニングし、イオ
ン注入法によりｐ型不純物を注入・酸化する工程、 チップ外周部のｎ＾＋領域をパターニングし、熱拡散法
にてｎ型不純物を拡散・酸化する工程、チップ表面に絶
縁層を形成する工程、 この絶縁層に複数のアノードコンタクト用の開孔部を設
け、基板表面を露出する工程、 絶縁層表面にアルミ層ないしは導電性の透明ポリシリコ
ン膜を設け、受光部を除き、アノード列島をパターニン
グして共通アノード電極を形成する工程、 よりなることを特徴とするホトダイオードの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2340920A JPH04208577A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | ホトダイオード及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2340920A JPH04208577A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | ホトダイオード及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04208577A true JPH04208577A (ja) | 1992-07-30 |
Family
ID=18341519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2340920A Pending JPH04208577A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | ホトダイオード及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04208577A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09186355A (ja) * | 1995-12-28 | 1997-07-15 | Nec Corp | 受光素子 |
| JP2009141308A (ja) * | 2007-12-05 | 2009-06-25 | Fujifilm Corp | フォトダイオード |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP2340920A patent/JPH04208577A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09186355A (ja) * | 1995-12-28 | 1997-07-15 | Nec Corp | 受光素子 |
| JP2009141308A (ja) * | 2007-12-05 | 2009-06-25 | Fujifilm Corp | フォトダイオード |
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