JPH04209560A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に係り、特
にセラミックパッケージの実装技術に関するものである
。 [0002]
にセラミックパッケージの実装技術に関するものである
。 [0002]
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば、特開昭61−263232号に記載されるもの
があった。図2は従来の半導体装置のワイヤポンディン
グ状態を示す平面図、図3は従来の半導体装置のワイヤ
ポンディング状態を示す断面図、図4は従来の半導体装
置のワイヤポンディングのワイヤの修正状態を示す断面
図である。 [0003]これらの図に示すように、ワイヤボンダ1
1は、周知のようにポンディングステージ位置にポンデ
ィングアーム12を配置しており、シュート13を移動
されてきた半導体構体6に対してワイヤポンディング動
作を行い、リードフレーム1のタブla上に固着した半
導体チップ2のポンディングパッド3とインナリード4
との間に、ボンディングアーム12を用いてポンディン
グワイヤ5を接続するように構成している。 [0004]前記ボンデイングステ一ジ位置では、シュ
ート13の下側にポンディングブロック14を配置して
おり、ワイヤポンディングされる半導体構体6の下面に
接してこれを支持するようにしている。このボンディン
グブロック14は内部にヒータ15を内装して半導体構
体6を加熱し、前述したワイヤポンディング作業を助長
する。また、このポンディングブロック14内には、エ
ア通路16を形成しており、ワイヤボンダ11とは別体
に設けたエア源17から圧縮空気が供給されるようにな
っている。 [0005]そして、このボンディングブロック14の
表面には多数個のエア噴出孔18を垂直方向に開設し、
これらエア噴出孔18を各々、前記エア通路16に連設
している。これらのエア噴出孔18は前記ヒータ15の
周囲位置、換言すれば半導体構体6のリードフレーム1
位置、更に言えば、リードフレームのタブ1aの周囲か
らインナリード4に至る範囲の平面領域において点在す
るように配設している。したがって、前記エア源17か
ら供給されるエアは、エア通路16を通った後、エア噴
出孔18からポジディングブロック14の上方に相当の
圧力で噴出される。また、19はインナリード4等が上
方に変位するのを防止するためのリード押さえである。 [0006]上記したように、この装置によれば、ワイ
ヤポンダ11はボンディングアーム12の作用によって
半導体素子2とインナリード4との開にワイヤ5をポン
ディングする。そして、このワイヤポンディングが完了
すると、エア源17から圧縮エアがエア通路16に供給
され、更にエア噴出孔18からエアが上方に向けて噴出
される。 (0007]このため1図4に示すように、ワイヤポン
ディング直後のボンディングワイヤ5のループ形状が崩
れているような場合にも、このエア圧力によってワイヤ
5は真上上方に強制的に曲げられて各々のループ形状が
良好に修正される。これにより、ワイヤ5は各々真上上
方に向けられて隣接するワイヤ同士の短絡が防止でき、
また半導体チップ2やリードフレーム1との短絡を防止
することができる等、そのループ形状の崩れが原因とさ
れる種々の不具合が防止できる。また、この修正により
ボンディングワイヤが仮に短絡状態にあっても、これを
是正することもできる。 [0008]なお、半導体構体6はシュート13に付設
した送り機構(図示なし)によって連続またはステップ
的に移動され、多連リードフレームの場合には、連接さ
れた各半導体構体が順序的にワイヤポンディングされ、
かつ、エア噴出によるループ修正が行われることになる
。なお、これらの処理の状態は、ワイヤポンダ11の上
部にTVカメラを配置してモニタすることもでき、場合
によってはモニタにより、ワイヤ不良が発見された時に
のみ、エアを噴出させてワイヤ修正を行い得る構成とす
ることもできる。 [00091また、この装置では、ボンディングブロッ
ク14に多数個のエア噴出孔18を開設しているので、
規格の異なる半導体構体をワイヤポンディングする場合
、つまり、リードフレームのタブ1aやインナリード4
の寸法が異なって張設されるワイヤ5の位置が相違され
る半導体構体をワイヤポンディングする場合にも、何等
の調整を要することなくそのままの状態でワイヤのルー
プ修正を行うことができる。 [00101
例えば、特開昭61−263232号に記載されるもの
があった。図2は従来の半導体装置のワイヤポンディン
グ状態を示す平面図、図3は従来の半導体装置のワイヤ
ポンディング状態を示す断面図、図4は従来の半導体装
置のワイヤポンディングのワイヤの修正状態を示す断面
図である。 [0003]これらの図に示すように、ワイヤボンダ1
1は、周知のようにポンディングステージ位置にポンデ
ィングアーム12を配置しており、シュート13を移動
されてきた半導体構体6に対してワイヤポンディング動
作を行い、リードフレーム1のタブla上に固着した半
導体チップ2のポンディングパッド3とインナリード4
との間に、ボンディングアーム12を用いてポンディン
グワイヤ5を接続するように構成している。 [0004]前記ボンデイングステ一ジ位置では、シュ
ート13の下側にポンディングブロック14を配置して
おり、ワイヤポンディングされる半導体構体6の下面に
接してこれを支持するようにしている。このボンディン
グブロック14は内部にヒータ15を内装して半導体構
体6を加熱し、前述したワイヤポンディング作業を助長
する。また、このポンディングブロック14内には、エ
ア通路16を形成しており、ワイヤボンダ11とは別体
に設けたエア源17から圧縮空気が供給されるようにな
っている。 [0005]そして、このボンディングブロック14の
表面には多数個のエア噴出孔18を垂直方向に開設し、
これらエア噴出孔18を各々、前記エア通路16に連設
している。これらのエア噴出孔18は前記ヒータ15の
周囲位置、換言すれば半導体構体6のリードフレーム1
位置、更に言えば、リードフレームのタブ1aの周囲か
らインナリード4に至る範囲の平面領域において点在す
るように配設している。したがって、前記エア源17か
ら供給されるエアは、エア通路16を通った後、エア噴
出孔18からポジディングブロック14の上方に相当の
圧力で噴出される。また、19はインナリード4等が上
方に変位するのを防止するためのリード押さえである。 [0006]上記したように、この装置によれば、ワイ
ヤポンダ11はボンディングアーム12の作用によって
半導体素子2とインナリード4との開にワイヤ5をポン
ディングする。そして、このワイヤポンディングが完了
すると、エア源17から圧縮エアがエア通路16に供給
され、更にエア噴出孔18からエアが上方に向けて噴出
される。 (0007]このため1図4に示すように、ワイヤポン
ディング直後のボンディングワイヤ5のループ形状が崩
れているような場合にも、このエア圧力によってワイヤ
5は真上上方に強制的に曲げられて各々のループ形状が
良好に修正される。これにより、ワイヤ5は各々真上上
方に向けられて隣接するワイヤ同士の短絡が防止でき、
また半導体チップ2やリードフレーム1との短絡を防止
することができる等、そのループ形状の崩れが原因とさ
れる種々の不具合が防止できる。また、この修正により
ボンディングワイヤが仮に短絡状態にあっても、これを
是正することもできる。 [0008]なお、半導体構体6はシュート13に付設
した送り機構(図示なし)によって連続またはステップ
的に移動され、多連リードフレームの場合には、連接さ
れた各半導体構体が順序的にワイヤポンディングされ、
かつ、エア噴出によるループ修正が行われることになる
。なお、これらの処理の状態は、ワイヤポンダ11の上
部にTVカメラを配置してモニタすることもでき、場合
によってはモニタにより、ワイヤ不良が発見された時に
のみ、エアを噴出させてワイヤ修正を行い得る構成とす
ることもできる。 [00091また、この装置では、ボンディングブロッ
ク14に多数個のエア噴出孔18を開設しているので、
規格の異なる半導体構体をワイヤポンディングする場合
、つまり、リードフレームのタブ1aやインナリード4
の寸法が異なって張設されるワイヤ5の位置が相違され
る半導体構体をワイヤポンディングする場合にも、何等
の調整を要することなくそのままの状態でワイヤのルー
プ修正を行うことができる。 [00101
【発明が解決しようとする課題]しかしながら、上記構
成のワイヤ修正装置では、半導体素子の所定の位置に載
置したワイヤポンディング後の半導体構体の裏面側の位
置に、多数個のエア等の噴出手段を配設し、少なくとも
ポンディングされたワイヤに対して、前記エア等を噴出
できるように構成し、これにより、ワイヤループ形状を
修正していたが、セラミックパッケージ等については、
噴出手段の形成は技術的に困難である。 (00111また、半導体装置の外部接続リードの増減
に対しても、それぞれ合ったポンディングブロック噴出
手段を設けなければならず、量産工程の導入において問
題があった。本発明は、上記問題点を除去し、簡便な方
法でもってセラミックパッケージの金属細線の修正をも
行うことができる半導体装置の製造方法を提供すること
を目的とする。 (0012] 【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、半導体素子電極と外部導出端子を金属細
線によって配線接続する半導体装置の製造方法において
、前記金属細線の下部となる部分に枠状に発泡性樹脂を
セットする工程と、該発泡性樹脂を加熱し、発泡体積膨
張作用によって前記金属細線の修正を行う工程とを施す
ようにしたものである。 [0013]また、前記発泡性樹脂はBステージ化した
樹脂枠、または液状樹脂を用いることができる。 [0014]
成のワイヤ修正装置では、半導体素子の所定の位置に載
置したワイヤポンディング後の半導体構体の裏面側の位
置に、多数個のエア等の噴出手段を配設し、少なくとも
ポンディングされたワイヤに対して、前記エア等を噴出
できるように構成し、これにより、ワイヤループ形状を
修正していたが、セラミックパッケージ等については、
噴出手段の形成は技術的に困難である。 (00111また、半導体装置の外部接続リードの増減
に対しても、それぞれ合ったポンディングブロック噴出
手段を設けなければならず、量産工程の導入において問
題があった。本発明は、上記問題点を除去し、簡便な方
法でもってセラミックパッケージの金属細線の修正をも
行うことができる半導体装置の製造方法を提供すること
を目的とする。 (0012] 【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、半導体素子電極と外部導出端子を金属細
線によって配線接続する半導体装置の製造方法において
、前記金属細線の下部となる部分に枠状に発泡性樹脂を
セットする工程と、該発泡性樹脂を加熱し、発泡体積膨
張作用によって前記金属細線の修正を行う工程とを施す
ようにしたものである。 [0013]また、前記発泡性樹脂はBステージ化した
樹脂枠、または液状樹脂を用いることができる。 [0014]
【作用】本発明によれば、セラミックパッケージの金属
細線の配線状態の修正を行う方法として、加熱発泡性の
シール樹脂からなる枠を予め形成しておき、セラミック
パッケージのキャビティ部に半導体素子を搭載、固着し
た後、前記加熱発泡性の樹脂枠を、半導体素子の周辺に
配置して、その後、加熱発泡化させて金属細線の下から
樹脂の泡で上方に押し上げ、配線状態の異常化した細線
も上方に押し上げ、良品状態の細線も含むすべての金属
細線を、略放射線状の円弧状を呈した配線状態に修正す
ることができる。 [0015]
細線の配線状態の修正を行う方法として、加熱発泡性の
シール樹脂からなる枠を予め形成しておき、セラミック
パッケージのキャビティ部に半導体素子を搭載、固着し
た後、前記加熱発泡性の樹脂枠を、半導体素子の周辺に
配置して、その後、加熱発泡化させて金属細線の下から
樹脂の泡で上方に押し上げ、配線状態の異常化した細線
も上方に押し上げ、良品状態の細線も含むすべての金属
細線を、略放射線状の円弧状を呈した配線状態に修正す
ることができる。 [0015]
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図1は本発明の実施例を示す半
導体装置の製造工程斜視図である。まず、図1(a)に
示すように、セラミックからなるヘッダー21のキャビ
ティ部22に、Au−3i、共晶合金、又は銀ペースト
等によって半導体素子23が固着、搭載される。キャビ
ティ部22と半導体素子23の周囲との隙間に加熱発泡
性の樹脂から成る樹脂枠24を配置し、金属細線25を
外部導出端子26の先端ボスト部と半導体素子23の主
表面に形成された外部導出電極とを配線接続する。 [0016]次に、図1 (b)に示すように、ヘッダ
ー21を加熱工程で100℃〜150℃程度に加熱し、
樹脂枠24を発泡させて、金属細線25の配線部下側か
ら上方に膨れ上がらせ、弛みや短絡など配線状態の異常
化した金属細線25を適正化方向に修正を行う。また、
樹脂枠24は独立気泡率の高い発泡体を用いることによ
り、外部からの水分等から半導体素子23を保護する効
果をも奏する。 [00171更に、樹脂枠24の材質は、シリコン樹脂
中に有機溶剤を混合するか、重炭酸ソーダ等を混入する
か、エポキシ樹脂をBステージ(半硬化)化し、その中
に揮発性固体(重炭酸ソーダ)を混入して所望する太き
さの樹脂枠24を作成する。また、樹脂枠24の材質は
、シリコン、エポキシ樹脂に限定されるものではなく、
例えば、熱可塑性樹脂でも金属細線に悪影響を与えない
ものであれば、用いることができる。更に、発泡剤も種
々のものを用いることができる。 [00) 8]そして、発泡後、図1(b)に示すよう
に、体積膨張した樹脂によって、半導体素子23全体を
シールすることによって、シール樹脂27としての機能
を果たすことができる。また、体積膨張が限定され、半
導体素子23を全面に渡ってシールできない場合には、
金属細線25の修正だけを行えば、シールは第2の樹脂
、例えば、エポキシ樹脂を用いてシールしても良い。 要するに、樹脂の発泡による金属細線25の修正を行う
ことができる。 [0019]なお、例えば、発泡剤はシール樹脂量に対
して、10〜20%を混入させる。図5は本発明の他の
実施例を示す半導体装置の製造工程斜視図である。この
実施例においては、この図5(a)に示すように、セラ
ミックからなるヘッダー21のキャビティ部22に、A
u−3t、共晶合金、又は銀ペースト等によって半導体
素子23が固着、搭載される。キャビティ部22と半導
体素子23の周囲との隙間に加熱発泡性の液状樹脂30
をポツティングにより塗布する。 [00201次に、図5(b)に示すように、ヘッダー
21を加熱工程で100℃〜150℃程度に加熱し、液
状樹脂30を発泡させて、シール樹脂31となし、金属
細線25の配線部下側から上方に膨れ上がらせ、配線状
態の異常化した金属細線25を適正化方向に修正を行う
。更に、樹脂枠は発泡化剤を混入させた液状樹脂30を
、半導体素子23周辺に枠状にボッティング等の方法で
形成し、加熱工程にて、樹脂を発泡化させ、体積膨張を
させて、膨張作用時に金属細線25を上方に引き上げて
、配線の異常化した金属細線25を適正化方向に修正を
行う。 [00211このように、発泡性樹脂は液状樹脂であり
、金属細線の配線前後に半導体素子周辺にポツティング
等の方法で形成することができる。前記した半固化状の
樹脂枠は金属細線の配線前に設置しなければならないが
、液状樹脂を用いる場合には、前記したように、金属細
線の前にするか後にするかは適宜選択することができ、
作業の自由度があり、好適である。 [0022]また、供給量においても、Bステージ化し
た樹脂枠に比べて適宜調整でき、図5に示したシール樹
脂31の形成においても、充分にシールすることができ
るように液状樹脂の供給量を調整することができる。図
6は本発明の更なる他の実施例を示す半導体装置の製造
工程断面図である。まず1図6(a)に示すように、ヘ
ッダー40のキャビティ部42には半導体素子43を実
装するとともに、発泡性の樹脂から成る樹脂枠41を配
置し、その半導体素子43のパッドと外部導出端子45
との間に金属細線44を配線する。 [00231次に1図6(b)に示すように、ヘッダー
40を加熱工程で100℃〜150℃程度に加熱し、樹
脂枠41を発泡させて、シール樹脂46となし、金属細
線44の配線部下側から上方に膨れ上がらせ、配線状態
の異常化した金属細線44を適正化方向に修正を行う。 次に、図6 (c)に示すように、封止樹脂47により
、外殻を形成する。 [0024]このように、シール樹脂46の上に第2樹
脂を前記同様に形成して、2層シール構造としてもよい
。なお、上記実施例では、セラミックパッケージについ
て説明したが、リードフレームの場合にも適用でき、適
宜発泡性樹脂の設置をしたり、ポツティング供給手段を
設けることによって、本発明を適用することができる。 [0025]上記したように、本発明は、特に益々超多
ビン化傾向にあるパッケージの配線技術において有益で
ある。なお、本発明は上記実施例に限定されるものでは
なく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり
、これらを本発明の範囲から排除するものではない。 [0026]
ながら詳細に説明する。図1は本発明の実施例を示す半
導体装置の製造工程斜視図である。まず、図1(a)に
示すように、セラミックからなるヘッダー21のキャビ
ティ部22に、Au−3i、共晶合金、又は銀ペースト
等によって半導体素子23が固着、搭載される。キャビ
ティ部22と半導体素子23の周囲との隙間に加熱発泡
性の樹脂から成る樹脂枠24を配置し、金属細線25を
外部導出端子26の先端ボスト部と半導体素子23の主
表面に形成された外部導出電極とを配線接続する。 [0016]次に、図1 (b)に示すように、ヘッダ
ー21を加熱工程で100℃〜150℃程度に加熱し、
樹脂枠24を発泡させて、金属細線25の配線部下側か
ら上方に膨れ上がらせ、弛みや短絡など配線状態の異常
化した金属細線25を適正化方向に修正を行う。また、
樹脂枠24は独立気泡率の高い発泡体を用いることによ
り、外部からの水分等から半導体素子23を保護する効
果をも奏する。 [00171更に、樹脂枠24の材質は、シリコン樹脂
中に有機溶剤を混合するか、重炭酸ソーダ等を混入する
か、エポキシ樹脂をBステージ(半硬化)化し、その中
に揮発性固体(重炭酸ソーダ)を混入して所望する太き
さの樹脂枠24を作成する。また、樹脂枠24の材質は
、シリコン、エポキシ樹脂に限定されるものではなく、
例えば、熱可塑性樹脂でも金属細線に悪影響を与えない
ものであれば、用いることができる。更に、発泡剤も種
々のものを用いることができる。 [00) 8]そして、発泡後、図1(b)に示すよう
に、体積膨張した樹脂によって、半導体素子23全体を
シールすることによって、シール樹脂27としての機能
を果たすことができる。また、体積膨張が限定され、半
導体素子23を全面に渡ってシールできない場合には、
金属細線25の修正だけを行えば、シールは第2の樹脂
、例えば、エポキシ樹脂を用いてシールしても良い。 要するに、樹脂の発泡による金属細線25の修正を行う
ことができる。 [0019]なお、例えば、発泡剤はシール樹脂量に対
して、10〜20%を混入させる。図5は本発明の他の
実施例を示す半導体装置の製造工程斜視図である。この
実施例においては、この図5(a)に示すように、セラ
ミックからなるヘッダー21のキャビティ部22に、A
u−3t、共晶合金、又は銀ペースト等によって半導体
素子23が固着、搭載される。キャビティ部22と半導
体素子23の周囲との隙間に加熱発泡性の液状樹脂30
をポツティングにより塗布する。 [00201次に、図5(b)に示すように、ヘッダー
21を加熱工程で100℃〜150℃程度に加熱し、液
状樹脂30を発泡させて、シール樹脂31となし、金属
細線25の配線部下側から上方に膨れ上がらせ、配線状
態の異常化した金属細線25を適正化方向に修正を行う
。更に、樹脂枠は発泡化剤を混入させた液状樹脂30を
、半導体素子23周辺に枠状にボッティング等の方法で
形成し、加熱工程にて、樹脂を発泡化させ、体積膨張を
させて、膨張作用時に金属細線25を上方に引き上げて
、配線の異常化した金属細線25を適正化方向に修正を
行う。 [00211このように、発泡性樹脂は液状樹脂であり
、金属細線の配線前後に半導体素子周辺にポツティング
等の方法で形成することができる。前記した半固化状の
樹脂枠は金属細線の配線前に設置しなければならないが
、液状樹脂を用いる場合には、前記したように、金属細
線の前にするか後にするかは適宜選択することができ、
作業の自由度があり、好適である。 [0022]また、供給量においても、Bステージ化し
た樹脂枠に比べて適宜調整でき、図5に示したシール樹
脂31の形成においても、充分にシールすることができ
るように液状樹脂の供給量を調整することができる。図
6は本発明の更なる他の実施例を示す半導体装置の製造
工程断面図である。まず1図6(a)に示すように、ヘ
ッダー40のキャビティ部42には半導体素子43を実
装するとともに、発泡性の樹脂から成る樹脂枠41を配
置し、その半導体素子43のパッドと外部導出端子45
との間に金属細線44を配線する。 [00231次に1図6(b)に示すように、ヘッダー
40を加熱工程で100℃〜150℃程度に加熱し、樹
脂枠41を発泡させて、シール樹脂46となし、金属細
線44の配線部下側から上方に膨れ上がらせ、配線状態
の異常化した金属細線44を適正化方向に修正を行う。 次に、図6 (c)に示すように、封止樹脂47により
、外殻を形成する。 [0024]このように、シール樹脂46の上に第2樹
脂を前記同様に形成して、2層シール構造としてもよい
。なお、上記実施例では、セラミックパッケージについ
て説明したが、リードフレームの場合にも適用でき、適
宜発泡性樹脂の設置をしたり、ポツティング供給手段を
設けることによって、本発明を適用することができる。 [0025]上記したように、本発明は、特に益々超多
ビン化傾向にあるパッケージの配線技術において有益で
ある。なお、本発明は上記実施例に限定されるものでは
なく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり
、これらを本発明の範囲から排除するものではない。 [0026]
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、発泡性樹脂の発泡により、金属細線を上方に押
し上げるようにしたので、配線状態が略放物線状に均一
化されるように修正されるので、異常配線状態の金属細
線を的確に修正する二とができる。
よれば、発泡性樹脂の発泡により、金属細線を上方に押
し上げるようにしたので、配線状態が略放物線状に均一
化されるように修正されるので、異常配線状態の金属細
線を的確に修正する二とができる。
【図1】本発明の実施例を示す半導体装置の製造工程斜
視図である。
視図である。
【図2】従来の半導体装置のワイヤポンディング状態を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図3】従来の半導体装置のワイヤポンディング状態を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図4】従来の半導体装置のワイヤポンディングのワイ
ヤの修正状態を示す断面図である。
ヤの修正状態を示す断面図である。
【図5】本発明の他の実施例を示す半導体装置の製造工
程斜視図である。
程斜視図である。
【図6】本発明の更なる他の実施例を示す半導体装置の
製造工程断面図である。
製造工程断面図である。
2140 ヘッダー
2242 キャビティ部
2343 半導体素子
2441 樹脂枠
2544 金属細線
2645 外部導出端子
30 液状樹脂
31.46 シール樹脂
47 封止樹脂
【図5】
Claims (1)
- 【請求項1】半導体素子電極と外部導出端子を金属細線
によって配線接続する半導体装置の製造方法において、
(a)前記金属細線の下部となる部分に枠状に発泡性樹
脂をセットする工程と、(b)該発泡性樹脂を加熱し、
発泡体積膨張作用によって前記金属細線の修正を行う工
程とを施すことを特徴とする半導体装置の製造方法。【
請求項2】前記発泡性樹脂はBステージ化した樹脂枠で
ある請求項1記載の半導体装置の製造方法。【請求項3
】前記発泡性樹脂は液状樹脂である請求項1記載の半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2400394A JPH04209560A (ja) | 1990-12-04 | 1990-12-04 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2400394A JPH04209560A (ja) | 1990-12-04 | 1990-12-04 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04209560A true JPH04209560A (ja) | 1992-07-30 |
Family
ID=18510308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2400394A Withdrawn JPH04209560A (ja) | 1990-12-04 | 1990-12-04 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04209560A (ja) |
-
1990
- 1990-12-04 JP JP2400394A patent/JPH04209560A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980312 |