JPH04212122A - 光変調素子 - Google Patents
光変調素子Info
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- JPH04212122A JPH04212122A JP3012411A JP1241191A JPH04212122A JP H04212122 A JPH04212122 A JP H04212122A JP 3012411 A JP3012411 A JP 3012411A JP 1241191 A JP1241191 A JP 1241191A JP H04212122 A JPH04212122 A JP H04212122A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/355—Non-linear optics characterised by the materials used
- G02F1/361—Organic materials
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/292—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection by controlled diffraction or phased-array beam steering
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は電気光学効果ならびに
所望の偏光方向を示すゾーンに関連するスリット機構を
含む光変調素子に関する。この光変調素子はさらに、変
調動作のために信号が印加される電極機構を含む。
所望の偏光方向を示すゾーンに関連するスリット機構を
含む光変調素子に関する。この光変調素子はさらに、変
調動作のために信号が印加される電極機構を含む。
【０００２】
【従来技術】このような機構は、１９８８年に発行され
た”非線形光学のための有機ポリマフィルム”第６巻、
出版社：Ｂｒ．Ｔｅｌｅｃｏｍ Ｔｅｃｈｎｏ．に記
載されている。この出版物の第１１図および第１２図に
は、インターデジタル電極を備えたポリマが配置された
ガラス基板を含む光変調素子が示されている。この２つ
の電極はメッシュ状に組まれたくし形構成になっており
、それぞれ信号端子に接続されている。このような電気
光学変調素子を製造するために、ポリマが熱せられ、そ
れと同時に電圧ポテンシャルが直流信号端子に印加され
る。この直流電圧ポテンシャルは、変調素子が室温に冷
却されるまで保持される。この結果、ポリマが偏光され
る。今、変調動作中に、光、特にレーザ光が、電極によ
り形成されスリット機構を構成する光学回折格子を介し
て伝導されると、例えば回折ラインが光変調素子の後ろ
に配置されたスクリーンに映し出される。信号（交番電
圧信号）が信号端子に印加されると、上述した回折格子
の屈折率が変化し、回折ラインの構成に影響を及ぼす。 従って、屈折率は信号の内容に応じて変化する。回折ラ
インを走査する検出器により光変調が電気信号に再変換
される。従来の構成では、屈折率の変化は回折格子の各
スリットに対して同じであるので、光変調は近視野でし
か観察できない。それゆえ、従来の構成では、相対的に
効率が悪い。
た”非線形光学のための有機ポリマフィルム”第６巻、
出版社：Ｂｒ．Ｔｅｌｅｃｏｍ Ｔｅｃｈｎｏ．に記
載されている。この出版物の第１１図および第１２図に
は、インターデジタル電極を備えたポリマが配置された
ガラス基板を含む光変調素子が示されている。この２つ
の電極はメッシュ状に組まれたくし形構成になっており
、それぞれ信号端子に接続されている。このような電気
光学変調素子を製造するために、ポリマが熱せられ、そ
れと同時に電圧ポテンシャルが直流信号端子に印加され
る。この直流電圧ポテンシャルは、変調素子が室温に冷
却されるまで保持される。この結果、ポリマが偏光され
る。今、変調動作中に、光、特にレーザ光が、電極によ
り形成されスリット機構を構成する光学回折格子を介し
て伝導されると、例えば回折ラインが光変調素子の後ろ
に配置されたスクリーンに映し出される。信号（交番電
圧信号）が信号端子に印加されると、上述した回折格子
の屈折率が変化し、回折ラインの構成に影響を及ぼす。 従って、屈折率は信号の内容に応じて変化する。回折ラ
インを走査する検出器により光変調が電気信号に再変換
される。従来の構成では、屈折率の変化は回折格子の各
スリットに対して同じであるので、光変調は近視野でし
か観察できない。それゆえ、従来の構成では、相対的に
効率が悪い。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】以上のように従来は、
屈折率の変化が回折格子の各スリットに対して同じであ
るので、光変調は近視野でしか観察できない。
屈折率の変化が回折格子の各スリットに対して同じであ
るので、光変調は近視野でしか観察できない。
【０００４】この発明は、このような事情を考慮してな
されたものであり、その目的とするところは、高効率お
よび高実用性を有する、上述したタイプの光変調素子を
提供することである。
されたものであり、その目的とするところは、高効率お
よび高実用性を有する、上述したタイプの光変調素子を
提供することである。
【０００５】上記目的を達成するために、この発明によ
れば、スリット機構は３つの電極を含む２重スリット構
造に構成されている。この３つの電極間にスリットが形
成され、一方のスリットにおいて、信号の電界が偏光フ
ィールドと同一方向に配向され、他方のスリットにおい
て、信号の電界は偏光フィールドと反対方向に伸びてい
る。この発明の構成によれば、２重スリット構造の一方
のスリットにおいて、先行する偏光中に発生される偏光
フィールドを信号が支持し、他方他のスリットにおいて
信号の電界と偏光値が反対方向に伸びる。この２つのス
リット間に存在する互いに逆向きの方向性により、２つ
のスリットの屈折率は互いに逆方向に変化するので、こ
の発明による光変調素子は効率が良く、従って非常に実
用的である。また、２つのスリット間において、同じ屈
折率で互いに逆方向に変化するので、近視野のみならず
、遠視野においても変調を観察することができる。
れば、スリット機構は３つの電極を含む２重スリット構
造に構成されている。この３つの電極間にスリットが形
成され、一方のスリットにおいて、信号の電界が偏光フ
ィールドと同一方向に配向され、他方のスリットにおい
て、信号の電界は偏光フィールドと反対方向に伸びてい
る。この発明の構成によれば、２重スリット構造の一方
のスリットにおいて、先行する偏光中に発生される偏光
フィールドを信号が支持し、他方他のスリットにおいて
信号の電界と偏光値が反対方向に伸びる。この２つのス
リット間に存在する互いに逆向きの方向性により、２つ
のスリットの屈折率は互いに逆方向に変化するので、こ
の発明による光変調素子は効率が良く、従って非常に実
用的である。また、２つのスリット間において、同じ屈
折率で互いに逆方向に変化するので、近視野のみならず
、遠視野においても変調を観察することができる。
【０００６】この発明の変形例によれば、ゾーンは非線
形光学ポリマ（ＮＬＯポリマ）で構成される。
形光学ポリマ（ＮＬＯポリマ）で構成される。
【０００７】このゾーンは基板上に配置するのが望まし
い。
い。
【０００８】この発明の他の構成によれば、スリットを
電極により形成することにより構成が簡素化される。
電極により形成することにより構成が簡素化される。
【０００９】電極は基板とゾーンとの間の界面領域に配
置することもできる。例えば、電極を基板の表面に配置
し、ゾーンにより覆うことも可能である。
置することもできる。例えば、電極を基板の表面に配置
し、ゾーンにより覆うことも可能である。
【００１０】あるいは、電極とゾーンとの間にバッファ
層を配置することも可能である。このバッファ層により
ゾーンの電極エッジに、干渉電界強度が生じるのを防止
する。 バッファゾーンはポリメタクリル酸ヒドロキ
シエチルで構成するのが望ましい。 レーザ光線用の
さらに大きな放射領域が作られると、いくつかの２重ス
リット構成を互いに配列して隣接するスリットを互いに
並列に配置することができる。この結果、回折が形成さ
れる。
層を配置することも可能である。このバッファ層により
ゾーンの電極エッジに、干渉電界強度が生じるのを防止
する。 バッファゾーンはポリメタクリル酸ヒドロキ
シエチルで構成するのが望ましい。 レーザ光線用の
さらに大きな放射領域が作られると、いくつかの２重ス
リット構成を互いに配列して隣接するスリットを互いに
並列に配置することができる。この結果、回折が形成さ
れる。
【００１１】また、ロジックリンケージの製造のための
縦続（カスケード）を形成することも可能である。この
場合、いくつかの（例えば２つの）２重スリット構成は
タンデムに構成されている。光源に関連する光変調素子
からの光は、信号がアクティブになると、次段の光変調
素子に入射され処理される。
縦続（カスケード）を形成することも可能である。この
場合、いくつかの（例えば２つの）２重スリット構成は
タンデムに構成されている。光源に関連する光変調素子
からの光は、信号がアクティブになると、次段の光変調
素子に入射され処理される。
【００１２】最後に、変調素子アレイを形成するために
、いくつかの２重スリット構成を、同一平面上で互いの
上部に配列するように構成してもよい。
、いくつかの２重スリット構成を、同一平面上で互いの
上部に配列するように構成してもよい。
【００１３】
【実施例】第１図および第２図において、この発明によ
る光変調素子１は３つの電極を含む電極構成２からなる
。中央電極５は２つの外側電極３および４の間に配置さ
れている。
る光変調素子１は３つの電極を含む電極構成２からなる
。中央電極５は２つの外側電極３および４の間に配置さ
れている。
【００１４】外側電極３と中央電極５との間には、第１
のスリット６が形成され｀外側電極４と中央電極５との
間には、第２のスリット７が形成される。スリット６お
よび７は２重スリット構造８を形成する。電極３、４お
よび中央電極５はそれぞれ偏光電位、即ち信号を印加す
るための信号端子９が設けられている。
のスリット６が形成され｀外側電極４と中央電極５との
間には、第２のスリット７が形成される。スリット６お
よび７は２重スリット構造８を形成する。電極３、４お
よび中央電極５はそれぞれ偏光電位、即ち信号を印加す
るための信号端子９が設けられている。
【００１５】中央電極５の幅は１００μｍである。この
寸法は第１および第２スリット６、７間の間隔に相当す
る。いずれの場合にもスリット幅は２０μｍである。電
極配列２はＣｒＡｕで構成される。電極配列２は基板１
０の表面１１に位置し、電気光学効果を示すゾーン１２
により覆われている。ゾーン１２は非線形光学ポリマ（
ＮＬＯポリマ）から構成されている。このポリマは望ま
しくはスピンコーティングにより基板１０にコーティン
グとして印加される。このコーティングの厚みは数ミク
ロン（特に、３．７μｍ）である。
寸法は第１および第２スリット６、７間の間隔に相当す
る。いずれの場合にもスリット幅は２０μｍである。電
極配列２はＣｒＡｕで構成される。電極配列２は基板１
０の表面１１に位置し、電気光学効果を示すゾーン１２
により覆われている。ゾーン１２は非線形光学ポリマ（
ＮＬＯポリマ）から構成されている。このポリマは望ま
しくはスピンコーティングにより基板１０にコーティン
グとして印加される。このコーティングの厚みは数ミク
ロン（特に、３．７μｍ）である。
【００１６】この発明による変調素子１を製造するため
には、ゾーン１２が熱せられる。同時に、外側電極３お
よび４は同電位（例えばグラウンド電位）に保たれる。 中央電極５は他方の直流電圧（例えば＋６００Ｖ）に付
勢される。この結果、各スリット６および７の偏光フィ
ールドは互いに逆方向に伸びる。
には、ゾーン１２が熱せられる。同時に、外側電極３お
よび４は同電位（例えばグラウンド電位）に保たれる。 中央電極５は他方の直流電圧（例えば＋６００Ｖ）に付
勢される。この結果、各スリット６および７の偏光フィ
ールドは互いに逆方向に伸びる。
【００１７】変調動作中、２重スリット構造８には光、
特にレーザ光が放射され、入射光の偏光面の位置が意味
を持つ。入射光の偏光Ｐが図面と同一平面上にある場合
には、電気光学効果ｒ３３が作用する。他方、入射光が
図面と直交する面にある場合には、電気光学効果ｒ１３
は決定的である。ＮＬＯポリマがゾーン１２として採用
された場合には、試験の結果、次の条件が成立する。
特にレーザ光が放射され、入射光の偏光面の位置が意味
を持つ。入射光の偏光Ｐが図面と同一平面上にある場合
には、電気光学効果ｒ３３が作用する。他方、入射光が
図面と直交する面にある場合には、電気光学効果ｒ１３
は決定的である。ＮＬＯポリマがゾーン１２として採用
された場合には、試験の結果、次の条件が成立する。
【００１８】ｒ３３ ＞＞ ｒ１３第４図は上記光
学構成を示す。この構成では、入射光Ｌの偏光Ｐは図面
と同一平面上にある。単一スリット光１３は光変調素子
１の後部に位置し、その後ろに、光検出素子が配置され
る。
学構成を示す。この構成では、入射光Ｌの偏光Ｐは図面
と同一平面上にある。単一スリット光１３は光変調素子
１の後部に位置し、その後ろに、光検出素子が配置され
る。
【００１９】上述した偏光された構成は信号により起動
され、グラウンド電位に接続された中央電極５に対して
外側電極３および４が逆極性の等電圧になるように動作
する。従って、一方のスリット（例えば、第１スリット
６）では、信号の電界は従前に印加した偏光フィールド
と同じ方向に配向され、他方のスリット（例えば、第２
スリット７）においては、信号の電界は従前に印加した
偏光フィールドに対して逆方向に配向される。この結果
、スリット６および７の屈折率の変化は極性が逆で量は
同じになる。２重スリット構造８の電極３乃至５に信号
を印加すると、回折像がシフトされるので、単一スリッ
ト１３の後部に配置された光検出素子１４は強度変動を
検出することができる。光検出素子１４は変調素子１の
一部ではないが、変調のみを検出するように作用する。
され、グラウンド電位に接続された中央電極５に対して
外側電極３および４が逆極性の等電圧になるように動作
する。従って、一方のスリット（例えば、第１スリット
６）では、信号の電界は従前に印加した偏光フィールド
と同じ方向に配向され、他方のスリット（例えば、第２
スリット７）においては、信号の電界は従前に印加した
偏光フィールドに対して逆方向に配向される。この結果
、スリット６および７の屈折率の変化は極性が逆で量は
同じになる。２重スリット構造８の電極３乃至５に信号
を印加すると、回折像がシフトされるので、単一スリッ
ト１３の後部に配置された光検出素子１４は強度変動を
検出することができる。光検出素子１４は変調素子１の
一部ではないが、変調のみを検出するように作用する。
【００２０】この発明による構成によれば、原理的には
特に高度の変調の結果である非常に高強度の変動を認識
することが可能である。
特に高度の変調の結果である非常に高強度の変動を認識
することが可能である。
【００２１】上述した偏光および信号印加の構成の代わ
りに、２つのスリット（第１および第２スリット６，７
）の偏光フィールドを同一方向に伸ばすように構成して
もよい。このためには、直流偏光電圧が電極３および５
に印加される。信号による付勢の場合には、中央電極を
例えばグラウンド電位に接続し、２つの外側電極３およ
び４を同じ信号電位で付勢する。
りに、２つのスリット（第１および第２スリット６，７
）の偏光フィールドを同一方向に伸ばすように構成して
もよい。このためには、直流偏光電圧が電極３および５
に印加される。信号による付勢の場合には、中央電極を
例えばグラウンド電位に接続し、２つの外側電極３およ
び４を同じ信号電位で付勢する。
【００２２】第２図の実施例とは逆に、第３図の実施例
では、変調素子１はバッファ層１５を備えている。基板
１０の表面１１に位置する電極２はバッファ層１５に埋
め込まれる。バッファ層１５はポリメタクリル酸ヒドロ
キシエチル（ＰＭＭＡ）で構成され、その厚みは１．５
μｍが望ましい。ＮＬＯポリマから成るゾーン１２はバ
ッファ層１５に印加される。電極の両端に現われるきわ
めて高い電界強度はバッファゾーン１５によりゾーン１
２内において防止されるので、これらの高い電界強度は
干渉効果を持たない。
では、変調素子１はバッファ層１５を備えている。基板
１０の表面１１に位置する電極２はバッファ層１５に埋
め込まれる。バッファ層１５はポリメタクリル酸ヒドロ
キシエチル（ＰＭＭＡ）で構成され、その厚みは１．５
μｍが望ましい。ＮＬＯポリマから成るゾーン１２はバ
ッファ層１５に印加される。電極の両端に現われるきわ
めて高い電界強度はバッファゾーン１５によりゾーン１
２内において防止されるので、これらの高い電界強度は
干渉効果を持たない。
【００２３】第５図は第３図の実施例による比較的軽い
光強度変化△Ｉを示す。すなわち △Ｉ／Ｉ＝２．４・１０−３但し各スリット幅は２０μ
ｍ、ゾーン１２の層の厚みは３．７μｍ（ＮＬＯポリマ
）、ＰＭＭＡバッファ層１５の厚みは１．５μｍ、スリ
ット間の間隔は１００μｍ、電圧は±１００Ｖ、および
ｒ３３＝８．３ｐｍ／Ｖである。
光強度変化△Ｉを示す。すなわち △Ｉ／Ｉ＝２．４・１０−３但し各スリット幅は２０μ
ｍ、ゾーン１２の層の厚みは３．７μｍ（ＮＬＯポリマ
）、ＰＭＭＡバッファ層１５の厚みは１．５μｍ、スリ
ット間の間隔は１００μｍ、電圧は±１００Ｖ、および
ｒ３３＝８．３ｐｍ／Ｖである。
【００２４】第６図は２つの変調素子１の一方を他方の
後部に配置した縦続１６を示す。この方法によれば、例
えばロジックリンケージを認識することが可能である。 入射光に面する第１の２重スリット構造１７はその後部
に配置された第２の２重スリット構造１８に対して以下
のようにオフセットがとられる。すなわち、第２の２重
スリット構造は第１の２重スリット構造１７により形成
されるフラウンホーファ線の最大強度の両端の高さに配
置される。
後部に配置した縦続１６を示す。この方法によれば、例
えばロジックリンケージを認識することが可能である。 入射光に面する第１の２重スリット構造１７はその後部
に配置された第２の２重スリット構造１８に対して以下
のようにオフセットがとられる。すなわち、第２の２重
スリット構造は第１の２重スリット構造１７により形成
されるフラウンホーファ線の最大強度の両端の高さに配
置される。
【００２５】変調素子１はまた、変調素子アレイ１９と
して構成してもよい。この場合、中央電極５はいくつか
の２重スリット構造８により共有され、一方のスリット
構造の上に他方のスリット構造が配置され、各スリット
６，７は互いに同一平面上に配置される。従属構成１６
はこのような変調素子アレイ１９からも形成可能である
。
して構成してもよい。この場合、中央電極５はいくつか
の２重スリット構造８により共有され、一方のスリット
構造の上に他方のスリット構造が配置され、各スリット
６，７は互いに同一平面上に配置される。従属構成１６
はこのような変調素子アレイ１９からも形成可能である
。
【００２６】この発明の上述した実施例は種々変形可能
であり、添付したクレームの意味および均等範囲内にお
いて同一発明であると解せられる。
であり、添付したクレームの意味および均等範囲内にお
いて同一発明であると解せられる。
【００２７】
【発明の効果】この発明によれば、２つのスリットの屈
折率の変化が同量かつ逆方向に変化するので、変調を近
視野のみならず遠視野においても観察できる。
折率の変化が同量かつ逆方向に変化するので、変調を近
視野のみならず遠視野においても観察できる。
【図１】光変調素子の電極構造の概略断面図。
【図２】図１に示す電極構造を含む変調素子の断面図。
【図３】バッファ層を備えた光変調素子の他の実施例を
示す断面図。
示す断面図。
【図４】光変調素子を変調動作させ、光検出素子により
検出する場合の概略図。
検出する場合の概略図。
【図５】相対的な強度変化を示す信号曲線を示す図。
【図６】２つの２重スリット構造をタンデムに形成した
縦続構造を示す図。
縦続構造を示す図。
【図７】変調アレイを示す図。
１…光変調素子，３，４…外側電極，５…中央電極，６
…第１スリット，７…第２スリット，８…２重スリット
構造，９…信号端子，１０…基板，１２…ゾーン，１５
…バッファ層，１７…第１の２重スリット構造，１８…
第２の２重スリット構造
…第１スリット，７…第２スリット，８…２重スリット
構造，９…信号端子，１０…基板，１２…ゾーン，１５
…バッファ層，１７…第１の２重スリット構造，１８…
第２の２重スリット構造
Claims (8)
- 【請求項１】電気光学効果ならびに好適偏光方向を有す
るゾーンに関連するスリット構造を有する光変調素子で
あり、さらに変調動作のための信号が印加される電極構
造を有する光変調素子において、前記スリット構造は、
スリットが配置される３つの電極を有する２重スリット
構造であり、一方のスリットにおいて、前記信号の電界
が前記好適偏光方向と同一方向に配向され、他方のスリ
ットにおいて前記信号の電界が前記偏光方向と逆方向に
配向されることを特徴とする光変調素子。 - 【請求項２】前記ゾーンは非線形光学ポリマ（ＮＬＯ）
ポリマで構成されることを特徴とする請求項１に記載の
光変調素子。 - 【請求項３】前記好適偏光方向は前記変調動作がオン設
定される前に前記電極構造による偏光動作により設定さ
れることを特徴とする請求項１に記載の光変調素子。 - 【請求項４】前記スリット構造は電極により形成される
ことを特徴とする請求項１に記載の光変調素子。 - 【請求項５】前記ゾーンは基板上に配置され前記電極は
前記基板とゾーンとの間の界面の領域に配置されること
を特徴とする請求項１に記載の光変調素子。 - 【請求項６】前記電極とゾーンとの間にバッファ層を設
けたことを特徴とする請求１に記載の光変調素子。 - 【請求項７】前記バッファ層はポリメタクリル酸ヒドロ
キシエチル（ＰＭＭＡ）から成ることを特徴とする請求
項６に記載の光変調素子。 - 【請求項８】相互に並列な隣接スロットを有する複数の
２重スリット構造を互い違いに配列したことを特徴とす
る請求項１に記載の光変調素子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4000616A DE4000616A1 (de) | 1990-01-11 | 1990-01-11 | Optischer modulator |
| DE4000616:6 | 1990-01-11 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04212122A true JPH04212122A (ja) | 1992-08-03 |
Family
ID=6397873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3012411A Pending JPH04212122A (ja) | 1990-01-11 | 1991-01-10 | 光変調素子 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5139341A (ja) |
| EP (1) | EP0436925B1 (ja) |
| JP (1) | JPH04212122A (ja) |
| AT (1) | ATE141418T1 (ja) |
| DE (2) | DE4000616A1 (ja) |
| ES (1) | ES2093009T3 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3990770A (en) * | 1972-07-13 | 1976-11-09 | U.S. Philips Corporation | Electro-optic picture display and memory device |
| FR2458827A1 (fr) * | 1979-06-13 | 1981-01-02 | Thomson Csf | Dispositif electrooptique a birefringence electrique comportant un polymere polarise |
| US4691984A (en) * | 1985-09-26 | 1987-09-08 | Trw Inc. | Wavelength-independent polarization converter |
-
1990
- 1990-01-11 DE DE4000616A patent/DE4000616A1/de not_active Withdrawn
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- 1990-12-24 EP EP90125404A patent/EP0436925B1/de not_active Expired - Lifetime
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- 1990-12-24 ES ES90125404T patent/ES2093009T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1990-12-31 US US07/633,388 patent/US5139341A/en not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-01-10 JP JP3012411A patent/JPH04212122A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ATE141418T1 (de) | 1996-08-15 |
| EP0436925B1 (de) | 1996-08-14 |
| EP0436925A2 (de) | 1991-07-17 |
| EP0436925A3 (en) | 1992-04-15 |
| DE4000616A1 (de) | 1991-07-18 |
| ES2093009T3 (es) | 1996-12-16 |
| US5139341A (en) | 1992-08-18 |
| DE59010452D1 (de) | 1996-09-19 |
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