JPH04212443A - リードフレーム - Google Patents
リードフレームInfo
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- JPH04212443A JPH04212443A JP4678891A JP4678891A JPH04212443A JP H04212443 A JPH04212443 A JP H04212443A JP 4678891 A JP4678891 A JP 4678891A JP 4678891 A JP4678891 A JP 4678891A JP H04212443 A JPH04212443 A JP H04212443A
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、リードフレームに係り
、特にパラジウムめっきの施された高密度リード配置の
リードフレームの信頼性の向上に関する。
、特にパラジウムめっきの施された高密度リード配置の
リードフレームの信頼性の向上に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ，ＬＳＩなどの半導体装置用リ−ド
フレ−ムは、フォトエッチング法またはプレス加工のい
ずれかの方法によって、０．２５ｍｍあるいは０．１５
ｍｍの板厚の金属条材の不要部分を除去することによっ
て形状加工したのち、所定部分にめっきを行うめっき工
程、テープを貼着しインナーリード相互間を固定するテ
ーピング工程等を経て形成される。
フレ−ムは、フォトエッチング法またはプレス加工のい
ずれかの方法によって、０．２５ｍｍあるいは０．１５
ｍｍの板厚の金属条材の不要部分を除去することによっ
て形状加工したのち、所定部分にめっきを行うめっき工
程、テープを貼着しインナーリード相互間を固定するテ
ーピング工程等を経て形成される。
【０００３】ところで、近年、アウターリードの先端を
実装基板表面に形成された配線パターン上に接続する面
実装技術が盛んになってきているが、この面実装技術に
よれば、アウターリードにもパラジウムめっきを施すこ
とによって、半田付着性が良好であるうえ、インナーリ
ード先端のボンディングエリアについてもパラジウムめ
っきを施すことによってボンディング性の向上をはかる
ことができるという利点を有している。
実装基板表面に形成された配線パターン上に接続する面
実装技術が盛んになってきているが、この面実装技術に
よれば、アウターリードにもパラジウムめっきを施すこ
とによって、半田付着性が良好であるうえ、インナーリ
ード先端のボンディングエリアについてもパラジウムめ
っきを施すことによってボンディング性の向上をはかる
ことができるという利点を有している。
【０００４】また、従来の半田めっきに比較して融点が
高いため高温処理が可能であるという利点を有している
上、パラジウムめっき層は硬いため、薄いリードフレー
ムに対しても、十分な強度を与えることができ、下地材
料に限定されることがない。しかしながら、ピンホール
が形成され易く、リードフレーム素材が露出すると錆等
の原因となるため、錆を防止しようとすると厚く形成し
なければならず、厚くすると高密度リードフレームでは
リード間隔が狭くなり、短絡等の原因となる。 そこ
で、従来は、図３に断面図を示すように４２アロイと指
称されている鉄−ニッケル合金からなるリードフレーム
素材２０をニッケル（Ｎｉ）層２１からなる下地層で一
旦被覆し、この上層をパラジウムめっき層２２で覆うよ
うにしている。
高いため高温処理が可能であるという利点を有している
上、パラジウムめっき層は硬いため、薄いリードフレー
ムに対しても、十分な強度を与えることができ、下地材
料に限定されることがない。しかしながら、ピンホール
が形成され易く、リードフレーム素材が露出すると錆等
の原因となるため、錆を防止しようとすると厚く形成し
なければならず、厚くすると高密度リードフレームでは
リード間隔が狭くなり、短絡等の原因となる。 そこ
で、従来は、図３に断面図を示すように４２アロイと指
称されている鉄−ニッケル合金からなるリードフレーム
素材２０をニッケル（Ｎｉ）層２１からなる下地層で一
旦被覆し、この上層をパラジウムめっき層２２で覆うよ
うにしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように、半導体装
置の高集積化に伴い、リ−ド間隔およびリード幅は小さ
くなる一方であり、加工精度の向上が大きな問題となっ
ており、パラジウムめっきを施したリードフレームが注
目されているが、下地めっき層にピンホールが形成され
ると、リードフレームの素地が露出し、これが錆発生の
原因となるという問題があった。
置の高集積化に伴い、リ−ド間隔およびリード幅は小さ
くなる一方であり、加工精度の向上が大きな問題となっ
ており、パラジウムめっきを施したリードフレームが注
目されているが、下地めっき層にピンホールが形成され
ると、リードフレームの素地が露出し、これが錆発生の
原因となるという問題があった。
【０００６】また、アウターリードの成形を行う際に、
折り曲げ部にクラックが発生しやすいという問題がある
。
折り曲げ部にクラックが発生しやすいという問題がある
。
【０００７】本発明は、前記実情に鑑みてなされたもの
で、素材とパラジウムめっき層との密着性が良好で錆発
生がなく、製造が容易で高精度でかつ信頼性の高いリー
ドフレームを提供することを目的とする。
で、素材とパラジウムめっき層との密着性が良好で錆発
生がなく、製造が容易で高精度でかつ信頼性の高いリー
ドフレームを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】そこで本発明の第１のリ
ードフレームでは、リードフレームの少なくともインナ
ーリード先端あるいはアウターリードの表面に形成され
るパラジウム（Ｐｄ）またはパラジウム合金めっき層を
、亜鉛（Ｚｎ）−錫（Ｓｎ）合金めっきまたは錫（Ｓｎ
）−ニッケル（Ｎｉ）合金めっきからなる下地層を介し
て形成するようにしている。
ードフレームでは、リードフレームの少なくともインナ
ーリード先端あるいはアウターリードの表面に形成され
るパラジウム（Ｐｄ）またはパラジウム合金めっき層を
、亜鉛（Ｚｎ）−錫（Ｓｎ）合金めっきまたは錫（Ｓｎ
）−ニッケル（Ｎｉ）合金めっきからなる下地層を介し
て形成するようにしている。
【０００９】本発明の第２のリードフレームでは、前記
第１の構成における下地層とパラジウムめっき層との間
にニッケルを主成分とする中間層を介在させるようにし
ている。
第１の構成における下地層とパラジウムめっき層との間
にニッケルを主成分とする中間層を介在させるようにし
ている。
【００１０】
【作用】上記構成によれば、下地層が極めて密着性よく
形成されておりかつ展性が良好であるため、アウターリ
ードの成形を行う際に、折り曲げ部にクラックが発生し
たりすることなく、素材被覆状態を良好に維持すること
ができる。
形成されておりかつ展性が良好であるため、アウターリ
ードの成形を行う際に、折り曲げ部にクラックが発生し
たりすることなく、素材被覆状態を良好に維持すること
ができる。
【００１１】また、素地の露出による錆発生のおそれも
なく、実装に際しても半田付着性が良好で、ボンディン
グ性の高いリードフレームを得ることが可能となる。
なく、実装に際しても半田付着性が良好で、ボンディン
グ性の高いリードフレームを得ることが可能となる。
【００１２】また、インナーリード相互間あるいはアウ
ターリード相互間の位置を維持するために絶縁性テープ
の貼着時に、１８０℃以上に昇温しなければならないが
、半田めっきの場合１８０℃以上になると溶けてしまい
、流れて隣接リードとの短絡等の不良を生じ易いが、パ
ラジウム（Ｐｄ）またはパラジウム合金めっきを用いた
場合、絶縁性テープを用いても、溶融することもなく良
好に維持される。
ターリード相互間の位置を維持するために絶縁性テープ
の貼着時に、１８０℃以上に昇温しなければならないが
、半田めっきの場合１８０℃以上になると溶けてしまい
、流れて隣接リードとの短絡等の不良を生じ易いが、パ
ラジウム（Ｐｄ）またはパラジウム合金めっきを用いた
場合、絶縁性テープを用いても、溶融することもなく良
好に維持される。
【００１３】さらに、本発明の第２によれば、下地層と
パラジウムめっき層との間にニッケルを主成分とする中
間層を介在させるようにしているため、下地層とパラジ
ウムめっき層との間の密着性がさらに向上する。
パラジウムめっき層との間にニッケルを主成分とする中
間層を介在させるようにしているため、下地層とパラジ
ウムめっき層との間の密着性がさらに向上する。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
しつつ詳細に説明する。
しつつ詳細に説明する。
【００１５】本発明実施例のリ―ドフレ―ムは、図１（
ａ） に平面図、図１（ｂ） にそのＡ−Ａ断面図を示
す如く、パラジウムめっきの下地層１として亜鉛−錫（
Ｚｎ３０％−Ｓｎ７０％）合金を用いたことを特徴とす
るものである。
ａ） に平面図、図１（ｂ） にそのＡ−Ａ断面図を示
す如く、パラジウムめっきの下地層１として亜鉛−錫（
Ｚｎ３０％−Ｓｎ７０％）合金を用いたことを特徴とす
るものである。
【００１６】すなわち、リードフレーム素材１０表面全
体に亜鉛（Ｚｎ）−錫（Ｓｎ）合金からなる下地めっき
層１が形成され、さらにダイパッド１１、インナーリー
ド１２先端およびアウターリード１４にはこの上層にパ
ラジウムめっき層２が形成されている。
体に亜鉛（Ｚｎ）−錫（Ｓｎ）合金からなる下地めっき
層１が形成され、さらにダイパッド１１、インナーリー
ド１２先端およびアウターリード１４にはこの上層にパ
ラジウムめっき層２が形成されている。
【００１７】すなわち、ダイパッド１１のまわりにイン
ナーリード１２が放射状に配列され、タイバー１３で一
体的に連結されると共に、各インナーリードにアウター
リード１４が連設されて、サイドバー１５，１６によっ
て先端を支持せしめられている。ここで１７はサポート
バーである。
ナーリード１２が放射状に配列され、タイバー１３で一
体的に連結されると共に、各インナーリードにアウター
リード１４が連設されて、サイドバー１５，１６によっ
て先端を支持せしめられている。ここで１７はサポート
バーである。
【００１８】次に、このリ−ドフレ−ムの製造方法につ
いて説明する。
いて説明する。
【００１９】まず、アロイ４２と指称されている金属条
材１０を順送り金型に装着してプレス加工により、所望
の形状のインナーリード１２、アウターリード１４など
をパタ―ニングする。
材１０を順送り金型に装着してプレス加工により、所望
の形状のインナーリード１２、アウターリード１４など
をパタ―ニングする。
【００２０】続いて、膜厚１μｍ の亜鉛−錫めっき層
１および膜厚０．１μｍ のパラジウムめっき層２を形
成する。
１および膜厚０．１μｍ のパラジウムめっき層２を形
成する。
【００２１】そして、必要に応じて、ピンホールに酸化
防止剤を充填する。例えば酸化防止剤に浸漬したのち、
ピンホール領域以外の酸化防止剤を剥離除去しニッケル
めっき層でできたピンホール領域内にのみ酸化防止剤を
充填する。
防止剤を充填する。例えば酸化防止剤に浸漬したのち、
ピンホール領域以外の酸化防止剤を剥離除去しニッケル
めっき層でできたピンホール領域内にのみ酸化防止剤を
充填する。
【００２２】このようにして形成されたリ―ドフレ―ム
は、ダイパッド１１上に半導体チップを接続し、ワイヤ
ボンディング工程を経て樹脂封止を行い、サイドバー１
５，１６を切除し、面実装用にアウターリードを折り曲
げ、実装用基板の配線パターン上に位置決めを行い、実
装用基板側を加熱することにより固着される。
は、ダイパッド１１上に半導体チップを接続し、ワイヤ
ボンディング工程を経て樹脂封止を行い、サイドバー１
５，１６を切除し、面実装用にアウターリードを折り曲
げ、実装用基板の配線パターン上に位置決めを行い、実
装用基板側を加熱することにより固着される。
【００２３】このリードフレームによれば、アウターリ
ードの成形を行う際に、折り曲げを行っても亜鉛−錫下
地層が極めて密着性よく形成され、展性が良好であり、
クラックが発生したりすることもなく、素材被覆状態を
良好に維持することができる。 また、下地層が密着
性よく形成されているためパラジウムめっき層をより薄
く形成することができ、さらなる高密度化をはかること
ができる。
ードの成形を行う際に、折り曲げを行っても亜鉛−錫下
地層が極めて密着性よく形成され、展性が良好であり、
クラックが発生したりすることもなく、素材被覆状態を
良好に維持することができる。 また、下地層が密着
性よく形成されているためパラジウムめっき層をより薄
く形成することができ、さらなる高密度化をはかること
ができる。
【００２４】また、素地の露出による錆発生のおそれも
なく、実装に際しても半田付着性が良好で、ボンディン
グ性の高いリードフレームを得ることが可能となる。
なく、実装に際しても半田付着性が良好で、ボンディン
グ性の高いリードフレームを得ることが可能となる。
【００２５】また、このようにして形成されたリ―ドフ
レ―ムは、硬いパラジウムめっきで補強されるため、プ
レス工程の出発材料を肉薄とすることができ、これによ
り歪の少ないリードフレームを得ることができる。従っ
て、後続工程における加熱工程を経ても変形の少ないリ
ードフレームを得ることが可能となる。
レ―ムは、硬いパラジウムめっきで補強されるため、プ
レス工程の出発材料を肉薄とすることができ、これによ
り歪の少ないリードフレームを得ることができる。従っ
て、後続工程における加熱工程を経ても変形の少ないリ
ードフレームを得ることが可能となる。
【００２６】このようにして、高密度にアウターリード
が形成された半導体装置も、極めて容易に信頼性よく実
装することが可能である。
が形成された半導体装置も、極めて容易に信頼性よく実
装することが可能である。
【００２７】なお、前記実施例では、下地層として亜鉛
：錫比が３：７の亜鉛−錫めっき層を用いた場合につい
て説明したが、この成分比については適宜変更可能であ
り、また他の成分を含むものでもよく、また錫（Ｓｎ）
−ニッケル（Ｎｉ）合金層を用いても同様の効果を得る
ことができる。
：錫比が３：７の亜鉛−錫めっき層を用いた場合につい
て説明したが、この成分比については適宜変更可能であ
り、また他の成分を含むものでもよく、また錫（Ｓｎ）
−ニッケル（Ｎｉ）合金層を用いても同様の効果を得る
ことができる。
【００２８】また、これら下地層とパラジウムめっき層
との間に中間層を形成するようにしてもよい。この例に
ついて説明する。
との間に中間層を形成するようにしてもよい。この例に
ついて説明する。
【００２９】本発明の第２の実施例のリードフレームは
、図２に要部断面図を示すように、実施例１のリードフ
レームの、亜鉛−錫めっき層１とパラジウムめっき層２
との間に中間層としてニッケルめっき層３を介在させた
ことを特徴とするものである。 他の部分については
実施例１のリードフレームと全く同様に形成されている
。 このリードフレームによれば、下地層である亜鉛
−錫めっき層１と表面層であるパラジウムめっき層２と
の間にニッケルめっき層３を介在させているため、下地
層とパラジウムめっき層との間の密着性がさらに向上す
る。
、図２に要部断面図を示すように、実施例１のリードフ
レームの、亜鉛−錫めっき層１とパラジウムめっき層２
との間に中間層としてニッケルめっき層３を介在させた
ことを特徴とするものである。 他の部分については
実施例１のリードフレームと全く同様に形成されている
。 このリードフレームによれば、下地層である亜鉛
−錫めっき層１と表面層であるパラジウムめっき層２と
の間にニッケルめっき層３を介在させているため、下地
層とパラジウムめっき層との間の密着性がさらに向上す
る。
【００３０】なお、前記実施例では、中間層としてニッ
ケル層を用いたが、ニッケルを主成分とする層であれば
良い。
ケル層を用いたが、ニッケルを主成分とする層であれば
良い。
【００３１】また、金属条材１０と下地層との間にさら
に他の層を介在させても良く、前記実施例のように素材
が４２アロイ（鉄−ニッケル合金）の場合は銅めっき層
を介在させることにより、さらに密着性が向上する。
に他の層を介在させても良く、前記実施例のように素材
が４２アロイ（鉄−ニッケル合金）の場合は銅めっき層
を介在させることにより、さらに密着性が向上する。
【００３２】また、前記実施例では、パラジウムめっき
工程後に酸化防止剤を塗布するようにしたが、亜鉛−錫
めっき工程後パラジウムめっき工程に先立ち、酸化防止
剤に浸漬し、ピンホール領域以外の酸化防止剤を剥離除
去しニッケルめっき層でできたピンホール領域内にのみ
酸化防止剤を充填し、その後パラジウムめっき層を形成
するようにしてもよい。
工程後に酸化防止剤を塗布するようにしたが、亜鉛−錫
めっき工程後パラジウムめっき工程に先立ち、酸化防止
剤に浸漬し、ピンホール領域以外の酸化防止剤を剥離除
去しニッケルめっき層でできたピンホール領域内にのみ
酸化防止剤を充填し、その後パラジウムめっき層を形成
するようにしてもよい。
【００３３】さらにめっき領域としては、実施例に限定
されることなく適宜変更可能であり、また素材表面全体
をめっき層で被覆するようにしてもよい。
されることなく適宜変更可能であり、また素材表面全体
をめっき層で被覆するようにしてもよい。
【００３４】加えて、リードフレーム素材としては、ア
ロイ４２に限定されることなく、銅等他の材料を用いる
ようにしてもよい。
ロイ４２に限定されることなく、銅等他の材料を用いる
ようにしてもよい。
【００３５】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、リードフレームの少なくともインナーリードまたは
アウターリード表面をパラジウム（Ｐｄ）またはパラジ
ウム合金めっき層で被覆するに際し、下地層として、亜
鉛−錫合金または錫−ニッケル合金層を介在させるよう
にしているため、曲げ加工の際にも剥離したりすること
なく、また錆の発生もなく信頼性の高いリードフレーム
を提供することが可能となる。
ば、リードフレームの少なくともインナーリードまたは
アウターリード表面をパラジウム（Ｐｄ）またはパラジ
ウム合金めっき層で被覆するに際し、下地層として、亜
鉛−錫合金または錫−ニッケル合金層を介在させるよう
にしているため、曲げ加工の際にも剥離したりすること
なく、また錆の発生もなく信頼性の高いリードフレーム
を提供することが可能となる。
【図１】本発明実施例のリードフレームを示す図
【図２
】本発明の第２の実施例のリードフレームの要部を示す
図
】本発明の第２の実施例のリードフレームの要部を示す
図
【図３】従来例のリードフレームの断面図
１ 亜鉛−錫合金層
２ パラジウムめっき層
３ ニッケル層
１０ リードフレーム素材
１１ ダイパッド、
１２ インナ−リ―ド
１３ タイバ―
１４ アウタ−リ―ド
１５ サイドバー、
１６ サイドバー、
１７ サポ―トバ―
２０ リードフレーム素材
２１ ニッケルめっき層
２２ パラジウムめっき層
Claims (2)
- 【請求項１】 複数のアウターリードと、前記アウタ
ーリードに連設され半導体素子搭載部分近傍に向かって
伸長する複数のインナーリードとを具備したリードフレ
ームにおいて、少なくともインナーリード先端あるいは
アウターリードの表面が、亜鉛（Ｚｎ）−錫（Ｓｎ）合
金めっきまたは錫（Ｓｎ）−ニッケル（Ｎｉ）合金めっ
きからなる下地層と、この下地層の上層に形成されたパ
ラジウム（Ｐｄ）またはパラジウム合金めっき層とで被
覆されていることを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項２】 複数のアウターリードと、前記アウタ
ーリードに連設され半導体素子搭載部分近傍に向かって
伸長する複数のインナーリードとを具備したリードフレ
ームにおいて、少なくともインナーリード先端あるいは
アウターリードの表面が、亜鉛（Ｚｎ）−錫（Ｓｎ）合
金めっきまたは錫（Ｓｎ）−ニッケル（Ｎｉ）合金めっ
きからなる下地層と、この下地層の上層に形成されたニ
ッケルを主成分とする中間層と、前記中間層の上層に形
成されたパラジウム（Ｐｄ）またはパラジウム合金めっ
き層とで被覆されていることを特徴とするリードフレー
ム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4678891A JPH04212443A (ja) | 1990-11-13 | 1991-03-12 | リードフレーム |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-306534 | 1990-11-13 | ||
| JP30653490 | 1990-11-13 | ||
| JP4678891A JPH04212443A (ja) | 1990-11-13 | 1991-03-12 | リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04212443A true JPH04212443A (ja) | 1992-08-04 |
Family
ID=26386905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4678891A Pending JPH04212443A (ja) | 1990-11-13 | 1991-03-12 | リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04212443A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6593643B1 (en) * | 1999-04-08 | 2003-07-15 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Semiconductor device lead frame |
| US8003444B2 (en) | 2005-08-10 | 2011-08-23 | Mitsui High-Tec, Inc. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
-
1991
- 1991-03-12 JP JP4678891A patent/JPH04212443A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6593643B1 (en) * | 1999-04-08 | 2003-07-15 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Semiconductor device lead frame |
| US8003444B2 (en) | 2005-08-10 | 2011-08-23 | Mitsui High-Tec, Inc. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
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