JPH04212475A - 光起電力装置の製造方法 - Google Patents
光起電力装置の製造方法Info
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- JPH04212475A JPH04212475A JP3061867A JP6186791A JPH04212475A JP H04212475 A JPH04212475 A JP H04212475A JP 3061867 A JP3061867 A JP 3061867A JP 6186791 A JP6186791 A JP 6186791A JP H04212475 A JPH04212475 A JP H04212475A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、可撓性を有する光起電
力装置の製造方法に関する。
力装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来からこの種可撓性を有する光起電力
装置として、ステンレス等の可撓性を有する基板上に、
絶縁膜、金属背面電極、光活性層を含む薄膜半導体層及
び透明電極を順次形成したものが存在している。
装置として、ステンレス等の可撓性を有する基板上に、
絶縁膜、金属背面電極、光活性層を含む薄膜半導体層及
び透明電極を順次形成したものが存在している。
【０００３】しかしながら、この構造の光起電力装置で
は、可撓性を有すると言えども、十分ではなかった。
は、可撓性を有すると言えども、十分ではなかった。
【０００４】そこで、支持基板の上面に、絶縁性、透光
性かつ可撓性を有する第１樹脂層と、第１電極、薄膜半
導体層及び第２電極の積層体からなる光電変換素子と、
絶縁性かつ可撓性を有する第２樹脂層と、を順次積層形
成した後、上記第１樹脂層を上記支持基板から剥離する
光起電力装置の製造方法が、特開平１−１０５５８１号
公報に提案されている。
性かつ可撓性を有する第１樹脂層と、第１電極、薄膜半
導体層及び第２電極の積層体からなる光電変換素子と、
絶縁性かつ可撓性を有する第２樹脂層と、を順次積層形
成した後、上記第１樹脂層を上記支持基板から剥離する
光起電力装置の製造方法が、特開平１−１０５５８１号
公報に提案されている。
【０００５】上述した第１樹脂層としては、耐熱性に優
れているポリイミド樹脂が用いられており、また、その
膜厚を非常に薄くすることができるため、非常に可撓性
に富んだ光起電力装置を製造することができる。
れているポリイミド樹脂が用いられており、また、その
膜厚を非常に薄くすることができるため、非常に可撓性
に富んだ光起電力装置を製造することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述の方法
においては、光起電力装置の形成途中で支持基板と第１
樹脂層とが剥離しないようにしなければならない。この
ために、第１樹脂層と支持基板との密着性を、支持基板
全面にわたって強くすることが考えられるが、その場合
、光起電力装置の形成後、支持基板から第１樹脂層を剥
離する工程において、基板全体を水に浸漬し、光起電力
装置の内部応力によって第１樹脂層が支持基板から剥離
するのに、非常に時間が掛かってしまう。
においては、光起電力装置の形成途中で支持基板と第１
樹脂層とが剥離しないようにしなければならない。この
ために、第１樹脂層と支持基板との密着性を、支持基板
全面にわたって強くすることが考えられるが、その場合
、光起電力装置の形成後、支持基板から第１樹脂層を剥
離する工程において、基板全体を水に浸漬し、光起電力
装置の内部応力によって第１樹脂層が支持基板から剥離
するのに、非常に時間が掛かってしまう。
【０００７】本発明は、上述の問題点に鑑みてなされた
ものであって、支持基板上に光起電力装置を形成する工
程中は、支持基板と第１樹脂層とが確実に接着しており
、また光起電力装置の完成後は、支持基板と第１樹脂層
とが容易に剥離可能で、短時間で両者の剥離が行える光
起電力装置の製造方法を提供することをその課題とする
。
ものであって、支持基板上に光起電力装置を形成する工
程中は、支持基板と第１樹脂層とが確実に接着しており
、また光起電力装置の完成後は、支持基板と第１樹脂層
とが容易に剥離可能で、短時間で両者の剥離が行える光
起電力装置の製造方法を提供することをその課題とする
。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、支持基板の上
面に、絶縁性かつ可撓性を有する第１樹脂層と、第１電
極、薄膜半導体層及び第２電極の積層体からなる光電変
換素子と、を少なくとも順次積層形成した後、上記第１
樹脂層を上記支持基板から剥離する光起電力装置の製造
方法において、上記支持基板から剥離する光起電力装置
部分を囲繞する位置の少なくとも一部分における上記第
１樹脂層と上記支持基板との密着力を、その他の部分よ
り強くしたことを特徴とする。
面に、絶縁性かつ可撓性を有する第１樹脂層と、第１電
極、薄膜半導体層及び第２電極の積層体からなる光電変
換素子と、を少なくとも順次積層形成した後、上記第１
樹脂層を上記支持基板から剥離する光起電力装置の製造
方法において、上記支持基板から剥離する光起電力装置
部分を囲繞する位置の少なくとも一部分における上記第
１樹脂層と上記支持基板との密着力を、その他の部分よ
り強くしたことを特徴とする。
【０００９】
【作用】本発明によれば、光起電力装置の形成途中にお
いて、第１樹脂層は、その周囲支持基板に強固に接着さ
れているので、支持基板から剥離せず、一方、光起電力
装置の完成後は、支持基板から容易に剥離することがで
きる。
いて、第１樹脂層は、その周囲支持基板に強固に接着さ
れているので、支持基板から剥離せず、一方、光起電力
装置の完成後は、支持基板から容易に剥離することがで
きる。
【００１０】
【実施例】図１乃至図４は、本発明の第１実施例を示し
ている。
ている。
【００１１】まず、図１に示すように、ガラス、セラミ
ックスなどからなる支持基板１の一方の主面周縁におけ
る支持基板１と後工程で積層する第１樹脂層３との密着
力を、その他の部分より強くするべく、支持基板１の上
面周縁に、両者に対して接着力が強い材料から成る接着
層２を形成している。この接着層２は、図２に示すよう
に、支持基板１の外周に沿って、即ち、後工程を経て形
成される光起電力装置１０の支持基板１から剥離される
部分を囲繞すべく設けられる。より具体的に説明すると
、支持基板１として、約１００ｍｍ角のガラスの表面を
きれいに研摩した後、支持基板１の周縁から１〜５ｍｍ
の余白を置いて、０．１〜３ｍｍのライン幅の接着層２
を、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）などの金属膜を
厚さ２０００Å〜１μｍ程度に蒸着、スパッタなどの方
法を用いて形成している。また、Ａｇペースト、Ａｌペ
ーストなどの金属ペーストを５〜３０μｍ程度に印刷法
により塗布した後、３００〜６００℃の温度にて焼結し
て接着層２としてもよい。
ックスなどからなる支持基板１の一方の主面周縁におけ
る支持基板１と後工程で積層する第１樹脂層３との密着
力を、その他の部分より強くするべく、支持基板１の上
面周縁に、両者に対して接着力が強い材料から成る接着
層２を形成している。この接着層２は、図２に示すよう
に、支持基板１の外周に沿って、即ち、後工程を経て形
成される光起電力装置１０の支持基板１から剥離される
部分を囲繞すべく設けられる。より具体的に説明すると
、支持基板１として、約１００ｍｍ角のガラスの表面を
きれいに研摩した後、支持基板１の周縁から１〜５ｍｍ
の余白を置いて、０．１〜３ｍｍのライン幅の接着層２
を、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）などの金属膜を
厚さ２０００Å〜１μｍ程度に蒸着、スパッタなどの方
法を用いて形成している。また、Ａｇペースト、Ａｌペ
ーストなどの金属ペーストを５〜３０μｍ程度に印刷法
により塗布した後、３００〜６００℃の温度にて焼結し
て接着層２としてもよい。
【００１２】次に、図３に示すように、接着層２を含ん
で支持基板１の一方の主面上に、少なくとも絶縁性かつ
可撓性を有する有機高分子からなる第１樹脂層３が５〜
１００μｍの厚さで形成される。具体的には、第１樹脂
層３に透光性を持たせる場合、透明ポリイミドのワニス
をスピンコータ、あるいはロールコータ等で均一に塗布
し、１００℃から３００℃間で段階的に昇温しながら処
理する。ここで膜厚が５μｍ以下では、後述の工程で第
１樹脂層３を支持基板１から剥離したときに機械的強度
が不十分であり、また膜厚が１００μｍでは十分な光透
過性が得られないことから、第１樹脂層３は上述のよう
に膜厚５〜１００μｍが好ましい。
で支持基板１の一方の主面上に、少なくとも絶縁性かつ
可撓性を有する有機高分子からなる第１樹脂層３が５〜
１００μｍの厚さで形成される。具体的には、第１樹脂
層３に透光性を持たせる場合、透明ポリイミドのワニス
をスピンコータ、あるいはロールコータ等で均一に塗布
し、１００℃から３００℃間で段階的に昇温しながら処
理する。ここで膜厚が５μｍ以下では、後述の工程で第
１樹脂層３を支持基板１から剥離したときに機械的強度
が不十分であり、また膜厚が１００μｍでは十分な光透
過性が得られないことから、第１樹脂層３は上述のよう
に膜厚５〜１００μｍが好ましい。
【００１３】一方、第１樹脂層３に透光性を要求しない
場合、通常の透明でないポリイミドのワニスをスピンコ
ータ、あるいはロールコータ等で均一に塗布し、１００
℃から３００℃間で段階的に昇温しながら処理する。
場合、通常の透明でないポリイミドのワニスをスピンコ
ータ、あるいはロールコータ等で均一に塗布し、１００
℃から３００℃間で段階的に昇温しながら処理する。
【００１４】その後、この第１樹脂層３の上面に、第１
樹脂層３が透光性を有する場合、膜厚２０００〜５００
０Åの酸化錫（ＳｎＯ２）、酸化インジウム錫（ＩＴＯ
）等 からなる透明な電極層が、または第１樹脂層３が
非透光性である場合、膜厚２０００Å〜１μｍ程度のＡ
ｌ単層構造、またはＡｌ、チタン（Ｔｉ）、Ａｇ、Ｔｉ
Ａｇ合金等のいずれかを２層に、更には多層に積層した
積層構造の金属からなる電極層が、第１電極４として形
成される。
樹脂層３が透光性を有する場合、膜厚２０００〜５００
０Åの酸化錫（ＳｎＯ２）、酸化インジウム錫（ＩＴＯ
）等 からなる透明な電極層が、または第１樹脂層３が
非透光性である場合、膜厚２０００Å〜１μｍ程度のＡ
ｌ単層構造、またはＡｌ、チタン（Ｔｉ）、Ａｇ、Ｔｉ
Ａｇ合金等のいずれかを２層に、更には多層に積層した
積層構造の金属からなる電極層が、第１電極４として形
成される。
【００１５】続いて、この第１電極４の上面に、内部に
膜面に平行なｐｉｎ、ｐｎ接合等の半導体光活性層を含
む半導体接合を備えた膜厚３０００〜７０００Åのアモ
ルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）、アモルファスシリコン
カーバイド（ａ−ＳｉＣ）、アモルファスシリコンゲル
マニウム（ａ−ＳｉＧｅ）等のアモルファスシリコン系
の半導体層５が、プラズマＣＶＤ法や光ＣＶＤ法により
形成される。
膜面に平行なｐｉｎ、ｐｎ接合等の半導体光活性層を含
む半導体接合を備えた膜厚３０００〜７０００Åのアモ
ルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）、アモルファスシリコン
カーバイド（ａ−ＳｉＣ）、アモルファスシリコンゲル
マニウム（ａ−ＳｉＧｅ）等のアモルファスシリコン系
の半導体層５が、プラズマＣＶＤ法や光ＣＶＤ法により
形成される。
【００１６】更に、この半導体層５の上面に、第１電極
４が透明電極である場合、４０００Å〜２μｍ程度の厚
さのＡｌ単層構造、またはＡｌ、Ｔｉ、Ａｇ、ＴｉＡｇ
合金等のいずれかを２層に、更には多層に積層した積層
構造の金属からなる電極層が、または第１電極４が金属
電極である場合、２００〜２０００Å程度の膜厚のＳｎ
Ｏ２、ＩＴＯ等からなる透明な電極層が、第２電極６と
して形成され、よって 、第１電極４、半導体層５及び
第２電極６の積層体からなる光電変換素子７が完成する
。
４が透明電極である場合、４０００Å〜２μｍ程度の厚
さのＡｌ単層構造、またはＡｌ、Ｔｉ、Ａｇ、ＴｉＡｇ
合金等のいずれかを２層に、更には多層に積層した積層
構造の金属からなる電極層が、または第１電極４が金属
電極である場合、２００〜２０００Å程度の膜厚のＳｎ
Ｏ２、ＩＴＯ等からなる透明な電極層が、第２電極６と
して形成され、よって 、第１電極４、半導体層５及び
第２電極６の積層体からなる光電変換素子７が完成する
。
【００１７】然る後、第２電極６の上面に、これが金属
電極である場合には、２０〜１００μｍ程度の厚さのエ
チレンビニルアセテート（ＥＶＡ）、ポリエチレンテレ
フタレート（ＰＥＴ）等の熱可塑性樹脂シートからなり
、一方、第２電極６が透明電極である場合には、２０〜
１００μｍ程度の厚さの透明なＰＥＴ、フッ素樹脂等の
熱可塑性樹脂シートからなる第２樹脂層８が形成される
。
電極である場合には、２０〜１００μｍ程度の厚さのエ
チレンビニルアセテート（ＥＶＡ）、ポリエチレンテレ
フタレート（ＰＥＴ）等の熱可塑性樹脂シートからなり
、一方、第２電極６が透明電極である場合には、２０〜
１００μｍ程度の厚さの透明なＰＥＴ、フッ素樹脂等の
熱可塑性樹脂シートからなる第２樹脂層８が形成される
。
【００１８】尚、第２樹脂層８は、後述の工程である支
持基板１から第１樹脂層３を剥離する工程の後に、第２
電極６上に形成してもよい。
持基板１から第１樹脂層３を剥離する工程の後に、第２
電極６上に形成してもよい。
【００１９】最後に、図４に示す如く、接着層２の内側
に沿ってレーザビームを照射することにより、または機
械的にカッティングすることにより、切断ライン９を描
く。尚、レーザビームを用いる場合、その強度は、照射
部分の全ての層、即ち第１樹脂層３、光電変換素子７の
各層４、５、６及び第２樹脂層８を溶融する強度である
必要がある。この切断ライン９を描くことによってその
内側の部分は、支持基板１と第１樹脂層３との間で強い
接着力を示す接着層２を有する個所から切断される。そ
の後、水中に浸漬するか、または機械的外力を付与する
ことにより、切断ライン９の内側部分の第１樹脂層３は
、支持基板１から容易に剥離され、可撓性を有する光起
電力装置１０が得られる。
に沿ってレーザビームを照射することにより、または機
械的にカッティングすることにより、切断ライン９を描
く。尚、レーザビームを用いる場合、その強度は、照射
部分の全ての層、即ち第１樹脂層３、光電変換素子７の
各層４、５、６及び第２樹脂層８を溶融する強度である
必要がある。この切断ライン９を描くことによってその
内側の部分は、支持基板１と第１樹脂層３との間で強い
接着力を示す接着層２を有する個所から切断される。そ
の後、水中に浸漬するか、または機械的外力を付与する
ことにより、切断ライン９の内側部分の第１樹脂層３は
、支持基板１から容易に剥離され、可撓性を有する光起
電力装置１０が得られる。
【００２０】ところで、本発明の特徴は、支持基板１か
ら剥離する光起電力装置１０部分を囲繞する位置の少な
くとも一部分における第１樹脂層３と支持基板１との密
着力を、その他の部分より強くしたことにあり、以下、
第２実施例乃至第８実施例を示す。尚、これらの実施例
において、第１樹脂層３と支持基板１との密着力を強く
する方法以外は、上述の第１実施例と何ら変わるところ
はないので、以下では、第１樹脂層３と支持基板１との
接着力を強くする方法だけを説明し、それ以外の説明は
省略している。
ら剥離する光起電力装置１０部分を囲繞する位置の少な
くとも一部分における第１樹脂層３と支持基板１との密
着力を、その他の部分より強くしたことにあり、以下、
第２実施例乃至第８実施例を示す。尚、これらの実施例
において、第１樹脂層３と支持基板１との密着力を強く
する方法以外は、上述の第１実施例と何ら変わるところ
はないので、以下では、第１樹脂層３と支持基板１との
接着力を強くする方法だけを説明し、それ以外の説明は
省略している。
【００２１】図５は、本発明の第２実施例を示しており
、支持基板１の一方の主面の外周に沿って、粗面２０を
形成している。粗面２０は、サンドブラスト処理等の機
械的処理、ウェットあるいはドライによるエッチング処
理等により形成される。そして、第１樹脂層（図示して
いない）が、粗面２０を含んで支持基板１の一方の主面
上に形成される。
、支持基板１の一方の主面の外周に沿って、粗面２０を
形成している。粗面２０は、サンドブラスト処理等の機
械的処理、ウェットあるいはドライによるエッチング処
理等により形成される。そして、第１樹脂層（図示して
いない）が、粗面２０を含んで支持基板１の一方の主面
上に形成される。
【００２２】図６は、本発明の第３実施例を示しており
、第１樹脂層３が支持基板１の一方の主面から側面を経
て、支持基板１の他方の主面に回り込むように形成され
る。
、第１樹脂層３が支持基板１の一方の主面から側面を経
て、支持基板１の他方の主面に回り込むように形成され
る。
【００２３】図７は、本発明の第４実施例を示しており
、支持基板１の側面に、粗面３０を形成している。この
粗面３０は、ガラス等の支持基板１を大きな基板から切
り出した後、端面に何ら処理を施さないままの状態とす
ることにより形成される。そして、第１樹脂層３が、第
３実施例と同様に、支持基板１の一方の主面から側面の
粗面３０を経て支持基板１の他方の主面に若干回り込む
ように形成される。
、支持基板１の側面に、粗面３０を形成している。この
粗面３０は、ガラス等の支持基板１を大きな基板から切
り出した後、端面に何ら処理を施さないままの状態とす
ることにより形成される。そして、第１樹脂層３が、第
３実施例と同様に、支持基板１の一方の主面から側面の
粗面３０を経て支持基板１の他方の主面に若干回り込む
ように形成される。
【００２４】図８は、本発明の第５実施例を示しており
、支持基板１の一方の主面の外周に沿って枠状に溝４０
を形成し、この溝４０を含んで支持基板１上に第１樹脂
層３を形成する。
、支持基板１の一方の主面の外周に沿って枠状に溝４０
を形成し、この溝４０を含んで支持基板１上に第１樹脂
層３を形成する。
【００２５】図９は、本発明の第６実施例を示しており
、支持基板１の一方の主面上に第１樹脂層３を形成した
後、第１樹脂層３に対し、その外周に沿って加熱処理ラ
イン５０を描いている。この加熱処理ライン５０は、第
１樹脂層３上にこれが溶融して除去されない程度に、レ
ーザビームを照射するか、またはホットプレス機を当て
ることにより形成される。
、支持基板１の一方の主面上に第１樹脂層３を形成した
後、第１樹脂層３に対し、その外周に沿って加熱処理ラ
イン５０を描いている。この加熱処理ライン５０は、第
１樹脂層３上にこれが溶融して除去されない程度に、レ
ーザビームを照射するか、またはホットプレス機を当て
ることにより形成される。
【００２６】図１０は、本発明の第７実施例を示してお
り、支持基板１の一方の主面上に第１樹脂層３を形成し
た後、第１樹脂層３に対し、その外周に沿って紫外線を
照射し、その照射ライン６０を描いている。
り、支持基板１の一方の主面上に第１樹脂層３を形成し
た後、第１樹脂層３に対し、その外周に沿って紫外線を
照射し、その照射ライン６０を描いている。
【００２７】図１１は、本発明の第８実施例を示してお
り、支持基板１の一方の主面上に第１樹脂層３を形成し
た後、第１樹脂層３の外周を、支持基板１の外周と共に
挾持固定する枠状の固定具７０により固定している。
り、支持基板１の一方の主面上に第１樹脂層３を形成し
た後、第１樹脂層３の外周を、支持基板１の外周と共に
挾持固定する枠状の固定具７０により固定している。
【００２８】以上の第２実施例乃至第８実施例における
粗面２０、第１樹脂層３の回り込み形成、粗面３０、溝
４０、加熱処理ライン５０、紫外線照射ライン６０及び
固定具７０により、支持基板１とこの上面に形成される
第１樹脂層３との密着力は、支持基板１から剥離される
光起電力装置１０を囲繞する位置において、その他の部
分より強くなる。
粗面２０、第１樹脂層３の回り込み形成、粗面３０、溝
４０、加熱処理ライン５０、紫外線照射ライン６０及び
固定具７０により、支持基板１とこの上面に形成される
第１樹脂層３との密着力は、支持基板１から剥離される
光起電力装置１０を囲繞する位置において、その他の部
分より強くなる。
【００２９】尚、上記第１実施例乃至第８実施例の各々
は、それらを単独で実施するだけでなく、適宜組み合わ
せてもよい。
は、それらを単独で実施するだけでなく、適宜組み合わ
せてもよい。
【００３０】また、上述の各実施例における接着層２、
粗面２０、第１樹脂層３の回り込み形成、粗面３０、溝
４０、加熱処理ライン５０、紫外線処理ライン６０及び
固定具７０は、支持基板１から剥離する光起電力装置１
０部分を完全に囲繞するように、連続的に設けられる必
要はなく、光起電力装置１０を囲繞する位置に、部分的
に設けられてもよい。要するに、これらは、光起電力装
置１０部分を囲繞する位置の少なくとも一部分における
第１樹脂層３と支持基板１との密着力が、その他の部分
より強くなるように設けられればよい。
粗面２０、第１樹脂層３の回り込み形成、粗面３０、溝
４０、加熱処理ライン５０、紫外線処理ライン６０及び
固定具７０は、支持基板１から剥離する光起電力装置１
０部分を完全に囲繞するように、連続的に設けられる必
要はなく、光起電力装置１０を囲繞する位置に、部分的
に設けられてもよい。要するに、これらは、光起電力装
置１０部分を囲繞する位置の少なくとも一部分における
第１樹脂層３と支持基板１との密着力が、その他の部分
より強くなるように設けられればよい。
【００３１】
【発明の効果】本発明は、支持基板の上面に、絶縁性か
つ可撓性を有する第１樹脂層と、第１電極、薄膜半導体
層及び第２電極の積層体からなる光電変換素子と、を少
なくとも順次積層形成した後、上記第１樹脂層を上記支
持基板から剥離する光起電力装置の製造方法において、
上記支持基板から剥離する光起電力装置を囲繞する位置
の少なくとも一部分における上記第１樹脂層と上記支持
基板との密着力を、その他の部分より強くしているので
、光電変換素子の形成途中においては、その光電変換素
子周囲の第１樹脂層が強固に支持基板に密着しているた
め、支持基板から第１樹脂層が剥離せず、光電変換素子
の形成は何ら支障なく行われると共に、光起電力装置完
成後は、その光起電力装置は支持基板から容易に剥離す
ることができ、可撓性を有する光起電力装置の製造工程
の簡略化が図れる。
つ可撓性を有する第１樹脂層と、第１電極、薄膜半導体
層及び第２電極の積層体からなる光電変換素子と、を少
なくとも順次積層形成した後、上記第１樹脂層を上記支
持基板から剥離する光起電力装置の製造方法において、
上記支持基板から剥離する光起電力装置を囲繞する位置
の少なくとも一部分における上記第１樹脂層と上記支持
基板との密着力を、その他の部分より強くしているので
、光電変換素子の形成途中においては、その光電変換素
子周囲の第１樹脂層が強固に支持基板に密着しているた
め、支持基板から第１樹脂層が剥離せず、光電変換素子
の形成は何ら支障なく行われると共に、光起電力装置完
成後は、その光起電力装置は支持基板から容易に剥離す
ることができ、可撓性を有する光起電力装置の製造工程
の簡略化が図れる。
【図１】本発明の第１実施例の製造方法の第１工程を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】図１の上面図である。
【図３】本発明の第１実施例の製造方法の第２工程を示
す断面図である。
す断面図である。
【図４】本発明の第１実施例の製造方法の第３工程を示
す断面図である。
す断面図である。
【図５】本発明の第２実施例を示す上面図である。
【図６】本発明の第３実施例を示す断面図である。
【図７】本発明の第４実施例を示す断面図である。
【図８】本発明の第５実施例を示す断面図である。
【図９】本発明の第６実施例を示す上面図である。
【図１０】本発明の第７実施例を示す上面図である。
【図１１】本発明の第８実施例を示す断面図である。
Claims (9)
- 【請求項１】 支持基板の上面に、絶縁性かつ可撓性
を有する第１樹脂層と、第１電極、薄膜半導体層及び第
２電極の積層体からなる光電変換素子と、を少なくとも
順次積層形成した後、上記第１樹脂層を上記支持基板か
ら剥離する光起電力装置の製造方法において、上記支持
基板から剥離する光起電力装置部分を囲繞する位置の少
なくとも一部分における上記第１樹脂層と上記支持基板
との密着力を、その他の部分より強くしたことを特徴と
する光起電力装置の製造方法。 - 【請求項２】 上記支持基板の上面における上記支持
基板から剥離する光起電力装置部分を囲繞する位置の少
なくとも一部分に、この支持基板と上記第１樹脂層との
両者に対して強い接着力を示す接着層を形成したことに
より、上記密着力を強くしたことを特徴とする請求項１
記載の光起電力装置の製造方法。 - 【請求項３】 上記支持基板の上面における上記支持
基板から剥離する光起電力装置部分を囲繞する位置の少
なくとも一部分に、粗面を形成することにより、上記密
着力を強くしたことを特徴とする請求項１記載の光起電
力装置の製造方法。 - 【請求項４】 上記第１樹脂層を上記支持基板の上面
から側面にわたって形成することにより、上記密着力を
強くしたことを特徴とする請求項１記載の光起電力装置
の製造方法。 - 【請求項５】 上記支持基板の側面の少なくとも一部
分に粗面を形成し、上記第１樹脂層を上記支持基板の上
面から側面にわたって形成することにより、上記密着力
を強くしたことを特徴とする請求項４記載の光起電力装
置の製造方法。 - 【請求項６】 上記支持基板の上面における上記支持
基板から剥離する光起電力装置部分を囲繞する位置の少
なくとも一部分に、溝を形成することにより、上記密着
力を強くしたことを特徴とする請求項１記載の光起電力
装置の製造方法。 - 【請求項７】 上記支持基板の上面に上記第１樹脂層
を形成した後、上記支持基板から剥離する光起電力装置
部分を囲繞する位置の少なくとも一部分における上記第
１樹脂層を加熱処理することにより、上記密着力を強く
したことを特徴とする請求項１記載の光起電力装置の製
造方法。 - 【請求項８】 上記支持基板の上面に上記第１樹脂層
を形成した後、上記支持基板から剥離する光起電力装置
部分を囲繞する位置の少なくとも一部分における上記第
１樹脂層に紫外線を照射することにより、上記密着力を
強くしたことを特徴とする請求項１記載の光起電力装置
の製造方法。 - 【請求項９】 上記支持基板の上面に上記第１樹脂層
を形成した後、上記支持基板から剥離する光起電力装置
部分を囲繞する位置の少なくとも一部分における上記第
１樹脂層を固定具にて固定することにより、上記密着力
を強くしたことを特徴とする請求項１記載の光起電力装
置の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-90910 | 1990-04-05 | ||
| JP9091090 | 1990-04-05 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04212475A true JPH04212475A (ja) | 1992-08-04 |
| JP2951023B2 JP2951023B2 (ja) | 1999-09-20 |
Family
ID=14011566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3061867A Expired - Lifetime JP2951023B2 (ja) | 1990-04-05 | 1991-03-26 | 光起電力装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2951023B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06334204A (ja) * | 1993-05-21 | 1994-12-02 | Ind Technol Res Inst | 可撓性アモルファスシリコン太陽電池の製造法 |
| JP2014022459A (ja) * | 2012-07-13 | 2014-02-03 | Asahi Kasei E-Materials Corp | 積層体及びフレキシブルデバイスの製造方法 |
| CN104875462A (zh) * | 2014-02-28 | 2015-09-02 | 新日铁住金化学株式会社 | 显示装置的制造方法、树脂溶液及剥离装置 |
-
1991
- 1991-03-26 JP JP3061867A patent/JP2951023B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06334204A (ja) * | 1993-05-21 | 1994-12-02 | Ind Technol Res Inst | 可撓性アモルファスシリコン太陽電池の製造法 |
| JP2014022459A (ja) * | 2012-07-13 | 2014-02-03 | Asahi Kasei E-Materials Corp | 積層体及びフレキシブルデバイスの製造方法 |
| CN104875462A (zh) * | 2014-02-28 | 2015-09-02 | 新日铁住金化学株式会社 | 显示装置的制造方法、树脂溶液及剥离装置 |
| KR20150102716A (ko) | 2014-02-28 | 2015-09-07 | 신닛테츠 수미킨 가가쿠 가부시키가이샤 | 표시장치의 제조 방법 및 표시장치용 수지용액 |
| JP2015179260A (ja) * | 2014-02-28 | 2015-10-08 | 新日鉄住金化学株式会社 | 表示装置の製造方法及び表示装置用樹脂溶液 |
| JP2017201405A (ja) * | 2014-02-28 | 2017-11-09 | 新日鉄住金化学株式会社 | 表示装置の製造方法 |
| TWI662868B (zh) * | 2014-02-28 | 2019-06-11 | 日商日鐵化學材料股份有限公司 | 顯示裝置的製造方法、樹脂溶液及剝離裝置 |
| CN104875462B (zh) * | 2014-02-28 | 2019-12-03 | 日铁化学材料株式会社 | 显示装置的制造方法、树脂、树脂溶液及剥离装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2951023B2 (ja) | 1999-09-20 |
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