JPH04213385A - 刺激可能な記憶蛍光体の製法 - Google Patents
刺激可能な記憶蛍光体の製法Info
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- JPH04213385A JPH04213385A JP3038122A JP3812291A JPH04213385A JP H04213385 A JPH04213385 A JP H04213385A JP 3038122 A JP3038122 A JP 3038122A JP 3812291 A JP3812291 A JP 3812291A JP H04213385 A JPH04213385 A JP H04213385A
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- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—HANDLING OF PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2012—Measuring radiation intensity with scintillation detectors using stimulable phosphors, e.g. stimulable phosphor sheets
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—HANDLING OF PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
- G21K2004/06—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens with a phosphor layer
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- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ線像の読み出しが第
１波長の光線による励起によって行われ、その後第２波
長の光線が放出される形式の、Ｘ線像を潜在的に記憶す
るための刺激可能の記憶蛍光体を製造する方法に関する
。
１波長の光線による励起によって行われ、その後第２波
長の光線が放出される形式の、Ｘ線像を潜在的に記憶す
るための刺激可能の記憶蛍光体を製造する方法に関する
。
【０００２】
【従来の技術】またこの種の方法は例えば欧州特許出願
公開第０１７４８７５号明細書から公知である。この種
の記憶蛍光体は、例えばドイツ連邦共和国特許第２３６
３９９５号明細書に記載されているような撮像デバイス
で使用される。この種のＸ線診断装置では光線感応変換
器としてＸ線で照射されるルミネセンス−記憶蛍光体か
らなる記憶蛍光体が使用される。これにより記憶蛍光体
中には衝突する光線の強さに応じて正孔が生じ、これら
が一層高いエネルギー準位を有する電位降下部（トラッ
プ）中に蓄積され、その結果潜在的Ｘ線像が記憶蛍光体
内に記憶される。
公開第０１７４８７５号明細書から公知である。この種
の記憶蛍光体は、例えばドイツ連邦共和国特許第２３６
３９９５号明細書に記載されているような撮像デバイス
で使用される。この種のＸ線診断装置では光線感応変換
器としてＸ線で照射されるルミネセンス−記憶蛍光体か
らなる記憶蛍光体が使用される。これにより記憶蛍光体
中には衝突する光線の強さに応じて正孔が生じ、これら
が一層高いエネルギー準位を有する電位降下部（トラッ
プ）中に蓄積され、その結果潜在的Ｘ線像が記憶蛍光体
内に記憶される。
【０００３】読み出し装置内でこの記憶蛍光体の全面は
、付加的な光源（例えばレーザであってもよい）の受容
器として像点様に励起されて発光する。トラップ内に蓄
積された電子は刺激性光線によりそのエネルギー準位で
起こされ、低いエネルギー準位に戻ることができ、その
エネルギー差が光量子の形で放射される。これにより記
憶蛍光体は、記憶蛍光体中に蓄積されたエネルギーとの
関連において光を放出する。この刺激によって放出され
た光が検出され、可視化され、このようにして記憶蛍光
体中に潜在的に記憶されたＸ線像を読み出すことができ
る。
、付加的な光源（例えばレーザであってもよい）の受容
器として像点様に励起されて発光する。トラップ内に蓄
積された電子は刺激性光線によりそのエネルギー準位で
起こされ、低いエネルギー準位に戻ることができ、その
エネルギー差が光量子の形で放射される。これにより記
憶蛍光体は、記憶蛍光体中に蓄積されたエネルギーとの
関連において光を放出する。この刺激によって放出され
た光が検出され、可視化され、このようにして記憶蛍光
体中に潜在的に記憶されたＸ線像を読み出すことができ
る。
【０００４】この場合記憶蛍光体がレーザ光線を十分に
透過しないことが問題として指摘される。Ｘ線量子を十
分に吸収させるには、記憶蛍光体の厚さをできるだけ薄
くすることが必要である。不透明で緊密に圧縮されてい
るか又は焼結された蛍光体の場合、レーザ光線はこの蛍
光体により著しく弱められ、従ってレーザ光線の侵入深
度はごく僅かになる。このエネルギーは、正孔を再結合
に必要なエネルギー準位に上げるには不十分であること
から、一層深い層部分に記憶された情報はもはや読み出
すことができない。
透過しないことが問題として指摘される。Ｘ線量子を十
分に吸収させるには、記憶蛍光体の厚さをできるだけ薄
くすることが必要である。不透明で緊密に圧縮されてい
るか又は焼結された蛍光体の場合、レーザ光線はこの蛍
光体により著しく弱められ、従ってレーザ光線の侵入深
度はごく僅かになる。このエネルギーは、正孔を再結合
に必要なエネルギー準位に上げるには不十分であること
から、一層深い層部分に記憶された情報はもはや読み出
すことができない。
【０００５】欧州特許出願公開第０１７４８７５号明細
書には記憶蛍光体の蛍光体粒子が結合剤により包括的に
基板上に施されている記憶蛍光体の製法が記載されてい
る。この場合結合剤は蛍光体粒子を固着するために使用
される。結合剤としては通常、励起可能のレーザ光線に
対してもまた放出されるルミネセンス線に対しても透過
性の透明な担体物質が使用される。しかしこの場合蛍光
体粒子での散乱により、レーザ光線は侵入深度の増大と
共に次第に幅を広げ、その結果系全体の変調伝達関数が
悪化するという問題が生じる。また結合剤により構成さ
れた記憶蛍光体は、記憶蛍光体が比較可能の層厚である
場合、一層僅かなＸ線量子吸収性を有するに過ぎない。
書には記憶蛍光体の蛍光体粒子が結合剤により包括的に
基板上に施されている記憶蛍光体の製法が記載されてい
る。この場合結合剤は蛍光体粒子を固着するために使用
される。結合剤としては通常、励起可能のレーザ光線に
対してもまた放出されるルミネセンス線に対しても透過
性の透明な担体物質が使用される。しかしこの場合蛍光
体粒子での散乱により、レーザ光線は侵入深度の増大と
共に次第に幅を広げ、その結果系全体の変調伝達関数が
悪化するという問題が生じる。また結合剤により構成さ
れた記憶蛍光体は、記憶蛍光体が比較可能の層厚である
場合、一層僅かなＸ線量子吸収性を有するに過ぎない。
【０００６】しかしながら記憶蛍光体を担体上に蒸着さ
せ、保護ガス雰囲気中又は真空中で熱処理するか又はこ
れを真空及び／又は加熱下にプレス加工することよりな
る記憶蛍光体の製法は、欧州特許出願公開第８８１１９
０４３号（特開平２−７６７２６）明細書に記載されて
いる。このプレス加工法は透明な記憶燐光板を提供する
。透明であることの利点は、読み出し可能のレーザ光線
が記憶媒体中で物質の粒子に当たり散乱することによっ
て扇状に広がることがないことである。散乱による読み
出し光線の拡大は系全体の変調伝達関数を著しく悪化さ
せる。例えば蛍光体粉末をプレス加工することにより製
造された透明な記憶蛍光体を使用することによって、記
憶媒体を透射する際におけるレーザ光線の拡大は著しく
削減される。
せ、保護ガス雰囲気中又は真空中で熱処理するか又はこ
れを真空及び／又は加熱下にプレス加工することよりな
る記憶蛍光体の製法は、欧州特許出願公開第８８１１９
０４３号（特開平２−７６７２６）明細書に記載されて
いる。このプレス加工法は透明な記憶燐光板を提供する
。透明であることの利点は、読み出し可能のレーザ光線
が記憶媒体中で物質の粒子に当たり散乱することによっ
て扇状に広がることがないことである。散乱による読み
出し光線の拡大は系全体の変調伝達関数を著しく悪化さ
せる。例えば蛍光体粉末をプレス加工することにより製
造された透明な記憶蛍光体を使用することによって、記
憶媒体を透射する際におけるレーザ光線の拡大は著しく
削減される。
【０００７】しかしこの粉末プレス加工法は次の３つの
欠点を有する。
欠点を有する。
【０００８】１．各粉末粒子間に粒子境界部が残り、こ
れが読み出し過程で読み出し可能の電磁放射線に対し散
乱中心として作用する可能性がある。この場合散乱した
読み出し光線が、時間的に所属しない箇所の情報をも読
み出す。その結果得られる像中の信号対雑音比は減少す
る。粒子境界部が残留する原因は、圧力が１つの粒子か
ら次の粒子へ結合され、そこで塑性変形の支持体である
転移が結晶中を通り始めるときにのみ、粉末粒子が圧力
によって変形される点にある。粒子は数点で接触するに
すぎないことから、その転移を起こさせるのに必要な適
当な方向からの圧力に粒子を曝さないことは容易に可能
である。
れが読み出し過程で読み出し可能の電磁放射線に対し散
乱中心として作用する可能性がある。この場合散乱した
読み出し光線が、時間的に所属しない箇所の情報をも読
み出す。その結果得られる像中の信号対雑音比は減少す
る。粒子境界部が残留する原因は、圧力が１つの粒子か
ら次の粒子へ結合され、そこで塑性変形の支持体である
転移が結晶中を通り始めるときにのみ、粉末粒子が圧力
によって変形される点にある。粒子は数点で接触するに
すぎないことから、その転移を起こさせるのに必要な適
当な方向からの圧力に粒子を曝さないことは容易に可能
である。
【０００９】２．多くのアルカリハロゲン化物は高圧で
相転位を起こす。ＴｌＢｒでドーピングされたＲｂＢｒ
記憶蛍光体の場合この相転位は約５００ＭＰａで生じる
。この場合ＲｂＢｒ記憶蛍光体は面心立方ＮａＣｌ構造
から体心立方ＣｓＣｌ構造に変わる。この転位は容積減
少下に生じ、可逆性である。従ってプレス工程後の開放
時に再びＮａＣｌ構造に変わる。この相転位は容積増大
下に生じることから、記憶媒体に亀裂が生じる可能性が
あり、これは同様に読み出し可能の電磁放射線に対して
散乱中心として作用することになる。
相転位を起こす。ＴｌＢｒでドーピングされたＲｂＢｒ
記憶蛍光体の場合この相転位は約５００ＭＰａで生じる
。この場合ＲｂＢｒ記憶蛍光体は面心立方ＮａＣｌ構造
から体心立方ＣｓＣｌ構造に変わる。この転位は容積減
少下に生じ、可逆性である。従ってプレス工程後の開放
時に再びＮａＣｌ構造に変わる。この相転位は容積増大
下に生じることから、記憶媒体に亀裂が生じる可能性が
あり、これは同様に読み出し可能の電磁放射線に対して
散乱中心として作用することになる。
【００１０】３．圧力は１つの粒子から次の粒子に必然
的に結合することから、粉末を透明プレス加工するのに
必要な圧力は極めて高く、ＲｂＢｒの場合＞５００ＭＰ
ａ、有利には１０００ＭＰａであり、従って大表面の記
憶媒体を製造することは極めて困難である。
的に結合することから、粉末を透明プレス加工するのに
必要な圧力は極めて高く、ＲｂＢｒの場合＞５００ＭＰ
ａ、有利には１０００ＭＰａであり、従って大表面の記
憶媒体を製造することは極めて困難である。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、高い
結像鮮明度及び良好な変調伝達関数と共に高度のＸ線量
子吸収性を有しまた容易に製造することのできる、冒頭
に記載した形式の記憶蛍光体を提供することにある。
結像鮮明度及び良好な変調伝達関数と共に高度のＸ線量
子吸収性を有しまた容易に製造することのできる、冒頭
に記載した形式の記憶蛍光体を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この課題は本発明によれ
ば、出発物質として透明な単結晶体を使用することによ
って解決される。
ば、出発物質として透明な単結晶体を使用することによ
って解決される。
【００１３】
【作用効果】これにより本体は多数ではなく唯一存在す
るにすぎずまたこれが内部境界部又は中空室を有さない
ことから、残留粒子境界部が生じることはない。その結
果散乱中心は生ぜず、従って高い結像鮮明度が得られる
。
るにすぎずまたこれが内部境界部又は中空室を有さない
ことから、残留粒子境界部が生じることはない。その結
果散乱中心は生ぜず、従って高い結像鮮明度が得られる
。
【００１４】記憶蛍光体を製造するために単結晶体をプ
レス加工することは有利であることが判明した。これに
より一層小さな単結晶体をＸ線診断学で必要とされる大
表面に施すことができる。このプレス工程は、単結晶体
を熱処理する際に応力を発生させない。単結晶体を真空
中でか又は保護ガス雰囲気中でプレス加工することは有
利である。更に単結晶体を１００ー４００℃の温度に加
熱し、また１−５０ＭＰａの圧力でプレス加工するのが
有利であることを指摘する。まず低い圧力でプレス加工
し、これを徐々に最高圧にまで高めた場合、単結晶体中
に高い応力が生じるのを阻止することができる。
レス加工することは有利であることが判明した。これに
より一層小さな単結晶体をＸ線診断学で必要とされる大
表面に施すことができる。このプレス工程は、単結晶体
を熱処理する際に応力を発生させない。単結晶体を真空
中でか又は保護ガス雰囲気中でプレス加工することは有
利である。更に単結晶体を１００ー４００℃の温度に加
熱し、また１−５０ＭＰａの圧力でプレス加工するのが
有利であることを指摘する。まず低い圧力でプレス加工
し、これを徐々に最高圧にまで高めた場合、単結晶体中
に高い応力が生じるのを阻止することができる。
【００１５】従って本発明による記憶蛍光体は単結晶体
のプレス加工によって製造することができる。粒子境界
部、内部境界部又は中空室を有さない単結晶体を使用す
ることによって散乱光線中心を有さない記憶蛍光体が得
られる。必要なプレス圧は粉末法で記憶蛍光体を製造す
る場合に比べて著しく小さく保つことができ、従って大
表面を製造するためのプレス圧はもはや技術的に困難で
はない。必要な圧力は、粉末上の記憶蛍光体に対して少
なくとも必要とされる５００ＭＰａ以下であることは明
かであり、ＲｂＢｒ記憶蛍光体の場合好ましくない可逆
性の相転位はまだ生じない。
のプレス加工によって製造することができる。粒子境界
部、内部境界部又は中空室を有さない単結晶体を使用す
ることによって散乱光線中心を有さない記憶蛍光体が得
られる。必要なプレス圧は粉末法で記憶蛍光体を製造す
る場合に比べて著しく小さく保つことができ、従って大
表面を製造するためのプレス圧はもはや技術的に困難で
はない。必要な圧力は、粉末上の記憶蛍光体に対して少
なくとも必要とされる５００ＭＰａ以下であることは明
かであり、ＲｂＢｒ記憶蛍光体の場合好ましくない可逆
性の相転位はまだ生じない。
【００１６】プレス加工による単結晶体の変形は加熱下
に実施するのが有利である。この場合温度が高いほど、
動的再結晶はより強く励起される。再結晶は物質の脱固
化過程であり、これは変形中における高い応力の発生を
阻止する。これにより物質の破壊は回避される。この理
由から上昇する温度での亀裂のない変形可能性は高くな
る。
に実施するのが有利である。この場合温度が高いほど、
動的再結晶はより強く励起される。再結晶は物質の脱固
化過程であり、これは変形中における高い応力の発生を
阻止する。これにより物質の破壊は回避される。この理
由から上昇する温度での亀裂のない変形可能性は高くな
る。
【００１７】散乱中心のない本発明による記憶蛍光体は
例えば、ＴｌＢｒでドープされたＲｂＢｒ又はＴｌＩで
ドープされたＲｂＩ又は他の適当な記憶蛍光体を単結晶
の形で１００ー４００℃、有利には３００℃の温度に加
熱することにより製造することができる。この場合真空
状態にすることができる。単結晶体の仕上げ加工は保護
ガス下に行うこともできる。引続き例えば１ー５０ＭＰ
ａの圧力を数分から数時間施す。この場合圧力は単結晶
体が破壊されないように徐々に作用させる点に注意すべ
きである。例えば稜辺１５ｃｍの立方体系の単結晶体を
直径約４０ｃｍ及び高さ約２ｃｍのほぼ円形の板に変形
することができる。この円板は内部散乱中心を有さない
。
例えば、ＴｌＢｒでドープされたＲｂＢｒ又はＴｌＩで
ドープされたＲｂＩ又は他の適当な記憶蛍光体を単結晶
の形で１００ー４００℃、有利には３００℃の温度に加
熱することにより製造することができる。この場合真空
状態にすることができる。単結晶体の仕上げ加工は保護
ガス下に行うこともできる。引続き例えば１ー５０ＭＰ
ａの圧力を数分から数時間施す。この場合圧力は単結晶
体が破壊されないように徐々に作用させる点に注意すべ
きである。例えば稜辺１５ｃｍの立方体系の単結晶体を
直径約４０ｃｍ及び高さ約２ｃｍのほぼ円形の板に変形
することができる。この円板は内部散乱中心を有さない
。
Claims (9)
- 【請求項１】 Ｘ線像の読み出しが第１波長の光線に
よる励起によって行われ、その後第２波長の光線が放出
される形式の、Ｘ線像を潜在的に記憶するための刺激可
能の記憶蛍光体を製造する方法において、出発物質とし
て透明な単結晶体を使用することを特徴とする刺激可能
の記憶蛍光体の製法。 - 【請求項２】 単結晶体をプレス加工することを特徴
とする請求項１記載の記憶蛍光体の製法。 - 【請求項３】 単結晶体を熱処理することを特徴とす
る請求項１又は２記載の記憶蛍光体の製法。 - 【請求項４】 単結晶体を加熱下にプレス加工するこ
とを特徴とする請求項１ないし３の１つに記載の記憶蛍
光体の製法。 - 【請求項５】 単結晶体を真空中でプレス加工するこ
とを特徴とする請求項１ないし４の１つに記載の記憶蛍
光体の製法。 - 【請求項６】 単結晶体を保護ガス雰囲気中でプレス
加工することを特徴とする請求項１ないし５の１つに記
載の記憶蛍光体の製法。 - 【請求項７】 単結晶体を１００ー４００℃の温度に
加熱することを特徴とする請求項１ないし６の１つに記
載の記憶蛍光体の製法。 - 【請求項８】 単結晶体を１ー５０ＭＰａの圧力でプ
レス加工することを特徴とする請求項１ないし７の１つ
に記載の記憶蛍光体の製法。 - 【請求項９】 単結晶体をまず低圧でプレス加工し、
徐々に最高圧にまで高めることを特徴とする請求項１な
いし８の１つに記載の記憶蛍光体の製法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP90102431.5 | 1990-02-07 | ||
| EP90102431A EP0440854B1 (de) | 1990-02-07 | 1990-02-07 | Verfahren zur Herstellung eines stimulierbaren Speicherleuchtschirmes |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04213385A true JPH04213385A (ja) | 1992-08-04 |
| JP2986566B2 JP2986566B2 (ja) | 1999-12-06 |
Family
ID=8203609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3038122A Expired - Lifetime JP2986566B2 (ja) | 1990-02-07 | 1991-02-06 | 刺激可能な記憶蛍光体の製法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5227097A (ja) |
| EP (1) | EP0440854B1 (ja) |
| JP (1) | JP2986566B2 (ja) |
| DE (1) | DE59009745D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008524341A (ja) * | 2004-12-17 | 2008-07-10 | ニューサウス イノベーションズ プロプライアタリー リミティド | 放射線記憶蛍光体及びその応用 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4202818C2 (de) * | 1992-01-31 | 1993-11-11 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines Leuchtstoffschirmes |
| US5796113A (en) * | 1996-10-03 | 1998-08-18 | Z.M.Z. Advanced Systems Ltd. | Methods and apparatus for recording and reading-out an ionization radiation image |
| EP1361593A4 (en) * | 2001-01-17 | 2008-06-04 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | PLASMA DISPLAY PANEL AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
| US20100092769A1 (en) * | 2007-03-23 | 2010-04-15 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | Scintillator panel and method for manufacturing the same |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3825436A (en) * | 1972-10-04 | 1974-07-23 | Lockheed Missiles Space | Method of making rare earth oxysulfide luminescent film |
| US3859527A (en) * | 1973-01-02 | 1975-01-07 | Eastman Kodak Co | Apparatus and method for producing images corresponding to patterns of high energy radiation |
| US4362946A (en) * | 1977-11-21 | 1982-12-07 | General Electric Company | Distributed phosphor scintillator structures |
| NL7806828A (nl) * | 1978-06-26 | 1979-12-28 | Philips Nv | Luminescentiescherm. |
| JPS597679B2 (ja) * | 1979-03-28 | 1984-02-20 | 株式会社日立製作所 | シンチレ−タ用結晶及びその製造方法 |
| DE3205693A1 (de) * | 1982-02-17 | 1983-08-25 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Roentgenbildwandler |
| US4626739A (en) * | 1984-05-10 | 1986-12-02 | At&T Bell Laboratories | Electron beam pumped mosaic array of light emitters |
| EP0174875B1 (en) * | 1984-09-14 | 1990-06-06 | Konica Corporation | Method for converting radiographic image and radiation energy storage panel having stimulable phosphor-containing layer |
| US4695762A (en) * | 1985-06-28 | 1987-09-22 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Electron beam pumped rod-like light emitters |
| US4835437A (en) * | 1986-02-10 | 1989-05-30 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Cathode ray tube with single crystal target |
| FR2634028B1 (fr) * | 1988-07-06 | 1994-07-22 | Commissariat Energie Atomique | Monocristaux de silicates de lanthanides utilisables comme scintillateurs pour la detection des rayonnements x et gamma |
| EP0369049A1 (de) * | 1988-11-15 | 1990-05-23 | Siemens Aktiengesellschaft | Speicherleuchtschirm mit einem stimulierbaren Speicherleuchtstoff |
-
1990
- 1990-02-07 DE DE59009745T patent/DE59009745D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-02-07 EP EP90102431A patent/EP0440854B1/de not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-01-22 US US07/643,506 patent/US5227097A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-02-06 JP JP3038122A patent/JP2986566B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008524341A (ja) * | 2004-12-17 | 2008-07-10 | ニューサウス イノベーションズ プロプライアタリー リミティド | 放射線記憶蛍光体及びその応用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0440854A1 (de) | 1991-08-14 |
| EP0440854B1 (de) | 1995-10-04 |
| DE59009745D1 (de) | 1995-11-09 |
| JP2986566B2 (ja) | 1999-12-06 |
| US5227097A (en) | 1993-07-13 |
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