JPH04213825A - 化合物半導体装置の製造方法 - Google Patents
化合物半導体装置の製造方法Info
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- JPH04213825A JPH04213825A JP2401328A JP40132890A JPH04213825A JP H04213825 A JPH04213825 A JP H04213825A JP 2401328 A JP2401328 A JP 2401328A JP 40132890 A JP40132890 A JP 40132890A JP H04213825 A JPH04213825 A JP H04213825A
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- Japan
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- compound semiconductor
- semiconductor device
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は化合物半導体装置の製造
方法に関し、特にＧａＡｓ半導体装置の製造過程におけ
るＧａＡｓ基板表面の酸化物層の除去方法に関する。
方法に関し、特にＧａＡｓ半導体装置の製造過程におけ
るＧａＡｓ基板表面の酸化物層の除去方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＧａＡｓをはじめとする化合物半
導体装置の利用が広がっている。化合物半導体にショッ
トキ接合を形成する場合、または化合物半導体基板上に
エピタキシャル成長を行う場合、表面の酸化物層を除去
し、しかもストイキオメトリを良好に保つ必要がある。
導体装置の利用が広がっている。化合物半導体にショッ
トキ接合を形成する場合、または化合物半導体基板上に
エピタキシャル成長を行う場合、表面の酸化物層を除去
し、しかもストイキオメトリを良好に保つ必要がある。
【０００３】Ｊ．Ｍａｓｓｉｅｓ らはＧａＡｓ基板の
｛００１｝ 面をＨ２ＳＯ４，Ｈ２Ｏ２，Ｈ２Ｏ溶液で
エッチングすると、従来考えられていたのとは異なって
、基板表面には酸化物膜が生じないこと、酸化された相
はエッチングされた表面と大気中の酸素が汚染元素、特
に炭素核種等の存在下で接触することによって生じるこ
とを報告している（Ｊ．Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ．５８（
２）， ｐｐ８０６〜８１０， １９８５ 参照） 。 一方Ｈ． Ｓｕｇａｗａｒａ らはＣＦ４＋Ｏ２プラズ
マにさらされたＧａＡｓ表面に生成する酸化物の主成分
がＧａ２Ｏ３ であること、このＧａ２Ｏ３ 層をＮＨ
４ＯＨ とＮＨ４Ｆの混合液でエッチング除去すること
によって、ＭＥＳＦＥＴのＩ−Ｖ 特性が改善されるこ
とを報告している（Ｊ． Ｖａｃ． Ｓｃｉ． Ｔｅｃ
ｈｎｏｌ． Ｂ３（６）， ｐｐ１６０９〜１６１３，
１９８５参照）。しかし、Ｓｕｇａｗａｒａらにおいて
は、エッチング後の結晶表面のストイキオメトリは考慮
されていない。
｛００１｝ 面をＨ２ＳＯ４，Ｈ２Ｏ２，Ｈ２Ｏ溶液で
エッチングすると、従来考えられていたのとは異なって
、基板表面には酸化物膜が生じないこと、酸化された相
はエッチングされた表面と大気中の酸素が汚染元素、特
に炭素核種等の存在下で接触することによって生じるこ
とを報告している（Ｊ．Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ．５８（
２）， ｐｐ８０６〜８１０， １９８５ 参照） 。 一方Ｈ． Ｓｕｇａｗａｒａ らはＣＦ４＋Ｏ２プラズ
マにさらされたＧａＡｓ表面に生成する酸化物の主成分
がＧａ２Ｏ３ であること、このＧａ２Ｏ３ 層をＮＨ
４ＯＨ とＮＨ４Ｆの混合液でエッチング除去すること
によって、ＭＥＳＦＥＴのＩ−Ｖ 特性が改善されるこ
とを報告している（Ｊ． Ｖａｃ． Ｓｃｉ． Ｔｅｃ
ｈｎｏｌ． Ｂ３（６）， ｐｐ１６０９〜１６１３，
１９８５参照）。しかし、Ｓｕｇａｗａｒａらにおいて
は、エッチング後の結晶表面のストイキオメトリは考慮
されていない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＧａＡｓ基板上に半導
体装置を形成する場合、絶縁膜などを反応性イオンエッ
チングするため、あるいはフォトレジストの灰化処理の
ために、ＧａＡｓ表面が酸素ガスを含むプラズマにさら
されることがある。この時、ＧａＡｓの表面には厚い酸
化物層が形成される。以後の工程のためには、この酸化
物を除去しなければならず、しかも、その際ＧａＡｓの
組成比が化学量論比からずれないことが必要であり、し
かも酸化物を除去した後に、新たに酸化膜が形成されな
い様にする必要がある。しかし、上述した従来の方法で
は、これらの諸点について、必ずしも十分な結果が得ら
れていない。
体装置を形成する場合、絶縁膜などを反応性イオンエッ
チングするため、あるいはフォトレジストの灰化処理の
ために、ＧａＡｓ表面が酸素ガスを含むプラズマにさら
されることがある。この時、ＧａＡｓの表面には厚い酸
化物層が形成される。以後の工程のためには、この酸化
物を除去しなければならず、しかも、その際ＧａＡｓの
組成比が化学量論比からずれないことが必要であり、し
かも酸化物を除去した後に、新たに酸化膜が形成されな
い様にする必要がある。しかし、上述した従来の方法で
は、これらの諸点について、必ずしも十分な結果が得ら
れていない。
【０００５】本発明は、ＧａＡｓ表面に形成された酸化
物を十分に除去し、しかも表面の組成が化学量論比から
ずれず、従って以後の工程によってすぐれた特性の化合
物半導体装置を製造し得る方法を提供することを目的と
する。
物を十分に除去し、しかも表面の組成が化学量論比から
ずれず、従って以後の工程によってすぐれた特性の化合
物半導体装置を製造し得る方法を提供することを目的と
する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明は、ＧａＡｓ結晶表面のＧａ酸化物層
を除去する工程と、前記結晶表面に残されたＡｓ過剰層
を除去する工程とを有することを特徴とする。
るために、本発明は、ＧａＡｓ結晶表面のＧａ酸化物層
を除去する工程と、前記結晶表面に残されたＡｓ過剰層
を除去する工程とを有することを特徴とする。
【０００７】さらに本発明は、ＧａＡｓ基板をフッ化ア
ンモニウム液に浸漬し、水洗し、非酸化性雰囲気中で乾
燥する工程と、該乾燥された基板をアンモニア系腐食液
に浸漬し、水洗し、非酸化性雰囲気中で乾燥する工程を
含むことを特徴とする。
ンモニウム液に浸漬し、水洗し、非酸化性雰囲気中で乾
燥する工程と、該乾燥された基板をアンモニア系腐食液
に浸漬し、水洗し、非酸化性雰囲気中で乾燥する工程を
含むことを特徴とする。
【０００８】
【作用】本発明においては、例えばＯ２を含むプラズマ
にさらされてＧａＡｓ表面に厚く形成された酸化物、特
にＧａ２Ｏ３ を９０％から１００ ％の純度のフッ化
アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）液によってまず除去する。次
にＧａ２Ｏ３ の除去によってＡｓリッチになった表面
層を、ＮＨ４ＯＨ，Ｈ２Ｏ２，Ｈ２Ｏの混合液によって
除去する。そのために、ＧａＡｓ表面の酸化物は除去さ
れ、しかもＧａＡｓ表面の組成は、化学量論比に保たれ
る。
にさらされてＧａＡｓ表面に厚く形成された酸化物、特
にＧａ２Ｏ３ を９０％から１００ ％の純度のフッ化
アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）液によってまず除去する。次
にＧａ２Ｏ３ の除去によってＡｓリッチになった表面
層を、ＮＨ４ＯＨ，Ｈ２Ｏ２，Ｈ２Ｏの混合液によって
除去する。そのために、ＧａＡｓ表面の酸化物は除去さ
れ、しかもＧａＡｓ表面の組成は、化学量論比に保たれ
る。
【０００９】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。
に説明する。
【００１０】ＧａＡｓ単結晶基板を反応性イオンエッチ
ング装置に装填し、ＣＦ２ とＯ２よりなるプラズマに
さらして表面に厚い酸化膜を形成した。この表面が酸化
された基板の表面をオージェ電子分光（ＡＥＳ）によっ
て分析した。図１は、ＡＥＳ によるＧａ，Ａｓ，Ｏお
よびＣの深さ方向の分布を示す。図に示されるように、
表面から数十オングストロームの深さにわたって０が存
在するのでこの範囲に酸化物が形成されていることがわ
かる。また、表面におけるＧａ原子の量はＡｓ原子より
多く、従って酸化物の主成分はＧａ２Ｏ３ であると結
論づけることができる。
ング装置に装填し、ＣＦ２ とＯ２よりなるプラズマに
さらして表面に厚い酸化膜を形成した。この表面が酸化
された基板の表面をオージェ電子分光（ＡＥＳ）によっ
て分析した。図１は、ＡＥＳ によるＧａ，Ａｓ，Ｏお
よびＣの深さ方向の分布を示す。図に示されるように、
表面から数十オングストロームの深さにわたって０が存
在するのでこの範囲に酸化物が形成されていることがわ
かる。また、表面におけるＧａ原子の量はＡｓ原子より
多く、従って酸化物の主成分はＧａ２Ｏ３ であると結
論づけることができる。
【００１１】次に同一条件で酸化膜を形成した他のＧａ
Ａｓ基板を９０％から１００ ％の純度の高いフッ化ア
ンモニウム（ＮＨ４Ｆ）液に浸漬した。浸漬時間は酸化
物の厚さによって変化するが、この場合は５分間とした
。ついで、純水（好ましくは １８．０ＭΩ・ｃｍ 以
上）の流水中に基板を浸し、ＮＨ４Ｆを洗い去った。洗
浄時間は１分間またはそれ以上で十分である。さらに水
洗いした基板を窒素雰囲気中のスピンドライヤで乾燥し
た。この様な工程を経た基板表面のＡＥＳ 分析を行っ
た。図２にＧａ，Ａｓ，ＯおよびＣの深さ方向の分布を
示す。図１と比較してみるとＧａおよびＯの含有率が減
少し、酸化物であるＧａ２Ｏ３ が除去されたことが示
されている。Ｏの含有率は自然吸着のレベルと同等であ
って、これは水洗後、基板をＡＥＳ 分析にかける間に
生じたものと思われる。同時に、図２はＧａ２Ｏ３ の
除去に基づくＧａの減少に伴って、基板表面のＡｓ濃度
が高く、その組成がストイキオメトリからかなりずれて
いることを示している。
Ａｓ基板を９０％から１００ ％の純度の高いフッ化ア
ンモニウム（ＮＨ４Ｆ）液に浸漬した。浸漬時間は酸化
物の厚さによって変化するが、この場合は５分間とした
。ついで、純水（好ましくは １８．０ＭΩ・ｃｍ 以
上）の流水中に基板を浸し、ＮＨ４Ｆを洗い去った。洗
浄時間は１分間またはそれ以上で十分である。さらに水
洗いした基板を窒素雰囲気中のスピンドライヤで乾燥し
た。この様な工程を経た基板表面のＡＥＳ 分析を行っ
た。図２にＧａ，Ａｓ，ＯおよびＣの深さ方向の分布を
示す。図１と比較してみるとＧａおよびＯの含有率が減
少し、酸化物であるＧａ２Ｏ３ が除去されたことが示
されている。Ｏの含有率は自然吸着のレベルと同等であ
って、これは水洗後、基板をＡＥＳ 分析にかける間に
生じたものと思われる。同時に、図２はＧａ２Ｏ３ の
除去に基づくＧａの減少に伴って、基板表面のＡｓ濃度
が高く、その組成がストイキオメトリからかなりずれて
いることを示している。
【００１２】次に、酸化膜の形成，Ｇａ２Ｏ３ の除去
および水洗，乾燥までを同一の条件で行った他のＧａＡ
ｓ基板をＮＨ４ＯＨ：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ＝５：２：４０
００ の水溶液に浸漬して、表面のＡｓ過剰層を除去し
た。浸漬時間は基板表面におけるＡｓ原子の過剰度，あ
るいは除去されたＧａ２Ｏ３ 層の厚さによるが、１分
以上、好ましくは３分ないし５分間の浸漬が適当である
。次に純水の流水中に１分またはそれ以上浸して水洗し
、さらに窒素雰囲気中のスピンドライヤで乾燥した。水
洗後、乾燥までの間、大気に触れる時間を極力短くし、
可能ならば全く大気に触れずに乾燥させることが好まし
い。この様にして乾燥した基板表面のＡＥＳ分析結果を
図３に示す。酸素の含有率は自然吸着のレベルであって
、この基板の表面は極めて清浄である。Ｇａ原子とＡｓ
原子の存在比は殆んど１：１であって、正しくストイキ
オメトリが保たれ、Ａｓ過剰層が完全に除去されたこと
を示している。
および水洗，乾燥までを同一の条件で行った他のＧａＡ
ｓ基板をＮＨ４ＯＨ：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ＝５：２：４０
００ の水溶液に浸漬して、表面のＡｓ過剰層を除去し
た。浸漬時間は基板表面におけるＡｓ原子の過剰度，あ
るいは除去されたＧａ２Ｏ３ 層の厚さによるが、１分
以上、好ましくは３分ないし５分間の浸漬が適当である
。次に純水の流水中に１分またはそれ以上浸して水洗し
、さらに窒素雰囲気中のスピンドライヤで乾燥した。水
洗後、乾燥までの間、大気に触れる時間を極力短くし、
可能ならば全く大気に触れずに乾燥させることが好まし
い。この様にして乾燥した基板表面のＡＥＳ分析結果を
図３に示す。酸素の含有率は自然吸着のレベルであって
、この基板の表面は極めて清浄である。Ｇａ原子とＡｓ
原子の存在比は殆んど１：１であって、正しくストイキ
オメトリが保たれ、Ａｓ過剰層が完全に除去されたこと
を示している。
【００１３】この様に、本発明によれば、清浄でかつ化
学量論理的に正常なＧａＡｓ表面が得られるので、金属
とのショットキ接合を形成すると、ショットキバリアハ
イトの大きなものが得られる。例えば、Ｏ２プラズマに
さらした直後のＧａＡｓウエハに形成したＴｉ金属電極
とのショットキバリアハイトが０．６ｅＶ であったの
に対し、本発明に従って処理されたＧａＡｓウエハに形
成されたＴｉ金属電極とのショットキバリアハイトは０
．７５〜０．８０ｅＶであった。
学量論理的に正常なＧａＡｓ表面が得られるので、金属
とのショットキ接合を形成すると、ショットキバリアハ
イトの大きなものが得られる。例えば、Ｏ２プラズマに
さらした直後のＧａＡｓウエハに形成したＴｉ金属電極
とのショットキバリアハイトが０．６ｅＶ であったの
に対し、本発明に従って処理されたＧａＡｓウエハに形
成されたＴｉ金属電極とのショットキバリアハイトは０
．７５〜０．８０ｅＶであった。
【００１４】なお、図１から図３の各図において、表面
から深くなるに従ってＧａ原子の含有率がＡｓ原子の含
有率より多くなっている。これはＡＥＳ による深さ方
向の分布の測定がＡｒイオンによるスパッタリングによ
って表面を削りながら行われるが、このスパッタリング
に際し、Ａｓ原子がＧａ原子よりも飛散し易いためであ
って、化学量論比からのずれを意味するものではない。
から深くなるに従ってＧａ原子の含有率がＡｓ原子の含
有率より多くなっている。これはＡＥＳ による深さ方
向の分布の測定がＡｒイオンによるスパッタリングによ
って表面を削りながら行われるが、このスパッタリング
に際し、Ａｓ原子がＧａ原子よりも飛散し易いためであ
って、化学量論比からのずれを意味するものではない。
【００１５】Ｇａ２Ｏ３ を除去するために、ＮＨ４Ｆ
にＮＨ４ＯＨ を混合した液を用いることも可能である
が、下地結晶に影響を与えずにＧａ２Ｏ３ のみを除去
するには、ＮＨ４Ｆの高純度原液を使用することが望ま
しい。次に上述した実施例では、Ａｓ過剰層を除去する
ための腐食液として、 ＮＨ４ＯＨ：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ
＝５：２：４０００ の液を示した。Ａｓ過剰な層を制
御性よくエッチング除去するためには、エッチング速度
は早すぎないことが望ましい。上に示した腐食液の組成
はそのための標準組成であって、ＮＨ４ＯＨ およびＨ
２Ｏ２の濃度は、それぞれこの組成から２０％〜３０％
程度ずれても差しつかえなく、その場合は浸漬時間を調
節すればよい。
にＮＨ４ＯＨ を混合した液を用いることも可能である
が、下地結晶に影響を与えずにＧａ２Ｏ３ のみを除去
するには、ＮＨ４Ｆの高純度原液を使用することが望ま
しい。次に上述した実施例では、Ａｓ過剰層を除去する
ための腐食液として、 ＮＨ４ＯＨ：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ
＝５：２：４０００ の液を示した。Ａｓ過剰な層を制
御性よくエッチング除去するためには、エッチング速度
は早すぎないことが望ましい。上に示した腐食液の組成
はそのための標準組成であって、ＮＨ４ＯＨ およびＨ
２Ｏ２の濃度は、それぞれこの組成から２０％〜３０％
程度ずれても差しつかえなく、その場合は浸漬時間を調
節すればよい。
【００１６】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば、Ｇ
ａＡｓ表面の酸化物を完全に除去することができ、しか
も表面の組成はストイキオメトリを維持することができ
る。 従って、本発明によってすぐれた特性の化合物半導体装
置を製造することができる。
ａＡｓ表面の酸化物を完全に除去することができ、しか
も表面の組成はストイキオメトリを維持することができ
る。 従って、本発明によってすぐれた特性の化合物半導体装
置を製造することができる。
【図１】図１はＧａＡｓウエハをプラズマにさらした直
後の元素分布を示す図である。
後の元素分布を示す図である。
【図２】図２はＮＨ４Ｆによるエッチング，水洗，乾燥
後の元素分布を示す図である。
後の元素分布を示す図である。
【図３】図３はＮＨ４ＯＨ，Ｈ２Ｏ２，Ｈ２Ｏ混合液に
よるエッチング，水洗，乾燥後の元素分布を示す図であ
る。
よるエッチング，水洗，乾燥後の元素分布を示す図であ
る。
Claims (2)
- 【請求項１】 ＧａＡｓ結晶表面のＧａ酸化物層を除
去する工程と、前記結晶表面に残されたＡｓ過剰層を除
去する工程とを有することを特徴とする化合物半導体装
置の製造方法。 - 【請求項２】 ＧａＡｓ基板をフッ化アンモニウム液
に浸漬し、水洗し、非酸化性雰囲気中で乾燥する工程と
、該乾燥された前記基板をアンモニア系腐食液に浸漬し
、水洗し、非酸化性雰囲気中で乾燥する工程を含むこと
を特徴とする化合物半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2401328A JPH04213825A (ja) | 1990-12-11 | 1990-12-11 | 化合物半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2401328A JPH04213825A (ja) | 1990-12-11 | 1990-12-11 | 化合物半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04213825A true JPH04213825A (ja) | 1992-08-04 |
Family
ID=18511165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2401328A Pending JPH04213825A (ja) | 1990-12-11 | 1990-12-11 | 化合物半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04213825A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002071461A1 (en) * | 2001-03-06 | 2002-09-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of manufacturing compound semiconductor wafer |
| US7078343B2 (en) | 2001-03-06 | 2006-07-18 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of manufacturing compound semiconductor wafer |
| JP2012119636A (ja) * | 2010-12-03 | 2012-06-21 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
-
1990
- 1990-12-11 JP JP2401328A patent/JPH04213825A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002071461A1 (en) * | 2001-03-06 | 2002-09-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of manufacturing compound semiconductor wafer |
| US7078343B2 (en) | 2001-03-06 | 2006-07-18 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of manufacturing compound semiconductor wafer |
| CN100405553C (zh) * | 2001-03-06 | 2008-07-23 | 住友电气工业株式会社 | 化合物半导体晶片的制备方法 |
| JP2012119636A (ja) * | 2010-12-03 | 2012-06-21 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
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