JPH04214618A - 薄膜の形成方法及び薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜の形成方法及び薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPH04214618A JPH04214618A JP40149890A JP40149890A JPH04214618A JP H04214618 A JPH04214618 A JP H04214618A JP 40149890 A JP40149890 A JP 40149890A JP 40149890 A JP40149890 A JP 40149890A JP H04214618 A JPH04214618 A JP H04214618A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- growth chamber
- thin film
- electric field
- chamber
- Prior art date
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- Withdrawn
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜の形成方法及び薄膜
形成装置に関する。半導体装置の製造プロセスにおける
薄膜の形成方法として，化学的気相成長法が広く用いら
れている。近年，半導体装置の高集積化に伴い，その製
造プロセスにおけるゴミの低減が要求されており，サブ
ミクロンレベルのゴミも無視できなくなってきた。
形成装置に関する。半導体装置の製造プロセスにおける
薄膜の形成方法として，化学的気相成長法が広く用いら
れている。近年，半導体装置の高集積化に伴い，その製
造プロセスにおけるゴミの低減が要求されており，サブ
ミクロンレベルのゴミも無視できなくなってきた。
【０００２】
【従来の技術】化学的気相成長法による成膜プロセスは
，ゴミの発生しやすいプロセスであるが，従来，例えば
プラズマＣＶＤ装置におけるゴミの低減化にはセルフク
リーニング（プラズマエッチング）で成長室を浄化する
とともに，成長室の形状を内部にゴミが溜まりにくいよ
うに設計することで対処していた。
，ゴミの発生しやすいプロセスであるが，従来，例えば
プラズマＣＶＤ装置におけるゴミの低減化にはセルフク
リーニング（プラズマエッチング）で成長室を浄化する
とともに，成長室の形状を内部にゴミが溜まりにくいよ
うに設計することで対処していた。
【０００３】しかし，薄膜を成長する際の基板へのゴミ
の付着あるいは成長中の膜へのゴミの付着については何
ら対策がなされていなかった。その結果，成長室内に浮
遊する微小なゴミが基板に付着したり，成長中の膜に取
り込まれたりして，成長膜質の低下を来していた。
の付着あるいは成長中の膜へのゴミの付着については何
ら対策がなされていなかった。その結果，成長室内に浮
遊する微小なゴミが基板に付着したり，成長中の膜に取
り込まれたりして，成長膜質の低下を来していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の問題に
鑑み，基板に微小なゴミの付着することを避け，薄膜成
長中も膜へのゴミの取込みを避け，成長膜質を向上する
薄膜形成方法及びそのための薄膜形成装置を提供するこ
とを目的とする。
鑑み，基板に微小なゴミの付着することを避け，薄膜成
長中も膜へのゴミの取込みを避け，成長膜質を向上する
薄膜形成方法及びそのための薄膜形成装置を提供するこ
とを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の薄膜形成
装置の説明図である。上記課題は，化学的気相成長法に
より基板６に薄膜を形成するに際し， 成長室１内に電
界を形成して浮遊する塵埃を該成長室１内面に付着させ
，その後該成長室１内に電界を存在させたまま基板６を
該成長室１内に導入し，該基板６に薄膜を成長する薄膜
の形成方法によって解決される。
装置の説明図である。上記課題は，化学的気相成長法に
より基板６に薄膜を形成するに際し， 成長室１内に電
界を形成して浮遊する塵埃を該成長室１内面に付着させ
，その後該成長室１内に電界を存在させたまま基板６を
該成長室１内に導入し，該基板６に薄膜を成長する薄膜
の形成方法によって解決される。
【０００６】また，基板６に薄膜を成長した後，成長室
１内に電界を存在させたまま該基板６を該成長室１外に
引き出す薄膜の形成方法によって解決される。また，高
周波電源１０を用いて成長室１内に電界を形成し，かつ
該高周波電源１０を用いて基板６に薄膜を成長する薄膜
の形成方法によって解決される。
１内に電界を存在させたまま該基板６を該成長室１外に
引き出す薄膜の形成方法によって解決される。また，高
周波電源１０を用いて成長室１内に電界を形成し，かつ
該高周波電源１０を用いて基板６に薄膜を成長する薄膜
の形成方法によって解決される。
【０００７】また，化学的気相成長法により基板６に薄
膜を形成する薄膜形成装置であって，基板６を配置する
成長室１と，該成長室１内に電界を形成して浮遊する塵
埃を該成長室１内面に付着させる直流電源１２と， 該
成長室１内に導入されるガスに電磁波を供給する高周波
電源１０と，該基板６を該成長室１内に搬送するアーム
であって絶縁体５で接続されたアーム４とを有する薄膜
形成装置によって解決される。
膜を形成する薄膜形成装置であって，基板６を配置する
成長室１と，該成長室１内に電界を形成して浮遊する塵
埃を該成長室１内面に付着させる直流電源１２と， 該
成長室１内に導入されるガスに電磁波を供給する高周波
電源１０と，該基板６を該成長室１内に搬送するアーム
であって絶縁体５で接続されたアーム４とを有する薄膜
形成装置によって解決される。
【０００８】
【作用】プラズマＣＶＤ法により基板に薄膜を成長する
際，成膜後の付着しているゴミの数を調べてみると，成
長時間と付着しているゴミの数は比例せず，成長のごく
初期に基板に大量のゴミが付着することがわかった。そ
れゆえ，まず薄膜の成長に先だって，成長室内に浮遊す
る塵埃を除去することが必要である。このような塵埃は
サイズ１μｍ以下の微細なもので，静電的引力でもって
基板に付着することがわかった。そこで，基板６を成長
室１に配置する前に成長室１に電界を形成し，浮遊する
塵埃を強制的に成長室１内面に付着させるようにする。 その後，電界を形成したままの状態で基板６を成長室１
に導入すれば， 基板６は清浄な雰囲気の中に配置され
ることになり，そのまま成膜に移行すれば成長膜の中に
塵埃の取り込まれることがない。
際，成膜後の付着しているゴミの数を調べてみると，成
長時間と付着しているゴミの数は比例せず，成長のごく
初期に基板に大量のゴミが付着することがわかった。そ
れゆえ，まず薄膜の成長に先だって，成長室内に浮遊す
る塵埃を除去することが必要である。このような塵埃は
サイズ１μｍ以下の微細なもので，静電的引力でもって
基板に付着することがわかった。そこで，基板６を成長
室１に配置する前に成長室１に電界を形成し，浮遊する
塵埃を強制的に成長室１内面に付着させるようにする。 その後，電界を形成したままの状態で基板６を成長室１
に導入すれば， 基板６は清浄な雰囲気の中に配置され
ることになり，そのまま成膜に移行すれば成長膜の中に
塵埃の取り込まれることがない。
【０００９】また，基板６に薄膜を成長した後，成長室
１内に電界を存在させたまま基板６を成長室１外に引き
出すようにすれば，成膜後に塵埃が付着するのを防ぐこ
とができる。
１内に電界を存在させたまま基板６を成長室１外に引き
出すようにすれば，成膜後に塵埃が付着するのを防ぐこ
とができる。
【００１０】また，塵埃を成長室１内面へ付着させる電
界の形成には，膜形成に使用する高周波電源１０と別途
に電界形成のための直流電源１２を配置するようにすれ
ば制御性において優れる。また，膜形成に使用する高周
波電源１０そのものを共用させることもできる。
界の形成には，膜形成に使用する高周波電源１０と別途
に電界形成のための直流電源１２を配置するようにすれ
ば制御性において優れる。また，膜形成に使用する高周
波電源１０そのものを共用させることもできる。
【００１１】また，絶縁体５で接続されたアーム４によ
り基板６を成長室１内に導入するようにすれば，駆動機
構３が電界の影響から隔離されるので，アーム４の移動
を精度よく行うことができる。
り基板６を成長室１内に導入するようにすれば，駆動機
構３が電界の影響から隔離されるので，アーム４の移動
を精度よく行うことができる。
【００１２】
【実施例】図１は本発明の薄膜形成装置の説明図で，１
は成長室，２はロードロック室，３は駆動機構，４はハ
ンドリングアーム，５は連結治具，６は基板，７は電極
兼ガスシャワー，８はサセプタ，９は支持ピン，１０は
高周波電源， １１はハイパスフィルタ， １２は直流
電源， １３はローパスフィルタ， １４は排気口を表
す。
は成長室，２はロードロック室，３は駆動機構，４はハ
ンドリングアーム，５は連結治具，６は基板，７は電極
兼ガスシャワー，８はサセプタ，９は支持ピン，１０は
高周波電源， １１はハイパスフィルタ， １２は直流
電源， １３はローパスフィルタ， １４は排気口を表
す。
【００１３】ハンドリングアーム４は駆動機構３により
基板６をロードロック室２から成長室１へ導入したり，
成長室１からロードロック室２へ搬出したりするもので
あるが，その機構を簡単に説明する。
基板６をロードロック室２から成長室１へ導入したり，
成長室１からロードロック室２へ搬出したりするもので
あるが，その機構を簡単に説明する。
【００１４】ロードロック室２内でハンドリングアーム
４に載せられた基板６は成長室１内に導入され，サセプ
タ８の上まで移動する。サセプタ８は基板２を加熱する
ヒータも兼ねている。サセプタ８の上まで基板６が移動
すると，上下駆動可能な支持ピン９が上方に突き出して
ハンドリングアーム４から基板６を持ち上げる。次にハ
ンドリングアーム４はロードロック室２に戻り，支持ピ
ン９は再びサセプタ８の上面より下まで下がり，基板６
はサセプタ８上にセットされる。
４に載せられた基板６は成長室１内に導入され，サセプ
タ８の上まで移動する。サセプタ８は基板２を加熱する
ヒータも兼ねている。サセプタ８の上まで基板６が移動
すると，上下駆動可能な支持ピン９が上方に突き出して
ハンドリングアーム４から基板６を持ち上げる。次にハ
ンドリングアーム４はロードロック室２に戻り，支持ピ
ン９は再びサセプタ８の上面より下まで下がり，基板６
はサセプタ８上にセットされる。
【００１５】ハンドリングアーム４は絶縁体，例えばア
ルミナの連結治具５により駆動機構３とは電気的に絶縁
されている。このようにすることにより，駆動機構３は
成長室１内の電界の影響から切り離され，ハンドリング
アーム４を精度よく移動させることが可能となる。連結
治具５から先のハンドリングアーム４はすべて絶縁性物
質でもよいが，電界が印加されると電荷が蓄積し基板６
上に構成されたデバイスに悪影響を与える場合もあるの
で，ハンドリングアーム４は導体の方がよい。
ルミナの連結治具５により駆動機構３とは電気的に絶縁
されている。このようにすることにより，駆動機構３は
成長室１内の電界の影響から切り離され，ハンドリング
アーム４を精度よく移動させることが可能となる。連結
治具５から先のハンドリングアーム４はすべて絶縁性物
質でもよいが，電界が印加されると電荷が蓄積し基板６
上に構成されたデバイスに悪影響を与える場合もあるの
で，ハンドリングアーム４は導体の方がよい。
【００１６】さらに，ハンドリングアーム４と成長室１
との間を導通させる構造とし，電荷を逃がしてもよい。 高周波電源１０は成膜用の電源であり，ハイパスフィル
タ１１を通して電力を電極兼ガスシャワー７ に送る。 直流電源１２は成長室１内に基板６を導入する前に電界
を形成するための電源で，ローパスフィルタ１３を通し
て電極兼ガスシャワー７ に電圧を与える。
との間を導通させる構造とし，電荷を逃がしてもよい。 高周波電源１０は成膜用の電源であり，ハイパスフィル
タ１１を通して電力を電極兼ガスシャワー７ に送る。 直流電源１２は成長室１内に基板６を導入する前に電界
を形成するための電源で，ローパスフィルタ１３を通し
て電極兼ガスシャワー７ に電圧を与える。
【００１７】以下，成膜の手順を説明する。まず，成長
室１内を十分に排気した後，直流電源１２により電極兼
ガスシャワー７ に２００ Ｖを印加する。この条件で
はグロー放電は観察されない。約１０秒経過したら成長
室１とロードロック室２の間の仕切り弁（図示せず）を
開く。この状態で膜の成長に必要なガスを電極兼ガスシ
ャワー７ に導入し，所望の圧力に調整する。その後，
基板６を載せたハンドリングアーム４をロードロック室
２から成長室１内に移動し，基板６をサセプタ８上にセ
ットする。 次にハンドリングアーム４をロードロック室２に戻し，
仕切り弁を閉じる。その後，高周波電源１０により電極
兼ガスシャワー７ に電力を供給し，プラズマを発生さ
せ，成膜を行う。
室１内を十分に排気した後，直流電源１２により電極兼
ガスシャワー７ に２００ Ｖを印加する。この条件で
はグロー放電は観察されない。約１０秒経過したら成長
室１とロードロック室２の間の仕切り弁（図示せず）を
開く。この状態で膜の成長に必要なガスを電極兼ガスシ
ャワー７ に導入し，所望の圧力に調整する。その後，
基板６を載せたハンドリングアーム４をロードロック室
２から成長室１内に移動し，基板６をサセプタ８上にセ
ットする。 次にハンドリングアーム４をロードロック室２に戻し，
仕切り弁を閉じる。その後，高周波電源１０により電極
兼ガスシャワー７ に電力を供給し，プラズマを発生さ
せ，成膜を行う。
【００１８】成膜を終了した後，直流電源１２により電
界を成長室１内に存続させた状態で基板６をロードロッ
ク室２に取り込んだ。基板６に付着している微小なゴミ
の量は，従来と比較して半減していた。
界を成長室１内に存続させた状態で基板６をロードロッ
ク室２に取り込んだ。基板６に付着している微小なゴミ
の量は，従来と比較して半減していた。
【００１９】別法として直流電源１２を用いずに高周波
電源１０一台でもって電界の発生と成膜とを兼ねること
もできる。この場合は最初の電界形成の時は電力を小さ
くし，成膜の際のガス導入時にグロー放電が起きないよ
うにし，それから基板６を成長室１に導入し，電力を上
げて成膜を行う。
電源１０一台でもって電界の発生と成膜とを兼ねること
もできる。この場合は最初の電界形成の時は電力を小さ
くし，成膜の際のガス導入時にグロー放電が起きないよ
うにし，それから基板６を成長室１に導入し，電力を上
げて成膜を行う。
【００２０】また，まずガスの導入を行い，規定の出力
でグロー放電を開始し，放電により形成される電界を利
用して塵埃の除去を行い，それから基板６を成長室１に
導入するようにしてもよい。
でグロー放電を開始し，放電により形成される電界を利
用して塵埃の除去を行い，それから基板６を成長室１に
導入するようにしてもよい。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように，本発明の薄膜の形
成方法及び薄膜形成装置によれば，微小なゴミを基板に
付着させることなく成膜し，成膜にも微小なゴミを取り
込む事のないようにすることができる。
成方法及び薄膜形成装置によれば，微小なゴミを基板に
付着させることなく成膜し，成膜にも微小なゴミを取り
込む事のないようにすることができる。
【００２２】本発明は薄膜の品質を向上させる効果を奏
し，電子デバイスの信頼性の向上に寄与するものである
。
し，電子デバイスの信頼性の向上に寄与するものである
。
【図１】本発明の薄膜形成装置の説明図である。
１は成長室
２はロードロック室
３は駆動機構
４はアームであってハンドリングアーム５は連結治具で
あって絶縁体 ６は基板 ７は電極兼ガスシャワー ８はサセプタ ９は支持ピン １０は高周波電源 １１はハイパスフィルタ １２は直流電源 １３はローパスフィルタ １４は排気口
あって絶縁体 ６は基板 ７は電極兼ガスシャワー ８はサセプタ ９は支持ピン １０は高周波電源 １１はハイパスフィルタ １２は直流電源 １３はローパスフィルタ １４は排気口
Claims (4)
- 【請求項１】 化学的気相成長法により基板（６）
に薄膜を形成するに際し， 成長室（１） 内に電界を
形成して浮遊する塵埃を該成長室（１） 内面に付着さ
せ，その後該成長室（１） 内に電界を存在させたまま
基板（６） を該成長室（１） 内に導入し，該基板（
６） に薄膜を成長することを特徴とする薄膜の形成方
法。 - 【請求項２】 請求項１記載の方法により基板（６）
に薄膜を成長した後，成長室（１） 内に電界を存在
させたまま該基板（６） を該成長室（１） 外に引き
出すことを特徴とする薄膜の形成方法。 - 【請求項３】 高周波電源（１０）を用いて成長室（
１） 内に電界を形成し，かつ該高周波電源（１０）を
用いて基板（６） に薄膜を成長することを特徴とする
請求項１記載の薄膜の形成方法。 - 【請求項４】 化学的気相成長法により基板（６）
に薄膜を形成する薄膜形成装置であって，基板（６）
を配置する成長室（１） と，該成長室（１） 内に電
界を形成して浮遊する塵埃を該成長室（１） 内面に付
着させる直流電源（１２）と， 該成長室（１） 内に
導入されるガスに電磁波を供給する高周波電源と，該基
板（６） を該成長室（１） 内に搬送するアームであ
って絶縁体（５） で接続されたアーム（４） とを有
することを特徴とする薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40149890A JPH04214618A (ja) | 1990-12-12 | 1990-12-12 | 薄膜の形成方法及び薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40149890A JPH04214618A (ja) | 1990-12-12 | 1990-12-12 | 薄膜の形成方法及び薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04214618A true JPH04214618A (ja) | 1992-08-05 |
Family
ID=18511324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP40149890A Withdrawn JPH04214618A (ja) | 1990-12-12 | 1990-12-12 | 薄膜の形成方法及び薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04214618A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100403991B1 (ko) * | 2001-01-09 | 2003-11-01 | 주성엔지니어링(주) | 챔버에 피처리물을 로딩 및 언로딩하는 방법 |
| US20130025789A1 (en) * | 2001-06-15 | 2013-01-31 | Tokyo Electron Limited | Dry-etching method |
| JP2021005629A (ja) * | 2019-06-26 | 2021-01-14 | 株式会社アルバック | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
-
1990
- 1990-12-12 JP JP40149890A patent/JPH04214618A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100403991B1 (ko) * | 2001-01-09 | 2003-11-01 | 주성엔지니어링(주) | 챔버에 피처리물을 로딩 및 언로딩하는 방법 |
| US20130025789A1 (en) * | 2001-06-15 | 2013-01-31 | Tokyo Electron Limited | Dry-etching method |
| JP2021005629A (ja) * | 2019-06-26 | 2021-01-14 | 株式会社アルバック | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980312 |