JPH042146A - ウエハ保持具 - Google Patents
ウエハ保持具Info
- Publication number
- JPH042146A JPH042146A JP2102701A JP10270190A JPH042146A JP H042146 A JPH042146 A JP H042146A JP 2102701 A JP2102701 A JP 2102701A JP 10270190 A JP10270190 A JP 10270190A JP H042146 A JPH042146 A JP H042146A
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- JP
- Japan
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- wafer
- holder
- thinned
- diameter
- held
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- Pending
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置の製造に係り、特にGaAsl0
プロセスの裏面工程及びテスト・アセンブリ工程のウェ
ハハンドリングに使用するウェハ保持具に関するもので
ある。
プロセスの裏面工程及びテスト・アセンブリ工程のウェ
ハハンドリングに使用するウェハ保持具に関するもので
ある。
従来、GaAsl0プロセスの裏面工程では25μm〜
150μmlc薄板化加工した()aAaウェハをハン
ドリングするためにステンレス製ピンセットが用イラれ
ていた。第3図は薄板化加工し九〇aAsウェハのハン
ドリング説明図を示す。ウェハ(2)の周辺部をステン
レス製ビンセット(4)を用いて、つまみ第4図(a)
、 (b)に示した専用平置きケース(5)または(
6)に収納して運搬あるいは保管をしていた。
150μmlc薄板化加工した()aAaウェハをハン
ドリングするためにステンレス製ピンセットが用イラれ
ていた。第3図は薄板化加工し九〇aAsウェハのハン
ドリング説明図を示す。ウェハ(2)の周辺部をステン
レス製ビンセット(4)を用いて、つまみ第4図(a)
、 (b)に示した専用平置きケース(5)または(
6)に収納して運搬あるいは保管をしていた。
次に動作について説明する。GaAsウェハ(2)の表
面にFET、抵抗、配線、コンデンサー等を形成した後
、保護膜を形成してガラス板又はセラミック板上にウェ
ハ(2)の裏面を上にして貼シ合わせる。この状態を第
5図←)に示す。次に研削、ポリッシュ、エツチングお
よびラッピング等によ[GaA8ウェハ(7)を薄板化
加工する。薄板化加工後のGaA3ウェハ(2)厚は機
種によって異なるが、25μm〜150μmである。こ
の状態を第5図(1,)に示す。次に、ガラス板又はセ
ラミック板(9)からGaAsウェハ(7)をはがし、
保護膜と接着剤を除去・洗浄してウェハプロセスは終了
する。この薄板化ウェハ(2)の周辺部をステンレス製
ピンセット(4)によシつまみ、第4図(a) 、 (
1))に示した専用平置きケースに収納しテスト・アセ
ンブリ工程へ進む。テスト工程ではやはシスチンレス製
ピンセット(4)によシ薄板化つエノ直2)周辺部をつ
まみ測定ステージに載せる。テスト終了後ステンレス製
ピンセット(4)により薄板化ウェハ周辺部をつまみ、
測定ステージから上記の専用平置きケース(5)または
(6)に収納し保管する。
面にFET、抵抗、配線、コンデンサー等を形成した後
、保護膜を形成してガラス板又はセラミック板上にウェ
ハ(2)の裏面を上にして貼シ合わせる。この状態を第
5図←)に示す。次に研削、ポリッシュ、エツチングお
よびラッピング等によ[GaA8ウェハ(7)を薄板化
加工する。薄板化加工後のGaA3ウェハ(2)厚は機
種によって異なるが、25μm〜150μmである。こ
の状態を第5図(1,)に示す。次に、ガラス板又はセ
ラミック板(9)からGaAsウェハ(7)をはがし、
保護膜と接着剤を除去・洗浄してウェハプロセスは終了
する。この薄板化ウェハ(2)の周辺部をステンレス製
ピンセット(4)によシつまみ、第4図(a) 、 (
1))に示した専用平置きケースに収納しテスト・アセ
ンブリ工程へ進む。テスト工程ではやはシスチンレス製
ピンセット(4)によシ薄板化つエノ直2)周辺部をつ
まみ測定ステージに載せる。テスト終了後ステンレス製
ピンセット(4)により薄板化ウェハ周辺部をつまみ、
測定ステージから上記の専用平置きケース(5)または
(6)に収納し保管する。
従来の薄板化ウェハのハンドリングは上記の様にステン
レス製ピンセットを用いてウェハ周辺部をつまんでウェ
ハの移動を行なっていたために、作業時に熟練と慎重さ
が必要であシ、通常()aAsウェハの厚みは〜600
pmあるために問題にならないが、25〜150μmの
薄板化ウエノ・は非常に割れ易いので、少しでも無理な
力が加わったりするとたちまち割れてしまうため、熟練
した作業者が慎重にウェハを扱わなければならないので
、能率が悪くウェハの割れ率が非常に高いという問題点
があった。
レス製ピンセットを用いてウェハ周辺部をつまんでウェ
ハの移動を行なっていたために、作業時に熟練と慎重さ
が必要であシ、通常()aAsウェハの厚みは〜600
pmあるために問題にならないが、25〜150μmの
薄板化ウエノ・は非常に割れ易いので、少しでも無理な
力が加わったりするとたちまち割れてしまうため、熟練
した作業者が慎重にウェハを扱わなければならないので
、能率が悪くウェハの割れ率が非常に高いという問題点
があった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、薄板化ウェハのハンドリングが通常のウェハ
同様に扱えるようにできるウェハ保持具を得ることを目
的とする。
たもので、薄板化ウェハのハンドリングが通常のウェハ
同様に扱えるようにできるウェハ保持具を得ることを目
的とする。
第1の発明に係るウェハ保持具は、ドーナツ状の金属円
板の内側に薄板化GaAθウェハを置き、ウェハの外周
部とドーナツ状の金属円板の内周部とを同時にドーナツ
状のテープを用いて貼り付けたものである。
板の内側に薄板化GaAθウェハを置き、ウェハの外周
部とドーナツ状の金属円板の内周部とを同時にドーナツ
状のテープを用いて貼り付けたものである。
また、第2の発明に係るウェハ保持具は、ドーナツ状の
金属円板の内側に、ウェハの外周部とドーナツ状の金属
円板の内周部とが重なるようにウェハを置き、重なった
部分を熱圧着、はんだ付け、又は超音波溶接によって貼
υ合わせたものである。
金属円板の内側に、ウェハの外周部とドーナツ状の金属
円板の内周部とが重なるようにウェハを置き、重なった
部分を熱圧着、はんだ付け、又は超音波溶接によって貼
υ合わせたものである。
この発明におけるウェハ保持具は、ドーナツ状の金属円
板が薄板化ウェハを支える枠の役割を果し、これによっ
て通常使用されているカセットに収納することが可能に
なり、またドーナツ状のテープは薄板化ウェハとドーナ
ツ状金属円板とを貼シ合わせる役割を果す。
板が薄板化ウェハを支える枠の役割を果し、これによっ
て通常使用されているカセットに収納することが可能に
なり、またドーナツ状のテープは薄板化ウェハとドーナ
ツ状金属円板とを貼シ合わせる役割を果す。
以下、この発明の一実施例を図について説明する0
第1図(−) 、 (b)はこの発明の一実施例である
ウェハ保持具の平面図および断面図で、図中、(1)は
金属円板で、材質はステンレス、銅、アルミニウム、銀
、真鍮、ニッケル、スズまたは鉄でおる。または、これ
らの金属のうち少なくとも1つの金属を含む合金あるい
はプラスチックであってもよい。
ウェハ保持具の平面図および断面図で、図中、(1)は
金属円板で、材質はステンレス、銅、アルミニウム、銀
、真鍮、ニッケル、スズまたは鉄でおる。または、これ
らの金属のうち少なくとも1つの金属を含む合金あるい
はプラスチックであってもよい。
外径はlOOミリ(4インチ)、内径は74ミリ(3イ
ンチ−0,5ミリ)である。(2)は薄板化GaAsウ
ェハ(3インチ)で、厚みは25〜150μmである。
ンチ−0,5ミリ)である。(2)は薄板化GaAsウ
ェハ(3インチ)で、厚みは25〜150μmである。
表面には、FET、抵抗、配線およびコンデンサー等が
形成されている。(3)は金属円板(1)の内周部と薄
板化()aAsウェハとにまたがって貼シ付けられたテ
ープである。
形成されている。(3)は金属円板(1)の内周部と薄
板化()aAsウェハとにまたがって貼シ付けられたテ
ープである。
次に動作について説明する。
第1図(a)または(b)において、金属円板(1)は
薄板化GaAsウェハ(2)をドーナツ状テープ(3)
とともに支え、更にランダムに湾曲した薄板化GaAθ
ウェハ(2)を平面状に保つ。その結果ランダムに湾曲
していた薄板化GaAsウェハ(2)を通常使用してい
るカセットに収納することができるので、カセットから
カセットへの自動測定装置への適用が可能になる。
薄板化GaAsウェハ(2)をドーナツ状テープ(3)
とともに支え、更にランダムに湾曲した薄板化GaAθ
ウェハ(2)を平面状に保つ。その結果ランダムに湾曲
していた薄板化GaAsウェハ(2)を通常使用してい
るカセットに収納することができるので、カセットから
カセットへの自動測定装置への適用が可能になる。
この発明の他の実施例を第2図(a) f (1))に
示す。
示す。
第2図(a)はウェハ保持具の平面図、(b)はその断
面図である。金属円板(1)の材質と外径は上記実施例
と同様で、内径は76ミリ(3インチ+0.5〜1ミリ
)である。薄板化()aAθウェハ(2)の外周部と金
属円板(1)の内周部とが重なっておシ、裏面側は面一
になっている。重なっている部分の接続は、熱圧着、は
んだ付け、又は超音波溶接で行なう。
面図である。金属円板(1)の材質と外径は上記実施例
と同様で、内径は76ミリ(3インチ+0.5〜1ミリ
)である。薄板化()aAθウェハ(2)の外周部と金
属円板(1)の内周部とが重なっておシ、裏面側は面一
になっている。重なっている部分の接続は、熱圧着、は
んだ付け、又は超音波溶接で行なう。
以上のようにこの発明によれば、ドーナツ状の金属円板
とドーナツ状のテープによシ薄板化GaAsウェハを支
持するようにしたので、ランダムに湾曲している上に割
れ易い薄板化GaAsウェハを面一な通常のウェハと同
様にハンドリングできるようになった。具体的には、薄
板化GaAsウェハが3インチの場合は4インチの金属
円板で支持することによって4インチ用のカセットで運
搬や惺管ができ、さらに自動測定様にも適用できる。ま
た、割れ易い薄板化GaAsウェハを直接されることが
ないのでウェハ割れ率が大幅に減少する。即ち、作業能
率の向上、歩留りの向上、さらには、コストの低減に繋
がる。
とドーナツ状のテープによシ薄板化GaAsウェハを支
持するようにしたので、ランダムに湾曲している上に割
れ易い薄板化GaAsウェハを面一な通常のウェハと同
様にハンドリングできるようになった。具体的には、薄
板化GaAsウェハが3インチの場合は4インチの金属
円板で支持することによって4インチ用のカセットで運
搬や惺管ができ、さらに自動測定様にも適用できる。ま
た、割れ易い薄板化GaAsウェハを直接されることが
ないのでウェハ割れ率が大幅に減少する。即ち、作業能
率の向上、歩留りの向上、さらには、コストの低減に繋
がる。
第1図(a) 、 (1))はこの発明の一実施例であ
るウェハ保持具の平面図および断面図、第2図(a)
、 (b)はこの発明の他の実施例であるウェハ保持具
の平面図および断面図、第3図は従来の薄板化GaAs
ウェハとピンセットでつかむ状態を示した図、第4図(
a) 、 (b)は従来の薄板化GaAsウェハを収納
する専用平置きケースの斜視図で、(a)は6枚用、(
b)は1枚用である。第5図(a) 、 (1:、)は
GaAsウェハの薄板化加工前および加工後の断面図で
ある。 図中、(1)はドーナツ状の金属円板、(2)は薄板化
GaAsウェハ、(3)はドーナツ状のテープである。 なお、図中、同一符号は同一 または相当部分を示す。
るウェハ保持具の平面図および断面図、第2図(a)
、 (b)はこの発明の他の実施例であるウェハ保持具
の平面図および断面図、第3図は従来の薄板化GaAs
ウェハとピンセットでつかむ状態を示した図、第4図(
a) 、 (b)は従来の薄板化GaAsウェハを収納
する専用平置きケースの斜視図で、(a)は6枚用、(
b)は1枚用である。第5図(a) 、 (1:、)は
GaAsウェハの薄板化加工前および加工後の断面図で
ある。 図中、(1)はドーナツ状の金属円板、(2)は薄板化
GaAsウェハ、(3)はドーナツ状のテープである。 なお、図中、同一符号は同一 または相当部分を示す。
Claims (2)
- (1)保持されるウェハ径よりも大きな規格化された任
意のウェハ径と同一外径を有し、その中央部に開口して
設けられたウェハ導入部を有する中空円板状の保持体、
この保持体に固定され前記ウェハ導入部に導入された前
記ウェハを支持する支持体を備えたことを特徴とするウ
ェハ保持具。 - (2)保持されるウェハ径よりも大きな規格化された任
意のウェハ径と同一外径を有する円板状の保持体、この
保持体の中央部に設けられ前記保持されるウェハ径より
も大きく、かつ、その一主面側から前記ウェハ厚さと同
一深さを有するウェハ収容部、前記保持体に設けられ前
記保持されるウェハが前記ウェハ収容部に収容された時
、前記ウェハの集積回路部が内包される開口部を備えた
ことを特徴とするウェハ保持具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2102701A JPH042146A (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | ウエハ保持具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2102701A JPH042146A (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | ウエハ保持具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH042146A true JPH042146A (ja) | 1992-01-07 |
Family
ID=14334566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2102701A Pending JPH042146A (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 | ウエハ保持具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH042146A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007294819A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-08 | Fujikura Ltd | 基板ホルダー |
| JP2010067761A (ja) * | 2008-09-10 | 2010-03-25 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 基板保持治具 |
| JP2010205817A (ja) * | 2009-03-02 | 2010-09-16 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 電子部品保持具 |
| JP2010278198A (ja) * | 2009-05-28 | 2010-12-09 | Lintec Corp | ウェハ加工用シート |
| JP2011023546A (ja) * | 2009-07-16 | 2011-02-03 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 電子部品保持具及びその使用方法 |
-
1990
- 1990-04-18 JP JP2102701A patent/JPH042146A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007294819A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-08 | Fujikura Ltd | 基板ホルダー |
| JP2010067761A (ja) * | 2008-09-10 | 2010-03-25 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 基板保持治具 |
| JP2010205817A (ja) * | 2009-03-02 | 2010-09-16 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 電子部品保持具 |
| JP2010278198A (ja) * | 2009-05-28 | 2010-12-09 | Lintec Corp | ウェハ加工用シート |
| JP2011023546A (ja) * | 2009-07-16 | 2011-02-03 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 電子部品保持具及びその使用方法 |
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