JPH04214871A - マイクロ波プラズマ処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波プラズマ処
理装置に係り、特に半導体素子基板等の試料をプラズマ
を利用してエッチング処理、成膜処理等するのに好適な
マイクロ波プラズマ処理装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来のマイクロ波プラズマ処理装置は、
例えば、特開平２−１６７３２号公報に記載のように、
マイクロ波が伝播する導波管内に円偏波変換手段を設け
て、マイクロ波の振動方向を１／４周期毎に９０°ずつ
回転させ、１周期で１回転するようにし、プラズマ生成
密度を均一化させるようになっていた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記の従来技術は、マ
イクロ波からプラズマ中の荷電粒子へのエネルギー変換
効率に影響を与えるマイクロ波の位相速度の点について
は配慮されておらず、プラズマの高密度化が不十分であ
った。

【０００４】本発明の目的は、高密度プラズマを生成し
、プラズマ処理速度を向上させることのできるマイクロ
波プラズマ処理装置を提供するものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、マイクロ波の伝播領域に遅波回路を設けたものであ
る。

【０００６】

【作用】マイクロ波の伝播領域に設けられた遅波回路は
、マイクロ波の位相速度を遅くする働きを有する。一方
、プラズマ中の荷電粒子の中で、マイクロ波の位相速度
に近い速度を有する荷電粒子が、最も良くマイクロ波の
エネルギーを吸収する。またプラズマ中の荷電粒子の速
度分布としてマックスウェル分布等で仮定されるように
比較的低い速度を有する荷電粒子の方が多数を占める。 したがって、遅波回路を用いてマイクロ波の位相速度を
、プラズマ中の荷電粒子の速度分布で多く分布する比較
的低い速度まで遅くすることにより、プラズマ中のより
多くの荷電粒子がマイクロ波のエネルギーを効率良く吸
収する。これによって、プラズマ密度が増加するため、
プラズマ処理速度が向上する。

【０００７】

【実施例】以下、本発明の第１の実施例を図１ないし図
３により説明する。図１は、本発明のマイクロ波プラズ
マ処理装置を示すもので、この場合、有磁場マイクロ波
プラズマエッチング装置を示す。処理室１０の上側開口
部には、非磁性でかつ導電性の材料で成る、例えば、ア
ルミニウムで形成された中空の遅波回路１９が真空シー
ル２１を介して気密に設けてある。遅波回路１９はアー
ス電位に接地されている。遅波回路１９の上側開口部に
は、板状の石英窓が真空シール２２を介して気密に設け
てある。処理室１０の底部には、電気絶縁材１１を介し
て試料台１２が設けてある。この場合、処理室１０，遅
波回路１９および石英窓２０によって放電室を兼ねた真
空処理室が形成される。試料台１２は、試料１３の処理
面を遅波回路１９の中空部に対応させて配置可能になっ
ている。処理室１０および遅波回路１９には、この場合
、処理ガス供給源（図示省略）から遅波回路１９内の上
部に処理ガスを導入する供給路２３が設けてある。処理
室１０の底部には排気口２４が設けてあり、排気口２４
には真空処理室内を所定の圧力に減圧排気可能な真空排
気装置（図示省略）が連結してある。試料台１２には、
マッチングボックス１４を介して高周波電源１５が接続
してある。処理室１０の上部には、遅波回路１９の外周
および石英窓２０の上部を囲んで導波管１６が設けてあ
る。導波管１６の端部には、マイクロ波を発振可能なマ
グネトロン１７が設けてある。遅波回路１９の外側でさ
らに導波管１６の外側外周部には、ソレノイドコイル１
８が設けてある。遅波回路１９は、この場合、図２およ
び図３に示すように、内径Ａ，外径Ｂ，厚さＴのディス
ク状の突起をピッチＬで等間隔に複数枚形成した円筒状
のもので、導波管の一種である。

【０００８】このように構成した装置により、真空処理
室の内部を真空排気装置によって減圧排気すると共に、
処理ガス供給装置によって処理ガスである、この場合、
エッチングガスをガス供給路２３を介して遅波回路１９
内および処理室１０内の空間に導入し、所定の圧力に調
節する。次に、図示を省略した電源によってソレノイド
コイル１８を励磁する。これによって、遅波回路１９内
および処理室１０内には、ソレノイドコイル１８によっ
て試料台１２に向かう磁界が発生しする。試料１３は磁
場領域内に位置する。また、図示を省略した電源によっ
てマグネトロン１７からマイクロ波を発振させる。マグ
ネトロン１７によって発振された、この場合、２．４５
　ＧＨｚのマイクロ波は、導波管１６内を伝播し、石英
窓２０を透過して処理室１０内に入射される。このとき
、石英窓２０を透過して入射されたマイクロ波は、遅波
回路１９により位相速度が遅くらされて、遅波回路１９
内を伝播する。この位相速度の遅れたマイクロ波の電界
とソレノイドコイル１８による磁界との相互作用によっ
て、遅波回路１９内の空間の処理ガスを励起しプラズマ
化する。このようにマイクロ波の位相速度を遅らせるこ
とによって、マイクロ波のエネルギは効率良く処理ガス
に伝えられ、処理ガスは効率良くプラズマ化される。

【０００９】すなわち、処理ガスのプラズマ化に際して
は、マイクロ波の位相速度と荷電粒子の速度とがほぼ等
しいとき、マイクロ波と荷電粒子との間でエネルギ変換
が最も効率良く行なわれる。したがって、同程度の速度
を有する荷電粒子が多く分布するところの荷電粒子の速
度にマイクロ波の位相速度を合わせることによってプラ
ズマ化効率を向上させることができる。なお、プラズマ
中の荷電粒子の中には、その荷電粒子の速度が光速に近
いものから速度ゼロのものまで様々存在し、その速度分
布はマックスウェル分布等で仮定されるように光速に対
して比較的低速度をの荷電粒子の方が多数を占める。し
たがって、プラズマ中の荷電粒子の速度分布で多く分布
する比較的低速度のところにマイクロ波の位相速度が合
うように、遅波回路１９によってマイクロ波の位相速度
を遅くする。なお、マイクロ波の位相速度は、できるだ
けプラズマ中の荷電粒子の速度分布で最も多く分布する
部分の速度（最確速度）に近付けることが望ましい。こ
れにより、プラズマ中のより多くの荷電粒子がマイクロ
波のエネルギーを効率良く吸収し、効率良くエネルギー
を吸収した多くの荷電粒子がプラズマ化して高密度プラ
ズマをプラズマ発生室内に生成する。

【００１０】このようにして生成した高密度プラズマに
よって試料台１２に配置された試料１３をエッチング処
理することにより、プラズマ処理速度、この場合、エッ
チング処理速度が向上する。なお、この場合、試料台１
２に印加した高周波電源１５からの高周波電圧によって
、試料１３のエッチング形状を制御するようになってい
る。

【００１１】なお、本第１の実施例において、例えば、
試料は６インチのウエハで、遅波回路１９のディスク状
の突起２５のピッチＬをマイクロ波の管内波長の１／４
倍の長さ（この場合、３２．３ｍｍ）とし、ディスク状
の突起２５の内径Ａを１３０ｍｍ、外径Ｂを１８０ｍｍ
、厚さＴを３ｍｍとして、例えば、処理ガスであるエッ
チングガスをＣＨＦ３，エッチング圧力を１０ｍＴｏｒ
ｒ，マイクロ波出力を１ＫＷ，高周波電源周波数を８０
０ＫＨｚとしたエッチング条件下で、エッチング処理を
行なうと、遅波回路１９を用いなかった場合のＳｉＯ２
のエッチレートが４８５ｎｍ／ｍｉｎだったのに対し、
遅波回路１９を用いた場合のＳｉＯ２のエッチレートは
７８６ｎｍ／ｍｉｎとなり、エッチレートは約１．６倍
に向上した。

【００１２】以上、本第１の実施例によれば、遅波回路
１９を用いることにより、同程度の速度を有する荷電粒
子が多く存在するところの速度にマイクロ波の位相速度
を合わせ、高密度のプラズマを生成することができるの
で、プラズマ処理速度が向上するという効果がある。

【００１３】なお、第１の実施例では遅波回路１９のデ
ィスクのピッチＬをマイクロ波の管内波長の１／４倍の
長さとしているが、一般には周期構造（突起２５が所定
の間隔で設けられて成る構造）を有する遅波回路の周期
を通過するマイクロ波の管内波長の１／Ｎ倍（Ｎは正の
整数）としておけば、マイクロ波の電磁界分布が周期的
に形成され、発生するプラズマがより安定となる。

【００１４】また、本第１の実施例では、ディスク状の
突起２５を一体に形成した遅波回路１９が示されている
が、図４に示すように、組み立て式にしたものでも良い
。例えば、この場合、遅波回路１９ａは、非磁性の導電
体で成り一端にディスク状の端面を有する外筒２６内に
、同じく非磁性の導電体で成るスペーサ２７とディスク
２８とを交互に複数個重ねて配置し、外筒２６の他端を
同じく非磁性の導電体で成る押え３０で押さえて、外筒
２６内のスペーサ２７およびディスク２８を固定して、
図２に示すような形状にしている。また、スペーサ２７
によって形成されたディスク２８間の空間に誘電体２９
を設けることによって、さらにマイクロ波の位相速度を
遅くすることができる。また、本第１の実施例では、デ
ィスク状の突起２５を一定の内外径および間隔で配置し
ているが、図５ないし図８に示すように遅波回路１９ｂ
ないし１９ｅのディスク状の突起２５を、内外径および
間隔を変化させて配置しても良い。図５は、突起２５の
内外径を一定にして、間隔を変化させた例を示す。図６
は、突起２５の間隔および外径を一定にして、内径を変
化させた例を示す。図７は、突起２５の間隔および内径
を一定にして、外形を変化させた例を示す。図８は、突
起２５の間隔を一定にして、外径および内径を変化させ
た例を示す。これら図５ないし図８に示した遅波回路１
９ｂないし１９ｅは、第１の実施例で示したように一体
に形成しているが、図４に示すように組立て式にしても
良い。また、遅波回路の他の例は、これら図４ないし図
８に示す遅波回路１９ａないし１９ｅの突起２５の配置
に限らず、適宜内外径および間隔を変化させることによ
り、マイクロ波の位相速度を調整できることは言うまで
もない。

【００１５】次に本発明の第２の実施例を図９により説
明する。前記第１の実施例では、遅波回路１９の突起２
５の間隔を固定させていたが、エッチング処理における
ガス種，圧力，流量等のプラズマ発生条件を広範囲に変
化させる場合もあり、これに伴って最適なマイクロ波の
位相速度も異なる。そこで本第２の実施例では、遅波回
路の突起の間隔（周期）を調整できるようにした。図９
において、図１と同一部材は同符号で示し、説明を省略
する。本図が図１と異なる点は、プラズマ中の電子密度
を測定しながら遅波回路の周期を調整可能とした点であ
る。遅波回路３１は、この場合、端板３２および３３の
間に複数個のベローズ３５およびディスク３４を交互に
接続して設けるとともに、ベローズ３５の外側で端板３
２および３３の間にエアシリンダ３７を配置して設け、
端板３２とディスク３４との間，ディスク３４同士の間
および端板３３とディスク３４との間に、移動可能に一
部が重なり合ったリング３６をそれぞれディスク３４ま
たは端板３３，３２の一方に取り付けて構成してある。 また、遅波回路３１はアース電位に接地されている。ま
た、石英窓２０を介して遅波回路３１内の放電室が透視
できる導波管１６の部分に光ファイバ３９を取付け、光
ファイバ３９の他端を分光器４０に接続し、分光器４０
からの出力を制御装置４１に入力できるように接続して
ある。一方、エアシリンダ３７にはシリンダ駆動源３８
が接続してあり、シリンダ駆動源３８は制御装置４１に
よって制御可能に接続してある。

【００１６】このように構成したマイクロ波プラズマ処
理装置によれば、エアシリンダ３７をシリンダ駆動源３
８によって伸縮させることにより、遅波回路３１の周期
を変化させることができ、またベロ−ズ３５により、遅
波回路３１内の真空を保持できる。これにより、広範囲
のプラズマ発生条件に対しても、遅波回路３１の周期を
変化させて最適の条件に設定することができるので、よ
り高密度のプラズマを発生させることができ、プラズマ
処理速度を向上させることができる。また本実施例では
、プラズマからの発光を光ファイバ３９を通して分光器
４０に導入し、プラズマ中の電子密度を測定している。 その測定結果を制御装置４１に入力し、制御装置４１に
よって、処理室１０内の放電空間に高密度のプラズマが
生成されるように、シリンダ駆動源３８を制御して、エ
アシリンダ３７を伸縮させ、遅波回路３１の周期を変化
させるようにしている。

【００１７】本第２の実施例によれば、前記第１の実施
例と同様の効果があると共に、プラズマ処理の条件にあ
わせて最適なプラズマ発生状態を作ることができるとい
う効果がある。

【００１８】なお、本第２の実施例では、プラズマから
の発光を利用してプラズマ中の電子密度を測定し、該電
子密度の測定結果により遅波回路３１の周期を調整する
ように制御したが、高周波電圧測定器を用いて試料台１
２に印加されている高周波電圧Ｖｐｐを測定し、該高周
波電圧Ｖｐｐの値によって電子密度を推定し、高密度プ
ラズマが得られるように遅波回路３１の周期を制御して
もよい。またマイクロ波の反射波の出力を測定し、遅波
回路３１の周期を調整するように制御しても良い。また
、本第２の実施例では、遅波回路３１の周期調整に電子
密度を利用する方法を用いたが、これ以外に、必要に応
じて、電子温度、イオン密度、イオン温度、ラジカル密
度、ラジカル温度等に依存して変化する量を計測して、
遅波回路３１の周期を調整するようにしても良い。

【００１９】次に、本発明の第３の実施例を図１０によ
り説明する。図１０において、図１と同一部材は同符号
で示し、説明を省略する。本図が図１と異なる点は、導
波管内部のプラズマ発生領域外部にも遅波回路を設けた
点である。この場合、マイクロ波の進行方向に対して、
石英窓２０の前方の導波管１６内に遅波回路１９と同じ
ように形成した遅波回路４２を取り付けている。遅波回
路４２はアース電位に接地してある。また、遅波回路１
９と遅波回路４２との間は、できるだけ近付けて配置し
てあり、接触させても良い。このように構成した第３の
実施例によれば、マイクロ波が石英窓２０を透過する前
にマイクロ波の位相速度をある程度遅くしておけるので
、マイクロ波が石英窓２０を透過した後でのマイクロ波
の位相速度の急激な変化がなく、より効率良くマイクロ
波のエネルギをプラズマ中の荷電粒子にエネルギ変換で
き、前記第１の実施例の場合よりもさらに高密度のプラ
ズマが生成でき、プラズマ処理速度をより向上させるこ
とができるという効果がある。

【００２０】次に、本発明の第４の実施例を図１１によ
り説明する。図１１において、図１と同一部材は同符号
で示し、説明を省略する。本図が図１と異なる点は、石
英ベルジャを処理室に気密に取付け、導波管の内壁に石
英ベルジャを囲んで遅波回路を一体に形成した点である
。この場合、マイクロ波の進行方向に対して手前側に凸
状に形成された石英ベルジャ４３を処理室１０上部開口
部に気密に取付け、石英ベルジャ４３の外周に対応する
導波管４４の内壁に遅波回路４５を一体に形成している
。なお、石英ベルジャ４３の凸状部分の内径は少なくと
も試料１３の径よりも大きくすることが好ましい。また
、遅波回路４５は、この場合、マイクロ波の伝播をスム
ーズに行なえるように、導波管の内径が極端に変化する
部分から徐々に遅波回路の内径を広げて設けてある。 このように構成した第４の実施例によれば、前記第１の
実施例と同様の効果があるとともに、遅波回路４４が石
英ベルジャ４３で形成されるプラズマ発生領域外に配置
されているので、重金属汚染の少ないプラズマ処理がで
きるという効果がある。また、石英ベルジャ４３よりも
上方まで遅波回路４４が伸ばしてあるので、前記第３の
実施例と同様に石英ベルジャ４３を透過したマイクロ波
の位相速度の急激な変化を防止できる。さらに、導波管
内に遅波回路を一体にして形成してあるので、導波管内
の有効スペースを大きく取ることができる。

【００２１】次に、本発明の第５の実施例を図１２によ
り説明する。図１２において、図１および図１１と同一
部材は同符号で示し、説明を省略する。本図が図１１と
異なる点は、導波管内部のプラズマ発生領域外に遅波回
路を設けた点である。この場合、マイクロ波の進行方向
に対して、石英ベルジャ４３ａの前方の導波管１６内に
遅波回路４６を取り付けてある。なお、遅波回路４６の
端部と石英ベルジャ４３ａとはできるだけ近付けことが
好ましい。また、その隙間はマイクロ波の波長より狭く
する。このように構成した第５の実施例によれば、前記
第５の実施例と同様にプラズマ発生領域外に遅波回路が
設置されているので、重金属汚染の少ないプラズマ処理
ができるとともに、石英ベルジャの内径を大きくできる
ので広範囲にプラズマを生成することができ、大口径の
試料にも対応することができるという効果がある。

【００２２】次に、本発明の第６の実施例を図１３によ
り説明する。図１３において、図１および図１２と同一
部材は同符号で示し、説明を省略する。本図が図１２と
異なる点は、図１２の石英ベルジャに代えて、放電室部
を非磁性でかつ導電性の材料、例えば、アルミニウムで
形成した放電ブロック４７と石英窓２０とで構成した点
である。この場合、放電ブロック４７を処理室１０上部
開口部に気密に取付け、さらに、放電ブロック４７の上
部開口に石英窓２０を気密に取り付けてある。なお、こ
の場合、放電ブロック４７の内径は試料１３の径とほぼ
同程度にしてあり、放電ブロック４７の端部は試料台１
２側に向かってテーパー状に広げて形成してある。放電
ブロック４７は、アース電位に接地してある。このよう
に構成した第６の実施例によれば、前記第５の実施例と
同様の効果が得られるとともに、放電ブロックの端部が
テーパー状に成っているので、プラズマが均一に拡散し
やすくなり、プラズマ処理の均一性が向上するという効
果がある。

【００２３】次に、本発明の第７の実施例を図１４によ
り説明する。図１４において、図１および図１３と同一
部材は同符号で示し、説明を省略する。本図が図１３と
異なる点は、図１３のように放電領域外に遅波回路を設
ける代わりに、放電室部を形成する放電ブロックに遅波
回路を形成した点である。この場合、マイクロ波の進行
方向に対して、放電ブロック４８の前側に遅波回路４９
を形成した。このように構成した第７の実施例によれば
、前記第１の実施例と同様の効果が得られるとともに、
前記第６の実施例と同様に放電ブロックの端部がテーパ
ー状に成っているので、プラズマが均一に拡散しやすく
なり、プラズマ処理の均一性が向上するという効果があ
る。

【００２４】以上の各実施例は、有磁場マイクロ波プラ
ズマ処理装置について述べたが、磁場を用いないマイク
ロ波プラズマ処理装置であっても良い。また、プラズマ
エッチング装置に適用した場合について述べたが、プラ
ズマＣＶＤ装置、アッシング装置、更には、マイクロ波
プラズマを利用したイオン源装置及び光源装置等のよう
にマイクロ波プラズマを利用する装置であれば適用可能
である。イオン源装置の応用例としては、イオン注入装
置のイオン源等がある。また、遅波回路として、この場
合、ディスク状にして空間を広く形成したものについて
述べたが、逆に空間を狭く形成した溝状のものとしても
良い。また、遅波回路として、ヘリカルコイルやリング
電極等から構成したものでも同様の効果を得ることがで
きる。また図４ないし図８に示した遅波回路は、線型加
速器における加速管用の遅波回路、あるいはマイクロ波
を発生させる進行波管用の遅波回路、あるいは自由電子
レ−ザ−用の遅波回路としても利用することも可能であ
る。

【００２５】

【発明の効果】以上、本発明によれば、マイクロ波の伝
播領域に遅波回路を用いることにより、同程度の速度を
有する荷電粒子が多く存在するところの速度にマイクロ
波の位相速度を合わせることができるので、高密度のプ
ラズマを生成することができ、プラズマ処理速度を向上
させることができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例である有磁場マイクロ波
プラズマエッチング装置を示す縦断面図である。

【図２】図１の装置の遅波回路の詳細を示す縦断面図で
ある。

【図３】図２を断面１−１から見た遅波回路の平断面図
である。

【図４】図１の装置の遅波回路の他の実施例を示す縦断
面図である。

【図５】図１の装置の遅波回路の他の実施例を示す縦断
面図である。

【図６】図１の装置の遅波回路の他の実施例を示す縦断
面図である。

【図７】図１の装置の遅波回路の他の実施例を示す縦断
面図である。

【図８】図１の装置の遅波回路の他の実施例を示す縦断
面図である。

【図９】本発明の第２の実施例である有磁場マイクロ波
プラズマエッチング装置を示す縦断面図である。

【図１０】本発明の第３の実施例である有磁場マイクロ
波プラズマエッチング装置を示す縦断面図である。

【図１１】本発明の第４の実施例である有磁場マイクロ
波プラズマエッチング装置を示す縦断面図である。

【図１２】本発明の第５の実施例である有磁場マイクロ
波プラズマエッチング装置を示す縦断面図である。

【図１３】本発明の第６の実施例である有磁場マイクロ
波プラズマエッチング装置を示す縦断面図である。

【図１４】本発明の第７の実施例である有磁場マイクロ
波プラズマエッチング装置を示す縦断面図である。

【符号の説明】

１０…処理室、１６…導波管、１７…マグネトロン、１
９，１９ａないし１９ｅ…遅波回路、２０…石英窓、３
１…遅波回路、３７…エアシリンダ、３８…シリンダ駆
動源、３９…光ファイバ、４０…分光器、４１…制御装
置、４２，４５，４６，４９…遅波回路、４３，４３ａ
…石英ベルジャ、４４…導波管、４７，４８…放電ブロ
ック

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】マイクロ波を利用したプラズマ処理装置に
   おいて、マイクロ波の伝播領域に遅波回路を設けたこと
   を特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。
2. 【請求項２】前記遅波回路は、導電体に複数のディスク
   または溝を形成して成る請求項１記載のマイクロ波プラ
   ズマ処理装置。
3. 【請求項３】前記遅波回路は、導電体から成る複数のデ
   ィスクおよびスペーサを交互に組合せて構成した請求項
   １記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
4. 【請求項４】前記遅波回路は、前記複数のディスク間ま
   たは前記溝に誘電体を設けて成る請求項２または請求項
   ３記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
5. 【請求項５】前記遅波回路は、ヘリカルコイルまたはリ
   ング電極系から成る請求項１記載のマイクロ波プラズマ
   処理装置。
6. 【請求項６】前記遅波回路は、周期構造を有する請求項
   ２，請求項３または請求項５記載のマイクロ波プラズマ
   処理装置。
7. 【請求項７】前記周期構造を有する遅波回路の１周期が
   、マイクロ波の管内波長の１／Ｎ倍（Ｎは正の整数）で
   ある請求項６記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
8. 【請求項８】前記周期構造を有する遅波回路が、その周
   期を可変可能である請求項６記載のマイクロ波プラズマ
   処理装置。
9. 【請求項９】前記遅波回路は、周期構造を有しない請求
   項２，請求項３または請求項５記載のマイクロ波プラズ
   マ処理装置。
10. 【請求項１０】前記遅波回路をプラズマ発生領域あるい
    はプラズマ発生領域外のいずれかまたは両方に配置する
    請求項１記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
11. 【請求項１１】マイクロ波を利用したプラズマ処理装置
    において、プラズマ発生室を遅波回路で形成したことを
    特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。
12. 【請求項１２】マイクロ波を利用したプラズマ処理装置
    において、導波管内に位置するプラズマ発生室を石英ベ
    ルジャで形成し、前記導波管内で該石英ベルジャの外周
    部に遅波回路を配置したことを特徴とするマイクロ波プ
    ラズマ処理装置。
13. 【請求項１３】マイクロ波を利用したプラズマ処理装置
    において、導波管内でかつマイクロ波の進行方向に対し
    て放電室の前方に遅波回路を配置したことを特徴とする
    マイクロ波プラズマ処理装置。
14. 【請求項１４】マイクロ波を利用したプラズマ処理装置
    において、プラズマ発生室にマイクロ波を導く導波管の
    内壁に遅波回路を一体に形成したことを特徴とするマイ
    クロ波プラズマ処理装置。
15. 【請求項１５】前記遅波回路は、導波管内に位置する石
    英ベルジャで成るプラズマ発生室の回りに設けた請求項
    １４記載のマイクロ波プラズマ処理装置。