JPH04215419A - 電子ビーム露光装置 - Google Patents
電子ビーム露光装置Info
- Publication number
- JPH04215419A JPH04215419A JP2402362A JP40236290A JPH04215419A JP H04215419 A JPH04215419 A JP H04215419A JP 2402362 A JP2402362 A JP 2402362A JP 40236290 A JP40236290 A JP 40236290A JP H04215419 A JPH04215419 A JP H04215419A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- pattern
- electron beam
- exposed
- data storage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はマスク、レチクル等の
基板上に塗布されたフォトレジストに電子ビームを照射
して所定のパターンを形成する電子ビーム露光装置に関
するものである。
基板上に塗布されたフォトレジストに電子ビームを照射
して所定のパターンを形成する電子ビーム露光装置に関
するものである。
【０００２】電子ビーム露光装置はレチクル等の基板上
に塗布されたフォトレジストに電子ビームを照射して感
光させ、その後現像してそのフォトレジストに所定のパ
ターニングを施し、そのレジストをマスクとしてクロム
膜等の遮光膜をパターニングしている。このような電子
ビーム露光装置では当該レチクルから形成される半導体
集積回路の信頼性を向上させるとともにコストを低減す
るために、レチクル等に形成される露光パターンの信頼
性を向上させ、かつレチクル等のコストを低減させる必
要がある。
に塗布されたフォトレジストに電子ビームを照射して感
光させ、その後現像してそのフォトレジストに所定のパ
ターニングを施し、そのレジストをマスクとしてクロム
膜等の遮光膜をパターニングしている。このような電子
ビーム露光装置では当該レチクルから形成される半導体
集積回路の信頼性を向上させるとともにコストを低減す
るために、レチクル等に形成される露光パターンの信頼
性を向上させ、かつレチクル等のコストを低減させる必
要がある。
【０００３】
【従来の技術】従来、所望のパターンを備えたレチクル
を形成するには基板上に塗布されたレジストに電子ビー
ム露光装置で電子ビームを照射して感光させ、その後現
像してそのレジストに所定のパターニングを施し、その
レジストをマスクとしてクロム膜等の遮光膜をパターニ
ングしている。そして、パターン形成後に形成されたパ
ターンに不良が有るか否かを検査装置で検査している。
を形成するには基板上に塗布されたレジストに電子ビー
ム露光装置で電子ビームを照射して感光させ、その後現
像してそのレジストに所定のパターニングを施し、その
レジストをマスクとしてクロム膜等の遮光膜をパターニ
ングしている。そして、パターン形成後に形成されたパ
ターンに不良が有るか否かを検査装置で検査している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
なレチクル製造工程ではパターニングの終了後にレチク
ルを検査装置に移送してパターン不良の有無を検査する
必要があるため、その検査工程に要する時間と労力によ
りレチクルのコストが上昇し、ひいてはこのレチクルに
よって製造される半導体集積回路のコストを上昇させる
要因となっている。
なレチクル製造工程ではパターニングの終了後にレチク
ルを検査装置に移送してパターン不良の有無を検査する
必要があるため、その検査工程に要する時間と労力によ
りレチクルのコストが上昇し、ひいてはこのレチクルに
よって製造される半導体集積回路のコストを上昇させる
要因となっている。
【０００５】この発明の目的は、被露光物に露光された
露光パターンの検査工程に要する時間と労力を軽減して
被露光物の製造コストを低減し得る電子ビーム露光装置
を提供することにある。
露光パターンの検査工程に要する時間と労力を軽減して
被露光物の製造コストを低減し得る電子ビーム露光装置
を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理説明
図である。すなわち、電子ビームによる露光面の熱分布
を検出するセンサ９と、該センサ９の出力信号に基づい
て被露光物に露光された露光パターンを検出するパター
ン検出装置１１と、被露光物を露光するためのパターン
データを記憶するデータ記憶装置６と、前記パターン検
出装置１１により検出された露光パターンと前記データ
記憶装置６に記憶されているパターンデータとを比較す
る比較装置８とを備えたものである。
図である。すなわち、電子ビームによる露光面の熱分布
を検出するセンサ９と、該センサ９の出力信号に基づい
て被露光物に露光された露光パターンを検出するパター
ン検出装置１１と、被露光物を露光するためのパターン
データを記憶するデータ記憶装置６と、前記パターン検
出装置１１により検出された露光パターンと前記データ
記憶装置６に記憶されているパターンデータとを比較す
る比較装置８とを備えたものである。
【０００７】
【作用】電子ビームにより被露光物に実際に露光された
露光パターンはセンサ９で被露光物の温度分布に基づい
てパターン検出装置１１で検出され、そのパターン検出
装置１１から出力される露光パターンとデータ記憶装置
６から出力される露光すべきパターンとが比較装置８で
比較される。
露光パターンはセンサ９で被露光物の温度分布に基づい
てパターン検出装置１１で検出され、そのパターン検出
装置１１から出力される露光パターンとデータ記憶装置
６から出力される露光すべきパターンとが比較装置８で
比較される。
【０００８】
【実施例】以下、この発明を具体化した一実施例を図２
〜図７に従って説明する。図２は電子ビーム露光装置の
概要を示すものであり、電子銃１から出力される電子ビ
ーム２は電磁レンズ３を介してレチクル基板４上に照射
される。電磁レンズ３はコントローラ５により制御され
、そのコントローラ５にはデータ格納部６にあらかじめ
格納されている露光データが入力される。従って、コン
トローラ５は露光データに基づいて電磁レンズ３を制御
し、レチクル基板４上に塗布されたレジストには露光デ
ータに基づく露光パターンが描画される。
〜図７に従って説明する。図２は電子ビーム露光装置の
概要を示すものであり、電子銃１から出力される電子ビ
ーム２は電磁レンズ３を介してレチクル基板４上に照射
される。電磁レンズ３はコントローラ５により制御され
、そのコントローラ５にはデータ格納部６にあらかじめ
格納されている露光データが入力される。従って、コン
トローラ５は露光データに基づいて電磁レンズ３を制御
し、レチクル基板４上に塗布されたレジストには露光デ
ータに基づく露光パターンが描画される。
【０００９】データ格納部６には第一のメモリ７が接続
され、その第一のメモリ７は比較装置８に接続されてい
る。そして、第一のメモリ７はコントローラ５の制御信
号に基づいてデータ格納部６から露光データを入力して
図形情報として記憶し、その図形情報を比較装置８に出
力する。
され、その第一のメモリ７は比較装置８に接続されてい
る。そして、第一のメモリ７はコントローラ５の制御信
号に基づいてデータ格納部６から露光データを入力して
図形情報として記憶し、その図形情報を比較装置８に出
力する。
【００１０】電子ビーム露光装置のレチクル基板４設置
位置近傍には温度を検出する赤外線センサ９が設けられ
、その赤外線センサ９とレチクル基板４との間にはコン
トローラ５で制御される偏向器１０が配設されている。 そして、偏向器１０は赤外線センサ９の指向を変化させ
て同赤外線センサ９でレチクル基板４上の温度分布を検
出させる。
位置近傍には温度を検出する赤外線センサ９が設けられ
、その赤外線センサ９とレチクル基板４との間にはコン
トローラ５で制御される偏向器１０が配設されている。 そして、偏向器１０は赤外線センサ９の指向を変化させ
て同赤外線センサ９でレチクル基板４上の温度分布を検
出させる。
【００１１】前記赤外線センサ９の出力信号はパターン
検出装置としての第二のメモリ１１に出力され、その第
二のメモリ１１はコントローラ５の制御に基づいて赤外
線センサ９の出力信号をレチクル基板４上の温度分布を
示す図形情報として記憶し、その図形情報を比較装置８
に出力する。
検出装置としての第二のメモリ１１に出力され、その第
二のメモリ１１はコントローラ５の制御に基づいて赤外
線センサ９の出力信号をレチクル基板４上の温度分布を
示す図形情報として記憶し、その図形情報を比較装置８
に出力する。
【００１２】さて、上記のように構成された電子ビーム
露光装置で表面にフォトレジストが塗布されたレチクル
基板４に例えば図３に示すようなパターンＰを露光する
場合の動作を説明すると、パターンＰは図４〜図６に示
すように前記データ格納部６に格納されている露光デー
タに基づいてコントローラ５の制御により例えば３回の
ショットＳ１，Ｓ２，Ｓ３で露光される。このような各
ショットＳ１，Ｓ２，Ｓ３による露光部は図７に示すよ
うにフォトレジストの温度が上昇し、時間の経過ととも
に徐々に低下する。そして、このような露光部の温度分
布が赤外線センサ９で走査されて非露光部との温度差に
基づく露光パターンが検出され、第二のメモリ１１に図
形情報として順次格納される。
露光装置で表面にフォトレジストが塗布されたレチクル
基板４に例えば図３に示すようなパターンＰを露光する
場合の動作を説明すると、パターンＰは図４〜図６に示
すように前記データ格納部６に格納されている露光デー
タに基づいてコントローラ５の制御により例えば３回の
ショットＳ１，Ｓ２，Ｓ３で露光される。このような各
ショットＳ１，Ｓ２，Ｓ３による露光部は図７に示すよ
うにフォトレジストの温度が上昇し、時間の経過ととも
に徐々に低下する。そして、このような露光部の温度分
布が赤外線センサ９で走査されて非露光部との温度差に
基づく露光パターンが検出され、第二のメモリ１１に図
形情報として順次格納される。
【００１３】一方、第一のメモリ７にはデータ格納部６
に格納されている露光データが図形情報として記憶され
ている。そして、レチクル基板４への露光終了後に第一
のメモリ７に記憶されている露光データの図形情報と、
第二のメモリ１１に記憶されている実際の露光パターン
の図形情報とが比較装置８で比較される。
に格納されている露光データが図形情報として記憶され
ている。そして、レチクル基板４への露光終了後に第一
のメモリ７に記憶されている露光データの図形情報と、
第二のメモリ１１に記憶されている実際の露光パターン
の図形情報とが比較装置８で比較される。
【００１４】従って、実際に露光された露光パターンと
露光データに基づく露光パターンとが比較されて両者に
差異が検出された場合にはパターン不良が発生している
ことを判別することができる。この結果、レチクル基板
４への露光終了と同時に露光パターンにパターン不良が
存在しているか否かが検出可能であるので、前記従来例
のような検査工程を省略してレチクルの製造コストを低
減することができる。
露光データに基づく露光パターンとが比較されて両者に
差異が検出された場合にはパターン不良が発生している
ことを判別することができる。この結果、レチクル基板
４への露光終了と同時に露光パターンにパターン不良が
存在しているか否かが検出可能であるので、前記従来例
のような検査工程を省略してレチクルの製造コストを低
減することができる。
【００１５】
【発明の効果】以上詳述したように、この発明の電子ビ
ーム露光装置に依れば被露光物に露光された露光パター
ンの検査工程に要する時間と労力を軽減して被露光物の
製造コストを低減することができる優れた効果を発揮す
る。
ーム露光装置に依れば被露光物に露光された露光パター
ンの検査工程に要する時間と労力を軽減して被露光物の
製造コストを低減することができる優れた効果を発揮す
る。
【図１】本発明の原理説明図である。
【図２】本発明の一実施例を示す電子ビーム露光装置の
概略図である。
概略図である。
【図３】電子ビーム露光装置による露光パターンの一例
を示すパターン図である。
を示すパターン図である。
【図４】図３の露光パターンの露光順序の一例を示すパ
ターン図である。
ターン図である。
【図５】図３の露光パターンの露光順序の一例を示すパ
ターン図である。
ターン図である。
【図６】図３の露光パターンの露光順序の一例を示すパ
ターン図である。
ターン図である。
【図７】電子ビーム露光したフォトレジストの露光部の
温度と時間の関係を示す線図である。
温度と時間の関係を示す線図である。
６ データ記憶装置
８ 比較装置
９ センサ
１１ パターン検出装置
Claims (1)
- 【請求項１】 電子ビームによる露光面の熱分布を検
出するセンサ（９）と、該センサ（９）の出力信号に基
づいて被露光物に露光された露光パターンを検出するパ
ターン検出装置（１１）と、被露光物を露光するための
パターンデータを記憶するデータ記憶装置（６）と、前
記パターン検出装置（１１）により検出された露光パタ
ーンと前記データ記憶装置（６）に記憶されているパタ
ーンデータとを比較する比較装置（８）と、を備えたこ
とを特徴とする電子ビーム露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2402362A JPH04215419A (ja) | 1990-12-14 | 1990-12-14 | 電子ビーム露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2402362A JPH04215419A (ja) | 1990-12-14 | 1990-12-14 | 電子ビーム露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04215419A true JPH04215419A (ja) | 1992-08-06 |
Family
ID=18512180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2402362A Withdrawn JPH04215419A (ja) | 1990-12-14 | 1990-12-14 | 電子ビーム露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04215419A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006093455A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Toshiba Corp | パターン描画装置とパターン検査装置及びパターン描画システム |
| JP2011221555A (ja) * | 2011-07-22 | 2011-11-04 | Toshiba Corp | パターン検査装置及びパターン描画システム |
-
1990
- 1990-12-14 JP JP2402362A patent/JPH04215419A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006093455A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Toshiba Corp | パターン描画装置とパターン検査装置及びパターン描画システム |
| JP2011221555A (ja) * | 2011-07-22 | 2011-11-04 | Toshiba Corp | パターン検査装置及びパターン描画システム |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5804340A (en) | Photomask inspection method and inspection tape therefor | |
| US20070002322A1 (en) | Image inspection method | |
| JP2001033941A (ja) | パターン形成方法及び露光装置 | |
| US7469057B2 (en) | System and method for inspecting errors on a wafer | |
| US6363296B1 (en) | System and method for automated defect inspection of photomasks | |
| JPH061370B2 (ja) | マスク欠陥検査装置 | |
| TWI807381B (zh) | 清潔光罩的表面的方法與系統 | |
| KR970003883B1 (ko) | 패턴 검사 방법 및 장치 | |
| US6741334B2 (en) | Exposure method, exposure system and recording medium | |
| US6048649A (en) | Programmed defect mask with defects smaller than 0.1 μm | |
| JPH04215419A (ja) | 電子ビーム露光装置 | |
| US7160650B2 (en) | Method of inspecting a mask | |
| KR0144489B1 (ko) | 반도체소자의 공정결함 검사방법 | |
| JP7596106B2 (ja) | 情報処理装置、検査方法、プログラム、露光装置、決定方法、及び物品の製造方法 | |
| JPH09293764A (ja) | 半導体素子の工程欠陥検査方法 | |
| JP2002006479A (ja) | マスク検査方法及びマスク検査装置 | |
| JP3201473B2 (ja) | 最適フォーカス位置測定方法およびフォーカス位置測定用マスク | |
| JP2849116B2 (ja) | パターン欠陥検査方法及びパターン欠陥検査装置 | |
| JPH0325914A (ja) | Ｘ線露光マスクの欠陥検出方法 | |
| JP2004200691A (ja) | レンズ系の特性決定のための方法およびマスク | |
| JP2947916B2 (ja) | 面状態検査装置 | |
| JPH02215118A (ja) | 露光装置 | |
| JPS63163464A (ja) | マスク | |
| JPH01305477A (ja) | 外観欠陥検査方法 | |
| JPS63281425A (ja) | 転写装置及び該転写装置を用いたパターン形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980312 |