JPH04215428A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH04215428A JPH04215428A JP2402428A JP40242890A JPH04215428A JP H04215428 A JPH04215428 A JP H04215428A JP 2402428 A JP2402428 A JP 2402428A JP 40242890 A JP40242890 A JP 40242890A JP H04215428 A JPH04215428 A JP H04215428A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- perforated plate
- reaction gas
- supplied
- sample stage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置に係り、
特にエッチング、アッシング、ＣＶＤ等に使用される半
導体製造装置に関する。
特にエッチング、アッシング、ＣＶＤ等に使用される半
導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】第５図は従来の半導体製造装置の一例を
示す断面構造図である。チャンバ５内には試料台１０が
設けられ、この試料台１０に対向する位置に多孔板２を
有するノズル本体１が設置されている。
示す断面構造図である。チャンバ５内には試料台１０が
設けられ、この試料台１０に対向する位置に多孔板２を
有するノズル本体１が設置されている。
【０００３】ノズル本体１にはチャンバ５の外部から反
応ガス供給チューブ４を通して反応ガスが供給されるよ
うになっている。反応ガス供給チューブ４はノズル本体
１に、継手３により接続される。またチャンバの下面に
はキャリアガスや反応済みの反応ガスを排出するための
排気口１１ａ，１１ｂが設けられている。
応ガス供給チューブ４を通して反応ガスが供給されるよ
うになっている。反応ガス供給チューブ４はノズル本体
１に、継手３により接続される。またチャンバの下面に
はキャリアガスや反応済みの反応ガスを排出するための
排気口１１ａ，１１ｂが設けられている。
【０００４】このような装置において、ウエーハ９を試
料台１０に載置し、これに対向する位置に設けられた多
孔板２の穴より反応ガスを吹き出し、ウエーハ９の処理
を行う。排気口１１ａ，１１ｂにより反応ガス等を排気
するが、排気効率のバラツキ等により反応ガスの流れに
かたよりや乱れが生ずる。特に真空中では外部環境の影
響がないため乱流が起りにくく反応ガスの拡散が起りに
くい。
料台１０に載置し、これに対向する位置に設けられた多
孔板２の穴より反応ガスを吹き出し、ウエーハ９の処理
を行う。排気口１１ａ，１１ｂにより反応ガス等を排気
するが、排気効率のバラツキ等により反応ガスの流れに
かたよりや乱れが生ずる。特に真空中では外部環境の影
響がないため乱流が起りにくく反応ガスの拡散が起りに
くい。
【０００５】そこでウエーハ９をアッシングやエッチン
グ等で均一処理するために、反応済みの部分へも多くの
反応ガスを供給し、ウエーハ９の表面がすべて処理済み
になるのを待つようにしている。
グ等で均一処理するために、反応済みの部分へも多くの
反応ガスを供給し、ウエーハ９の表面がすべて処理済み
になるのを待つようにしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このように、図５に示
す従来の製造装置では、上述したようにウエーハを処理
する際に処理されるべき領域に反応ガスが効率よく流れ
ないため、処理時間が多くかかり生産性が低いという問
題点があった。そのため反応ガスを多く使用しなければ
ならないためランニングコストが高くなる。
す従来の製造装置では、上述したようにウエーハを処理
する際に処理されるべき領域に反応ガスが効率よく流れ
ないため、処理時間が多くかかり生産性が低いという問
題点があった。そのため反応ガスを多く使用しなければ
ならないためランニングコストが高くなる。
【０００７】また、前述したように未処理部分が終了す
るまで処理済み部分へも反応ガスを供給するため、反応
ガスが局部的に過剰になり、ウエーハ面内の反応均一性
を悪化させるという問題点もあった。
るまで処理済み部分へも反応ガスを供給するため、反応
ガスが局部的に過剰になり、ウエーハ面内の反応均一性
を悪化させるという問題点もあった。
【０００８】本発明は上述した問題点を解消するために
なされたもので、エッチング、アッシング、ＣＶＤ等の
ウエーハ処理に対して生産性が高くランニングコストも
安く、しかも反応均一性のよい半導体製造装置を提供す
ることを目的とする。
なされたもので、エッチング、アッシング、ＣＶＤ等の
ウエーハ処理に対して生産性が高くランニングコストも
安く、しかも反応均一性のよい半導体製造装置を提供す
ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、チャンバ内に
設けられた試料台上に載置された半導体基板に、前記試
料台に対向する位置に設けられた多孔板から反応ガスを
供給し、前記半導体基板の処理を行う半導体製造装置に
おいて、前記多孔板の中央部に力を加えて前記多孔板を
前記試料台に対して湾曲させ、前記半導体基板に対する
前記反応ガスの流出角度を可変する駆動機構を設けたも
のである。
設けられた試料台上に載置された半導体基板に、前記試
料台に対向する位置に設けられた多孔板から反応ガスを
供給し、前記半導体基板の処理を行う半導体製造装置に
おいて、前記多孔板の中央部に力を加えて前記多孔板を
前記試料台に対して湾曲させ、前記半導体基板に対する
前記反応ガスの流出角度を可変する駆動機構を設けたも
のである。
【００１０】
【作用】本発明では反応ガスを供給する多孔板を駆動す
る駆動機構を設けたため、多孔板を凸面状あるいは凹面
状に湾曲させ、反応ガスの流出角度を変化させることが
できる。
る駆動機構を設けたため、多孔板を凸面状あるいは凹面
状に湾曲させ、反応ガスの流出角度を変化させることが
できる。
【００１１】例えば、凸面状に湾曲させた場合には、周
辺部分に多くのガスを供給することができ、また凹面状
に湾曲させた場合にはウエーハ中央部に反応ガスを多く
供給することができる。そこでチャンバ内のガス濃度を
検出することにより、ウエーハ内の処理状況を把握し、
必要に応じて多孔板を駆動して、反応ガスの流出角度を
可変しウエーハを均一にかつ効率的に処理することがで
きる。
辺部分に多くのガスを供給することができ、また凹面状
に湾曲させた場合にはウエーハ中央部に反応ガスを多く
供給することができる。そこでチャンバ内のガス濃度を
検出することにより、ウエーハ内の処理状況を把握し、
必要に応じて多孔板を駆動して、反応ガスの流出角度を
可変しウエーハを均一にかつ効率的に処理することがで
きる。
【００１２】
【実施例】図１は本発明による半導体製造装置の一実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【００１３】本実施例では、チャンバ５の上部にエアシ
リンダやモータ等の駆動源７を取付板６によって取付け
ている。そしてこの駆動源７に接続された駆動軸８は多
孔板２の中央に固定される。また多孔板２の外縁部はノ
ズル本体１に固定されている。
リンダやモータ等の駆動源７を取付板６によって取付け
ている。そしてこの駆動源７に接続された駆動軸８は多
孔板２の中央に固定される。また多孔板２の外縁部はノ
ズル本体１に固定されている。
【００１４】駆動源７が動作することにより駆動軸８が
上下し、多孔板２は試料台１０に対して凹面状あるいは
凸面状に湾曲する。
上下し、多孔板２は試料台１０に対して凹面状あるいは
凸面状に湾曲する。
【００１５】図２は駆動源７により駆動軸を介して多孔
板２の中央を押圧した状態を示している。この時反応ガ
スは対向する試料台１０上に載置されたウエーハ９の外
側へ多く供給され、ウエーハ９での外側での反応を促進
する。図３は駆動軸８による押圧あるいは引き込みが行
われていない状態を示ている。この場合にはウエーハ９
に対して均一に反応ガスが供給される。
板２の中央を押圧した状態を示している。この時反応ガ
スは対向する試料台１０上に載置されたウエーハ９の外
側へ多く供給され、ウエーハ９での外側での反応を促進
する。図３は駆動軸８による押圧あるいは引き込みが行
われていない状態を示ている。この場合にはウエーハ９
に対して均一に反応ガスが供給される。
【００１６】図４は駆動軸８により多孔板を引き込んだ
状態を示したもので、多孔板２が試料台１０に対して凹
面状に湾曲する。この時反応ガスはウエーハ９の内側へ
多く供給され、ウエーハ９の中央側での反応が促進され
る。このように本発明ではノズル本体１内に継手３とガ
ス供給チューブ４により導かれた反応ガスを、多孔板２
を凸面状あるいは凹面状に湾曲させることにより、ウエ
ーハ９に対して不均一に供給することができる。
状態を示したもので、多孔板２が試料台１０に対して凹
面状に湾曲する。この時反応ガスはウエーハ９の内側へ
多く供給され、ウエーハ９の中央側での反応が促進され
る。このように本発明ではノズル本体１内に継手３とガ
ス供給チューブ４により導かれた反応ガスを、多孔板２
を凸面状あるいは凹面状に湾曲させることにより、ウエ
ーハ９に対して不均一に供給することができる。
【００１７】なお、多孔板２の穴のアスペクト比（厚さ
／径）が大きいほど少ない変形で反応ガスの流出角度を
多く可変することができる。しかし、多孔板２の厚さを
あまり厚くすると曲がりにくくなるため、適当な厚さに
調整することが必要である。
／径）が大きいほど少ない変形で反応ガスの流出角度を
多く可変することができる。しかし、多孔板２の厚さを
あまり厚くすると曲がりにくくなるため、適当な厚さに
調整することが必要である。
【００１８】また、ウエーハ９内の反応状態はガス濃度
の変化等を周知の方法（エンドポイントモニタ）により
検出し、この反応状態を見ながら多孔板２の駆動を行う
ようにすればよい。
の変化等を周知の方法（エンドポイントモニタ）により
検出し、この反応状態を見ながら多孔板２の駆動を行う
ようにすればよい。
【００１９】上述した実施例では多孔板から噴出するガ
スは反応ガスとキャリアガスの混合されたものを用いて
いるが、キャリアガスは固定ノズルを用いて一定の状態
でウエーハに供給し、反応ガスのみを本発明の装置によ
る多孔板を通して供給するようにしてもよい。
スは反応ガスとキャリアガスの混合されたものを用いて
いるが、キャリアガスは固定ノズルを用いて一定の状態
でウエーハに供給し、反応ガスのみを本発明の装置によ
る多孔板を通して供給するようにしてもよい。
【００２０】
【発明の効果】以上実施例に基づいて詳細に説明したよ
うに、本発明によれば多孔板を押圧あるいは引き込みし
て反応ガスの流出角度を強制的に可変するようにしてい
るため、ウエーハ処理時にウエーハ処理速度の速い領域
と、遅い領域とに対応して最適の反応ガスを供給するこ
とができるため、ウエーハの反応均一性を図ることがで
きる。
うに、本発明によれば多孔板を押圧あるいは引き込みし
て反応ガスの流出角度を強制的に可変するようにしてい
るため、ウエーハ処理時にウエーハ処理速度の速い領域
と、遅い領域とに対応して最適の反応ガスを供給するこ
とができるため、ウエーハの反応均一性を図ることがで
きる。
【００２１】したがって半導体装置の製品歩留まりを向
上させることができる。また処理時間が短縮されるため
、生産性の向上を図れるほか、必要最小量の反応ガスを
用いるだけでよいため、ランニングコストの低減を図る
ことができるという優れた効果がある。
上させることができる。また処理時間が短縮されるため
、生産性の向上を図れるほか、必要最小量の反応ガスを
用いるだけでよいため、ランニングコストの低減を図る
ことができるという優れた効果がある。
【図１】本発明に係る半導体製造装置の一例を示す断面
構造図。
構造図。
【図２】多孔板を押圧した状態を示す断面図。
【図３】多孔板の駆動を行っていない状態を示す断面図
。
。
【図４】多孔板の引き込みを行った状態を示す断面図。
【図５】従来の半導体製造装置の一例を示す断面構造図
。
。
１ ノズル本体
２ 多孔板
３ 継手
４ 反応ガス供給チューブ
５ チャンバ
６ 駆動源取付板
７ 駆動源
８ 駆動軸
９ ウエーハ
１０ 試料台
Claims (1)
- 【請求項１】チャンバ内に設けられた試料台上に載置さ
れた半導体基板に、前記試料台に対向する位置に設けら
れた多孔板から反応ガスを供給し、前記半導体基板の処
理を行う半導体製造装置において、前記多孔板の中央部
に力を加えて前記多孔板を前記試料台に対して湾曲させ
、前記半導体基板に対する前記反応ガスの流出角度を可
変する駆動機構を設けたことを特徴とする半導体製造装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2402428A JP2825350B2 (ja) | 1990-12-14 | 1990-12-14 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2402428A JP2825350B2 (ja) | 1990-12-14 | 1990-12-14 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04215428A true JPH04215428A (ja) | 1992-08-06 |
| JP2825350B2 JP2825350B2 (ja) | 1998-11-18 |
Family
ID=18512249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2402428A Expired - Fee Related JP2825350B2 (ja) | 1990-12-14 | 1990-12-14 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2825350B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0714822A (ja) * | 1993-06-15 | 1995-01-17 | Nec Corp | 半導体装置の製造装置 |
| US20110244128A1 (en) * | 2010-03-31 | 2011-10-06 | Tokyo Electron Limited | Flow plate utilization in filament assisted chemical vapor deposition |
-
1990
- 1990-12-14 JP JP2402428A patent/JP2825350B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0714822A (ja) * | 1993-06-15 | 1995-01-17 | Nec Corp | 半導体装置の製造装置 |
| US20110244128A1 (en) * | 2010-03-31 | 2011-10-06 | Tokyo Electron Limited | Flow plate utilization in filament assisted chemical vapor deposition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2825350B2 (ja) | 1998-11-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19980804 |
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