JPH04216838A - 半導電性組成物 - Google Patents
半導電性組成物Info
- Publication number
- JPH04216838A JPH04216838A JP41136390A JP41136390A JPH04216838A JP H04216838 A JPH04216838 A JP H04216838A JP 41136390 A JP41136390 A JP 41136390A JP 41136390 A JP41136390 A JP 41136390A JP H04216838 A JPH04216838 A JP H04216838A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductive
- weight
- fluororubber
- parts
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Organic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、架橋ポリエチレンなど
を絶縁体とする固体絶縁ケーブルの内部及び／又は外部
半導電層として好適な半導電性組成物に関する。
を絶縁体とする固体絶縁ケーブルの内部及び／又は外部
半導電層として好適な半導電性組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】架橋ポリエチレンを絶縁体とする、いわ
ゆるＣＶケーブルに用いられる内部及び／又は外部半導
電層には、エチレン−酢酸ビニル系共重合体（以下、Ｅ
ＶＡと略する）やエチレン−エチルアクリレート系共重
合体（以下、ＥＥＡと略する）あるいはエチレン−プロ
ピレンゴムなどのポリオレフィン系樹脂にカーボンブラ
ックを配合したものが一般に用いられている。
ゆるＣＶケーブルに用いられる内部及び／又は外部半導
電層には、エチレン−酢酸ビニル系共重合体（以下、Ｅ
ＶＡと略する）やエチレン−エチルアクリレート系共重
合体（以下、ＥＥＡと略する）あるいはエチレン−プロ
ピレンゴムなどのポリオレフィン系樹脂にカーボンブラ
ックを配合したものが一般に用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】近年、ＣＶケーブルの
使用される電圧が上昇するにつれて、電気的破壊の原因
となるケーブル中の欠陥レベルに対する要求は益々厳し
いものとなって来ている。その欠陥の一つに絶縁層と半
導電層の界面に生じる小さな突起がある。
使用される電圧が上昇するにつれて、電気的破壊の原因
となるケーブル中の欠陥レベルに対する要求は益々厳し
いものとなって来ている。その欠陥の一つに絶縁層と半
導電層の界面に生じる小さな突起がある。
【０００４】本発明は、この絶縁層と半導電層の界面に
生じる小さな突起を効果的に改善した半導電性組成物を
提供するものである。
生じる小さな突起を効果的に改善した半導電性組成物を
提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、ポリオレフィ
ン系樹脂１００重量部に対して、弗素ゴム０．１〜１０
重量部及びカーボンブラックを配合したものを主体とし
てなる半導電性組成物を内部及び／又は外部半導電層と
して用いることから構成される。このような構成とした
ので、フッ素ゴムを添加しないポリオレフィン系樹脂と
カーボンブラックよりなる組成物を用いる場合に比べて
、絶縁層と半導電層の界面に生じる小さな突起が飛躍的
に少なくなることを発見した。
ン系樹脂１００重量部に対して、弗素ゴム０．１〜１０
重量部及びカーボンブラックを配合したものを主体とし
てなる半導電性組成物を内部及び／又は外部半導電層と
して用いることから構成される。このような構成とした
ので、フッ素ゴムを添加しないポリオレフィン系樹脂と
カーボンブラックよりなる組成物を用いる場合に比べて
、絶縁層と半導電層の界面に生じる小さな突起が飛躍的
に少なくなることを発見した。
【０００６】本発明に用いるポリオレフィン系樹脂とし
ては、任意のオレフィン系モノマーを主成分として製造
されるオレフィン系樹脂であり、特に制限されないが、
代表的にはＥＶＡ、ＥＥＡ、エチレン−プロピレンゴム
、エチレン−αオレフィン共重合樹脂及びこれらの混合
物が挙げられる。
ては、任意のオレフィン系モノマーを主成分として製造
されるオレフィン系樹脂であり、特に制限されないが、
代表的にはＥＶＡ、ＥＥＡ、エチレン−プロピレンゴム
、エチレン−αオレフィン共重合樹脂及びこれらの混合
物が挙げられる。
【０００７】本発明に使用するフッ素ゴムとしては特に
制限されないが、例えば、フッ化ビニリデン−六フッ化
プロピレン共重合体、フッ化ビニリデン−六フッ化プロ
ピレン−四フッ化エチレン共重合体、フッ化ビニリデン
−三フッ化塩化エチレン共重合体や四フッ化エチレン−
αオレフィン（例えば、エチレン、プロピレン、ブテン
−１など）系共重合体等を挙げることができる。
制限されないが、例えば、フッ化ビニリデン−六フッ化
プロピレン共重合体、フッ化ビニリデン−六フッ化プロ
ピレン−四フッ化エチレン共重合体、フッ化ビニリデン
−三フッ化塩化エチレン共重合体や四フッ化エチレン−
αオレフィン（例えば、エチレン、プロピレン、ブテン
−１など）系共重合体等を挙げることができる。
【０００８】また、組成物に半導電性を付与するために
用いるカーボンブラックには、アセチレンブラック、オ
イルファーネスブラックを始めとした導電性カーボンブ
ラックなどが何れも小突起を改善する効果があるが、カ
ーボンブラック自体の特性としてアセチレンブラックを
用いた場合が、最も平滑な半導電層−絶縁層界面が得ら
れるので好ましい。該カーボンブラックの配合量は、半
導電性を組成物に付与できれば特に制限されないが、一
般にベース材料１００重量部に対して３０〜８０重量部
程度が用いられる。
用いるカーボンブラックには、アセチレンブラック、オ
イルファーネスブラックを始めとした導電性カーボンブ
ラックなどが何れも小突起を改善する効果があるが、カ
ーボンブラック自体の特性としてアセチレンブラックを
用いた場合が、最も平滑な半導電層−絶縁層界面が得ら
れるので好ましい。該カーボンブラックの配合量は、半
導電性を組成物に付与できれば特に制限されないが、一
般にベース材料１００重量部に対して３０〜８０重量部
程度が用いられる。
【０００９】本発明の組成物において、ポリオレフィン
系樹脂に配合されるフッ素ゴムの重量割合はポリオレフ
ィン系樹脂１００重量部に対して、弗素ゴム０．１〜１
０重量部とする必要がある。フッ素ゴムの重量が０．１
重量部よりも少なくても、また１０重量部よりも多すぎ
ても小突起の数が増大して好ましくない。
系樹脂に配合されるフッ素ゴムの重量割合はポリオレフ
ィン系樹脂１００重量部に対して、弗素ゴム０．１〜１
０重量部とする必要がある。フッ素ゴムの重量が０．１
重量部よりも少なくても、また１０重量部よりも多すぎ
ても小突起の数が増大して好ましくない。
【００１０】本発明の半導電性組成物には、必要に応じ
てステアリン酸、ステアリン酸亜鉛等の滑剤、４，４’
−チオビス（６−ｔ−ブチル−３−メチルフェノール）
などの酸化防止剤、炭酸カルシウム、クレー、酸化亜鉛
、マグネシアなどの無機充填剤などの各種配合剤を配合
されても良い。
てステアリン酸、ステアリン酸亜鉛等の滑剤、４，４’
−チオビス（６−ｔ−ブチル−３−メチルフェノール）
などの酸化防止剤、炭酸カルシウム、クレー、酸化亜鉛
、マグネシアなどの無機充填剤などの各種配合剤を配合
されても良い。
【００１１】また、本発明の半導電性組成物は、必要に
応じてジクミルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２
，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３などの
有機過酸化物による化学架橋あるいは電子線照射（必要
なら、（イソ）シアヌル酸ジアリル又はトリアリル、ビ
スマレイミドなどの架橋助剤の存在下）などで架橋され
ていることが、高温で使用される場合の機械特性の面か
ら望ましい。
応じてジクミルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２
，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３などの
有機過酸化物による化学架橋あるいは電子線照射（必要
なら、（イソ）シアヌル酸ジアリル又はトリアリル、ビ
スマレイミドなどの架橋助剤の存在下）などで架橋され
ていることが、高温で使用される場合の機械特性の面か
ら望ましい。
【００１２】本発明の半導電性組成物から半導電層を形
成するには、従来公知の押出被覆法を用いて、例えばケ
ーブルの上に１２０〜１４０℃程度の押出温度で押出被
覆することにより行われる。
成するには、従来公知の押出被覆法を用いて、例えばケ
ーブルの上に１２０〜１４０℃程度の押出温度で押出被
覆することにより行われる。
【００１３】
【作用】本発明において、ポリオレフィン系樹脂に弗素
ゴムを添加することで、半導電層と絶縁層との界面に小
突起が減少する原因は明らかでないが、弗素ゴムがカー
ボンブラックの分散を促進しているのではないかと考え
られる。
ゴムを添加することで、半導電層と絶縁層との界面に小
突起が減少する原因は明らかでないが、弗素ゴムがカー
ボンブラックの分散を促進しているのではないかと考え
られる。
【００１４】さらに、カーボンブラックとしては、特に
アセチレンブラックが好ましい。これは、最も汎用され
ているオイルを原料としたファーネスブラックでは、原
料の不純物が多いことから、高分子中に混合した場合に
分散不良となり易い成分が多く、小突起が出来易いため
である。
アセチレンブラックが好ましい。これは、最も汎用され
ているオイルを原料としたファーネスブラックでは、原
料の不純物が多いことから、高分子中に混合した場合に
分散不良となり易い成分が多く、小突起が出来易いため
である。
【００１５】
【実施例】以下、実施例により本発明を説明するが、こ
れらは本発明の範囲を制限しない。１４ｍｍ２ 撚線導
体上に１ｍｍ厚の内部半導電層、３ｍｍ厚のＸＬＰＥ絶
縁層、及び１ｍｍ厚の表１〜２に示す配合の外部半導電
層を順次押出成形した上、赤外線ヒータにより加熱し、
モデルケーブルを得た。これらのモデルケーブルから１
ｍｍ厚のスライス片を切り出し、光学顕微鏡で絶縁層と
外部半導電層の界面を観察した。その結果、見つかった
高さ１０μｍ以上の小突起数を、比較例１を１とした相
対数で表１〜２に示す。
れらは本発明の範囲を制限しない。１４ｍｍ２ 撚線導
体上に１ｍｍ厚の内部半導電層、３ｍｍ厚のＸＬＰＥ絶
縁層、及び１ｍｍ厚の表１〜２に示す配合の外部半導電
層を順次押出成形した上、赤外線ヒータにより加熱し、
モデルケーブルを得た。これらのモデルケーブルから１
ｍｍ厚のスライス片を切り出し、光学顕微鏡で絶縁層と
外部半導電層の界面を観察した。その結果、見つかった
高さ１０μｍ以上の小突起数を、比較例１を１とした相
対数で表１〜２に示す。
【００１６】
【表１】
【００１７】
【表２】
【００１８】（注）使用した材料は以下の通りである。
ＥＶＡ ：酢酸ビニル含有量１９重量％、ＥＥＡ
：エチルアクリレート含有量１９重量％、弗素
ゴム ：ＣＨ２ ＣＦ２ −Ｃ３ Ｆ６ （Ｃ３ Ｆ
５ Ｈ）系エラストマー、 酸化防止剤：４，４’−チオビス（６−ｔ−ブチル−３
−メチルフェノール） 滑剤 ：ステアリン酸亜鉛、有機過酸化物：
ジクミルパーオキサイド、
：エチルアクリレート含有量１９重量％、弗素
ゴム ：ＣＨ２ ＣＦ２ −Ｃ３ Ｆ６ （Ｃ３ Ｆ
５ Ｈ）系エラストマー、 酸化防止剤：４，４’−チオビス（６−ｔ−ブチル−３
−メチルフェノール） 滑剤 ：ステアリン酸亜鉛、有機過酸化物：
ジクミルパーオキサイド、
【００１９】まず、比較例１
、２、及び実施例１、２を比較すると、ＥＶＡあるいは
ＥＥＡを用いた場合と比べ、それらに弗素ゴムを添加し
た場合、界面の小突起数が非常に少なくなるのが判る。 次に、比較例３、４と実施例１、２の比較により、弗素
ゴムの添加量がポリオレフィン樹脂１００重量部に対し
て０．１重量部以下となると、その効果が殆ど無くなっ
た。また、１０重量部以上になると、逆に界面の小突起
数が増える現象が認められた。これは、ポリオレフィン
系樹脂と弗素ゴムとの層分離により弗素ゴム自体が小突
起の原因となったものと考えられる。以上の結果、弗素
ゴムの添加量は、０．１〜１０重量部が良く、より好ま
しくは０．５〜５重量部が望ましい。
、２、及び実施例１、２を比較すると、ＥＶＡあるいは
ＥＥＡを用いた場合と比べ、それらに弗素ゴムを添加し
た場合、界面の小突起数が非常に少なくなるのが判る。 次に、比較例３、４と実施例１、２の比較により、弗素
ゴムの添加量がポリオレフィン樹脂１００重量部に対し
て０．１重量部以下となると、その効果が殆ど無くなっ
た。また、１０重量部以上になると、逆に界面の小突起
数が増える現象が認められた。これは、ポリオレフィン
系樹脂と弗素ゴムとの層分離により弗素ゴム自体が小突
起の原因となったものと考えられる。以上の結果、弗素
ゴムの添加量は、０．１〜１０重量部が良く、より好ま
しくは０．５〜５重量部が望ましい。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導電製
組成物によっれば、ＣＶケーブルの絶縁体と半導電層と
の界面に存在する小突起を減らすことが出来る。従って
、特に、超高圧ＣＶケーブルの分野において、その半導
電層用に用いれば、初期及び長期のケーブル性能を向上
できる。
組成物によっれば、ＣＶケーブルの絶縁体と半導電層と
の界面に存在する小突起を減らすことが出来る。従って
、特に、超高圧ＣＶケーブルの分野において、その半導
電層用に用いれば、初期及び長期のケーブル性能を向上
できる。
Claims (2)
- 【請求項１】 ポリオレフィン系樹脂１００重量部に
対して、弗素ゴム０．１〜１０重量部及びカーボンブラ
ックを配合したものを主体としてなることを特徴とする
半導電性組成物。 - 【請求項２】 カーボンブラックがアセチレンブラッ
クである、請求項１に記載の半導電性組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41136390A JPH04216838A (ja) | 1990-12-18 | 1990-12-18 | 半導電性組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41136390A JPH04216838A (ja) | 1990-12-18 | 1990-12-18 | 半導電性組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04216838A true JPH04216838A (ja) | 1992-08-06 |
Family
ID=18520379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP41136390A Pending JPH04216838A (ja) | 1990-12-18 | 1990-12-18 | 半導電性組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04216838A (ja) |
-
1990
- 1990-12-18 JP JP41136390A patent/JPH04216838A/ja active Pending
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