JPH042178A - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
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- JPH042178A JPH042178A JP2101709A JP10170990A JPH042178A JP H042178 A JPH042178 A JP H042178A JP 2101709 A JP2101709 A JP 2101709A JP 10170990 A JP10170990 A JP 10170990A JP H042178 A JPH042178 A JP H042178A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、０．３７〜０，５μｍの波長域で発光する電
流注入型の半導体発光素子に関するものである。
流注入型の半導体発光素子に関するものである。
（従来の技術）
現在のところ青色や緑色を発光する２重へテロ構造を持
った短波長帯（０，３７〜０．５μｍ）の半導体発光素
子は実現していない。
った短波長帯（０，３７〜０．５μｍ）の半導体発光素
子は実現していない。
半導体発光素子では、基板と成長層の格子定数及び成長
層の活性層とクラッド層の格子定数は、はぼ一致してい
ることが望ましく、一致しなければ歪により結晶欠陥を
生ずる。
層の活性層とクラッド層の格子定数は、はぼ一致してい
ることが望ましく、一致しなければ歪により結晶欠陥を
生ずる。
一方、レーザや高出力発光ダイオードに用いられる２重
へテロ構造については、キャリア閉じ込めを有効に行う
ために、第４図のエネルギー・バンド図のように、活性
層の伝導帯下端はクラッド層の伝導帯下端より下に、ま
た活性層の価電子帯上端はクラッド層の価電子帯上端よ
り上にあることが必要である。
へテロ構造については、キャリア閉じ込めを有効に行う
ために、第４図のエネルギー・バンド図のように、活性
層の伝導帯下端はクラッド層の伝導帯下端より下に、ま
た活性層の価電子帯上端はクラッド層の価電子帯上端よ
り上にあることが必要である。
現在、青色や緑色などの短波長帯の発光素子に用いられ
る半導体の成長層には、禁止帯幅の制約などからＺｎＳ
、 Ｚｎ５ｅ、 Ｃ：ｄＳなどのＩＩ−ＶＩ族半導体が
最も有望と考えられる。
る半導体の成長層には、禁止帯幅の制約などからＺｎＳ
、 Ｚｎ５ｅ、 Ｃ：ｄＳなどのＩＩ−ＶＩ族半導体が
最も有望と考えられる。
しかし、ＩＩ−ＶＩ族半導体の成長層を用いて、■−■
もしくは■族生導体の基板と格子整合し、同時に電子お
よび正孔を有効に閉じ込める２重へテロ構造を得ること
は難しい。このことが青色や緑色などの短波長帯の半導
体発光素子ができない理由となっている。
もしくは■族生導体の基板と格子整合し、同時に電子お
よび正孔を有効に閉じ込める２重へテロ構造を得ること
は難しい。このことが青色や緑色などの短波長帯の半導
体発光素子ができない理由となっている。
（発明が解決しようとする課題）
上述のように、０．３７〜０．５μｍの波長帯域で発光
するＩｆ−ＶＩ族半導体を成長層に用いた半導体発光素
子において、キャリアの活性層への閉じ込めを十分に行
うためには、クラッド層と活性層の格子不整合が大きく
なり、このため歪が素子の効率や耐久性に与える影響が
大きな問題であった。また基板とクラッド層との格子不
整合もまた効率や耐久性に影響を与え問題であった。
するＩｆ−ＶＩ族半導体を成長層に用いた半導体発光素
子において、キャリアの活性層への閉じ込めを十分に行
うためには、クラッド層と活性層の格子不整合が大きく
なり、このため歪が素子の効率や耐久性に与える影響が
大きな問題であった。また基板とクラッド層との格子不
整合もまた効率や耐久性に影響を与え問題であった。
本発明の目的は、青色や緑色を発光する２重へテロ構造
を持った短波長帯（０，３７〜０．５μｍ）の半導体発
光素子を実現することである。すなわち新たな材料組成
と層構造を導入することにより、キャリア閉じ込めを十
分に行うと共に歪による結晶欠陥の発生を防止し、よっ
て高信頼で発光効率のよい半導体発光素子を提供するこ
とにある。
を持った短波長帯（０，３７〜０．５μｍ）の半導体発
光素子を実現することである。すなわち新たな材料組成
と層構造を導入することにより、キャリア閉じ込めを十
分に行うと共に歪による結晶欠陥の発生を防止し、よっ
て高信頼で発光効率のよい半導体発光素子を提供するこ
とにある。
（課題を解決するための手段）
本発明の第１の特徴は、ＣｄＺｎＳもしくはＣｄＺｎＳ
を主成分とする■−ＶＩ族半導体を用いた半導体発光素
子において活性層と該活性層の両側に配置されるクラッ
ド層により２重へテロ構造を得、材料組成と層厚を限定
し歪量子井戸層を得ることにある。
を主成分とする■−ＶＩ族半導体を用いた半導体発光素
子において活性層と該活性層の両側に配置されるクラッ
ド層により２重へテロ構造を得、材料組成と層厚を限定
し歪量子井戸層を得ることにある。
本発明の第２の特徴は、第１の特徴の構成に、基板と該
基板と活性層の間に配置されたクラッド層との間にＣｄ
ＺｎＳもしくはＣｄＺｎＳを主成分とするＩＩ−ＶＩ族
半導体のバッファ層を設け、材料組成と層厚を限定した
ことにある。
基板と活性層の間に配置されたクラッド層との間にＣｄ
ＺｎＳもしくはＣｄＺｎＳを主成分とするＩＩ−ＶＩ族
半導体のバッファ層を設け、材料組成と層厚を限定した
ことにある。
（実施例１）
第１図は、本発明による層構造を有する半導体発光素子
の断面を示したもので、電極ストライブ構造レーザの例
である。１はｎ−ＧａＡｓ基板、２はｎ−ＣｄｚＺｎ、
−ｙＳよりなるバッファ層（厚さ約０．５μｍ）でＺは
０．５５から０．３まで基板１の側から連続的に変化し
ている。３はｎ−Ｃｄｏ、 ａＺｎｏ、 ？Ｓよりなる
ｎ−クラッド層（厚さ約１．５ μｍ） 、５はＣｄ、
、 ｓｓＺｎ０、４８Ｓよりなる活性層（厚さ０．００
７５μｍ） 、 ７はＣｄａ、 ａＺｎｏ、 ｙＳより
なるｐ−クラッド層（厚さ約１．５μｍ）、８は絶縁膜
、９，１０は電極である。
の断面を示したもので、電極ストライブ構造レーザの例
である。１はｎ−ＧａＡｓ基板、２はｎ−ＣｄｚＺｎ、
−ｙＳよりなるバッファ層（厚さ約０．５μｍ）でＺは
０．５５から０．３まで基板１の側から連続的に変化し
ている。３はｎ−Ｃｄｏ、 ａＺｎｏ、 ？Ｓよりなる
ｎ−クラッド層（厚さ約１．５ μｍ） 、５はＣｄ、
、 ｓｓＺｎ０、４８Ｓよりなる活性層（厚さ０．００
７５μｍ） 、 ７はＣｄａ、 ａＺｎｏ、 ｙＳより
なるｐ−クラッド層（厚さ約１．５μｍ）、８は絶縁膜
、９，１０は電極である。
ここで活性層５とクラッド層３．７とは約２％の格子定
数差がある。しかし活性層５の厚さが十分薄いので、２
重へテロ構造が歪量子井戸構造となり、格子不整合が存
在しても活性層での欠陥は発生しない。すなわちクラッ
ド層３，７と活性層５のＣｄ成分の差ΔＸと活性層５の
厚さｄ（μｍ）の関係が、 ｄ＜０．０２かつ ΔＸ−ｄ〈２×１０″３となってい
れば、格子不整合による活性層５での欠陥発生は防げる
。
数差がある。しかし活性層５の厚さが十分薄いので、２
重へテロ構造が歪量子井戸構造となり、格子不整合が存
在しても活性層での欠陥は発生しない。すなわちクラッ
ド層３，７と活性層５のＣｄ成分の差ΔＸと活性層５の
厚さｄ（μｍ）の関係が、 ｄ＜０．０２かつ ΔＸ−ｄ〈２×１０″３となってい
れば、格子不整合による活性層５での欠陥発生は防げる
。
また基板１とクラッド層３についても、約２％の格子定
数差がある。しかしバッファ層２があるため格子不整合
による応力は緩和され、クラッド層に歪は発生しない。
数差がある。しかしバッファ層２があるため格子不整合
による応力は緩和され、クラッド層に歪は発生しない。
すなわちバッファ層２において、厚さ方向の移動量ｐ（
μｍ）とＣｄ成分の変化△Ｚの関係が、１△ｚ／ｐ１〈
２ となっており、バッファ層２のクラッド層３側では
クラッド層３のＣｄ成分の値に、また基板１側では基板
１とほぼ格子整合するようなＣｄ成分の値を選ぶ必要が
ある。なお、基板１とクラッド層３との間に大きな格子
不整合（０，３％程度）が生じない時は、バッファ層２
を設ける必要はない。
μｍ）とＣｄ成分の変化△Ｚの関係が、１△ｚ／ｐ１〈
２ となっており、バッファ層２のクラッド層３側では
クラッド層３のＣｄ成分の値に、また基板１側では基板
１とほぼ格子整合するようなＣｄ成分の値を選ぶ必要が
ある。なお、基板１とクラッド層３との間に大きな格子
不整合（０，３％程度）が生じない時は、バッファ層２
を設ける必要はない。
ＣｄＺｎＳはＧａＡｓに比べて線膨張係数が小さいので
、基板１がＧａＡｓの場合、クラッド層３のＣｄ成分を
０．５５以下に設定してＣｄＺｎＳの格子定数をＧａＡ
ｓより小さ（しておけば、結晶成長時よりも室温に戻し
た時の格子定数差のほうが小さく、したがって応力も小
さくなり、より安定な構造となる。また、ＣｄＺｎＳは
ＣｄＳよりの組成で六方晶の結晶となりやすいが、Ｃｄ
成分を０．５５以下にしておけば、３μｍ程度の厚さで
は安定に立方晶構造をとる。従って、クラッド層３，７
としてＣｄ成分０．５５以下のＣｄＺｎＳの半導体を用
いる。
、基板１がＧａＡｓの場合、クラッド層３のＣｄ成分を
０．５５以下に設定してＣｄＺｎＳの格子定数をＧａＡ
ｓより小さ（しておけば、結晶成長時よりも室温に戻し
た時の格子定数差のほうが小さく、したがって応力も小
さくなり、より安定な構造となる。また、ＣｄＺｎＳは
ＣｄＳよりの組成で六方晶の結晶となりやすいが、Ｃｄ
成分を０．５５以下にしておけば、３μｍ程度の厚さで
は安定に立方晶構造をとる。従って、クラッド層３，７
としてＣｄ成分０．５５以下のＣｄＺｎＳの半導体を用
いる。
活性層は一般にはＣｄｘＺｎ＋−ｘＳ又はこれを主成分
とするＩＩ−Ｖｌ族化合物半導体であり、クラッド層は
一般にはＣｄｙＺｎ ｌ −ｙＳ又はこれを主成分とす
るＩＩ−ＶＩ族化合物半導体である。
とするＩＩ−Ｖｌ族化合物半導体であり、クラッド層は
一般にはＣｄｙＺｎ ｌ −ｙＳ又はこれを主成分とす
るＩＩ−ＶＩ族化合物半導体である。
半導体層構造は、有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）を
用いて作製した。その後、通常のプロセス工程により絶
縁膜、電極等を形成し、ダイオードとした。
用いて作製した。その後、通常のプロセス工程により絶
縁膜、電極等を形成し、ダイオードとした。
前記の層構造では、波長０．４４μｍで動作するものが
得られた。なお活性層のＣｄ成分を０．１ないし１．０
の範囲で変化させ、これに応じてキャリアおよび光閉じ
込めが可能なようにクラッド層の組成を変化させること
により、波長０．３７〜０．５μｍで発光させることが
可能である。
得られた。なお活性層のＣｄ成分を０．１ないし１．０
の範囲で変化させ、これに応じてキャリアおよび光閉じ
込めが可能なようにクラッド層の組成を変化させること
により、波長０．３７〜０．５μｍで発光させることが
可能である。
（実施例２）
第２図は、本発明による別の実施例の半導体発光素子の
断面を示したものである。実施例１と異なる点は、クラ
ッド層３，７と活性層５の間に光閉じ込め層４．６を形
成しであることにある。光閉じ込め層４，６はｎ−Ｃｄ
ｕＺｎ ｌ −ｕＳよりなり、厚さは各々約０．１μｍ
であり、Ｕはクラッド層３．７に接する側で０．３、活
性層５に接する側で０．４５であり、この間連続的に変
化している。
断面を示したものである。実施例１と異なる点は、クラ
ッド層３，７と活性層５の間に光閉じ込め層４．６を形
成しであることにある。光閉じ込め層４，６はｎ−Ｃｄ
ｕＺｎ ｌ −ｕＳよりなり、厚さは各々約０．１μｍ
であり、Ｕはクラッド層３．７に接する側で０．３、活
性層５に接する側で０．４５であり、この間連続的に変
化している。
光閉じ込め層４，６の組成変化については、活性層５も
しくはクラッド層３，７と同じ組成もしくはそれらの中
間の組成を有する半導体よりなり、厚さ方向の移動量ｐ
（μｍ）とＣｄ成分の変化ΔＵの関係が、１Δｕ／ｐ｜
＜２となっていれば、活性層５内の応力は緩和され、ま
た光閉じ込め層４，６にも欠陥は発生しない。
しくはクラッド層３，７と同じ組成もしくはそれらの中
間の組成を有する半導体よりなり、厚さ方向の移動量ｐ
（μｍ）とＣｄ成分の変化ΔＵの関係が、１Δｕ／ｐ｜
＜２となっていれば、活性層５内の応力は緩和され、ま
た光閉じ込め層４，６にも欠陥は発生しない。
（実施例３）
実施例２では、光閉じ込め層４，６に、組成が単調に変
化したものを用いたが、この代わりに多層超薄膜よりな
る超格子を用いてもよい。例えば、Ｃｄ組成Ｘが０．３
と０．３５の超薄膜（厚さ各々１００オングストローム
）３組からなる超格子と、０．３５と０．４の超薄膜（
厚さ各々１００オングストローム）３組からなる超格子
と、０．４と０．４５の超薄膜（厚さ各々１００オング
ストローム）３組からなる超格子とで、層４及び６を構
成する。勿論、Ｘが０．４と０．４５の薄膜よりなる超
格子は、活性層に接する。超格子を構成する薄膜のＣｄ
成分の差ΔＸと各膜厚ｄ（μｍ）の間に、 ｄ＜０．０２かつ｜Δｘ・ｄ｜＜２×１０−ｄ ｌ ＜
２ ＸＩＯ−３の関係があれば、光閉じ込め層４，６、
活性層５への欠陥発生は無い。
化したものを用いたが、この代わりに多層超薄膜よりな
る超格子を用いてもよい。例えば、Ｃｄ組成Ｘが０．３
と０．３５の超薄膜（厚さ各々１００オングストローム
）３組からなる超格子と、０．３５と０．４の超薄膜（
厚さ各々１００オングストローム）３組からなる超格子
と、０．４と０．４５の超薄膜（厚さ各々１００オング
ストローム）３組からなる超格子とで、層４及び６を構
成する。勿論、Ｘが０．４と０．４５の薄膜よりなる超
格子は、活性層に接する。超格子を構成する薄膜のＣｄ
成分の差ΔＸと各膜厚ｄ（μｍ）の間に、 ｄ＜０．０２かつ｜Δｘ・ｄ｜＜２×１０−ｄ ｌ ＜
２ ＸＩＯ−３の関係があれば、光閉じ込め層４，６、
活性層５への欠陥発生は無い。
（実施例４）
上述の実施例では、基板１としてＧａＡｓを用いた例を
示したが、代わりにＧｅ、 ＧａＰ、 Ｓｉ、 ＧａＡ
ｓＰ等の■−ｖ族もしくはＩＶ族の半導体を用いること
も可能であり、実施例１，２．３で述べてきたことはす
べてこれらに適用できる。なおＳｉは、実施例１で述べ
た線膨張係数についてはＧａＡｓと同じと言えないが、
安定な立方晶構造を得る為にクラッド層のＣｄ成分が０
；５５以下にするということは同様に言える。また伝導
型についても、これを逆にした構造でもよいことは、言
うまでも無い。
示したが、代わりにＧｅ、 ＧａＰ、 Ｓｉ、 ＧａＡ
ｓＰ等の■−ｖ族もしくはＩＶ族の半導体を用いること
も可能であり、実施例１，２．３で述べてきたことはす
べてこれらに適用できる。なおＳｉは、実施例１で述べ
た線膨張係数についてはＧａＡｓと同じと言えないが、
安定な立方晶構造を得る為にクラッド層のＣｄ成分が０
；５５以下にするということは同様に言える。また伝導
型についても、これを逆にした構造でもよいことは、言
うまでも無い。
ＧａＰやＳｉを用いると、発光波長の短い素子が容易に
作製できる。第３図は、基板１にＧａＰを用いた実施例
である。第３図において、１′はｎ−ＧａＰ基板、３は
ｎ−Ｃｄｏ、 ＋Ｚｎｏ、 ９Ｓよりなるｎ−クラッド
層（厚さ約１．５ ｇｍ）、５はＣｄｏ３ｓＺｎｏ、
ｓｓＳよりなる活性層（厚さ０．ＯＩＩｉｍ） 、４．
６はＣｄｖＺｎ’＋−ｖＳよりなる光閉じ込め層（厚さ
各々０．１μｍ）で■はクラッド層に接する側で０．１
、活性層に接する側で０．２５であり、この間連続的に
変化している。７はＣｄｏ、 ＋Ｚｎｏ９Ｓよりなるｐ
−クラッド層（厚さ約１．５μｍ）、８は絶縁膜、９．
ＩＯは電極である。本実施例はクラッド層３と基板１の
格子不整合は小さいので、バッファ層は入れていないが
、クラッド層の組成が変わり大きな格子不整合が発生す
れば実施例１と同じようなバッファ層を挿入する必要が
ある。そのほかの構成は、実施例１゜２．３のことが同
様に適用できる。
作製できる。第３図は、基板１にＧａＰを用いた実施例
である。第３図において、１′はｎ−ＧａＰ基板、３は
ｎ−Ｃｄｏ、 ＋Ｚｎｏ、 ９Ｓよりなるｎ−クラッド
層（厚さ約１．５ ｇｍ）、５はＣｄｏ３ｓＺｎｏ、
ｓｓＳよりなる活性層（厚さ０．ＯＩＩｉｍ） 、４．
６はＣｄｖＺｎ’＋−ｖＳよりなる光閉じ込め層（厚さ
各々０．１μｍ）で■はクラッド層に接する側で０．１
、活性層に接する側で０．２５であり、この間連続的に
変化している。７はＣｄｏ、 ＋Ｚｎｏ９Ｓよりなるｐ
−クラッド層（厚さ約１．５μｍ）、８は絶縁膜、９．
ＩＯは電極である。本実施例はクラッド層３と基板１の
格子不整合は小さいので、バッファ層は入れていないが
、クラッド層の組成が変わり大きな格子不整合が発生す
れば実施例１と同じようなバッファ層を挿入する必要が
ある。そのほかの構成は、実施例１゜２．３のことが同
様に適用できる。
この実施例では、波長０．３９μｍで動作するものが得
られた。
られた。
なおバッファ層の基板側のＣｄ成分は、概ね基板がＧａ
Ａｓならば０，５５、ＧａＰならば０．１ 、 ＧａＡ
ｓＰならばその組成に応じて０．１と０．５５の中間の
値、Ｇｅならば０．５５ｙＳｉならば０．５５である。
Ａｓならば０，５５、ＧａＰならば０．１ 、 ＧａＡ
ｓＰならばその組成に応じて０．１と０．５５の中間の
値、Ｇｅならば０．５５ｙＳｉならば０．５５である。
以上の説明では、電極ストライブ構造の発光素子を考え
たが、埋め込み構造などの屈折率導波路構造でも勿論よ
い。
たが、埋め込み構造などの屈折率導波路構造でも勿論よ
い。
上述の実施例では、成長層（活性層、クラッド層、光閉
じ込め層、バッファ層）にＣｄＺｎＳを用いたが、Ｃｄ
ｘＺｎ（−エＳを主成分とするＩＩ−ＶＩ族の化合物半
導体でもよい。例えばＳの一部をＳｅもしくはＴｅで置
換したものでもよいし、ｃｄあるいはＺｎの一部をＨｇ
で置換したものでもよい。ただし、エネルギーバンド構
造を大きく変化させない必要があり、このため置換の割
合はおおむね１０％以下とする必要がある。
じ込め層、バッファ層）にＣｄＺｎＳを用いたが、Ｃｄ
ｘＺｎ（−エＳを主成分とするＩＩ−ＶＩ族の化合物半
導体でもよい。例えばＳの一部をＳｅもしくはＴｅで置
換したものでもよいし、ｃｄあるいはＺｎの一部をＨｇ
で置換したものでもよい。ただし、エネルギーバンド構
造を大きく変化させない必要があり、このため置換の割
合はおおむね１０％以下とする必要がある。
（発明の効果）
請求項１の半導体発光素子では、青色や緑色を発光する
２重へテロ構造を持った短波長帯（０，３７〜０．５μ
ｍ）の半導体発光素子を実現している。
２重へテロ構造を持った短波長帯（０，３７〜０．５μ
ｍ）の半導体発光素子を実現している。
請求項２の半導体発光素子では、請求項１に比べ、基板
とクラッド層の格子不整合を容認できるので、より自由
度の高い半導体発光素子の設計ができる。
とクラッド層の格子不整合を容認できるので、より自由
度の高い半導体発光素子の設計ができる。
請求項３の半導体発光素子では、効率がより良くなると
共に、しきい値が低（なりレーザ発光に利用した場合の
連続動作がより容易になる。
共に、しきい値が低（なりレーザ発光に利用した場合の
連続動作がより容易になる。
請求項４の半導体発光素子では、製造がより容易になる
。
。
第１図、第２図、第３図は本発明の実施例による半導体
発光素子の断面図である。 第４図は電子および正孔を有効に閉じ込める２重へテロ
構造を得た時のエネルギー・バンド図である。 １−・−ｎ−ＧａＡｓ基板、 １′・・・ｎ−ＧａＰ基板、 ２ ・・・ｎ−ＣｄＺｎＳバッファ層−１３・・・ｎ−
ＣｄＺｎＳよりなるｎ−クラッド層（厚さ約１．５μｍ
）、 ４．６・・・ＣｄＺｎＳよりなる光閉じ込め層（厚さ各
々０．１μｍ）、 ５−−− ＣｄＺｎＳよりなる活性層（厚さ０．０１ｕ
ｍ）、７・・・ｐ−ＣｄＺｎＳよりなるｐ−クラッド層
（厚さ約１．５μｍ）、 ８・・・絶縁膜、 ９，１０・・・電極。 第 図 第 図 第 図 伝導帯 エネルギーンマンド図 第４図
発光素子の断面図である。 第４図は電子および正孔を有効に閉じ込める２重へテロ
構造を得た時のエネルギー・バンド図である。 １−・−ｎ−ＧａＡｓ基板、 １′・・・ｎ−ＧａＰ基板、 ２ ・・・ｎ−ＣｄＺｎＳバッファ層−１３・・・ｎ−
ＣｄＺｎＳよりなるｎ−クラッド層（厚さ約１．５μｍ
）、 ４．６・・・ＣｄＺｎＳよりなる光閉じ込め層（厚さ各
々０．１μｍ）、 ５−−− ＣｄＺｎＳよりなる活性層（厚さ０．０１ｕ
ｍ）、７・・・ｐ−ＣｄＺｎＳよりなるｐ−クラッド層
（厚さ約１．５μｍ）、 ８・・・絶縁膜、 ９，１０・・・電極。 第 図 第 図 第 図 伝導帯 エネルギーンマンド図 第４図
Claims (4)
- （１）III−Ｖ族もしくはIV族の半導体からなる基板と
、 Ｃｄ＿ｘＺｎ＿１＿−＿ｘＳもしくはＣｄ＿ｘＺｎ＿１
＿−＿ｘＳを主成分とするII−VI族の半導体よりなる活
性層と、 該活性層の両側に配置される、伝導型が互いに異なり該
活性層の半導体の禁止帯幅より大なる禁止帯幅を有する
Ｃｄ＿ｙＺｎ＿１＿−＿ｙＳもしくはＣｄ＿ｙＺｎ＿１
＿−＿ｙＳを主成分とするII−VI族の半導体よりなるク
ラッド層とを有し、 該クラッド層におけるＣｄ成分ｙが０．５５以下であり
、 該活性層と該クラッド層におけるＣｄ成分の差Δｘ＝｜
ｘ−ｙ｜と該活性層の厚さｄμｍの関係がｄ＜０．０２
かつ｜Δｘ・ｄ｜＜２×１０＾−＾３であることを特徴
とする半導体発光素子。 - （２）III−Ｖ族もしくはIV族の半導体からなる基板と
、 Ｃｄ＿ｘＺｎ＿１＿−＿ｘＳもしくはＣｄ＿ｘＺｎ＿１
＿−＿ｘＳを主成分とするII−IV族の半導体よりなる活
性層と、 該活性層の両側に配置される、伝導型が互いに異なり該
活性層の半導体の禁止帯幅より大なる禁止帯幅を有する
Ｃｄ＿ｙＺｎ＿１＿−＿ｙＳもしくはＣｄ＿ｙＺｎ＿１
＿−＿ｙＳを主成分とするII−VI族の半導体よりなるク
ラッド層と、 該基板と該活性層の間に配置された該クラッド層と該基
板との間に配置される、Ｃｄ＿ｚＺｎ＿１＿−＿ｚＳも
しくはＣｄ＿ｚＺｎ＿１＿−＿ｚＳを主成分とする半導
体よりなり、ｚの値が該基板とほぼ格子整合するｚの値
から該クラッド層のｚの値まで該基板側から連続的に変
化しているバッファ層とを有し、 該クラッド層におけるＣｄ成分ｙが０．５５以下であり
、 該活性層と該クラッド層におけるＣｄ成分の差Δｘ＝｜
ｘ−ｙ｜と該活性層の厚さｄμｍの関係が ｄ＜０．０２かつ｜Δｘ・ｄ｜＜２×１０＾−＾３であ
り、 かつ該バッファ層における、厚さ方向の移動量ｐμｍと
Ｃｄ成分の変化量Δｚの関係が、 ｜Δｚ／ｐ｜＜２ であることを特徴とする半導体発光素子。 - （３）前記活性層と前記クラッド層との間に、前記活性
層もしくは前記クラッド層と同じ組成もしくはそれらの
中間の組成を有する半導体よりなる光閉じ込め層が形成
されていることを特徴とする請求項１または２のいずれ
かに記載の半導体発光素子。 - （４）前記光閉じ込め層は、多層超薄膜よりなる超格子
構造であることを特徴とする請求項３記載の半導体発光
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2101709A JPH042178A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2101709A JPH042178A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH042178A true JPH042178A (ja) | 1992-01-07 |
Family
ID=14307838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2101709A Pending JPH042178A (ja) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | 半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH042178A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100292308B1 (ko) * | 1992-06-19 | 2001-09-17 | 이데이 노부유끼 | 반도체장치 |
| CN104941666A (zh) * | 2015-06-19 | 2015-09-30 | 哈尔滨工业大学 | 一种可见光响应的立方闪锌矿结构的CdxZn1-xS固溶体光催化剂的制备方法 |
-
1990
- 1990-04-19 JP JP2101709A patent/JPH042178A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100292308B1 (ko) * | 1992-06-19 | 2001-09-17 | 이데이 노부유끼 | 반도체장치 |
| CN104941666A (zh) * | 2015-06-19 | 2015-09-30 | 哈尔滨工业大学 | 一种可见光响应的立方闪锌矿结构的CdxZn1-xS固溶体光催化剂的制备方法 |
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