JPH0421826A - 光走査装置 - Google Patents
光走査装置Info
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- JPH0421826A JPH0421826A JP2127371A JP12737190A JPH0421826A JP H0421826 A JPH0421826 A JP H0421826A JP 2127371 A JP2127371 A JP 2127371A JP 12737190 A JP12737190 A JP 12737190A JP H0421826 A JPH0421826 A JP H0421826A
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- light
- electro
- control electrode
- diffraction
- refraction
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、レーザプリンターやバーコードリーダ等に用
いるレーザ光の光走査装置に関する。
いるレーザ光の光走査装置に関する。
従来の技術
光走査装置は、レーザプリンターやバーコードリーダ等
に重要な構成部品である。特に、レーザ光を用いたプリ
ンタは、高品位の印字が可能で、騒音のない印字装置と
して注目されている。従来のレーザプリンタの光走査装
置として、第4図に示すものがあった(稲垣他″ホログ
ラムを用いたパターン入出力技術”、 FUJ ITs
U、 vol 、 38. No。
に重要な構成部品である。特に、レーザ光を用いたプリ
ンタは、高品位の印字が可能で、騒音のない印字装置と
して注目されている。従来のレーザプリンタの光走査装
置として、第4図に示すものがあった(稲垣他″ホログ
ラムを用いたパターン入出力技術”、 FUJ ITs
U、 vol 、 38. No。
2、 pp、 +37−142 (1987)、)。同
図において光源である半導体レーザlから出射された光
は、コリメータレンズ16とプリズム12で、円形ビー
ム(入射光6)になるように補正され、モータ14によ
って回転している回転多面鏡13に入射する。
図において光源である半導体レーザlから出射された光
は、コリメータレンズ16とプリズム12で、円形ビー
ム(入射光6)になるように補正され、モータ14によ
って回転している回転多面鏡13に入射する。
回転多面鏡13で反射された光(偏向光7)は。、集光
レンズ4に入射し、感光ドラム15の走査面8、トに集
光される。回転多面鏡13の回転にともなって、レーザ
光は走査面8上を走査する。
レンズ4に入射し、感光ドラム15の走査面8、トに集
光される。回転多面鏡13の回転にともなって、レーザ
光は走査面8上を走査する。
発明が解決しようとする課題
第4図に示した従来の光走査装置では、光を偏向するた
めに、回転多面鏡13を用いている。この回転多面鏡1
3は、駆動モータ14と、軸ずれや、ふれのない非常に
高精度な回転機構が必要であった。このため、小形軽量
化、低価格化が困難であるという課題があった。
めに、回転多面鏡13を用いている。この回転多面鏡1
3は、駆動モータ14と、軸ずれや、ふれのない非常に
高精度な回転機構が必要であった。このため、小形軽量
化、低価格化が困難であるという課題があった。
本発明は、上記従来の課題に鑑みてなされたもので、回
転機構のない小形で低価格化が可能な光走査装置を提供
するものである。
転機構のない小形で低価格化が可能な光走査装置を提供
するものである。
課題を解決するための手段
本発明は、光を発射する光源と、その光を斜めに入射し
、出射する電気光学基板手段を有する光走査装置であっ
て、前記電気光学基板手段に、電界を印加して前記電気
光学基板手段中に屈折率グレーティングを形成すること
によって、前記光を離散的に偏向される回折制御手段と
、前記電気光学基板手段に、電界を印加して前記電気光
学基板手段中に屈折率プリズムを形成することによって
、前記光を連続的に偏向させる屈折制御手段とを備えた
ものである。
、出射する電気光学基板手段を有する光走査装置であっ
て、前記電気光学基板手段に、電界を印加して前記電気
光学基板手段中に屈折率グレーティングを形成すること
によって、前記光を離散的に偏向される回折制御手段と
、前記電気光学基板手段に、電界を印加して前記電気光
学基板手段中に屈折率プリズムを形成することによって
、前記光を連続的に偏向させる屈折制御手段とを備えた
ものである。
作用
本発明は、光源から光を発射し、電気光学基板手段がそ
の光を斜め乞こ人射し、出射する場合、回折制御手段が
、前記電気光学基板手段に、電界な印加することによっ
て電気光学基板手段中に屈折率グレーティングを形成し
、屈折制御手段で、電界を印加することによって電気光
学基板手段に屈折率プリズムを形成し、この剤1み合わ
せて、光を偏向させる。大きな偏向角が可能であるが離
散的な偏向しかできない電気光学的光回折と、小さな偏
向角しかとれないが連続的な偏向が可能である電気光学
的光屈折な糾み合わせることによって、大きな偏向角で
しかも連続的な偏向を可能にする。
の光を斜め乞こ人射し、出射する場合、回折制御手段が
、前記電気光学基板手段に、電界な印加することによっ
て電気光学基板手段中に屈折率グレーティングを形成し
、屈折制御手段で、電界を印加することによって電気光
学基板手段に屈折率プリズムを形成し、この剤1み合わ
せて、光を偏向させる。大きな偏向角が可能であるが離
散的な偏向しかできない電気光学的光回折と、小さな偏
向角しかとれないが連続的な偏向が可能である電気光学
的光屈折な糾み合わせることによって、大きな偏向角で
しかも連続的な偏向を可能にする。
実施例
第1図は、本発明の一実施例の光走査装置の基本構成と
偏向光が走査面に集光する様子を示す平面図である。第
2図は、第1図の断面図である。
偏向光が走査面に集光する様子を示す平面図である。第
2図は、第1図の断面図である。
第3図(a)は、本発明の一実施例の光走査装置の回折
制御手段としての回折制御電極の平面構造図であり、第
3図(b)は、同実施例の回折制御手段としての回折制
御電極に印加する電位分布図であり、第3図(c)は、
同実施例の第3図(b)に示した電位分布により電気光
学基板手段としての電気光学基板中に生じる電界分布図
である。
制御手段としての回折制御電極の平面構造図であり、第
3図(b)は、同実施例の回折制御手段としての回折制
御電極に印加する電位分布図であり、第3図(c)は、
同実施例の第3図(b)に示した電位分布により電気光
学基板手段としての電気光学基板中に生じる電界分布図
である。
以下に本発明の一実施例の光走査装置について、第1図
、第2図、第3図を用いて詳細に説明する。
、第2図、第3図を用いて詳細に説明する。
本発明は、光を発射する光源と、その光を斜めに人則し
、出射する電気光学基板手段を有する光走査装置であっ
て、前記電気光学基板手段に、電界を印加して前記電気
光学基板手段中に屈折率グレ−ティングを形成すること
によって、前記光を離散的に偏向される回折制御手段と
、前記電気光学基板手段に、電界を印加して前記電気光
学基板手段中に屈折率プリズムを形成することによって
、前記光を連続的に偏向させる屈折制御手段とを備えた
ものである。
、出射する電気光学基板手段を有する光走査装置であっ
て、前記電気光学基板手段に、電界を印加して前記電気
光学基板手段中に屈折率グレ−ティングを形成すること
によって、前記光を離散的に偏向される回折制御手段と
、前記電気光学基板手段に、電界を印加して前記電気光
学基板手段中に屈折率プリズムを形成することによって
、前記光を連続的に偏向させる屈折制御手段とを備えた
ものである。
第1図、第2図において、光を発射する光源である、例
えは波長λ=0.78μ111の半導体レーザ1から出
射されたYZ平面で直線偏光している光は、コリメータ
集光レンズ5によって、電気光学基板手段としての例え
はZ板(結晶軸方向の面を示す)のL i N 110
3の電気光学基板9(例えは、厚さ1 m m、 幅
10 m m、長さ25mm)の端面から、電気光学基
板9の上面に形成した回折制御平段としての回折制御電
極2の下面に集光する(例えは、集光スポット径は光軸
の垂直面で907z m程度)にうに、YZ面でY軸方
向に対し斜めに、例えは角度lO°て入射する。この電
気光学基板手段としての電気光学基板9は、その一部に
電界が印加されることによって、その一部の屈折率が変
化するものである。即ち、電気光学基板9は、透明な固
体や液体に電場を加えたとき、屈折率が変化する現象で
ある電気光学効果を有するものである。電気光学基板9
と回折制御電極2の間には、バッファ層lOとして、例
えはSiO2やM g F 2の薄膜を100OA程度
設けた。このバッファ層10を設けることにより、回折
制御電極2そのものによる回折を防ぐことができる。回
折制御電極2は、例えばITOの透明電極(例えば、4
50本)で、Y軸方向の長さは、例えは、0.6mm、
電極幅はd=0.1μm、電極間隔はs=o、IIlm
(電極周期0.2μm)である。この回折制御電極2に
、第3図(c)に示すような周期的な放物線状の電位分
布■1〜V ++を与えると電気光学効果により電気光
学基板9中に鋸歯形状の電界分布に比例した屈折率グレ
ーティングが形成され、印加電圧V1〜V nの与え方
に応じて入射光を回折偏向することができる。屈折率グ
レーティングの周期を八、入射光の波長をλとすると、
空気中に換算した1次回折の回折角θは、 0=sin−’(λ/八) となる。鋸歯形状の屈折率グレーティングを形成するこ
とにより、適当な印加電圧で、通常は多数発生ずる回折
光を1次のみに限定することが可能である。このときの
条件は、電気光学基板9中で受ける屈折率変化による位
相変化量の最大値がちょうど2πに等しくなるときであ
る。位相変化量は、屈折率の変化量と波数(k=2π/
入)と屈折率が変化している光路長(相互作用長)の積
で表わされる。屈折率の変化量は、電気光学基板9の深
さ方向<−2軸方向)に依存しており、深いほど小さく
なる。従って、屈折率グレーティングに斜め入射するこ
とによって、相互作用長を増加−1〇− させることができ、しかも反射形であるからさらに2倍
の相互作用長をかせぐことができる。例えば、入射角が
10°のとき、通常の垂直入射透過形の構造の場合に比
べて、はぼ12倍程度の位相変化量が得られる。5°で
は、23倍である。逆にいえば、斜め入射の反射構造と
することにより最大駆動電圧v nnxを小さくするこ
とができる。しかしながら、あまり入射角を小さくする
と、回折制御電極2のY軸方向のサイズを大きくする必
要がある。この屈折率グレーティングによる回折では、
電位分布の与え方で種々の周!!11の屈折率グレーテ
ィングが形成可能である。尚、式(1)から分かるよう
に、回折角は回折制御電極2の幅があるため連続的に変
化させるのが難しく、通常離散的な変化となる。本実施
例では、例えは屈折率グレーティングの周Jul Aを
30μmから1.6μmまでのlO段階の変化を与えた
。つまり、入=0.78μmのとき、A=30μmでは
O=1.5° A=9.97zmではθ=4.5°
A=6.07zmではθ=7.56 A=4.3μm
ではθ=10.5° A=3.3μmではθ=13.
58 A=2.771mではf) = 1 F3 、
5° A=2.3μmではθ=19.5゜△=2.0
7zmではθ=22.58 A=1.8μmではθ=
25.5°、A=1.6μmではθ=28.5゜とな
る。このように、複数の回折制御電極2のそれぞれに、
第3図(t))に示す鋸歯形状の電界分布を得るような
印加電圧を与えることにより、電気光学基板9中に鋸歯
形状の電界分布に比例した屈折率グレーティングが形成
され、回折制御電極2の下面に集光した入射光を回折偏
向することができる。
えは波長λ=0.78μ111の半導体レーザ1から出
射されたYZ平面で直線偏光している光は、コリメータ
集光レンズ5によって、電気光学基板手段としての例え
はZ板(結晶軸方向の面を示す)のL i N 110
3の電気光学基板9(例えは、厚さ1 m m、 幅
10 m m、長さ25mm)の端面から、電気光学基
板9の上面に形成した回折制御平段としての回折制御電
極2の下面に集光する(例えは、集光スポット径は光軸
の垂直面で907z m程度)にうに、YZ面でY軸方
向に対し斜めに、例えは角度lO°て入射する。この電
気光学基板手段としての電気光学基板9は、その一部に
電界が印加されることによって、その一部の屈折率が変
化するものである。即ち、電気光学基板9は、透明な固
体や液体に電場を加えたとき、屈折率が変化する現象で
ある電気光学効果を有するものである。電気光学基板9
と回折制御電極2の間には、バッファ層lOとして、例
えはSiO2やM g F 2の薄膜を100OA程度
設けた。このバッファ層10を設けることにより、回折
制御電極2そのものによる回折を防ぐことができる。回
折制御電極2は、例えばITOの透明電極(例えば、4
50本)で、Y軸方向の長さは、例えは、0.6mm、
電極幅はd=0.1μm、電極間隔はs=o、IIlm
(電極周期0.2μm)である。この回折制御電極2に
、第3図(c)に示すような周期的な放物線状の電位分
布■1〜V ++を与えると電気光学効果により電気光
学基板9中に鋸歯形状の電界分布に比例した屈折率グレ
ーティングが形成され、印加電圧V1〜V nの与え方
に応じて入射光を回折偏向することができる。屈折率グ
レーティングの周期を八、入射光の波長をλとすると、
空気中に換算した1次回折の回折角θは、 0=sin−’(λ/八) となる。鋸歯形状の屈折率グレーティングを形成するこ
とにより、適当な印加電圧で、通常は多数発生ずる回折
光を1次のみに限定することが可能である。このときの
条件は、電気光学基板9中で受ける屈折率変化による位
相変化量の最大値がちょうど2πに等しくなるときであ
る。位相変化量は、屈折率の変化量と波数(k=2π/
入)と屈折率が変化している光路長(相互作用長)の積
で表わされる。屈折率の変化量は、電気光学基板9の深
さ方向<−2軸方向)に依存しており、深いほど小さく
なる。従って、屈折率グレーティングに斜め入射するこ
とによって、相互作用長を増加−1〇− させることができ、しかも反射形であるからさらに2倍
の相互作用長をかせぐことができる。例えば、入射角が
10°のとき、通常の垂直入射透過形の構造の場合に比
べて、はぼ12倍程度の位相変化量が得られる。5°で
は、23倍である。逆にいえば、斜め入射の反射構造と
することにより最大駆動電圧v nnxを小さくするこ
とができる。しかしながら、あまり入射角を小さくする
と、回折制御電極2のY軸方向のサイズを大きくする必
要がある。この屈折率グレーティングによる回折では、
電位分布の与え方で種々の周!!11の屈折率グレーテ
ィングが形成可能である。尚、式(1)から分かるよう
に、回折角は回折制御電極2の幅があるため連続的に変
化させるのが難しく、通常離散的な変化となる。本実施
例では、例えは屈折率グレーティングの周Jul Aを
30μmから1.6μmまでのlO段階の変化を与えた
。つまり、入=0.78μmのとき、A=30μmでは
O=1.5° A=9.97zmではθ=4.5°
A=6.07zmではθ=7.56 A=4.3μm
ではθ=10.5° A=3.3μmではθ=13.
58 A=2.771mではf) = 1 F3 、
5° A=2.3μmではθ=19.5゜△=2.0
7zmではθ=22.58 A=1.8μmではθ=
25.5°、A=1.6μmではθ=28.5゜とな
る。このように、複数の回折制御電極2のそれぞれに、
第3図(t))に示す鋸歯形状の電界分布を得るような
印加電圧を与えることにより、電気光学基板9中に鋸歯
形状の電界分布に比例した屈折率グレーティングが形成
され、回折制御電極2の下面に集光した入射光を回折偏
向することができる。
次に、このようとこ反射回折された光7は、電気光学基
板9の屈折制御手段としての屈折制御電極3を形成した
ところに入射する。この電気光学基板9の相対する2面
(例えは、2面と−7面)」二それぞれに、電極間隙間
であるギャップ形状が入射光7に対してX字となる4分
割構造の制御電極3a〜3d(2面)と、分割なしの屈
折制御電極3e(−2面)を、例えば、A1、Au等の
金属薄膜で形成した。キャブサイズは、例えは1.01
rnmである。
板9の屈折制御手段としての屈折制御電極3を形成した
ところに入射する。この電気光学基板9の相対する2面
(例えは、2面と−7面)」二それぞれに、電極間隙間
であるギャップ形状が入射光7に対してX字となる4分
割構造の制御電極3a〜3d(2面)と、分割なしの屈
折制御電極3e(−2面)を、例えば、A1、Au等の
金属薄膜で形成した。キャブサイズは、例えは1.01
rnmである。
L i N 1103の電気光学基板9に、Z軸方向に
電界Eがかかるように電圧Vを印加すると、偏光方向が
Z軸に平行な異常光に対しての屈折率は、n l” r
l e−Δn ただし、Δn=0.5ne3r33E、E = V /
b (:3) となり、印加電圧と印加方向に依存する。ここで、hは
電気光学基板9の厚さ、neは、異常光の屈折率で、例
えばn 6 = 2−2であり、r33は電気光学係数
で、例えば、r 33:30.8 X 10−12m/
Vである。例えば、屈折制御電極3C53dに電位■
、屈折制御電極3a、3bに電位−■、屈折制御電極3
eに電位Oとなるように電圧を印加すると、屈折制御電
極3cと3dの下部の電気光学基板9中では、電界が−
ZX軸方向生じるため、屈折率は、n z ” n a
十へ!lと増加し、逆に、屈折制御電極3aと3bの下
部では、屈折率は、■2−ne−八〇と減少する屈折率
プリズムが形成される。
電界Eがかかるように電圧Vを印加すると、偏光方向が
Z軸に平行な異常光に対しての屈折率は、n l” r
l e−Δn ただし、Δn=0.5ne3r33E、E = V /
b (:3) となり、印加電圧と印加方向に依存する。ここで、hは
電気光学基板9の厚さ、neは、異常光の屈折率で、例
えばn 6 = 2−2であり、r33は電気光学係数
で、例えば、r 33:30.8 X 10−12m/
Vである。例えば、屈折制御電極3C53dに電位■
、屈折制御電極3a、3bに電位−■、屈折制御電極3
eに電位Oとなるように電圧を印加すると、屈折制御電
極3cと3dの下部の電気光学基板9中では、電界が−
ZX軸方向生じるため、屈折率は、n z ” n a
十へ!lと増加し、逆に、屈折制御電極3aと3bの下
部では、屈折率は、■2−ne−八〇と減少する屈折率
プリズムが形成される。
従って、LiNbO3の電気光学基板9中を一進行する
光は、屈折制御電極3c、3dと屈折制御電極3a、3
bの境界部で、スネルの法則にしたがって屈折が起こり
、−X軸方向に第1図のように偏向する。偏向角は、印
加電圧に依存しており、例えはV=10000Vて、約
2°である。X軸方向に偏向したいときは、例えば、屈
折制御電極3b、3cに電位V、屈折制御電極3a、3
dに電位−■、屈折制御電極3eに電位0となるように
電圧を印加する。このような電気光学屈折率プリズムの
場合は、偏向角は小さいが効率100%で連続的に偏向
可能である。本実施例の光走査装置では、この電気光学
屈折率プリズムにおける偏向角を±1.5°程度とし、
回折制御電極2による電気光学屈折率グレーティングと
の絹合せにより、偏向角±30°の連続走査を可能にし
た。具体的に、感光ドラム上の走査面に連続走査する例
を示すと、例えは、電気光学基板9中に入射した光を、
まず、回折制御電極2によって、反射回折する。
光は、屈折制御電極3c、3dと屈折制御電極3a、3
bの境界部で、スネルの法則にしたがって屈折が起こり
、−X軸方向に第1図のように偏向する。偏向角は、印
加電圧に依存しており、例えはV=10000Vて、約
2°である。X軸方向に偏向したいときは、例えば、屈
折制御電極3b、3cに電位V、屈折制御電極3a、3
dに電位−■、屈折制御電極3eに電位0となるように
電圧を印加する。このような電気光学屈折率プリズムの
場合は、偏向角は小さいが効率100%で連続的に偏向
可能である。本実施例の光走査装置では、この電気光学
屈折率プリズムにおける偏向角を±1.5°程度とし、
回折制御電極2による電気光学屈折率グレーティングと
の絹合せにより、偏向角±30°の連続走査を可能にし
た。具体的に、感光ドラム上の走査面に連続走査する例
を示すと、例えは、電気光学基板9中に入射した光を、
まず、回折制御電極2によって、反射回折する。
この場合、複数の回折制御電極2に印加する電圧をそれ
ぞれの電極の電圧はちがうが、それぞれの電圧をそのま
まにすることにより、鋸歯形状の電界分布はそのままで
あるので、鋸歯形状の屈折率グレーティングもそのまま
であり、よって次々と入射した光を同一方向に反射回折
する。そして、次に屈折制御電極3の電圧を変化される
ことのよって屈折率プリズムでの偏向角を変化させ、そ
の反射回折されてきた光を順次そこで連続的に偏向して
いく。次に、屈折制御電極3での偏向角が最大になると
、次に回折制御電極2のそれぞれの電圧を変化させ゛C
1反射回折を離散的に反射回折し、そして反射回折され
た光を屈折制御電極3での偏向角をまた、最小から連続
的に変化させて、先はどの続きの感光ドラムの走査面に
集光させる。このように、回折制御電極2は、屈折制御
電極3による偏向角の変化が最大になる度に離散的に大
きく偏向角を変化させて、結果的に感光ドラムの走査面
に連続して集光するようにしている。屈折制御電極3の
設は方としては、電気光学基板9中の電界方向が以」−
説明したのとほぼ同しになれは良い(基板の材料によっ
ては回折制御電極及び屈折制御電極を基板中に設けても
良い)。
ぞれの電極の電圧はちがうが、それぞれの電圧をそのま
まにすることにより、鋸歯形状の電界分布はそのままで
あるので、鋸歯形状の屈折率グレーティングもそのまま
であり、よって次々と入射した光を同一方向に反射回折
する。そして、次に屈折制御電極3の電圧を変化される
ことのよって屈折率プリズムでの偏向角を変化させ、そ
の反射回折されてきた光を順次そこで連続的に偏向して
いく。次に、屈折制御電極3での偏向角が最大になると
、次に回折制御電極2のそれぞれの電圧を変化させ゛C
1反射回折を離散的に反射回折し、そして反射回折され
た光を屈折制御電極3での偏向角をまた、最小から連続
的に変化させて、先はどの続きの感光ドラムの走査面に
集光させる。このように、回折制御電極2は、屈折制御
電極3による偏向角の変化が最大になる度に離散的に大
きく偏向角を変化させて、結果的に感光ドラムの走査面
に連続して集光するようにしている。屈折制御電極3の
設は方としては、電気光学基板9中の電界方向が以」−
説明したのとほぼ同しになれは良い(基板の材料によっ
ては回折制御電極及び屈折制御電極を基板中に設けても
良い)。
偏向した光7は、例えは、X軸方向サイズ10mm、Z
軸方向サイズ1mm、焦点距離182mmである集光レ
ンズ4に入射し、走査面8に集光される。走査面8は、
レーザプリンターの場合は、−様に電随を与えられた感
光体である感光ドラム上にある。最大走査幅は、例えは
210mmであり、プリンターではA4サイズが印字可
能である。
軸方向サイズ1mm、焦点距離182mmである集光レ
ンズ4に入射し、走査面8に集光される。走査面8は、
レーザプリンターの場合は、−様に電随を与えられた感
光体である感光ドラム上にある。最大走査幅は、例えは
210mmであり、プリンターではA4サイズが印字可
能である。
本実施例の光走査装置は電気光学効果を用いて光を偏向
しでいるため高速でかつ、ランダム偏向することが可能
である。例えば、レーザプリンターの場合、パターンの
ない部分は、とはし偏向できるため一層高速印字が可能
である。
しでいるため高速でかつ、ランダム偏向することが可能
である。例えば、レーザプリンターの場合、パターンの
ない部分は、とはし偏向できるため一層高速印字が可能
である。
尚、集光レンズ4は、通常の凸レンズでもよいが、例え
ばフレネルレンズやグレーティングレンズのような回折
作用を有する素子を用いると厚さが17zm程度で集光
作用を行なえるため、本発明の光走査装置を小形化する
のに効果がある。さらに、回折作用を有する素子(集光
レンズ4)を電気光学基板9の偏向光7の出射端面に一
体化すると、より小形化、安定化できる。
ばフレネルレンズやグレーティングレンズのような回折
作用を有する素子を用いると厚さが17zm程度で集光
作用を行なえるため、本発明の光走査装置を小形化する
のに効果がある。さらに、回折作用を有する素子(集光
レンズ4)を電気光学基板9の偏向光7の出射端面に一
体化すると、より小形化、安定化できる。
叉、屈折制御電極3の、4分割された電極3a、3b、
3c、3dのそれぞれのギャップ間隔は、電気光学基板
9の厚さよりも大きくすることにより、電気光学基板9
中に生じる電界方向が、Z軸方向に下行に近づき効果的
に屈折率を制御することができる。
3c、3dのそれぞれのギャップ間隔は、電気光学基板
9の厚さよりも大きくすることにより、電気光学基板9
中に生じる電界方向が、Z軸方向に下行に近づき効果的
に屈折率を制御することができる。
屈折制御電極3と電気光学基板9の間に、例えは染料ま
たは顔料を含んだポリイミド等の有機膜等の光吸収手段
11a、llbを設けると、電気光学基板9上の屈折制
御電極3により乱反射された光が偏向光7に混ざって出
力されてくる現象がなくなり、偏向光7のSN比が向上
した。
たは顔料を含んだポリイミド等の有機膜等の光吸収手段
11a、llbを設けると、電気光学基板9上の屈折制
御電極3により乱反射された光が偏向光7に混ざって出
力されてくる現象がなくなり、偏向光7のSN比が向上
した。
また、屈折制御電極3間の少なくともギャップ」二にポ
リイミド等の有機膜を設けると沿面放電が減少し、高電
界になっても光偏向が効果的に実現できた。
リイミド等の有機膜を設けると沿面放電が減少し、高電
界になっても光偏向が効果的に実現できた。
また、コリメータ集光レンズ5は、通常のレンズを回折
制御電極2下面て最も集光するように用いたものであり
、このようなレンズ5を用いることにより、回折制御電
極2のサイズを小さくすることが可能になり、作製が容
易になる。また、集光レンズ4に入射する偏向光7の口
径が大きくなり、走査面8で光スポットがよく絞れるよ
うになる。
制御電極2下面て最も集光するように用いたものであり
、このようなレンズ5を用いることにより、回折制御電
極2のサイズを小さくすることが可能になり、作製が容
易になる。また、集光レンズ4に入射する偏向光7の口
径が大きくなり、走査面8で光スポットがよく絞れるよ
うになる。
電気光学基板9として、本実施例で説明したのは、L
i N bo 3の場合であるが、電気光学係数が大き
い材料、例えば、Lil0:+、K N h03、KT
iOPO4、K II 2 P Os、LiTaO3や
、MNA (、メチルニトロアニリン)等のベンゼン環
をもったπ電子共役系化合物を含む高分子等を電気光学
基板9として用いれは低電圧化できる。特に電気光学基
板9として、LiNb0qやLiTaO3を用いると、
Z軸方向に電界を加える場合に屈折率変化量が最も大き
くなり使いやすい。
i N bo 3の場合であるが、電気光学係数が大き
い材料、例えば、Lil0:+、K N h03、KT
iOPO4、K II 2 P Os、LiTaO3や
、MNA (、メチルニトロアニリン)等のベンゼン環
をもったπ電子共役系化合物を含む高分子等を電気光学
基板9として用いれは低電圧化できる。特に電気光学基
板9として、LiNb0qやLiTaO3を用いると、
Z軸方向に電界を加える場合に屈折率変化量が最も大き
くなり使いやすい。
又、回折制御手段としての回折制御電極2と屈折制御手
段としての屈折制御電極3の配列順を入れ換え、屈折さ
せてから回折させて、光偏向な行=18 なっでも動作可能である。その場合、具体的に感光ドラ
J1上の走査面に連続走査をする例を示すと、例えは、
電気光学基板9中に入射した光を、まず屈折制御電極3
に印加する電圧を変化させて、偏向角を最小から最大に
変化させることによって、その入射光を次々と、連続的
に偏向させる。そして、回折制御電極2は、屈折率グレ
ーティングを所定の状態に固定し、屈折制御電極3で偏
向された光を、回折制御電極2によって、反射回折させ
る。すると、感光ドラム上の走査面に光が小偏向角で連
続的に順次集光する。屈折制御電極3による偏向角が最
大になると、回折制御電極2の印加電圧を変えることに
よって、離散的に偏向角を大きく変化させ、ばつ、屈折
制御電極3による偏向角を、又、最小から最大へと連続
的に変化させて、次々に入射光を偏向させ、回折制御電
極2下部へと入射させる。そして、その入射した偏向光
を回折制御電極2下部で反射回折させ、先はどの続きの
走査面に集光させる。このように、屈折制御電極3によ
る連続的な偏向角の変化が最大になる度に、回折制御電
極2は、離散的に大きく偏向角を変化させて、結束的に
感光ドラムの走査面に集光するようにしている。
段としての屈折制御電極3の配列順を入れ換え、屈折さ
せてから回折させて、光偏向な行=18 なっでも動作可能である。その場合、具体的に感光ドラ
J1上の走査面に連続走査をする例を示すと、例えは、
電気光学基板9中に入射した光を、まず屈折制御電極3
に印加する電圧を変化させて、偏向角を最小から最大に
変化させることによって、その入射光を次々と、連続的
に偏向させる。そして、回折制御電極2は、屈折率グレ
ーティングを所定の状態に固定し、屈折制御電極3で偏
向された光を、回折制御電極2によって、反射回折させ
る。すると、感光ドラム上の走査面に光が小偏向角で連
続的に順次集光する。屈折制御電極3による偏向角が最
大になると、回折制御電極2の印加電圧を変えることに
よって、離散的に偏向角を大きく変化させ、ばつ、屈折
制御電極3による偏向角を、又、最小から最大へと連続
的に変化させて、次々に入射光を偏向させ、回折制御電
極2下部へと入射させる。そして、その入射した偏向光
を回折制御電極2下部で反射回折させ、先はどの続きの
走査面に集光させる。このように、屈折制御電極3によ
る連続的な偏向角の変化が最大になる度に、回折制御電
極2は、離散的に大きく偏向角を変化させて、結束的に
感光ドラムの走査面に集光するようにしている。
又、回折制御電極及び屈折制御電極は、上下逆に設けて
も良いし、横に設けてもよい。
も良いし、横に設けてもよい。
叉、本発明の実施例では、光回折で反射形を用いている
ため駆動電圧が透過形の半分以上小さくてきる。従って
、本発明の光走査装置は、低駆動電圧、小形軽量、キ■
み立て容易になり低価格化も実現され、ざらにランダム
走査かできるため用途に合わせて使い勝手が良くなる(
レーザプリンターでは、高速になる)。
ため駆動電圧が透過形の半分以上小さくてきる。従って
、本発明の光走査装置は、低駆動電圧、小形軽量、キ■
み立て容易になり低価格化も実現され、ざらにランダム
走査かできるため用途に合わせて使い勝手が良くなる(
レーザプリンターでは、高速になる)。
発明の効果
以上のように本発明によれは、回転機構が不要となり、
小形軽量、高速で、組み立ても容易になり低価格化も可
能な光走査装置が実現可能である。
小形軽量、高速で、組み立ても容易になり低価格化も可
能な光走査装置が実現可能である。
第1図は本発明の一実施例の光走査装置の基本構成と偏
向光が走査面に集光する様子を示す平面図、第2図は第
1図の断面図、第3図(a、 )は木−20= 発明の一実施例の光走査装置の回折制御電極の平面構造
図、第3図(b)は同実施例の回折制御電極に印加する
電位分布図、第3図(c)は同実施例の第3図(1))
に示した電位分布により電気光学基板中に生じる電界分
布図、第4図は従来の光走査装置の斜視図である。 1・・・光源、2・・・回折制御電極(回折制御手段)
3・・・屈折制御電極(屈折制御手段)、4・・・集光
レンズ、5・・・コリメータ集光レンズ、6・・・入射
光、8・・・走査面、9・・・電気光学基板(電気光学
基板手段)、lO・・・バッファ層、11・・・光吸収
手段。
向光が走査面に集光する様子を示す平面図、第2図は第
1図の断面図、第3図(a、 )は木−20= 発明の一実施例の光走査装置の回折制御電極の平面構造
図、第3図(b)は同実施例の回折制御電極に印加する
電位分布図、第3図(c)は同実施例の第3図(1))
に示した電位分布により電気光学基板中に生じる電界分
布図、第4図は従来の光走査装置の斜視図である。 1・・・光源、2・・・回折制御電極(回折制御手段)
3・・・屈折制御電極(屈折制御手段)、4・・・集光
レンズ、5・・・コリメータ集光レンズ、6・・・入射
光、8・・・走査面、9・・・電気光学基板(電気光学
基板手段)、lO・・・バッファ層、11・・・光吸収
手段。
Claims (12)
- (1)光を発射する光源と、その光を斜めに入射し、出
射する電気光学基板手段を有する光走査装置であって、
前記電気光学基板手段に、電界を印加して前記電気光学
基板手段中に屈折率グレーテイングを形成することによ
って、前記光を離散的に偏向される回折制御手段と、前
記電気光学基板手段に、電界を印加して前記電気光学基
板手段中に屈折率プリズムを形成することによって、前
記光を連続的に偏向させる屈折制御手段とを備えたこと
を特徴とする光走査装置。 - (2)光源からの光を、前記回折制御手段によって、離
散的に偏向させた後、前記屈折制御手段によって、連続
的に偏向させるか、又は、前記光源からの前記光を、前
記屈折制御手段によって、連続的に偏向させた後、前記
回折制御手段によって、離散的に偏向させることを特徴
とする請求項1記載の光走査装置。 - (3)光を発射する光源と、電気光学基板に設けられた
回折制御電極と、前記電気光学基板に設けられた屈折制
御電極と、集光レンズとを有し、前記光源からの入射光
を、前記回折制御電極近傍の前記電気光学基板に導いて
、前記回折制御電極に所定の電圧を加えることによって
、前記入射光を前記回折制御電極の近傍で反射回折させ
た後、前記反射回折させた光を、前記屈折制御電極のあ
る前記電気光学基板内に導いて前記屈折制御電極に所定
の電圧を加えて屈折させ、前記屈折させた光を前記集光
レンズに導いて走査対象面に集光するか、もしくは、前
記光源からの入射光を、前記屈折制御電極のある前記電
気光学基板内に導いて、前記屈折制御電極に所定の電圧
を加え、前記入射光を屈折させた後、前記屈折させた光
を、前記回折制御電極近傍の前記電気光学基板内に導い
て、前記回折制御電極に所定の電圧を加えて前記屈折さ
せた光を前記回折制御電極の近傍で反射回折させ、前記
反射回折させた光を前記集光レンズに導いて走査対象面
に集光することを特徴とする光走査装置。 - (4)屈折制御電極は、前記電気光学基板の相対する2
面にそれぞれ設けられ、前記屈折制御電極は、少なくと
も1つは、ギャップ形状が入射光に対してX字となる4
分割構造であることを特徴とする請求項3に記載の光走
査装置。 - (5)集光レンズは、回折作用を有し、前記電気光学基
板と一体化したことを特徴とする請求項3記載の光走査
装置。 - (6)回折制御電極近傍に導いた入射光の、前記回折制
御電極が設けられた下面で反射回折させる入射角度は、
前記下面に対し非垂直であることを特徴とする請求項3
記載の光走査装置。 - (7)電気光学基板は、LiNbO_3もしくはLiT
aO_3であり、前記屈折制御電極は前記電気光学基板
のZ面と−Z面に、前記回折制御電極は前記電気光学基
板のZ面もしくは−Z面に形成することを特徴とする請
求項3記載の光走査装置。 - (8)屈折制御電極は、それぞれのギャップ間隔が、前
記電気光学基板の厚さよりも大きいことを特徴とする請
求項4記載の光走査装置。 - (9)屈折制御電極と前記電気光学基板の間に光吸収手
段を設けたことを特徴とする請求項3記載の光走査装置
。 - (10)光源と前記電気光学基板の間にコリメータ集光
レンズを設けることを特徴とする請求項3記載の光走査
装置。 - (11)屈折制御電極間の前記ギャップ上に有機膜を設
けることを特徴とする請求項3記載の光走査装置。 - (12)回折制御電極と前記電気光学基板の間にバッフ
ァ層を設けたことを特徴とする請求項3記載の光走査装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12737190A JP2854672B2 (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 光走査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12737190A JP2854672B2 (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 光走査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0421826A true JPH0421826A (ja) | 1992-01-24 |
| JP2854672B2 JP2854672B2 (ja) | 1999-02-03 |
Family
ID=14958322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12737190A Expired - Fee Related JP2854672B2 (ja) | 1990-05-16 | 1990-05-16 | 光走査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2854672B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9645502B2 (en) | 2011-04-08 | 2017-05-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, programmable patterning device and lithographic method |
| CN109407304A (zh) * | 2017-08-16 | 2019-03-01 | 美国亚德诺半导体公司 | 用于转向光束的有第一和第二转向部分的混合光束转向器 |
-
1990
- 1990-05-16 JP JP12737190A patent/JP2854672B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9645502B2 (en) | 2011-04-08 | 2017-05-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, programmable patterning device and lithographic method |
| CN109407304A (zh) * | 2017-08-16 | 2019-03-01 | 美国亚德诺半导体公司 | 用于转向光束的有第一和第二转向部分的混合光束转向器 |
| JP2019035960A (ja) * | 2017-08-16 | 2019-03-07 | アナログ ディヴァイスィズ インク | 光ビームを操縦するためのハイブリッドビームステアラ |
| CN109407304B (zh) * | 2017-08-16 | 2022-09-06 | 美国亚德诺半导体公司 | 用于转向光束的有第一和第二转向部分的混合光束转向器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2854672B2 (ja) | 1999-02-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |