JPH04218665A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
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- JPH04218665A JPH04218665A JP2403585A JP40358590A JPH04218665A JP H04218665 A JPH04218665 A JP H04218665A JP 2403585 A JP2403585 A JP 2403585A JP 40358590 A JP40358590 A JP 40358590A JP H04218665 A JPH04218665 A JP H04218665A
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- crucible
- vapor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は基板上に薄膜を形成す
る薄膜形成装置、特に、クラスターイオンビーム蒸着法
（ＩＣＢ法）により高品質の薄膜を蒸着形成する薄膜形
成装置に関するものである。
る薄膜形成装置、特に、クラスターイオンビーム蒸着法
（ＩＣＢ法）により高品質の薄膜を蒸着形成する薄膜形
成装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から半導体膜、光学薄膜、磁性膜、
絶縁膜などの高品質の薄膜がＩＣＢ法により形成されて
いる。図２は例えば特公昭５４−９５９２ 号公報に示
された従来の薄膜形成装置を模式的に示す断面図である
。
絶縁膜などの高品質の薄膜がＩＣＢ法により形成されて
いる。図２は例えば特公昭５４−９５９２ 号公報に示
された従来の薄膜形成装置を模式的に示す断面図である
。
【０００３】図において、１は蒸着物質２の蒸気を発生
させる蒸気発生源、３は蒸着物質２を収容するるつぼ、
４はるつぼ３の上部に形成されたノズル、５はるつぼ３
のまわりに設けられてこれを加熱する加熱装置としての
加熱用フィラメント、６は加熱用フィラメント５からの
熱を遮る第１の熱シールド板であり、るつぼ３、加熱用
フィラメント５および第１の熱シールド板６で蒸気発生
源１を構成している。
させる蒸気発生源、３は蒸着物質２を収容するるつぼ、
４はるつぼ３の上部に形成されたノズル、５はるつぼ３
のまわりに設けられてこれを加熱する加熱装置としての
加熱用フィラメント、６は加熱用フィラメント５からの
熱を遮る第１の熱シールド板であり、るつぼ３、加熱用
フィラメント５および第１の熱シールド板６で蒸気発生
源１を構成している。
【０００４】７はノズル４から上方へ噴出した蒸着物質
２の蒸気から生じたクラスター（塊状原子集団）、８は
蒸気発生源１の上方に設けられてクラスター７をイオン
化するイオン化装置、９は電子を放出するイオン化フィ
ラメント、１０はイオン化フィラメント９から電子を引
き出し、クラスター７へ向けて加速するグリッド状の電
子引出電極、１１はイオン化フィラメント９からの熱を
遮る第２の熱シールド板であり、イオン化フィラメント
９、電子引出電極１０および第２の熱シールド板１１で
イオン化装置８を構成している。
２の蒸気から生じたクラスター（塊状原子集団）、８は
蒸気発生源１の上方に設けられてクラスター７をイオン
化するイオン化装置、９は電子を放出するイオン化フィ
ラメント、１０はイオン化フィラメント９から電子を引
き出し、クラスター７へ向けて加速するグリッド状の電
子引出電極、１１はイオン化フィラメント９からの熱を
遮る第２の熱シールド板であり、イオン化フィラメント
９、電子引出電極１０および第２の熱シールド板１１で
イオン化装置８を構成している。
【０００５】１２はイオン化装置８によりイオン化され
たイオン化クラスター、１３はイオン化装置８の上方に
設けられてイオン化クラスター１２を後述の基板１６へ
向けて加速する加速装置、１４、１５は加速電極とアー
ス電極で、アース電極１５は大地電位に、そして加速電
極１４はこれに対して正の電位になっていて、両者で加
速装置１３を構成している。
たイオン化クラスター、１３はイオン化装置８の上方に
設けられてイオン化クラスター１２を後述の基板１６へ
向けて加速する加速装置、１４、１５は加速電極とアー
ス電極で、アース電極１５は大地電位に、そして加速電
極１４はこれに対して正の電位になっていて、両者で加
速装置１３を構成している。
【０００６】１６は加速装置１３の上方に設けられた基
板で、大地電位になっている。１７は内部を真空に保つ
とともに上方１〜１６を収納する真空槽、１８は真空槽
１７の排気を行なって真空状態にする真空排気系である
。
板で、大地電位になっている。１７は内部を真空に保つ
とともに上方１〜１６を収納する真空槽、１８は真空槽
１７の排気を行なって真空状態にする真空排気系である
。
【０００７】次に動作について説明する。まず、真空排
気系１８により、真空槽１７内が１０−６Ｔｏｒｒ程度
の真空度になるまで排気する。るつぼ３の電位は加熱用
フィラメント５に対して正になるように電圧を印加して
おく。加熱用フィラメント５に通電して加熱し、放出さ
れた電子を電界によってるつぼ３へ向かって引き出しこ
れに衝突させて、るつぼ３内の蒸気圧が数Ｔｏｒｒにな
る温度まで加熱する。
気系１８により、真空槽１７内が１０−６Ｔｏｒｒ程度
の真空度になるまで排気する。るつぼ３の電位は加熱用
フィラメント５に対して正になるように電圧を印加して
おく。加熱用フィラメント５に通電して加熱し、放出さ
れた電子を電界によってるつぼ３へ向かって引き出しこ
れに衝突させて、るつぼ３内の蒸気圧が数Ｔｏｒｒにな
る温度まで加熱する。
【０００８】この加熱によってるつぼ３内の蒸着物質２
が蒸発し、その蒸気がノズル４から上方へ噴出する。こ
の蒸気はノズル４を通過する際、断熱膨張により加速冷
却されて凝縮し、クラスター７が形成される。
が蒸発し、その蒸気がノズル４から上方へ噴出する。こ
の蒸気はノズル４を通過する際、断熱膨張により加速冷
却されて凝縮し、クラスター７が形成される。
【０００９】イオン化装置８においては、イオン化フィ
ラメント９に対して電子引出電極１０の電位を正にして
おく。イオン化フィラメント９が通電加熱され、これか
ら放出された電子が電子引出電極１０によって引き出さ
れる。その電子の一部は電子引出電極１０に捕捉される
が、他の一部はグリッド状の隙間を通って飛んでいき、
クラスター７に衝突してそのエネルギーで電子を叩き出
し、正電荷を有するイオン化クラスター１２を生成させ
る。
ラメント９に対して電子引出電極１０の電位を正にして
おく。イオン化フィラメント９が通電加熱され、これか
ら放出された電子が電子引出電極１０によって引き出さ
れる。その電子の一部は電子引出電極１０に捕捉される
が、他の一部はグリッド状の隙間を通って飛んでいき、
クラスター７に衝突してそのエネルギーで電子を叩き出
し、正電荷を有するイオン化クラスター１２を生成させ
る。
【００１０】イオン化クラスター１２は加速装置１３に
おいて、加速電極１４とアース電極１５の間に形成され
た電界によって上方へ、即ち基板１６へ向かって加速さ
れ、イオン化されていない中性のクラスター７とともに
基板１６に衝突し、その表面に蒸着物質２の薄膜（図示
せず）を形成する。
おいて、加速電極１４とアース電極１５の間に形成され
た電界によって上方へ、即ち基板１６へ向かって加速さ
れ、イオン化されていない中性のクラスター７とともに
基板１６に衝突し、その表面に蒸着物質２の薄膜（図示
せず）を形成する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】従来の薄膜形成装置は
以上のように構成されているので、シリコン（Ｓｉ）や
アルミニウム（Ａｌ）などのるつぼ材料との濡れ性のよ
い蒸着物質を用いた場合、溶融した蒸着物質がるつぼの
内壁を這い上がって外へしみ出し、これが蒸発してその
蒸気のためにるつぼと加熱用フィラメントの間のインピ
ーダンスが低下してその間に電圧を印加することができ
なくなって、薄膜形成装置を安定的に稼働させることが
できなくなる。
以上のように構成されているので、シリコン（Ｓｉ）や
アルミニウム（Ａｌ）などのるつぼ材料との濡れ性のよ
い蒸着物質を用いた場合、溶融した蒸着物質がるつぼの
内壁を這い上がって外へしみ出し、これが蒸発してその
蒸気のためにるつぼと加熱用フィラメントの間のインピ
ーダンスが低下してその間に電圧を印加することができ
なくなって、薄膜形成装置を安定的に稼働させることが
できなくなる。
【００１２】また、蒸着物質には装置を構成する材料と
激しい反応性を示すものもあり、しみ出しや蒸気の凝縮
により蒸着物質に濡れた部分、特に電子引出電極、第１
、第２の熱シールド板などが腐食されて寿命が極端に短
かくなったり、あるいはこれを防ぐために定期的にこれ
らの部分を清掃しなければならないという問題点があっ
た。
激しい反応性を示すものもあり、しみ出しや蒸気の凝縮
により蒸着物質に濡れた部分、特に電子引出電極、第１
、第２の熱シールド板などが腐食されて寿命が極端に短
かくなったり、あるいはこれを防ぐために定期的にこれ
らの部分を清掃しなければならないという問題点があっ
た。
【００１３】また、イオン化フィラメントから放出され
た電子のうち、クラスターのイオン化に寄与するのは、
グリッド状の電子引出電極の隙間を通過した電子のみで
あって、電子引出電極に捕えられた電子はイオン化に寄
与せず、そのためイオン化効率が低い。
た電子のうち、クラスターのイオン化に寄与するのは、
グリッド状の電子引出電極の隙間を通過した電子のみで
あって、電子引出電極に捕えられた電子はイオン化に寄
与せず、そのためイオン化効率が低い。
【００１４】さらに、加速電極とアース電極の間の電位
差（加速電圧）を変化させてクラスターの加速を制御す
ることにより、基板上に形成される薄膜の性質を制御し
ようとすると、加速電圧の変化により、引き出されるイ
オン化クラスターの量も変化し、特に、加速電圧を小さ
くすると基板に到達するイオン化クラスターの量が非常
に小さくなってイオン化クラスターの特性を生かした高
品質の薄膜の形成を行なうことができない。
差（加速電圧）を変化させてクラスターの加速を制御す
ることにより、基板上に形成される薄膜の性質を制御し
ようとすると、加速電圧の変化により、引き出されるイ
オン化クラスターの量も変化し、特に、加速電圧を小さ
くすると基板に到達するイオン化クラスターの量が非常
に小さくなってイオン化クラスターの特性を生かした高
品質の薄膜の形成を行なうことができない。
【００１５】また、加速電圧を小さくして０に近付ける
と、加速電極とアース電極の間の電界が弱まって、イオ
ン化フィラメントから飛び出した電子が基板へ入射する
ようになり、そのため損傷を与えるなどの問題点があっ
た。
と、加速電極とアース電極の間の電界が弱まって、イオ
ン化フィラメントから飛び出した電子が基板へ入射する
ようになり、そのため損傷を与えるなどの問題点があっ
た。
【００１６】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、安定的、効率的な稼働、高品質
の薄膜の形成などができる性能の良い薄膜形成装置を得
ることを目的とする。
ためになされたもので、安定的、効率的な稼働、高品質
の薄膜の形成などができる性能の良い薄膜形成装置を得
ることを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る薄膜形成
装置は、イオン化装置を、ノズルと対向する位置に設け
られたカソード、および、カソードとるつぼと加熱装置
とを包囲するアノードで構成したものである。また、加
速装置を、加速電極、加速電極に対して負電位の引出電
極、および加速電極と引出電極の両電位の中間の電位を
有する制御電極で構成したものである。
装置は、イオン化装置を、ノズルと対向する位置に設け
られたカソード、および、カソードとるつぼと加熱装置
とを包囲するアノードで構成したものである。また、加
速装置を、加速電極、加速電極に対して負電位の引出電
極、および加速電極と引出電極の両電位の中間の電位を
有する制御電極で構成したものである。
【００１８】
【作用】この発明における薄膜形成装置は、カソードか
らの熱により、るつぼのノズル近傍が加熱され、そのた
め溶融した蒸着物質が這い上がって来ても蒸発し、這い
上がりが抑えられる。また、アノードがるつぼと加熱装
置を包囲しているのでこれらによりアノードが加熱され
て高温になり、蒸着物質が付着することなく、したがっ
て蒸着物質による腐食が防止される。
らの熱により、るつぼのノズル近傍が加熱され、そのた
め溶融した蒸着物質が這い上がって来ても蒸発し、這い
上がりが抑えられる。また、アノードがるつぼと加熱装
置を包囲しているのでこれらによりアノードが加熱され
て高温になり、蒸着物質が付着することなく、したがっ
て蒸着物質による腐食が防止される。
【００１９】また、カソードから放出される電子を、グ
リッド状の電極を通すことなく、クラスターへ直接照射
するのでイオン化効率が向上する。
リッド状の電極を通すことなく、クラスターへ直接照射
するのでイオン化効率が向上する。
【００２０】さらに、加速電位と引出電極の間の電位差
により基板へ入射するイオン化クラスターの量をある必
要レベル以上に保つと同時に、加速電極と制御電極の間
の電位差（加速電圧）によりイオン化クラスターの加速
を制御できる。
により基板へ入射するイオン化クラスターの量をある必
要レベル以上に保つと同時に、加速電極と制御電極の間
の電位差（加速電圧）によりイオン化クラスターの加速
を制御できる。
【００２１】また、加速電極に対して引出電極の電位は
負であるので、引出電極近傍に形成される電界により、
電子がイオン化フィラメントから基板へ向かって飛び出
すのが抑制される。
負であるので、引出電極近傍に形成される電界により、
電子がイオン化フィラメントから基板へ向かって飛び出
すのが抑制される。
【００２２】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１はこの発明の一実施例による薄膜形成装置を
模式的に示す断面図であり、図において、２〜５、７、
１２、１６〜１８は図２の場合と同様であるので説明を
省略する。１は蒸着物質２の蒸気を発生させる蒸気発生
源で、るつぼ３と加熱用フィラメント５とで構成されて
いる。
する。図１はこの発明の一実施例による薄膜形成装置を
模式的に示す断面図であり、図において、２〜５、７、
１２、１６〜１８は図２の場合と同様であるので説明を
省略する。１は蒸着物質２の蒸気を発生させる蒸気発生
源で、るつぼ３と加熱用フィラメント５とで構成されて
いる。
【００２３】２１は蒸気発生源１の上方に設けられてク
ラスター７をイオン化するイオン化装置、２２はノズル
４と対向する位置に設けらたカソードであるイオン化フ
ィラメントで、通電加熱されて電子を放出する。２３は
イオン化フィラメント２２、るつぼ３および加熱用フィ
ラメント５を包囲するように設けられたアノードであり
、イオン化フィラメント２２とアノード２３でイオン化
装置２１を構成している。２４はイオン化装置２１の外
側に設けられた磁界印加装置である。
ラスター７をイオン化するイオン化装置、２２はノズル
４と対向する位置に設けらたカソードであるイオン化フ
ィラメントで、通電加熱されて電子を放出する。２３は
イオン化フィラメント２２、るつぼ３および加熱用フィ
ラメント５を包囲するように設けられたアノードであり
、イオン化フィラメント２２とアノード２３でイオン化
装置２１を構成している。２４はイオン化装置２１の外
側に設けられた磁界印加装置である。
【００２４】２５はイオン化装置２１の上方に設けられ
てイオン化クラスター１２を基板１６へ向けて加速する
加速装置、２６はアノード２３と一体的につながった加
速電極、２７は引出電極、２８は制御電極としてのアー
ス電極で、大地電位になっている。加速電極２６、引出
電極２７、アース電極２８の順にノズル４から遠ざかる
位置に配置されるとともに、アース電極２８に対して加
速電極２６は正、引出電極２７は負の電位になっている
。すなわち、引出電極２７は加速電極２６に対して負の
電位に、そしてアース電極２８は加速電極２６と引出電
極２７の両電位の中間の電位になっている。上記三電極
２６、２７、２８で加速装置２５を構成している。
てイオン化クラスター１２を基板１６へ向けて加速する
加速装置、２６はアノード２３と一体的につながった加
速電極、２７は引出電極、２８は制御電極としてのアー
ス電極で、大地電位になっている。加速電極２６、引出
電極２７、アース電極２８の順にノズル４から遠ざかる
位置に配置されるとともに、アース電極２８に対して加
速電極２６は正、引出電極２７は負の電位になっている
。すなわち、引出電極２７は加速電極２６に対して負の
電位に、そしてアース電極２８は加速電極２６と引出電
極２７の両電位の中間の電位になっている。上記三電極
２６、２７、２８で加速装置２５を構成している。
【００２５】次に動作について説明する。図２の場合と
同様に加熱用フィラメント５でるつぼ３を加熱し、蒸着
物質２の蒸気をノズル４から噴出させてクラスター７を
形成する。また、イオン化フィラメント２２が通電加熱
され、これから電子がアノード２３に向かって放出され
、クラスター７に衝突してこれをイオン化する。その間
、図２のような電子引出電極１０のグリッド状の隙間を
電子が通過する必要がないので電子が有効に活用される
。さらにこの実施例では磁界印加装置２４が設けられて
いて、イオン化フィラメント２２とアノード２３により
形成される電界（図において左右、奥行方向）に対して
垂直な上下方向に磁界を形成するので、上記電子がらせ
ん運動し、イオン化効率が一層向上する。
同様に加熱用フィラメント５でるつぼ３を加熱し、蒸着
物質２の蒸気をノズル４から噴出させてクラスター７を
形成する。また、イオン化フィラメント２２が通電加熱
され、これから電子がアノード２３に向かって放出され
、クラスター７に衝突してこれをイオン化する。その間
、図２のような電子引出電極１０のグリッド状の隙間を
電子が通過する必要がないので電子が有効に活用される
。さらにこの実施例では磁界印加装置２４が設けられて
いて、イオン化フィラメント２２とアノード２３により
形成される電界（図において左右、奥行方向）に対して
垂直な上下方向に磁界を形成するので、上記電子がらせ
ん運動し、イオン化効率が一層向上する。
【００２６】また、イオン化フィラメント２２によりノ
ズル４近傍、つまりるつぼ３の上部が加熱されるので、
溶融した蒸着物質２がるつぼ３の内壁を這い上がっても
るつぼ３の上部で蒸発する。さらに、アノード２３で加
熱用フィラメント５とるつぼ３を包囲しているので、ア
ノード２３が高温に保たれ、そのため蒸着物質２の蒸気
が凝縮して付着することはなく、またるつぼ３と加熱用
フィラメント５の間に蒸気が立ちこめてその間のインピ
ーダンスが低下することもない。
ズル４近傍、つまりるつぼ３の上部が加熱されるので、
溶融した蒸着物質２がるつぼ３の内壁を這い上がっても
るつぼ３の上部で蒸発する。さらに、アノード２３で加
熱用フィラメント５とるつぼ３を包囲しているので、ア
ノード２３が高温に保たれ、そのため蒸着物質２の蒸気
が凝縮して付着することはなく、またるつぼ３と加熱用
フィラメント５の間に蒸気が立ちこめてその間のインピ
ーダンスが低下することもない。
【００２７】イオン化装置２１でイオン化されて正の電
荷を持ったイオン化クラスター１２は、加速電極２６と
引出電極２７で形成される電界により、イオン化装置２
１から基板１６へ向かって引き出される。イオン化クラ
スター１２は引出電極２７とアース電極２８の間を通過
するが、アース電極２８は引出電極２７に対して正電位
であるので、イオン化クラスター１２がこの間で減速さ
れる。結局、イオン化クラスター１２は加速電極２６と
アース電極２８の間の電位差（加速電圧）に応じた運動
エネルギーが与えられることになる。
荷を持ったイオン化クラスター１２は、加速電極２６と
引出電極２７で形成される電界により、イオン化装置２
１から基板１６へ向かって引き出される。イオン化クラ
スター１２は引出電極２７とアース電極２８の間を通過
するが、アース電極２８は引出電極２７に対して正電位
であるので、イオン化クラスター１２がこの間で減速さ
れる。結局、イオン化クラスター１２は加速電極２６と
アース電極２８の間の電位差（加速電圧）に応じた運動
エネルギーが与えられることになる。
【００２８】したがって、加速電極２６と引出電極２７
の間の電位差により、イオン化装置２１から引き出され
るイオン化クラスター１２の量をある必要レベル以上に
保ちながら、一方、イオン化クラスター１２の加速を加
速電圧により制御でき、例えば小さな加速電圧の場合で
もイオン化クラスター１２の量を確保してその特性を生
かした薄膜の形成が可能となる。
の間の電位差により、イオン化装置２１から引き出され
るイオン化クラスター１２の量をある必要レベル以上に
保ちながら、一方、イオン化クラスター１２の加速を加
速電圧により制御でき、例えば小さな加速電圧の場合で
もイオン化クラスター１２の量を確保してその特性を生
かした薄膜の形成が可能となる。
【００２９】また、イオン化フィラメント２２から飛び
出して基板１６へ向かう電子は、負電位の引出電極が形
成する電界によって、基板１６へ入射するのが阻止され
る。
出して基板１６へ向かう電子は、負電位の引出電極が形
成する電界によって、基板１６へ入射するのが阻止され
る。
【００３０】なお、上記実施例では加熱用フィラメント
５によってるつぼ３を加熱したが、イオン化フィラメン
ト２２で加熱装置を兼用し、これによってるつぼ３を加
熱するようにしてもよい。また、磁界印加装置２４を設
けたが、これを設けない場合にも適用できる。
５によってるつぼ３を加熱したが、イオン化フィラメン
ト２２で加熱装置を兼用し、これによってるつぼ３を加
熱するようにしてもよい。また、磁界印加装置２４を設
けたが、これを設けない場合にも適用できる。
【００３１】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、ノズル
と対向する位置に設けられたカソード、および、カソー
ドとるつぼと加熱装置とを包囲するアノードでイオン化
装置を構成したので、カソードからの電子が直接クラス
ターへ照射されてイオン化効率が向上し、また、るつぼ
のノズル近傍およびカソードが高温になって、蒸着物質
のるつぼ周辺へのしみ出しやアノードへの付着がなく、
したがって蒸着物質による腐食やるつぼと加熱装置間の
インピーダンスの低下が防止される。
と対向する位置に設けられたカソード、および、カソー
ドとるつぼと加熱装置とを包囲するアノードでイオン化
装置を構成したので、カソードからの電子が直接クラス
ターへ照射されてイオン化効率が向上し、また、るつぼ
のノズル近傍およびカソードが高温になって、蒸着物質
のるつぼ周辺へのしみ出しやアノードへの付着がなく、
したがって蒸着物質による腐食やるつぼと加熱装置間の
インピーダンスの低下が防止される。
【００３２】また、加速電極、加速電極に対して負電位
の引出電極、および、加速電極と引出電極の両電位の中
間の電位の制御電極で構成したので、イオン化クラスタ
ーの量をあるレベル以上に保ちながら、その加速を制御
することができ、さらに電子が基板へ入射して損傷を与
えるのを防止できる。以上により、安定的、効率的な稼
働、高品質の薄膜の形成などができる性能の良い薄膜形
成装置が得られる効果がある。
の引出電極、および、加速電極と引出電極の両電位の中
間の電位の制御電極で構成したので、イオン化クラスタ
ーの量をあるレベル以上に保ちながら、その加速を制御
することができ、さらに電子が基板へ入射して損傷を与
えるのを防止できる。以上により、安定的、効率的な稼
働、高品質の薄膜の形成などができる性能の良い薄膜形
成装置が得られる効果がある。
【図１】この発明の一実施例による薄膜形成装置を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】従来の薄膜形成装置を示す断面図である。
２は蒸着物質、３はるつぼ、４はノズル、５は加熱用フ
ィラメント、７はクラスター、１２はイオン化クラスタ
ー、１６は基板、２１はイオン化装置、２２はイオン化
フィラメント、２３はアノード、２５は加速装置、２６
は加速電極、２７は引出電極、２８はアース電極である
。
ィラメント、７はクラスター、１２はイオン化クラスタ
ー、１６は基板、２１はイオン化装置、２２はイオン化
フィラメント、２３はアノード、２５は加速装置、２６
は加速電極、２７は引出電極、２８はアース電極である
。
Claims (2)
- 【請求項１】 蒸着物質を収容するるつぼ、このるつ
ぼを加熱してこのるつぼに形成されたノズルから上記蒸
着物質の蒸気を噴出させる加熱装置、上記蒸着物質の蒸
気から生じたクラスターをイオン化させるイオン化装置
、および、薄膜が形成される基板へ向けてイオン化した
上記クラスターを加速する加速装置を備えた薄膜形成装
置において、上記イオン化装置を、上記ノズルと対向す
る位置に設けられ、加熱されて電子を放出するカソード
、および、上記カソードとるつぼと加熱装置とを包囲す
るアノード構成したことを特徴とする薄膜形成装置。 - 【請求項２】 蒸着物質を収容するるつぼ、このるつ
ぼを加熱してこのるつぼに形成されたノズルから上記蒸
着物質の蒸気を噴出させる加熱装置、上記蒸着物質の蒸
気から生じたクラスターをイオン化させるイオン化装置
、および、薄膜が形成される基板へ向けてイオン化した
上記クラスターを加速する加速装置を備えた薄膜形成装
置において、上記加速装置を、加速電極、この加速電極
に対して負電位の引出電極、および、上記加速電極と引
出電極との中間の電位を有する制御電極で構成し、上記
加速電極、引出電極、制御電極の順に上記ノズルから遠
ざかる位置に配置したことを特徴とする薄膜形成装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2403585A JPH04218665A (ja) | 1990-12-19 | 1990-12-19 | 薄膜形成装置 |
| KR1019910018489A KR940004099B1 (ko) | 1990-11-15 | 1991-10-19 | 이온원장치 및 박막형성장치 |
| CN91110723A CN1061444A (zh) | 1990-11-15 | 1991-11-08 | 薄膜形成装置 |
| GB9126552A GB2251631B (en) | 1990-12-19 | 1991-12-13 | Thin-film forming apparatus |
| DE4142103A DE4142103C2 (de) | 1990-12-19 | 1991-12-19 | Vorrichtung zur ionenclusterstrahl-bedampfung |
| US08/095,046 US5354445A (en) | 1990-12-19 | 1993-07-22 | Thin film-forming apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2403585A JPH04218665A (ja) | 1990-12-19 | 1990-12-19 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04218665A true JPH04218665A (ja) | 1992-08-10 |
Family
ID=18513316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2403585A Pending JPH04218665A (ja) | 1990-11-15 | 1990-12-19 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04218665A (ja) |
-
1990
- 1990-12-19 JP JP2403585A patent/JPH04218665A/ja active Pending
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