JPH04218736A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
- Publication number
- JPH04218736A JPH04218736A JP2403742A JP40374290A JPH04218736A JP H04218736 A JPH04218736 A JP H04218736A JP 2403742 A JP2403742 A JP 2403742A JP 40374290 A JP40374290 A JP 40374290A JP H04218736 A JPH04218736 A JP H04218736A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- light
- emissivity
- measured
- radiation rate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Waste-Gas Treatment And Other Accessory Devices For Furnaces (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜を基板に形成する蒸
着やスパッタリング等を行う装置において用いる基板の
温度の制御手段を提供するものである。
着やスパッタリング等を行う装置において用いる基板の
温度の制御手段を提供するものである。
【０００２】
【従来の技術】真空中で基板に薄膜を蒸着することや、
エッチングを行う等の一定の処理を行う場合、その処理
を行う温度は多くの場合に、その工程にとって重要なパ
ラメータである。例えば、一般に薄膜の蒸着では基板の
温度によって形成される膜の性質が大きく左右されるこ
とはよく知られた事柄である。従って、基板の温度を、
蒸着を開始する時点、蒸着を行っている間、または蒸着
が終了したあとについて、よくこれを管理しなければな
らない。
エッチングを行う等の一定の処理を行う場合、その処理
を行う温度は多くの場合に、その工程にとって重要なパ
ラメータである。例えば、一般に薄膜の蒸着では基板の
温度によって形成される膜の性質が大きく左右されるこ
とはよく知られた事柄である。従って、基板の温度を、
蒸着を開始する時点、蒸着を行っている間、または蒸着
が終了したあとについて、よくこれを管理しなければな
らない。
【０００３】自動で基板の搬送を行うような基板処理装
置では装置内で基板が搬送されるために、熱電対等を再
現性高く基板に接触させることが困難である。このため
非接触で温度測定を行える赤外線温度計が用いられるこ
とがある。
置では装置内で基板が搬送されるために、熱電対等を再
現性高く基板に接触させることが困難である。このため
非接触で温度測定を行える赤外線温度計が用いられるこ
とがある。
【０００４】赤外線温度計では測定する対象の赤外線領
域における輻射率によって、得られる温度が異なる。従
って、多くの場合予め基板の輻射率を何等かの手段で測
定しておき、正しい測定を行うようにする必要がある。
域における輻射率によって、得られる温度が異なる。従
って、多くの場合予め基板の輻射率を何等かの手段で測
定しておき、正しい測定を行うようにする必要がある。
【０００５】
【発明が解決しょうとする課題】基板がシリコンウェハ
のように赤外線に対して吸収が低く、また半透明なもの
、即ち輻射率の低いものでは、赤外線輻射温度計を直ち
に温度測定に適用するには幾つかの問題点がある。
のように赤外線に対して吸収が低く、また半透明なもの
、即ち輻射率の低いものでは、赤外線輻射温度計を直ち
に温度測定に適用するには幾つかの問題点がある。
【０００６】即ち、基板（シリコンウェハ）の温度が高
くとも、輻射率の低さ故に輻射光強度が低い、Ｓ／Ｎ比
（信号雑音強度比）が悪い状態での測定を行わなければ
いけない。従って赤外線輻射温度計に迷光の入射がある
と、容易に大きな測定誤差を生じることになる。
くとも、輻射率の低さ故に輻射光強度が低い、Ｓ／Ｎ比
（信号雑音強度比）が悪い状態での測定を行わなければ
いけない。従って赤外線輻射温度計に迷光の入射がある
と、容易に大きな測定誤差を生じることになる。
【０００７】またシリコンウェハのように測定を行う波
長では半透明であると、基板の赤外線温度計を設置して
いる側と反対側からの赤外光が容易に赤外線輻射温度計
に入射するために、やはり大きな測定誤差を生じる可能
性が高い。
長では半透明であると、基板の赤外線温度計を設置して
いる側と反対側からの赤外光が容易に赤外線輻射温度計
に入射するために、やはり大きな測定誤差を生じる可能
性が高い。
【０００８】また、蒸着やスパッタリング等では基板処
理の具体的な内容として、例えばアルミニュウムの薄膜
を基板上に形成するような場合には、このような薄膜が
形成されると、基板の赤外線輻射率が大幅に変化する場
合がある。従って金属膜が形成される前に測定した赤外
線輻射率の値をもっては赤外線温度計によって蒸着中の
基板温度を測定することはできない。
理の具体的な内容として、例えばアルミニュウムの薄膜
を基板上に形成するような場合には、このような薄膜が
形成されると、基板の赤外線輻射率が大幅に変化する場
合がある。従って金属膜が形成される前に測定した赤外
線輻射率の値をもっては赤外線温度計によって蒸着中の
基板温度を測定することはできない。
【０００９】
【課題を解決するための手段】る本発明では、上記した
困難を解決するために、基板の赤外線輻射率を測定する
際に、基板の片側に当該測定に用いる赤外線の波長領域
にて高い反射率を持つ反射体、具体的には鏡面を設置し
、基板のその反対側から赤外線輻射率の測定を行うよう
にする。
困難を解決するために、基板の赤外線輻射率を測定する
際に、基板の片側に当該測定に用いる赤外線の波長領域
にて高い反射率を持つ反射体、具体的には鏡面を設置し
、基板のその反対側から赤外線輻射率の測定を行うよう
にする。
【００１０】
【作用】上記反射体は半透明な基板を透過してくる迷光
を遮る機能を持ち、従って結果として測定に際してのＳ
／Ｎ比を向上させる。
を遮る機能を持ち、従って結果として測定に際してのＳ
／Ｎ比を向上させる。
【００１１】また、基板の両面から輻射される赤外輻射
光を反射し基板に返すために、鏡面反と対側での輻射光
強度が上昇し、測定に際してのＳ／Ｎ比を向上させる。
光を反射し基板に返すために、鏡面反と対側での輻射光
強度が上昇し、測定に際してのＳ／Ｎ比を向上させる。
【００１２】金属膜を形成する基板処理を行う場合には
、反射体によって、金属膜形成後にほぼ近い輻射光強度
を得ることができるので、このような膜の成膜中の基板
温度の測定に用いる、輻射率を得ることができる。
、反射体によって、金属膜形成後にほぼ近い輻射光強度
を得ることができるので、このような膜の成膜中の基板
温度の測定に用いる、輻射率を得ることができる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１によって説明す
る。図１はシリコンウェハ基板の輻射率を測定する本発
明に関わる実施例である。基台２の上にシリコンウェハ
１が載置されている。シリコンウェハ１の上方には鏡面
反射体３が設置されている。この鏡面反射対は目的とす
る測定波長域で充分に高い反射率を有するものでなけれ
ばならない。
る。図１はシリコンウェハ基板の輻射率を測定する本発
明に関わる実施例である。基台２の上にシリコンウェハ
１が載置されている。シリコンウェハ１の上方には鏡面
反射体３が設置されている。この鏡面反射対は目的とす
る測定波長域で充分に高い反射率を有するものでなけれ
ばならない。
【００１４】基台２の下方にはビームスプリッタ６が設
置されている。発光器５は本例では適宜フィルタを用い
て約１０μｍの波長を主成分として出力光を得られるも
のであり、出力光７はビームスプリッタを通過し、シリ
ンコンウェハ１に入射する。シリコンウェハ１からの反
射光８はビームスプリングによって曲げられ、検出器に
入射する。
置されている。発光器５は本例では適宜フィルタを用い
て約１０μｍの波長を主成分として出力光を得られるも
のであり、出力光７はビームスプリッタを通過し、シリ
ンコンウェハ１に入射する。シリコンウェハ１からの反
射光８はビームスプリングによって曲げられ、検出器に
入射する。
【００１５】シリコンウェハの上方に輻射又は透過した
光は鏡面反射体によって反射され、その全てが、シリコ
ンウェハ１に戻される。
光は鏡面反射体によって反射され、その全てが、シリコ
ンウェハ１に戻される。
【００１６】一般に輻射率は入射光強度をＩ０、透過光
強度Ｉｔ、反射光強度Ｉｒを既知とした場合の吸収率α
に等しく、以下の式で表わされる。
強度Ｉｔ、反射光強度Ｉｒを既知とした場合の吸収率α
に等しく、以下の式で表わされる。
【００１７】α＝（Ｉ０−Ｉｔ−Ｉｒ）／Ｉ０本発明に
関る図１に示す実施例では、鏡面反射体３のために透過
光Ｉｔ＝０となる。従ってシリコン基板への入射光強度
Ｉ０と反射光強度Ｉｒを知ることで、吸収率、または輻
射率を算出することができる。このように知りえた輻射
率を例えば、蒸着前のシリコンウェハ等の基板に適用す
るには、赤外線温度計にて例えば裏面から温度を測定す
るようにして、その際にシリコンウェハ表面側に鏡面反
射体を設置する。金属膜を蒸着中または、蒸着後ではこ
の鏡面反射体は不必要である。
関る図１に示す実施例では、鏡面反射体３のために透過
光Ｉｔ＝０となる。従ってシリコン基板への入射光強度
Ｉ０と反射光強度Ｉｒを知ることで、吸収率、または輻
射率を算出することができる。このように知りえた輻射
率を例えば、蒸着前のシリコンウェハ等の基板に適用す
るには、赤外線温度計にて例えば裏面から温度を測定す
るようにして、その際にシリコンウェハ表面側に鏡面反
射体を設置する。金属膜を蒸着中または、蒸着後ではこ
の鏡面反射体は不必要である。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、特にシリコンウェハな
どの半透明な基板からの輻射光強度を増大させることが
できるために、Ｓ／Ｎ比の高い輻射率の測定が可能とな
る。このために基板の温度制御をより高い精度で行なう
ことが出来る。また、鏡面反射体によって迷光の入射を
低減できるために、Ｓ／Ｎ比の高い輻射率の測定が可能
であり、より高い精度の基板の温度制御を行なうことが
出来る。
どの半透明な基板からの輻射光強度を増大させることが
できるために、Ｓ／Ｎ比の高い輻射率の測定が可能とな
る。このために基板の温度制御をより高い精度で行なう
ことが出来る。また、鏡面反射体によって迷光の入射を
低減できるために、Ｓ／Ｎ比の高い輻射率の測定が可能
であり、より高い精度の基板の温度制御を行なうことが
出来る。
【００１９】また、金属の蒸着膜を堆積する場合にはそ
の膜の堆積中にも使用できる輻射率を得ることが出来る
ので、膜の堆積中にもより精度の高い基板の温度制御を
行なうことが出来る。
の膜の堆積中にも使用できる輻射率を得ることが出来る
ので、膜の堆積中にもより精度の高い基板の温度制御を
行なうことが出来る。
【図１】本発明の一実施例を示すシリコンウェハの輻射
率を較正するための手段を備えた基板処理装置の構成図
である。
率を較正するための手段を備えた基板処理装置の構成図
である。
１…シリコンウェハ基板、
２…基台、
３…鏡面反射体、
４…反射赤外光検出器、
５…較正用参照赤外光発生器、
６…ビームスプリッタ、
７…参照入射光、
８…反射光。
Claims (1)
- 【請求項１】赤外線輻射温度計によって基板の温度を知
るようにした基板処理装置の基板輻射率測定手段に於て
、上記基板の一方の面に測定を行う赤外線の波長領域を
反射する反射体を設置し、上記基板の輻射率を知るよう
にしたことを特徴とする基板処理装置の基板輻射率測定
手段。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2403742A JPH04218736A (ja) | 1990-12-19 | 1990-12-19 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2403742A JPH04218736A (ja) | 1990-12-19 | 1990-12-19 | 基板処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04218736A true JPH04218736A (ja) | 1992-08-10 |
Family
ID=18513469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2403742A Pending JPH04218736A (ja) | 1990-12-19 | 1990-12-19 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04218736A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016020810A (ja) * | 2014-07-11 | 2016-02-04 | 光洋サーモシステム株式会社 | 連続式加熱炉及び温度測定方法 |
-
1990
- 1990-12-19 JP JP2403742A patent/JPH04218736A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016020810A (ja) * | 2014-07-11 | 2016-02-04 | 光洋サーモシステム株式会社 | 連続式加熱炉及び温度測定方法 |
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