JPH04218905A - 薄膜状磁性材料及びその製造方法 - Google Patents

薄膜状磁性材料及びその製造方法

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JPH04218905A
JPH04218905A JP3081661A JP8166191A JPH04218905A JP H04218905 A JPH04218905 A JP H04218905A JP 3081661 A JP3081661 A JP 3081661A JP 8166191 A JP8166191 A JP 8166191A JP H04218905 A JPH04218905 A JP H04218905A
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Shinji Furukawa
古川　伸治
Kazuki Oka
岡　和貴
Teru Tanimura
谷村　暉
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Unitika Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，標識や磁気センサーな
どに用いられる薄膜状磁性材料及びその製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】軟磁性材料はトランスや磁気ヘツド，セ
ンサーなどの磁心や電磁シールド材として，盛んに用い
られている。これらの材料はその用途に応じて適切な特
性が要求され，例えば磁気ヘツド材としては，透磁率が
高いこと，トランス材としては鉄損が小さいことなどが
望まれている。その他，例えばセンサー用などでは電磁
誘導型のピツクアツプコイルと併用して，急峻なパルス
電圧を発生させて用いる例がある。磁化反転が非常に急
激に起こる大バルクハウゼン反転を示す材料はこのよう
なパルス発生素子として非常に有用なものであり，広範
に利用されつつある。
【０００３】ここで，大バルクハウゼン反転とは，一定
の臨界磁界Ｈ＊　を印加することによつて材料の全体あ
るいは一部分で一斉に磁化反転する現象をさし，磁気履
歴曲線上で非常に立ち上がりの大きな直線部分が見られ
る。バルクハウゼン反転は多くの一般的な磁性体でも階
段状のノイズとして観測されるが，大バルクハウゼン反
転はそれよりもはるかに大きな部分が一斉に磁化反転し
，そのために磁化曲線には非常に急激で不連続な磁化が
観測される。大バルクハウゼン反転は磁化曲線を測定す
ることで確認できるが，ここでは，バルクハウゼンノイ
ズと明確に区別するために飽和磁化の１０％を超える不
連続な磁化現象があつた場合に大バルクハウゼン反転で
あると定義することにする。
【０００４】この材料を磁心として，ピツクアツプコイ
ルに誘導される電圧を測定すると，非常に急峻なパルス
が得られ，各種センサーなどに用いることができる。大
バルクハウゼン反転を有する材料としてこれまでに報告
されているものには，Ｆｅ系の非晶質合金薄帯を捩じっ
た状態で熱処理し，その後使用時に，熱処理時とは逆の
方向に捻り応力を印加する方法やＦｅ−Ｃｏ−Ｖ合金や
Ｆｅ−Ｎｉ合金などを強加工することにより応力二重層
を導入したウイーガンド・ワイヤーがある。ウイーガン
ド・ワイヤーの不連続的な磁化の現象はウイーガンド効
果と一般に言われているが，本質的には前述した大バル
クハウゼン効果（反転）と同様のものである。
【０００５】また，最近になつて回転液中紡糸法により
作製された磁歪を有する非晶質合金細線が，作製された
状態で何等の加工や捻り応力を付加した熱処理を施すこ
となしに非常に鋭い大バルクハウゼン反転を示すことが
見出され，各種磁気センサーに用いられつつある。この
ような大バルクハウゼン反転を利用した製品としては，
例えば盗難防止装置に用いられる標識や磁界センサー，
回転センサーなどがある。
【０００６】盗難防止標識は，小売店や図書館などにお
いて商品や書籍などの物品が無断で持ち出されることを
防止する各種の監視システムに用いられるものであり，
これらの監視システムは物品が監視区域を通つて運び出
されるとき，それらの物品にあらかじめ付けられた標識
によつて物品の通過を遠隔検出するものである。そのう
ち，磁性体を利用した方式は標識が小型で，また，安価
であるため使い捨てにすることができ，小売店などで広
く利用されている。これらは，標識として強磁性材料が
用いられており，呼び掛け信号として送信されている特
定周波数の交流磁界によつてこれらの強磁性体が磁化反
転し，呼び掛けた交流磁界の高調波を発生することを検
出に利用するものである。標識として用いられる強磁性
体は，標識の発生する信号と他の一般的な磁性体，例え
ば買い物籠や腕時計などから発生する信号とをできるだ
けはつきりと区別され得る必要があるために，一般的な
磁性体とは大きく磁気特性が異なる，すなわち，引加し
た交流磁界に対して非常に急速に磁化反転する高透磁率
材料及び大バルクハウゼン反転を有する材料（特開昭６
１−１５３７９９号公報）が標識として通常用いられて
いる。
【０００７】磁界センサーは，大バルクハウゼン反転を
誘起する臨界磁界Ｈ＊の有無により外部磁界を検知する
ものであり，このセンサーの特長は，外部磁界が従来の
高透磁率材料を用いた電磁誘導式では動作しないかつた
ような非常にゆつくりとした変化をした場合でも，確実
に動作する点である。回転センサーは，この磁界センサ
ーを応用したものであり，被測定物に永久磁石などの磁
界印加手段を設けて，その近傍に設置したセンサーが臨
界磁界Ｈ＊　で大バルクハウゼン反転する回数をピツク
アツプコイルに誘導されるパルス電圧の個数として計測
するものである。この回転センサーは回転数が非常にゆ
つくりとした状態から高速回転まで幅広い測定範囲を有
していることが特長である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術においては
，大バルクハウゼン反転を示す材料は非常に限られたも
のであり，その形状から薄帯と細線に大別されていた。 このうち，薄帯は非晶質金属薄帯に捻った状態で熱処理
し，使用時に熱処理の時とは逆の方向に捻り応力を印加
する処理が必要であつた。
【０００９】この熱処理の条件は，例えばＩＥＥＥＴＲ
ＡＮＳ．　ＭＡＧ．ＶＯＬ．ＭＡＧ−１７，Ｎｏ．　６
　　ＮＯＶＥＭＢＥＲ３３７０〜３３７２頁（１９８１
）の記載によれば，約１ｍｍ幅，約０．０３５ｍｍ厚の
Ｆｅ８０Ｂ２０（原子％）の組成を有する非晶質合金リ
ボン（薄帯）が直径が４から８ｍｍのトロイダル状にし
てキユリー温度から結晶化温度まで熱処理し，使用時に
は熱処理時とは逆の方向に捻り応力を印加することによ
り大バルクハウゼン反転が生じるということが示されて
いる。 この操作により，４５から９０ｋｇ／ｍｍ２　の捻り応
力が試料に付加されることが示されている。しかし，薄
帯のような二次元的な物体に捻り応力を印加した状態で
熱処理を施すことは，工業的に難しい技術であるし，ま
た，上述した文献には，その使用に当たつて，捻り熱処
理により捻りくせの生じた薄帯をなんらかの方法で強制
的に応力を印加して変形する必要があり，これは，素子
などに用いた際に，その構造や用途を非常に制限するも
のであり，好ましいものではなかつた。
【００１０】一方，応力の印加の必要のないものとして
は，これまでにウイーガンド・ワイヤーと非晶質合金細
線があつた。しかし，ウイーガンド・ワイヤーは反転に
必要な臨界磁界Ｈ＊　が数〜数十Ｏｅと大きく，また，
臨界磁界の値の変動，いわゆるジツタが大きく，高精度
のものは得られなかつたため，限られた範囲でしか応用
されていなかつた。一方，非晶質合金細線は臨界磁界Ｈ
＊　が１Ｏｅ以下で，作成法によりその値も自由に制御
でき，また，ジツタも５％以下と高精度なものであり，
コイルに発生するパルスが非常に急峻で高調波成分の非
常に大きい特性の優れたものであつた。
【００１１】そのため，盗難防止用標識や回転センサー
用の材料などとして広範に用いられている。しかし，細
線状であり，その形状の点から用途は制限されていた。 また，細線をあまり短くすると反磁界が大きくなり大バ
ルクハウゼン反転が起こらなくなるため，小型化には限
度があつた。小型化，偏平化を達成するためには，薄膜
を用いれば良いことが一般に知られている。しかし，今
までに，成膜後そのままの状態で大バルクハウゼン反転
を示す薄膜は得られなかつた。上記したような捻り応力
下で熱処理する方法を用いることにより，薄膜において
も大バルクハウゼン反転が得られる可能性は容易に類推
できる。しかし，このような熱処理を施すためには，基
板は耐熱性があり，かつ可燒性があることが要求され，
非常に限定される。さらに、上述したように，このよう
な処理自体が非常に困難なものであり，特に安価に大量
生産が望ましいものにはまったく利用できない方法であ
った。また，使用時には常に一定の捻り応力を印加し続
けなければならないことにより，素子の構造や用途も非
常に制限されるものであった。このようなことから，熱
処理や応力の印加無しで大バルクハウゼン反転を示す磁
性薄膜の開発が望まれていた。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明者らは，上記課題
を解決するために鋭意研究した結果，蒸着法やスパツタ
リング法を用いて薄膜を形成する際に，薄膜を構成する
ための粒子が基板に斜めに入射するような条件で成膜を
行うことにより，成膜後そのままの状態で使用時に応力
を印加しなくとも大バルクハウゼン反転特性を有する磁
性薄膜を形成できることを見出し，この知見に基づいて
本発明に到達した。
【００１３】すなわち，第１の発明は，基板の表面に磁
性薄膜が形成されている薄膜状磁性材料において，その
磁性薄膜が外部から意図的に応力を印加することなく大
バルクハウゼン反転特性を示すことを特徴とする薄膜状
磁性材料を要旨とするものである。
【００１４】また，第２の発明は，基板上に磁性薄膜を
形成させて薄膜状磁性材料を製造する方法において，タ
ーゲツトに対して５°以上８５°以下の角度を有するよ
うに基板を設置して薄膜を構成するための粒子を基板に
対して斜めに入射させることを特徴とする大バルクハウ
ゼン反転を示す磁気特性を有する薄膜状磁性材料の製造
方法を要旨とするものである。
【００１５】さらに，第３の発明は，薄膜を構成するた
めの粒子を有機高分子基板上に付着させて連続的に磁性
薄膜を形成させる際に，連続する有機高分子基板を回転
する円筒状のキヤンに密着させ，かつキヤンの下に基板
に到達する粒子を制限する邪魔板を設置して粒子を基板
上に付着させることを特徴とする大バルクハウゼン反転
を示す磁気特性を有する薄膜状磁性材料の製造方法を要
旨とするものである。
【００１６】本発明の薄膜状磁性材料は，その磁性薄膜
が外部から意図的に応力，例えば引張応力，捩り応力を
印加することなく大バルクハウゼン反転を示す磁気特性
を有している。この磁性薄膜を構成する物質としては，
磁歪定数が零でない，いわゆる磁歪材であることが望ま
れる。そのようなものとしては，例えばＦｅ−Ｎｉ合金
やＦｅ−Ｃｏ−Ｖ合金があげられるが，大バルクハウゼ
ン反転する臨界磁界Ｈ＊　が小さいことが望まれる場合
は，非晶質合金が好ましい。この場合，磁歪定数は正で
も負でもよいが，あまり磁歪定数の絶対値が小さいもの
は好ましくない。例えば，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｓｉ−Ｂ系非晶
質合金は，ＦｅとＣｏの比率により正磁歪から負磁歪に
まで連続的に磁歪が変化するが，ＦｅとＣｏの比率を０
：１００〜９０：１０又は９７：３〜１００：０（原子
比）の組成にすることが好ましい。
【００１７】一方，磁歪の絶対値が大きければ，正磁歪
でも負磁歪でも本発明の磁性薄膜を構成することが可能
であり，Ｆｅ−Ｓｉ−Ｂ合金（正磁歪）とＣｏ−Ｓｉ−
Ｂ合金（負磁歪）は，ともに本発明の磁性薄膜として好
ましいものである。
【００１８】また，本発明に用いられる基板としては，
例えばガラスやセラミツクス，金属などがあげられるが
，特に，有機高分子基板を用いることは安価で可燒性が
あり，薄膜を連続的に成膜することができる上で好まし
いものである。その有機高分子基板としては，ポリエス
テル，ポリイミド，ナイロンなどのフイルム，シート，
プレートなどを用いることができるが，特に，成膜中に
基板が加熱されるときにはポリイミド系素材を用いれば
基板の損傷を防ぐことができ有効である。
【００１９】このような第１の発明の磁性材料は，例え
ば，第２及び第３の発明の方法で製造することができる
。本発明の方法においては，基板に付着する粒子の多く
が，基板の放線ベクトルに対して０度でない角度，すな
わち，基板に対して斜めに入射させることが必要である
。このような条件を満たすためには，ターゲツトと基板
の幾何学的な配置を適切にしなければならない。すなわ
ち，基板はその法線が５°以上８５°以下の角度を有し
ていることが必要であり，この範囲を超えた場合，作製
される薄膜は大バルクハウゼン反転を示さなくなる。
【００２０】上記方法を実施するための装置としては，
スパツタリング装置があげられ，そのスパツタリング装
置の具体例としてプレーナー式スパツタリング装置や対
向ターゲツト式スパツタリング装置がある。この装置を
用いるにあたつて，ターゲットと基板のそれぞれの法線
のなす角を５°以上８５°以下とすることにより，上記
条件を達成することができる。
【００２１】さらに，プレーナー型マグネトロンスパツ
タリング装置，すなわち，平板状のターゲツトの下に永
久磁石あるいは電磁石を設置し，その磁石の磁極に接続
したヨークによつてターゲツト面より上に磁束を誘導す
るようになしたマグネトロンスパツタリング装置の場合
，そのヨークの他方の磁極がターゲツト面よりも基板に
近い位置にある装置を用いて，かつ基板をターゲツト面
に対して５°以上８５°以下の角度を有するように設置
する。また，平板状のターゲツトの下に永久磁石あるい
は電磁石を設置し，その磁石の磁極に接続したヨークの
他方の磁極がターゲツト面よりも基板に近い位置にある
ようなしたマグネトロンスパツタリング装置の場合，タ
ーゲツト直上でターゲツトの中心部よりも外周部で漏れ
磁界が大きい装置を用いて，かつ基板をターゲツト面に
対して５°以上８５°以下の角度を有するように設置す
る。
【００２２】このマグネトロンスパツタリング装置は，
ターゲツトにかける電界と直角方向に磁界を印加し，プ
ラズマ中の荷電粒子をサイクロトロン運動させることに
よりスパツタ効率を向上させた装置であり，磁界印加手
段としては，一般的にターゲツトの下に永久磁石あるい
は電磁石が設置される。荷電粒子をサイクロトロン運動
させる磁界はターゲツト表面からの漏れ磁界が用いられ
る。しかし，強磁性ターゲツトを用いた場合，ターゲツ
ト上の空間に漏れ出る磁界は非常に小さくなるため，有
効に漏れ磁界を発生させるためにはターゲツトを非常に
薄くすることが望まれる。これは一枚のターゲツトで非
常に少量の薄膜しか製造できないことを意味し，生産効
率を低いものとしていた。また，本発明の大バルクハウ
ゼン反転を示す材料を製造するためには，前記の様に基
板に入射する粒子の入射方向を制限する必要があるが，
スパツタ粒子はその飛来方向がプラズマの分布とスパツ
タされる際に衝突する荷電粒子の方向及びそのエネルギ
ーに左右されるという特長がある。これは，漏れ磁界の
分布や強度で制御できるが，従来のマグネトロンスパツ
タリング装置の場合は，ターゲツトにより漏れ磁界が極
度に減少するために，制御が困難であつた。そこで，タ
ーゲツト下部に設置した永久磁石や電磁石の磁極からヨ
ークを用いてターゲツトの直上の空間に磁束を直接誘導
し，漏れ磁界を大きくし，かつ制御可能にすることによ
り大バルクハウゼン反転を示す薄膜材料を製造すること
ができる。
【００２３】特に，ヨーク及び磁界印加手段（永久磁石
や電磁石）の調節によりターゲツト中心部よりも外周部
の方が磁束が大きい状態にすると，基板方向に強い指向
性をもつプラズマが発生し，ターゲツトに対して５°以
上８５°以下の角度を有するように基板を設置して薄膜
を構成するための粒子を基板に対して斜めに入射させる
ことにより非常に急峻な大バルクハウゼン反転特性の優
れた薄膜を作製することができる。ターゲツト上の空間
での磁束分布を制御するためには，ターゲツトの下に設
置する磁石とその上に接続するヨークの磁束密度及び面
積を調整することにより達成できる。例えばターゲツト
の下に中心部にＮ極を上にして棒状の永久磁石を置き，
外周部にＳ極を上にして同じ材質のパイプ状の永久磁石
を置いた場合，外周部の磁石の磁極面積と磁石に接続す
るヨークの磁極面積を中心部の磁石の磁極面積と磁石に
接続するヨークの磁極面積よりも大きくすることにより
，外周部の磁束総数を中心部よりも多くすることができ
る。この方法により大バルクハウゼン反転により磁化反
転する量が飽和磁化の６０％以上に達するものも得るこ
とができる。
【００２４】また，プラスチツクフィルムなどの有機高
分子材料を基板に用いる場合は，送りロール，巻取りロ
ール及び円筒状のキヤンからなるロール・トウ・ロール
装置を用い，キヤンの曲率を利用して粒子を基板に斜め
に入射させることにより，大バルクハウゼン反転特性の
優れた薄膜の作製を容易に実現できる。ロール・トウ・
ロール方式は，送りロールにセツトされた連続した有機
高分子基板をキヤンに巻き，巻取りロールで順次基板を
巻取る方法であり，成膜は，基板がキヤン上にあるとき
に行われる。
【００２５】このキヤンは曲率を持つたドラム状の形状
であるために，有機高分子基板が成膜されながらキヤン
上を移動する間のいずれかの位置で，大バルクハウゼン
反転を示す薄膜を形成できる条件，すなわち，最適な角
度で粒子が入射する条件が達成される。このとき，作成
される薄膜の大バルクハウゼン反転特性は，連続した基
板の長さ方向に対してほぼ均一である点が特長である。 すなわち，粒子の入射方向は，基板がキヤンのどの部分
にある時に成膜するかで制御することができるため，邪
魔板を利用して，ターゲツトから飛来する粒子の方向を
制限することで，大バルクハウゼン反転特性を有する磁
性薄膜を形成することができる。この邪魔板を用いるこ
とにより，長さ方向はもとより，幅方向，厚さ方向にお
いても特性の均一な大バルクハウゼン反転特性を有する
磁性薄膜を作製することができる。
【００２６】以上のように，本発明は，各種の装置によ
つて実施することができ，装置の種類によつて何等制限
されるものではなく，生産性やその後の加工性に応じて
適宜装置を選択すればよい。
【００２７】以下，図面によつて本発明を説明する。図
１は，ヨークを用いた直流マグネトロンスパツタリング
装置でバツチ式で大バルクハウゼン反転特性を有する磁
性薄膜を製造するための装置の模式図であり，図１（Ａ
）はその装置の概略側面図であり，図１（Ｂ）はその装
置の概略平面図である。図中の１はターゲツトであり，
ターゲツト１はリング状であり，中心の円柱状磁石２に
接続されたヨーク４が，磁極がターゲツト面よりも基板
に近くなるように，ターゲツトの穴から突き出た構造で
設置されている。また，外周部の円筒状磁石３には円筒
状のヨーク５が接続され，この磁極もターゲツト面より
も基板に近くなるように調節されている。これらのヨー
クの効果により，サイクロトロン運動に必要な十分な量
の磁力がターゲツト面近傍の空間に放射される。さらに
外周部のヨーク５が放射する磁束の量が中心部のヨーク
４が放射する磁束の量よりもかなり多い状態になるよう
に，例えば磁石とヨークの体積及び磁極の面積を外周部
の方を大きい状態にすると，プラズマは，非常に指向性
の強い状態で基板に向い，大バルクハウゼン反転特性を
有する磁性薄膜の作製に好ましい状態になる。
【００２８】本発明においては，スパツタ粒子はその多
くが基板に斜めに入射させる必要があるが，プレーナー
マグネトロンスパツタリング装置の場合，平板状ターゲ
ツトの法線方向がスパツタ粒子の主な飛翔方向であり，
基板は，ターゲツトに対して５°以上８５°以下の角度
，好ましくは５°以上６０°以下の角度で斜めに設置さ
れる。図中では，基板９は基板ホルダー８により，ター
ゲツト１に対して３０°斜めに設置されている。
【００２９】また，図２は，ヨークを用いた直流マグネ
トロンスパツタリング装置とキヤンと邪魔板とを組み合
わせた大バルクハウゼン反転特性を有する磁性薄膜を製
造するための装置の模式図であり，図２（Ａ）はその装
置の概略側面図であり，図２（Ｂ）はその装置の概略平
面図である。
【００３０】図中の送りロール１３に卷かれた有機高分
子フイルム１２がキヤン１１を経由して巻取りロール１
４に巻取られる間に，キヤン１１においてスパツタリン
グ法により大バルクハウゼン反転特性を有する磁性薄膜
の形成がなされる。キヤン１１は曲率をもつており，邪
魔板１０でスパツタ粒子の飛来方向を制限することによ
りスパツタ粒子を斜めに堆積することができる。スパツ
タ粒子の飛来方向は邪魔板１０の設置場所や大きさや形
で自由に調整することができる。
【００３１】本発明の磁性材料は，成膜後の熱処理や使
用時に応力を付加しなくとも大バルクハウゼン反転特性
を有し，また，薄膜形状であるため、従来にはなかつた
小型で偏平な素子を構成することができる。そのため，
各種の用途に広範に用いることができる。特に，物品監
視装置に用いられる標識やパルス発生素子，磁気センサ
ー，回転センサーとして非常に有用である。
【００３２】以下，これらの用途について説明する。ま
ず，盗難監視装置に用いられる標識について説明すると
，本発明の磁性材料は監視区域内において呼掛け信号で
ある交流磁界を印加されると，交流磁界が臨界磁界Ｈ＊
　に達した瞬間に大バルクハウゼン反転により磁化反転
し，周囲に二次的に磁界を放射する。大バルクハウゼン
反転における磁化反転は非常に速いために，発生する磁
界は入射磁界の周波数の高調波を高次にまで多く含み，
この高調波磁界の発生を監視装置によつて検知すること
により標識の存在を容易に識別することができる。この
とき，特に大バルクハウゼン反転により磁化反転する部
分が多いほど標識から発生する高調波成分の信号強度が
大きくなるために好ましい。
【００３３】この大バルクハウゼン反転は反磁界が大き
くなるとその反転が阻害される。反磁界の大きさは反磁
界係数により評価され，反磁界係数は材料の飽和磁化と
材料の形状に依存する。薄膜は，その形状から一般的に
バルクや細線形状よりも反磁界係数が小さいため，形状
を小型化することができる。このため，本発明の標識は
従来の大バルクハウゼン反転形式の盗難監視装置用標識
に用いられていた非晶質金属細線に比べて薄く小型にす
ることができる。
【００３４】さらに本発明の磁性材料を標識に用いるに
あたつて，大バルクハウゼン反転する磁性層とともにさ
らに１つあるいは複数の上記磁性層よりも保磁力の大き
な磁性層を形成することにより，監視装置による検出を
人為的に妨げることができる。すなわち，保磁力の大き
いいずれかの磁性層を磁化すると，その磁性層の残留磁
化が大バルクハウゼン反転する磁性層にバイアス磁界を
引加し，本来磁化反転すべき大バルクハウゼン反転薄膜
層の磁化反転を抑制して標識を失活状態とすることがで
きる。このことは，正当に購入された商品や貸出手続き
を受けた書籍が監視区域を通過する際に，装置がその存
在を検知しないようにすることができるためには非常に
有効である。
【００３５】本発明の標識は，例えば特開昭６１−１５
３７９９号公報に開示されている装置により識別するこ
とができる。すなわち，識別装置は送信部と受信部に分
かれており，送信部には磁界発生コイルが周波数発生機
に接続されており，一方，受信部は磁界検出コイルに高
域フイルターと周波数選択検出回路と警報ユニットが接
続されている。送信部から呼掛け信号である特定周波数
の交流磁界が発生され，受信部の磁界検出コイルが送信
信号と標識の発する高調波を含んだ信号とを受信し，高
域フイルターで一定周波数以下の周波数の信号を除去し
た後，周波数選択検出回路であらかじめ設定した所定パ
ターンの周波数，振幅，又はパルス期間が検出されたと
き，警報ユニツトを動作させるものである。
【００３６】本発明の標識は商品に貼付して用いられる
が，大バルクハウゼン反転特性を有する磁性薄膜を２枚
の紙に挾んだ構成にすることが好ましい。すなわち，商
品に貼付する側に粘着テープで，表側には保護紙で挾む
とよい。保護紙にはバーコードを印刷することにより商
品の値段や種類を光学的に識別することもできる。
【００３７】次に磁気センサ−について説明すると，大
バルクハウゼン反転特性を有する磁性薄膜は，Ｈ＊　な
る大きさの外部磁界が印加されると，瞬時に磁化反転す
るため，大バルクハウゼン反転の発生によりＨ＊　以上
の磁界の存在を検知できる。大バルクハウゼン反転の発
生は大バルクハウゼン反転特性を有する磁性薄膜を磁心
として，ピツクアツプコイルに誘導されるパルス電圧に
よつて検知することができる。
【００３８】この磁気センサーは種々の用途に用いるこ
とができるが，特に回転センサーとして好適である。こ
の回転センサーは，被測定物である回転軸などの外周に
外部磁界の発生手段を設けておき，センサーに上記した
磁界発生手段が近づいたとき磁芯の大バルクハウゼン反
転に基づきコイルに発生するパルス電圧の数により回転
数を計測するものである。センサーは回転軸の近傍に接
触しない状態で設置し，回転軸に設けられた磁界発生手
段がセンサーに近づいた時にセンサーにＨ＊　以上の磁
界が印加されるようにする。外部磁界を発生する手段と
しては，永久磁石や電磁石を用いることができるが，こ
のとき，その磁力が不足し，センサーにＨ＊　以上の磁
界が印加されない場合はセンサーが大バルクハウゼン反
転しないために計測できず好ましくない。
【００３９】したがって，永久磁石や電磁石の磁力及び
センサーまでの距離を適切にすることが望まれる。外部
磁界の発生手段は軸に一つだけつけてもよいが，軸の外
周の円周方向に複数個設置することは，計測の精度が向
上することから好ましいものである。また，同様の理由
により，回転軸にセンサーを一つ設置してもよいが，複
数個用いることも好ましい。
【００４０】本発明の磁気センサー及び回転センサーが
薄型化及び小型化が容易な点にある。すなわち，本発明
の素子は薄膜形状であるためにその反磁界係数の小ささ
から小型化しても大バルクハウゼン反転特性に及ぼす影
響は比較的小さい。さらに本発明の場合，磁心はなんら
かの基板の上に形成された大バルクハウゼン反転特性を
有する磁性薄膜であるが，導電性薄膜をさらに積層する
ことによりピツクアツプコイルも直接形成することがで
きる。このようにして作製した磁気センサー及び回転セ
ンサーは，従来の非晶質金属細線に巻線を施したものに
比べると，はるかに小型薄型なものとすることができる
。
【００４１】
【実施例】次に，本発明を実施例によつて具体的に説明
する。実施例１図１に概略図で示したようなプレーナー
型の直流マグネトロンスパツタリング装置を用いて，１
辺が６ｃｍで厚さ１ｍｍの正方形状のガラス基板上に約
１０分間プレスパツタリングを行つた後，厚さ０．５μ
ｍの軟磁性薄膜を形成させた。このとき，ターゲツト１
の下部に置かれた２個のフエライト磁石２及び３にはそ
れぞれ純鉄からなるヨーク４及び５が接続され，ヨーク
の磁極はターゲツトよりも５ｍｍ基板側に近い位置に設
置した。また，ターゲツト面に対して基板面が３０°に
なるようにし，基板ホルダーにより水冷した。なお，タ
ーゲツトとしてＦｅ７５Ｓｉ１０Ｂ１５（原子％）組成
の合金ターゲツト（純度９９．９％）を用いた。ターゲ
ツトの直径を１０ｃｍとし，ターゲツトと基板中心との
間隔を１０ｃｍとした。また，真空容器内を１×１０−
６Ｔｏｒｒまで真空引きした後，Ａｒガスを導入し，真
空容器内を３×１０−３Ｔｏｒｒとし，電圧４００Ｖ，
電流１Ａの直流電流を印加させた。
【００４２】このとき，基板ホルダーを真空容器と同電
位になるようにアースした。形成された薄膜を理学電気
社製Ｘ線回折装置ＲＡＤ−ＲＢにより組織の同定を行い
，また，理研電子社製薄膜用磁気履歴測定装置ＡＣＢＨ
−１００Ｋにより無応力下での交流磁気特性（測定周波
数６０Ｈｚ）を評価した。その結果，得られた薄膜は非
晶質単相であり，保磁力Ｈｃが約０．８Ｏｅであつた。 また，図３に示す（図３は，交番磁界を印加した際の磁
化の変化を示した図であり，縦軸に磁化量を，横軸に印
加磁界の大きさを示している）ように，約０．５Ｏｅの
交番磁界中での測定で，磁化曲線は非常に鋭い不連続な
磁化の立ち上がりを示し，明瞭な大バルクハウゼン反転
が認められた。
【００４３】実施例２ 図２に概略図で示したようなプレーナー型の直流マグネ
トロンスパツタリング装置を用いて，約３０分プレスパ
ッタリングを行つた後，フイルムを走行速度０．５ｍ／
分で巻き取りながら連続して厚さ０．５μｍの軟磁性薄
膜を有機高分子基板上に形成させた。このとき，ターゲ
ツト１の下部に置かれた２個の同材質のフエライト磁石
２及び３にはそれぞれ純鉄からなるヨーク４及び５が接
続され，ヨークの磁極をターゲツトよりも５ｍｍ基板側
に近い位置に設置した。中心部と外周部の磁石の磁極面
積及びヨークの磁極面積を，ともに１：２となるように
した。ターゲツトの上での空間の漏れ磁界の測定により
，ターゲツトから基板方向に垂直な漏れ磁界が存在する
ことを確認した。
【００４４】なお，ターゲツト１としては，Ｃｏ７５Ｓ
ｉ１０Ｂ１５（原子％）組成の合金ターゲツト（純度９
９．９％）を用いた。ターゲツト１を長辺が５０ｃｍで
，短辺が１５ｃｍとし，ターゲツト１と基板１２の最短
の間隔を１５ｃｍとした。また，有機高分子基板１２と
しては，幅が５０ｃｍで，厚さが５０μｍ，長さ１００
ｍのポリエステル・フィルムを用いた。このフィルムを
１２５℃の雰囲気中，１ｍ／分のフイルム処理速度で真
空容器中において巻き取ることによつて，脱ガス処理を
行つた後，Ａｒ雰囲気中でボンバード処理（真空度６×
１０−３Ｔｏｒｒ）を行つた。
【００４５】次に，真空容器内を１０−６Ｔｏｒｒまで
真空引きした後，　Ａｒガスを導入して真空容器内を３
×１０−３Ｔｏｒｒに保ち，電圧６００Ｖ，電流３０Ａ
の直流電界を１８ｋＷ印加させた。なお，成膜はフイル
ム１２がキヤン１１に接触しているときに行い，キヤン
１１の送り側半分が覆い隠されるように邪魔板１０をキ
ヤンの１ｃｍ下に設置した。また，キヤン１１を水冷却
し，基板表面温度を１００℃以下に保つた。さらに成膜
中の目視観察により，プラズマをキヤン１１方向に伸び
た指向性の強いものであることを確認した。
【００４６】このようにして得られた薄膜は非晶質単相
であり，保磁力Ｈｃは約０．６Ｏｅであつた。また，図
４に示す（図４は，交番磁界を印加した際の磁化の変化
を示した図であり，縦軸に磁化量を，横軸に印加磁界の
大きさを示している）ように，約０．３５Ｏｅの交番磁
界において大バルクハウゼン反転を示す磁化の不連続な
立ち上がりが観測された。このとき，反転する磁化の量
は飽和磁化の約５０％に達した。さらにフイルムの幅方
向，長さ方向に対して臨界磁界の大きなばらつきは見ら
れなかつた。
【００４７】比較例１ 実施例１と同じ装置を用いて基板とターゲツトとを平行
に設置し，軟磁性薄膜の作製を行つた。なお，ターゲツ
ト組成及び作製時のその他の条件は実施例１と同様にし
て行つた。形成された薄膜の磁気特性を薄膜用磁気履歴
測定装置により測定したところ，保磁力Ｈｃ＝０．１Ｏ
ｅであり，磁化は連続的に変化し，大バルクハウゼン反
転は観測されなかつた。
【００４８】比較例２ 実施例２と同じ装置を用いてスパツタ粒子が基板に対し
てほぼ垂直に入射するようにキヤンの直径の５％の幅の
開口部を有する邪魔板をキヤンの中心線に対して邪魔板
の開口部が対称になるように設置し，さらにスパツタリ
ング装置もキヤンの中心線に対して対称になるように設
置し，軟磁性薄膜の作製を行つた。なお，ターゲツト組
成及び作製時のその他の条件は実施例２と同様にして行
つた。形成された薄膜の磁気特性を薄膜用磁気履歴測定
装置により測定したところ，保磁力Ｈｃ＝０．１５Ｏｅ
であり，磁化は連続的な変化を示し，大バルクハウゼン
反転は観測されなかつた。
【００４９】実施例３ 実施例２によつて作製された薄膜を幅５ｍｍ，長さ２０
ｍｍに裁断し，５０Ｈｚの周波数で１Ｏｅの交流磁界中
に設置して試料の磁化により２次的に周囲に放射される
磁界によりピツクアツプコイルに誘導される電圧をエヌ
エフ社製ＦＦＴアナライザー５０５０Ａにより周波数解
析した。その結果，呼掛け周波数（５０Ｈｚ）の第９９
調波まで識別可能であり，磁気式盗難防止標識として優
れた特性を呈した。
【００５０】比較例３ 比較例１により作製された薄膜を用いて実施例３と同様
の測定を行つた。その結果，約５５調波以上は，測定限
度以下であり，実施例３に比べると，特性の低い，すな
わち，標識としては誤動作の多いものである。
【００５１】実施例４ 実施例２によつて作製された試料を長さ１０ｍｍ，幅５
ｍｍに切り出し，その周りにピツクアツプコイルとして
直径が５０μｍの被覆銅線を５０ターン巻き，回転セン
サーを構成した。なお，直径が１０Ｃｃｍ　，厚さが５
ｍｍの円盤をモーターの回転軸に取り付け，円盤の外周
に１辺が５ｍｍの立方体状のＳｍ−Ｃｏ磁石を４つ取り
付けた。このとき，磁石を当間隔に並べ，それぞれ隣会
う磁石と異なる磁極が外周方向を向くようにした。
【００５２】また，センサーを短辺が円盤に向くように
し，磁石から５ｍｍ離して固定した。このとき，センサ
ーに磁石が最も接近したときにセンサーが受ける磁界を
０．５Ｏｅになるようにした。このような条件でモータ
ーを駆動し円盤を３０ｒｐｍから３００ｒｐｍの範囲で
回転させた。センサーのコイルに発生した電圧をヒユウ
レツト・パツカード社製デジタリングオシロスコープ５
４２０１Ａによつて計測した。その結果，計測された電
圧は低速回転から高速回転までほぼ同様に急峻なパルス
電圧を示し，その数によりデイスクの回転数を正確に計
測することができた。
【００５３】
【発明の効果】本発明の薄膜状磁性材料は，基板上に形
成された大バルクハウゼン反転特性を有する磁性薄膜で
あり，バルクや細線に比べると反磁界係数が小さいため
，盗難監視装置に用いられる標識や磁気素子，回転セン
サーなどの種々の用途に用いることができるともに小型
化にして使用することができる。本発明の薄膜状磁性材
料の製造方法は，スパツタリング法などの気相急冷装置
を用いて粒子が基板に対して斜めに入射させることによ
つて，安価に，かつ容易に生産することができ，特に連
続した有機高分子基板を用いる場合はロール・トウ・ロ
ール装置でキヤンの直下の一部を邪魔板で遮蔽すること
によつて，容易に，かつ連続的に生産することができる
。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の薄膜状磁性材料を製造するためのバツ
チ式の直流マグネトロンスパツタリング装置の模式図で
あり，図１（Ａ）は，その装置の概略側面図であり，図
１（Ｂ）は，その装置のマグネトロンカソードの概略平
面図である。
【図２】本発明の薄膜状磁性材料を製造するための連続
式直流マグネトロンスパツタリング装置の模式図であり
，図２（Ａ）は，その装置の概略側面図であり，図２（
Ｂ）は，その装置のマグネトロンカソードの概略平面図
である。
【図３】実施例１において作製された薄膜状磁性材料の
交蕃磁界を印加した際の磁化の変化を表した図であり，
図３（Ａ）は，試料に０．４Ｏｅまでの交蕃磁界を印加
したときの磁化の変化を表した図であり，図３（Ｂ）は
，試料に０．５Ｏｅまでの交蕃磁界を印加したときの試
料の磁化の変化を表した図である。
【図４】実施例２において作製された薄膜状磁性材料の
交蕃磁界を印加した際の磁化の変化を表した図であり，
図４（Ａ）は，試料に０．３Ｏｅまでの交蕃磁界を印加
したときの磁化の変化を表した図であり，図４（Ｂ）は
，０．３５Ｏｅまでの交蕃磁界を印加したときの試料の
磁化変化を表した図である。
【符号の説明】
１　　ターゲツト ２　　永久磁石 ３　　永久磁石 ４　　ヨーク ５　　ヨーク ６　　バツクヨーク ７　　シヤツター ８　　基板ホルダー ９　　ガラス基板 １０　　邪魔板 １１　　キヤン １２　　基板フイルム １３　　送りロール １４　　巻取りロール

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　基板の表面に磁性薄膜が形成されてい
    る薄膜状磁性材料において，その磁性薄膜が外部から意
    図的に応力を印加することなく大バルクハウゼン反転特
    性を示すことを特徴とする薄膜状磁性材料。
  2. 【請求項２】　　基板上に磁性薄膜を形成させて薄膜状
    磁性材料を製造する方法において，ターゲツトに対して
    ５°以上８５°以下の角度を有するように基板を設置し
    て薄膜を構成するための粒子を基板に対して斜めに入射
    させることを特徴とする請求項１記載の薄膜状磁性材料
    の製造方法。
  3. 【請求項３】　　薄膜を構成するための粒子を有機高分
    子基板上に付着させて連続的に磁性薄膜を形成させる際
    に，連続する有機高分子基板を回転する円筒状のキヤン
    に密着させ，かつキヤンの下に基板に到達する粒子を制
    限する邪魔板を設置して粒子を基板上に付着させること
    を特徴とする請求項１記載の薄膜状磁性材料の製造方法
    。
  4. 【請求項４】　　所定の周波数で周期的に変動する磁界
    を監視区域内に形成し，その区域の物品の存在を，高調
    波磁界が検出されたときに警報を発生するようになした
    物品監視装置に用いられる標識であつて，その標識が請
    求項１記載の薄膜状磁性材料で構成されていることを特
    徴とする標識。
  5. 【請求項５】　　磁心部と，その磁心部の周囲に設置さ
    れたコイル部から構成される磁気センサーであつて，そ
    の磁心部が請求項１記載の薄膜状磁性材料で構成されて
    いることを特徴とする磁気センサー。
  6. 【請求項６】　　磁心部及びその磁心部の周囲に設置さ
    れたコイル部からなる磁気センサーと，永久磁石又は電
    磁石からなる磁界印加手段から構成されるセンサーであ
    つて，その磁界印加手段が回転する物品に取り付けられ
    ，磁心部が請求項１記載の薄膜状磁性材料で構成されて
    いることを特徴とする回転センサー。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6160322A (en) * 1997-09-17 2000-12-12 Hirose Electric Co., Ltd. Pulse signal generation method and apparatus
JP2006124760A (ja) * 2004-10-27 2006-05-18 Aisin Seiki Co Ltd 超電導磁場発生装置、スパッタガン及びスパッタリング成膜装置
JP2009265629A (ja) * 2008-03-31 2009-11-12 Kochi Univ Of Technology 表示用基板及びその製造方法並びに表示装置
JP2019067869A (ja) * 2017-09-29 2019-04-25 昭和電工株式会社 磁気センサの製造方法及び磁気センサ集合体

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69233633T2 (de) * 1991-12-25 2007-05-16 Teijin Ltd. Polyesterfilm für magnetische Aufzeichnung
US5355120A (en) * 1992-10-09 1994-10-11 Security Tag Systems, Inc. Frequency-dividing-transponder tag
US5580664A (en) * 1992-12-23 1996-12-03 Minnesota Mining And Manufacturing Company Dual status thin-film eas marker having multiple magnetic layers
US5382345A (en) * 1993-02-16 1995-01-17 Industrial Technology Research Institute Apparatus for simultaneously coating a film of magneto-optical recording medium on a plurality of disk substrates
US6416880B1 (en) 1993-12-09 2002-07-09 Seagate Technology, Llc Amorphous permalloy films and method of preparing the same
US5405702A (en) * 1993-12-30 1995-04-11 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method for manufacturing a thin-film EAS and marker
US5751256A (en) * 1994-03-04 1998-05-12 Flexcon Company Inc. Resonant tag labels and method of making same
US5532598A (en) * 1994-05-25 1996-07-02 Westinghouse Electric Corporation Amorphous metal tagging system for underground structures including elongated particles of amorphous metal embedded in nonmagnetic and nonconductive material
JPH08186019A (ja) * 1994-11-02 1996-07-16 Unitika Ltd 磁気マーカ
JP3372117B2 (ja) * 1994-12-08 2003-01-27 ユニチカ株式会社 磁気マーカー及びその製造方法
JPH08287369A (ja) * 1995-04-13 1996-11-01 Unitika Ltd 磁気マーカー及びその磁気マーカーを横方向に並べた巻物状製品の製造方法
US5729201A (en) * 1995-06-29 1998-03-17 International Business Machines Corporation Identification tags using amorphous wire
JP3321341B2 (ja) * 1995-09-14 2002-09-03 科学技術振興事業団 双安定磁気素子及びその製造方法
FR2740109B1 (fr) * 1995-10-20 1997-12-05 Sensormatic France Sa Couvercle ou manchon, pour bouteille ou recipient, muni d'un marqueur integre pour la surveillance electronique, et leurs procedes de fabrication
JPH09180936A (ja) 1995-12-27 1997-07-11 Unitika Ltd 磁気素子
DE19604746A1 (de) 1996-02-09 1997-08-14 Esselte Meto Int Gmbh Sicherungselement für die elektronische Artikelsicherung
JPH09232141A (ja) * 1996-02-28 1997-09-05 Unitika Ltd 磁気素子
US5940362A (en) * 1996-08-19 1999-08-17 Sensormatic Electronics Corporation Disc device having a magnetic layer overweighing the information signal pattern for electronic article surveillance
CA2216897A1 (en) 1996-09-30 1998-03-30 Unitika Ltd. Fe group-based amorphous alloy ribbon and magnetic marker
GB9621000D0 (en) * 1996-10-09 1996-11-27 Flying Null Ltd Magnetic tags and techniques
CA2218302A1 (en) * 1996-10-15 1998-04-15 Unitika Ltd. Magnetic device, and process and apparatus for producing the same
JP3679907B2 (ja) * 1997-09-18 2005-08-03 Ｈｓｔ株式会社 パルス信号発生装置
US5973599A (en) * 1997-10-15 1999-10-26 Escort Memory Systems High temperature RFID tag
JP3431471B2 (ja) * 1997-11-14 2003-07-28 株式会社ヒロセチェリープレシジョン パルス信号発生装置
WO1999030432A1 (en) * 1997-12-05 1999-06-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Identification transponder
US6121878A (en) * 1998-05-01 2000-09-19 Intermec Ip Corp. System for controlling assets
JP3617604B2 (ja) * 1998-09-18 2005-02-09 ヒロセ電機株式会社 パルス信号発生装置
US6744153B2 (en) * 1998-09-18 2004-06-01 Hirose Electric Co., Ltd. Apparatus for and method of generating a pulse signal
DE19908966C1 (de) * 1999-03-01 2000-09-28 Dorma Gmbh & Co Kg Drehflügeltürantrieb
US6559632B1 (en) * 2000-04-11 2003-05-06 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method and apparatus for determining linear and angular velocity of a moving body
JP3615468B2 (ja) * 2000-07-06 2005-02-02 ヒロセ電機株式会社 パルス信号発生装置
US6962648B2 (en) * 2003-09-15 2005-11-08 Global Silicon Net Corp. Back-biased face target sputtering
US20060249370A1 (en) * 2003-09-15 2006-11-09 Makoto Nagashima Back-biased face target sputtering based liquid crystal display device
JP2006071606A (ja) * 2004-09-06 2006-03-16 Lintec Corp 磁性物体検出装置
US20070084717A1 (en) * 2005-10-16 2007-04-19 Makoto Nagashima Back-biased face target sputtering based high density non-volatile caching data storage
US20070084716A1 (en) * 2005-10-16 2007-04-19 Makoto Nagashima Back-biased face target sputtering based high density non-volatile data storage
KR20080002978A (ko) * 2005-10-18 2008-01-04 울박, 인크 스퍼터링 장치
US20070205096A1 (en) * 2006-03-06 2007-09-06 Makoto Nagashima Magnetron based wafer processing
GB0607300D0 (en) * 2006-04-11 2006-05-24 Sensor Technology Ltd Measuring physical quantities
US8454810B2 (en) 2006-07-14 2013-06-04 4D-S Pty Ltd. Dual hexagonal shaped plasma source
US8308915B2 (en) * 2006-09-14 2012-11-13 4D-S Pty Ltd. Systems and methods for magnetron deposition
US9347129B2 (en) * 2011-12-09 2016-05-24 Seagate Technology Llc Interchangeable magnet pack
US10573500B2 (en) 2011-12-09 2020-02-25 Seagate Technology Llc Interchangeable magnet pack
JP5955490B1 (ja) * 2015-04-23 2016-07-20 三菱電機株式会社 回転検出装置および回転検出装置の製造方法
JP7264152B2 (ja) * 2018-03-16 2023-04-25 ソニーグループ株式会社 配向装置、磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体
WO2021200361A1 (ja) * 2020-04-01 2021-10-07 三菱電機株式会社 発電素子、これを用いた磁気センサ、エンコーダおよびモータ
CN112712995A (zh) * 2020-12-18 2021-04-27 成都佳驰电子科技有限公司 一种高取向磁性吸波薄膜的制备方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3765007A (en) * 1969-07-11 1973-10-09 Minnesota Mining & Mfg Method and apparatus for detecting at a distance the status and identity of objects
US4236946A (en) * 1978-03-13 1980-12-02 International Business Machines Corporation Amorphous magnetic thin films with highly stable easy axis
US4222517A (en) * 1978-09-18 1980-09-16 Samuel Cornelious Evans Magnetic marker
US4484184A (en) * 1979-04-23 1984-11-20 Allied Corporation Amorphous antipilferage marker
US4298862A (en) * 1979-04-23 1981-11-03 Allied Chemical Corporation Amorphous antipilferage marker
US4510490A (en) * 1982-04-29 1985-04-09 Allied Corporation Coded surveillance system having magnetomechanical marker
US4660025A (en) * 1984-11-26 1987-04-21 Sensormatic Electronics Corporation Article surveillance magnetic marker having an hysteresis loop with large Barkhausen discontinuities
DE3880202T2 (de) * 1987-06-08 1993-08-05 Esselte Meto Int Gmbh Magnetische vorrichtungen.
US4980670A (en) * 1987-11-04 1990-12-25 Sensormatic Electronics Corporation Deactivatable E.A.S. marker having a step change in magnetic flux

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6160322A (en) * 1997-09-17 2000-12-12 Hirose Electric Co., Ltd. Pulse signal generation method and apparatus
JP2006124760A (ja) * 2004-10-27 2006-05-18 Aisin Seiki Co Ltd 超電導磁場発生装置、スパッタガン及びスパッタリング成膜装置
JP2009265629A (ja) * 2008-03-31 2009-11-12 Kochi Univ Of Technology 表示用基板及びその製造方法並びに表示装置
JP2019067869A (ja) * 2017-09-29 2019-04-25 昭和電工株式会社 磁気センサの製造方法及び磁気センサ集合体

Also Published As

Publication number Publication date
EP0448114B1 (en) 1994-06-08
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DE69102324D1 (de) 1994-07-14
DE69102324T2 (de) 1994-10-27
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DE69102324T4 (de) 1995-10-19

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