JPH04219624A - 情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、例えば電子ファイリングシステム等において
使用される情報記録媒体に関し、より詳細には、情報を
多値化して記録することが可能な情報記録媒体に関する
。

（従来の技術） 情報・通信技術の発展に伴い、情報を保存する補助記憶
装置としての情報処理装置の大容量化、高速処理化、小
型化、低コスト化等が強く要望されている。かかる要望
に答える情報処理装置としては、例えば電子ファイリン
グシステムがあり、計算機の補助記憶装置等として普及
している。

電子ファイリングシステムとは、光ディスク或いは光磁
気ディスク等の情報記録媒体の記録部位に光ビームを照
射して、この情報記録媒体の記録部位に光学特性の変化
を生じさせることにより情報を記憶するシステムである
。例えば、情報記録媒体として光ディスクを使用する場
合であれば、記録すべき情報を「０」および「１」から
なる２値情報に変換し、例えば、光ディスクの非晶質層
の「１」に対応する領域には光ビームを照射して結晶化
を行ない、「０」に対応する領域には光ビームを照射し
ないことすれば、この光ディスクに情報を記録すること
ができる。また、かかる光ディスクの記録部位に結晶化
が生じないような弱い光ビームを照射してこの反射光の
光量を検出すれば、非晶質のままの領域と結晶化した領
域との反射率の違いにより、この光ディスクに記録され
た情報を再生することができる。

しかしながら、かかる電子ファイリングシステムは、他
の補助記憶装置を使用する場合と比較して記憶容量を飛
躍的に向上させることができるものの、上述のごとき要
望に答えるには十分とはいえなかった。電子ファイリン
グシステムの記憶容量を向上させる方法としては情報記
録媒体に照射する光ビームの径を小さくして記録密度を
高くする技術が従来知られているが、光ビームの径は、
光の回折限界によって限定されるため、微小化には限界
がある。

これに対して、情報記録媒体に記録する情報を「０」お
よび「１」からなる２値情報ではなく、多値情報（３値
以上の情報）とすることにより、情報記録媒体の所定面
積あたりの記録情報量を増大させ、これにより記憶容量
を実質的に向上させた補助記憶装置が、例えば特開昭６
３−１６３９６２号により提案されている。

これは、情報信号を３段階以上の信号に変換する信号処
理手段と、この３段階以上の処理信号に応じてエネルギ
ーが多段階に変調された光ビームを出力する光ビーム出
力手段と、光ビームを前記情報記録媒体に集光照射する
光学系とにより情報記録装置を構成し、この情報記録装
置により、情報記録媒体の記録領域に多値記録を行なう
ものである。また、このようにして多値記録が行われた
情報記録媒体から記録情報を再生する際には、情報の記
録レベルが多段階の記録部位が形成された情報記録媒体
に光ビームを出力する光ビーム出力手段と、光ビームを
前記情報記録媒体に集光するための光学系と、光ビーム
照射によって得られる前記記録部位の多段階の光学特性
を検出して所定の再生信号を作成する再生信号処理手段
とによって構成された情報再生装置を使用する。

（発明が解決しようとする課題） 上述のような情報再生装置において、多段階の光学特性
を検出する手段としては、通常光電変換素子が用いられ
る。すなわち、光ビーム出力手段によって情報記録媒体
に照射された光ビームの反射光を光電変換素子で受光し
、この光電変換素子の出力を用いて、多段階の光学特性
に応じた再生信号を作成する。ここで、反射光を受光し
たときの光電変換素子のアナログ出力（以下、再生波形
と称す）を再生信号としてのデジタル信号に変換するた
めには、再生波形の電圧値を取り込むタイミングを与え
るクロック（以下、復調クロックと称す）が必要となる
。

上述のごとき２値記録によって情報記録媒体に記録され
た情報を再生する情報再生装置においては、この復調ク
ロックを再生波形から生成するのが一般的であった。こ
の方法は、セルフクロックと称されている。

以下、このセルフクロックについて説明する。

第６図（ａ）は、情報記録媒体の記録部位に記録が行わ
れた状態を概念的に示す図である。図において、斜線で
示した領域が、光ビーム（情報記録装置の光ビーム出力
手段によって出力された光ビーム）の照射により光学特
性が変化した領域である。以下、この領域を記録マーク
と称する。記録マークは、２値情報の「０」または「１
」に相当するが、ここでは「１」に相当するものとして
説明する。すなわち、記録情報（２値情報）が「０」の
ときは記録マークは形成されず、「１」のときは記録マ
ークが形成されるものとする。

また、第６図（ｂ）は、第６図（ａ）に示したような記
録マークを形成する際の、光ビーム出力手段の出力パル
スを示す図であり、記録情報に対応している。以下、こ
のパルスを記録パルスと称する。

ここで、第６図（ａ）に示した記録マークを情報再生装
置の光電変換素子を用いて再生すると、第６図（ｃ）に
示したような再生波形が得られる。

また、第６図（ｃ）に示した再生波形に対して所定のス
ライスレベルを設定し、再生波形の電圧値がこのスライ
スレベルよりも小さいときに「ロー」となり、再生波形
の電圧値がこのスライスレベルよりも大きいときに「ハ
イ」となるような２値化波形を生成すると、第６図（ｄ
）に示したようになる。この２値化波形が、復調クロッ
クである。

この復調クロックの立ち上がり或いは立ち下がりのタイ
ミングにしたがって、記録情報が取り込まれる。

このようにして復調クロックを生成した場合、第６図（
ｂ）に示した記録パルスと比較して、時間的なずれがほ
とんど無いので、記録情報を忠実に再生することが可能
となる。

しかしながら、かかるセルフクロックを、多値記録によ
って情報記録媒体に記録された情報を再生する情報再生
装置に対して、そのまま適用すると、以下のような理由
により、記録情報を再生する際に再生信号の時間的なず
れ、すなわち、いわゆる再生ジッターが生じるという課
題があった。

第７図（ａ）は、情報記録媒体の記録部位に４値記録が
行われた状態を概念的に示す図である。

ここでは、記録マークの面積が大きい順に、記録情報（
４値情報）の「３」、「２」、「１」に相当するものと
し、「０」の時は記録マークが形成されないものとする
。また、第７図（ｂ）は第７図（ａ）に示したような記
録マークを形成する際の記録パルスを示す図、第７図（
ｃ）は光ビーム出力手段の出力のタイミングを示す図で
ある。ヒートモードの光ディスクを使用する場合、記録
時の光ビームのエネルギーが大きいほど、記録マークの
面積は大きくなる。したがって、第７図（ａ）および第
７図（ｂ）から解るように、記録パルスの信号レベルが
大きいほど、記録マークの面積は大きくなる。

このような記録情報を、情報再生装置の光電変換素子を
用いて再生すると、第７図（ｄ）に示したような再生波
形が得られる。したがって、この再生波形に対して所定
のスライスレベルを設定し、上述の第６図（ｄ）の場合
と同様にして２値化波形、すなわち復調クロックを生成
すると、第７図（ｅ）に示したようになる。このように
、多値記録の場合は、記録パルスの信号レベルによって
復調クロックの波形が変化してしまう。したがつて、記
録パルスとのずれが大きくなり、再生ジッターが大きく
なってしまうのである。このように再生ジッターが大き
い場合には、この復調クロックのタイミングにしたがっ
て再生波形の電圧値を取り込んだときに、記録情報の正
確な再生ができなくなってしまう。

本発明は、かかる従来技術の課題に鑑みて試されたもの
であり、多値記録によって記録された情報を再生する際
に発生する再生ジッターをおさえ、記録情報を正確に再
生することができる情報記録媒体を提供することを目的
とする。

［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明に係わる情報記録媒体は、表面にエンボスが形成
された基板と、情報を記録することが可能な記録膜とを
少なくとも有する情報記録媒体であって、前記記録膜の
前記エンボス上に位置する領域に３値以上に多値化され
た情報の記録が行われることを特徴とする。

（作用） エンボスの形成された情報記録媒体を用い、この情報記
録媒体に記録された情報を再生する際に、エンボスの再
生信号から復調クロックを生成し、この復調クロックに
同期させて再生信号を生成することより、記録マークの
大きさの違いに起因した再生ジッターの発生を防止する
ことができ、記録情報を正確に再生することができる。

同時に、情報記録媒体の回転むらに起因した再生ジッタ
ーの発生も防止することができ、記録情報を正確に再生
する上で有効である。加えて、情報記録媒体に情報を記
録する際に、このエンボスの再生信号に同期させて光ビ
ーム出力手段より光ビームを出力し、光学系を介して情
報記録媒体に多値記録を行なうことより、記録のタイミ
ングと再生のタイミングを正確に一致させることができ
、記録情報をさらに正確に再生することができる。

（実施例） 以下、本発明の１実施例について説明する。

なお、ここでは、本発明の情報記録媒体として光ディス
クを用い、電子ファイリングシステムに使用する場合を
例にとって説明する。

第１図は、かかる電子ファイリングシステムを示す概略
構成図である。

かかる装置において情報の記録を行なうときは、まず、
記録信号処理装置１０が、電子ファイリングシステムの
制御回路（図示せず）から入力された情報信号を複数レ
ベルの信号に変換し（すなわち、多値化し）、この多値
化された処理信号を半導体レーザ１１に出力する。半導
体レーザ１１は、記録信号処理装置１０から出力された
処理信号の信号レベルに応じたエネルギーまたは波長の
記録用レーザビームを照射する。ここで、レーザビーム
のエネルギーを信号レベルに応じて多段階に変化させる
ためには、光ビームの強度若しくはパルス幅若しくはこ
れらの両方を変化させるか、または、光ビームの波長を
変化させればよい。このような信号レベルに応じたエネ
ルギーまたは波長のレーザビームが光学系３０を介して
光ディスク２０の記録層に照射されることにより、この
光ディスク２０の照射部分にレーザビームのエネルギー
または波長に応じた（すなわち、信号レベルに応じた）
状態変化が生じて記録マークが形成され、多値情報の記
録が行われる。

また、このようにして記録した多値情報の再生を行なう
場合には、前述の半導体レーザ１１は、光ディスク２０
の照射部分に状態変化が生じないような小さいエネルギ
ーで且つ波長が一定の再生用レーザビームを出力する。

半導体レーザ１１から出力された再生用レーザビームは
、光学系３０を介して光ディスク２０に照射され、その
反射光が光学系３０を介して光電変換素子１２に導かれ
る。光電変換素子１２は、受光したレーザビームを、電
気信号に変換する。この電気信号は、処理回路１４を介
して再生信号処理装置４０に導かれる。この再生信号処
理装置４０は、入力した電気信号から多値情報を再生し
、制御回路へ出力する。

なお、光ディスク２０が相変化型のようなリライタブル
のものである場合には、半導体レーザ１１から記録の際
よりも低強度のレーザビームを出力させ、このレーザビ
ームを光学系３０を介して光ディスク２０に照射して、
この部分の記録層を記録前の状態に変化させることによ
り、情報を消去することができる。また、この光ディス
ク２０がオーバーライトが可能なタイプである場合には
、記録信号処理装置１０で入力された情報信号を多値化
する際に、信号レベルをオーバーライト時の光強度に応
じて設定し、半導体レーザ１１からこの信号レベルに応
じたエネルギーまたは波長の記録用レーザビームを出力
させて、光学系３０を介して光ディスク２０に照射する
ことにより、オーバーライトを行なう。

光学系３０では、半導体レーザ１１から出力された発散
性のレーザビームが、コリメータレンズ３１によって平
行光束に変換され、ビームスプリッタ３２に導かれる。

ビームスプリッタ３２で反射したビームは、集光レンズ
３６により、光ディスク２０に集光照射される。再生時
には、さらに、光ディスク２０に照射されたレーザビー
ムの一部が反射し、その反射光がビームスプリッタ３２
を直進してハーフミラー３３に導かれる。ここで、ハー
フミラー３３を直進したビームは、レンズ３５を介して
光電変換素子１３に導かれる。一方、ハーフミラー３３
で反射した光は、レンズ３４を介して、光電変換素子１
２に導かれる。

光電変換素子１２から出力された信号は、前述したよう
に処理回路１４を介して再生信号処理装置４０に出力さ
れるとともに、増幅回路１６を介してトラッキング制御
装置１９にも導かれ、ビームの照射位置が適正化のため
の補正データとして使用される。また、光電変換素子１
３から出力された信号は、処理回路１５および増幅回路
１７を介して、フォーカシング制御装置１８に導かれ、
焦点制御のためのデータとして使用される。

次に、記録信号処理装置１０について具体的に説明する
。

本実施例では、光ディスク２０に対して、４値記録を行
なうものとする。第２図（ａ）は、記録信号処理装置１
０の概略構成を示すブロック図である。この第２図に示
されているように、記録信号処理装置１０は、４値化回
路１０１と、変調回路１０２と、半導体レーザドライブ
回路１０３とを備えている。入力データ（情報信号）は
２値化された状態、即ち２進数の信号として入力され、
この信号は、先ず４値化回路１０１にて４ビット単位の
情報、即ち４値化データに変換される。この４値化デー
タは変調回路１０２にて「０」、「１」、「２」、「３
」の４段階のいづれかの信号レベルの信号に変換され、
半導体レーザドライブ回路１０３に電圧として印加され
る。これにより、光ビームの強度等が記録信号に応じて
４段階に変調される。また、半導体レーザドライブ回路
１０３は、エンボスの再生信号に同期させて生成した記
録クロックにしたがって、半導体レーザ１１を駆動させ
る。

第２図（ｂ）は、第２図（ａ）に示した記録信号処理装
置１０の出力信号にしたがって、光ディスク２０に対し
て４値記録を行なったときの、光ディスクの表面の状態
を示す概念図である。図において、２０７は、光ディス
ク２０の表面に形成されたエンボスである。また、エン
ボス２０７内に斜線で示した領域は記録マークであり、
面積が大きい順に、記録情報（４値情報）の「３」、「
２」、「１」に相当するものとし、「０」の時は記録マ
ークが形成されないものとする。

次に、再生信号処理装置４０について具体的に説明する
。

第３図は再生信号処理装置４０の概略構成を示すブロッ
ク図である。再生信号処理装置４０は、上述したように
、処理回路１４から電気信号を入力して、光ディスク２
０に記録された情報に対応した再生信号を出力する。ま
た、この再生信号処理装置４０は、第３図に示したよう
に、処理回路１４から入力した電気信号の高周波成分を
取り除くローパスフィルタ（ＬＰＦ）４０１と、このＬ
ＰＦ４０１の出力信号の信号波形からエンボスの再生信
号の信号波形を差し引く信号処理回路４０２と、エンボ
スの再生信号から復調クロックを生成するクロック生成
回路４０３と、このクロック生成回路４０３により得ら
れた復調クロックに同期させて信号処理回路４０２の出
力信号の信号レベルを検出する再生信号生成回路４０４
とを備えている。

以下、この再生信号処理装置４０における信号処理につ
いて、第４図（ａ）〜（ｄ）を用いて説明する。

第４図（ａ）は、光ディスク２０の記録部位に４値記録
が行われた状態を概念的に示す図である。

図において、斜線で示した領域が記録マークである。な
お、上述したように、ヒートモードの光ディスクを使用
する場合、記録パルスの信号レベルが大きいほど、記録
マークの面積は大きくなる。

第４図（ｂ）は、多値情報の再生時に、光電変換素子１
２で光電変換した信号を処理回路１４を介して再生信号
処理装置４０に取り込み、ＬＰＦ４０１で高周波成分を
取り除いたときの信号波形（再生波形）を示すものであ
る。このように、再生波形は、対応する記録マークの面
積が大きさに応じて変化する。また、この再生波形は、
記録マークによる信号波形とエンボス２０７による信号
波形との合成波形となる。したがって、この再生波形を
信号処理回路４０２に入力し、第４図（ｃ）に示したよ
うなエンボス２０７による信号波形を差し引くと、第４
図（ｄ）に示したような記録マークによる信号波形が得
られる。この信号処理を行なうためには、例えば、信号
処理回路４０２として引算回路を用いればよい。エンボ
ス２０７による信号波形を生成するためには、あらかじ
め記録マークが形成されていないエンボス２０７を確保
しておくことが望ましい。

エンボス２０７が光ディスク２０の表面に所定の間隔で
形成されていれば、第４図（ｃ）に示したような、波形
が一定の信号出力を得ることができる。したがって、こ
のエンボス２０７による信号波形を用いれば、第４図（
ｄ）に示したような記録マークによる信号波形（信号処
理回路４０２の出力波形）から多値情報を再生するため
の再生クロックまたは復調クロックを生成することがで
きる。復調クロックの生成の方法としては、上記第６図
（ｃ）および第７図（ｄ）で説明した方法と同様、波形
に対して所定のスライスレベルを設定し、再生波形の電
圧値がこのスライスレベルよりも小さいときに「ロー」
となり、再生波形の電圧値がこのスライスレベルよりも
大きいときに「ハイ」となるような２値化波形を生成す
ることとしてもよいし、また、他の方法を使用してもよ
い。また、第４図（ｂ）に示した合成波形は、第４図（
ｄ）に示した記録マークによる信号波形の立上がりのジ
ッターの影響が少ないので、この合成波形を用いて再生
クロックまたは復調クロックを生成してもよい。

このように、本実施例の情報処理装置によれば、エンボ
ス２０７による信号波形から再生クロックまたは復調ク
ロックを生成するので、記録マークの大きさの違いによ
る再生ジッターの影響を除去することができ、したがっ
て、記録情報を正確に再生することができる。

また、本実施例では、エンボス２０７に情報を記録する
際の記録クロックもエンボス２０７による信号波形から
生成することとしたので、記録クロックと復調クロック
とのずれをなくすことができ、このことによっても、再
生の正確さを向上させることができる。

なお、ここでは、信号処理回路４０２で信号処理を行な
う前に、処理回路１４から入力した電気信号の高域ノイ
ズをＬＰＦ４０１で取り除くこととしたが、この処理は
必ずしも行なう必要はない。

さらに、必要に応じて、復調クロックに遅延処理を施し
た後に、再生信号生成回路４０４で多値情報を再生する
ことも可能である。加えて、ＰＬＬ回路を用いて同期状
態をロックすることにより、この復調クロックを安定化
させることも可能である。

次に、光ディスク２０について詳細に説明する。

なお、ここでは、相変化型の光ディスクを例にとって説
明する。第５図は、この光ディスクの層構造を示す断面
図である。第５図に示したように、この光ディスクは、
光ディスク基板２０１、第１の保護層２０２、記録層２
０３、第２の保護層２０４、反射層２０５および第３の
保護層２０６によって構成されている。

光ディスク基板２０１を形成する材料としては、透明で
、経時変化が少ない材料が適している。例えば、ポリメ
チルメタクリレートのようなアクリル樹脂、ポリカーボ
ネート樹脂、エポキシ樹脂、スチレン樹脂、またはガラ
ス等である。また、この光ディスク基板２０１には、記
録フォーマットに応じて、エンボス等が形成される。

光ディスク基板２０１へのエンボスの作製方法としては
、例えば以下のようなものがある。

まず、ガラス原盤にフォトレジストを塗布し、これを乾
燥させる。次に、このガラス原盤を回転させながら、エ
ンボスの所定のフォーマットにしたがってフォトレジス
トにレーザー光を照射し、これによりフォトレジストを
感光させる。その後、現像を行なうことにより、フォト
レジストのうち感光した部分を溶解させて除去し、エン
ボスを形成する。このようにしてエンボスが形成された
ガラス原盤に電極を塗布して電鋳を行ない、所定の厚さ
のスタンパを作製する。このスタンパを用い、射出成形
により、所定のエンボスを有する光ディスク基板２０１
を成形する。

なお、例えばドライブプロセス等、他の方法を用いて、
光ディスク基板２０１を作製してもよいことはもちろん
である。

記録層２０３は、光ビームが照射されることにより状態
が変化する材料で形成されている。このような材料とし
ては、例えば、ＧｅＴｅ系、ＴｅＳｅ系、ＧｅＳｂＳｅ
系、ＴｅＯｘ系、ＩｎＳｅ系、ＧｅＳｂＴｅ系等のカル
コゲナイド系アモルファス半導体材料や、ＩｎＳｂ系、
ＧｅＳｂ系、ＩｎＳｂＴｅ系等の化合物半導体材料等が
ある。

この記録層２０３は、真空蒸着法やスパッタリング法等
で形成することができる。また、この記録層２０３の膜
厚は、実用上、数ｎｍ〜数μｍの範囲が適している。

第１の保護層２０２および第２の保護層２０４は、それ
ぞれ上述の記録層２０３を上面および下面に接して形成
されており、記録層２０３を保護するために設けられた
ものである。この第１の保護層２０２および第２の保護
層２０４によって、例えばレーザビームの照射により記
録層２０３が飛散したり穴があいてしまったりするとい
った不都合を防止することができる。第１の保護層２０
２および第２の保護層２０４を形成する材料としては、
例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、Ｚｒ
Ｏ２、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ３、ＺｎＳ、Ｓｉ、またはＧ
ｅ等が適しており、かかる材料を用いて、例えば真空蒸
着法やスパッタリング法等で形成することができる。な
お、第１の保護層２０２および第２の保護層２０４の膜
厚は、実用上、数ｎｍ〜数μｍが適している。

反射層２０５は、記録層２０３の光学的特性の変化によ
る反射光の特性変化をエンハンスすると共に、記録層２
０３を冷却することにより（すなわち、記録層２０３の
熱を吸収・発散することにより）、記録層２０３の温度
上昇を防止するために設けられたものである。この反射
層２０５を形成する材料としては、例えば、Ａｕ、Ａｌ
、Ｃｕ或いはＮｉ−Ｃｒ等が適しており、かかる材料を
用いて、例えば真空蒸着法やスパッタリング法等で形成
することができる。なお、反射層２０５の膜厚は、実用
上、数ｎｍ〜数μｍが適している。

第３の保護層２０６は、光ディスクを取扱う上での傷、
ほこり等を防止するために設けられたものである。また
、形成材料としては、通常、紫外線硬化樹脂等が使用さ
れ、例えば、この紫外線硬化樹脂を反射層２０５の表面
にスピンコート法により塗布した後、紫外線を照射する
ことにより硬化させて形成する。この第３の保護層２０
６の膜厚は、実用上、数μｍ〜数百μｍの範囲が適して
いる。

このような光ディスクに多値情報の記録を行なうときは
、記録時の記録層２０３の冷却速度を制御して、記録マ
ークの形状を整えることが有効である。この冷却速度の
制御は、第１の保護層２０２、記録層２０３、第２の保
護層２０４、反射層２０５の形成材料や膜厚を適宜選択
することにより行なうことができる。例えば、冷却速度
を速くしたい場合には、記録層２０３の膜厚を薄くする
こと、反射層２０５の形成材料として熱伝導率の高いも
のを使用すること、第１の保護層２０２および第２の保
護層２０４の形成材料として熱伝導率の高いものを使用
すること等が有効である。

また、光ディスクに多値情報の記録を行なうときは、記
録時の半導体レーザ１１の出力パルスのプロファイルを
工夫することも有効である。

なお、ここでは片面のみ記録できる光ディスクの構成例
について説明したが、両面記録が可能となるように光デ
ィスクを構成することも可能である。両面記録の光ディ
スクは、例えば、第５図に示した光ディスクを、記録層
２０３を内側にして２枚張合わせることにより得られる
。

また、第５図に示した第１の保護層２０２、第２の保護
層２０４、反射層２０５および第３の保護層２０６は、
用途によっては省略することも可能である。

このように、本実施例では相変化型の光ディスクに記録
された多値情報を再生する場合を例にとって説明したが
、本発明の情報処理装置は、このような場合に限らず、
有機材料、形状変化材料、穴空き材料或いはこれらの複
合材料によって形成された光ディスクに記録された多値
情報を再生する場合にも、同様の効果を得ることができ
、さらには、他の情報記録媒体に記録された多値情報を
再生する場合にも同様の効果を得ることができる。

［発明の効果］ 以上詳細に説明したように、本発明の情報記録媒体をも
ちいれば、エンボスによる信号波形から再生クロックま
たは復調クロックを生成することができるので、記録マ
ークの大きさの違いによる再生ジッターの影響を除去す
ることができ、したがって、記録情報を正確に再生する
ことができる。また、記録パルスに正確に対応した復調
クロックを生成することができるので、これによっても
、記録情報を正確に再生することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の１実施例に係わる情報記録媒体を使用
する電子ファイリングシステムを示す概略構成図、第２
図（ａ） は第１図に示した記録信号処理装置の概略構成を示すブ
ロック図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）に示した記録信
号処理装置の出力信号にしたがって情報記録媒体に対し
て４値記録を行なったときの情報記録媒体の表面の状態
を示す概念図、第３図は第２図に示した再生信号処理装
置の概略構成を示すブロック図、第４図（ａ）〜（ｄ）
は第３図に示した再生信号処理装置の信号処理を説明す
るための図、第５図は第１図に示した光ディスクの層構
造を示す概略断面図、第６図（ａ）〜第６図（ｄ）およ
び第７図（ａ）〜第７図（ｅ）は従来の情報処理装置の
信号処理を説明するための図である。 １０…記録信号処理装置、１１…半導体レーザ、１２、
１３…光電変換素子、１４、１５…処理回路、１６、１
７…増幅回路、１８…フォーカシング制御装置、１９…
トラッキング制御装置、２０…光ディスク、３０…光学
系、３１…コリメータレンズ、３２…ビームスプリッタ
、３３…ハーフミラー、３４、３５…レンズ、３６…集
光レンズ、４０…再生信号処理装置、１０１…４値化回
路、１０２…変調回路、１０３…半導体レーザドライブ
回路、２０１…光ディスク基板、２０２…第１の保護層
、２０３…記録層、２０４…第２の保護層、２０５…反
射層、２０６…第３の保護層、４０１…ローパスフィル
タ（ＬＰＦ）、４０２…信号処理回路、４０３…クロッ
ク生成回路、４０４…再生信号生成回路。 出願人代理人　弁理士　鈴江武彦

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 表面にエンボスが形成された基板と、情報を記録するこ
   とが可能な記録膜とを少なくとも有する情報記録媒体で
   あって、 前記記録膜の前記エンボス上に位置する領域に３値以上
   に多値化された情報の記録が行われることを特徴とする
   情報記録媒体。