JPH04221077A - 気相処理装置 - Google Patents
気相処理装置Info
- Publication number
- JPH04221077A JPH04221077A JP40471390A JP40471390A JPH04221077A JP H04221077 A JPH04221077 A JP H04221077A JP 40471390 A JP40471390 A JP 40471390A JP 40471390 A JP40471390 A JP 40471390A JP H04221077 A JPH04221077 A JP H04221077A
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- JP
- Japan
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- gas
- gas supply
- gasses
- gases
- processing chamber
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、処理チャンバに複数の
ガスを導入して基板を処理する気相処理装置に関する。
ガスを導入して基板を処理する気相処理装置に関する。
【０００２】上記気相処理装置にはＣＶＤ装置（化学気
相成長装置）やドライエッチング装置などがあり、これ
らの装置は、半導体装置の製造における基板上の膜形成
やエッチングに用いられる。その場合、基板に対する処
理のレートと面内均一性が重要であることから、導入す
る複数のガスを適量に導入し且つ均一に混合する必要が
ある。
相成長装置）やドライエッチング装置などがあり、これ
らの装置は、半導体装置の製造における基板上の膜形成
やエッチングに用いられる。その場合、基板に対する処
理のレートと面内均一性が重要であることから、導入す
る複数のガスを適量に導入し且つ均一に混合する必要が
ある。
【０００３】
【従来の技術】図２は第１従来例の装置概略図である。
同図において、この従来例はＣＶＤ装置を例にとったも
のであり、１は基板、２は処理チャンバ、２ａ〜２ｃは
処理チャンバ２のガス導入口、２ｄは同じくガス排出口
、３ａ〜３ｃはガス供給配管、４ａ〜４ｃは処理チャン
バ２に導入するガス、５は基板１を加熱する加熱ランプ
、である。
のであり、１は基板、２は処理チャンバ、２ａ〜２ｃは
処理チャンバ２のガス導入口、２ｄは同じくガス排出口
、３ａ〜３ｃはガス供給配管、４ａ〜４ｃは処理チャン
バ２に導入するガス、５は基板１を加熱する加熱ランプ
、である。
【０００４】処理チャンバ２は、ガス供給配管３ａ〜３
ｃと同じ大きさにしたガス導入口２ａ〜２ｃにガス供給
配管３ａ〜３ｃが接続されて、ガス４ａ〜４ｃを個別に
導入するようになっており、その導入はガス排出口２ｄ
から引かれた減圧に伴う差圧によってなされる。また、
基板１が配置されその基板１を加熱ランプ５が加熱する
。
ｃと同じ大きさにしたガス導入口２ａ〜２ｃにガス供給
配管３ａ〜３ｃが接続されて、ガス４ａ〜４ｃを個別に
導入するようになっており、その導入はガス排出口２ｄ
から引かれた減圧に伴う差圧によってなされる。また、
基板１が配置されその基板１を加熱ランプ５が加熱する
。
【０００５】導入されたガス４ａ〜４ｃは、処理チャン
バ２内で混合して基板１の表面に達し、基板１の温度に
より反応を起こして基板１上に膜を形成する。用済みと
なったガス４ａ〜４ｃはガス排出口２ｄから排出される
。
バ２内で混合して基板１の表面に達し、基板１の温度に
より反応を起こして基板１上に膜を形成する。用済みと
なったガス４ａ〜４ｃはガス排出口２ｄから排出される
。
【０００６】図３は第２従来例の装置概略図（ａ） と
ガス混合容器断面図（ｂ） である。同図において、こ
の従来例は第１従来例のガス導入形態を変えたものであ
り、図３（ｂ） に詳細を示すガス混合容器６を設けて
ある。６ｂ，６ｃはガス混合容器６のガス供給口、６ｄ
は同じくガス流出口、である。
ガス混合容器断面図（ｂ） である。同図において、こ
の従来例は第１従来例のガス導入形態を変えたものであ
り、図３（ｂ） に詳細を示すガス混合容器６を設けて
ある。６ｂ，６ｃはガス混合容器６のガス供給口、６ｄ
は同じくガス流出口、である。
【０００７】ガス混合容器６は、ガス供給配管３ｂ，３
ｃと同じ大きさにしたガス供給口６ｂ，６ｃにガス供給
配管３ｂ，３ｃが接続され、ガス流出口６ｄが処理チャ
ンバ２のガス導入口２ｂに接続されている。処理チャン
バ２のガス導入口２ｃは閉じられている。
ｃと同じ大きさにしたガス供給口６ｂ，６ｃにガス供給
配管３ｂ，３ｃが接続され、ガス流出口６ｄが処理チャ
ンバ２のガス導入口２ｂに接続されている。処理チャン
バ２のガス導入口２ｃは閉じられている。
【０００８】従ってガス４ｂ，４ｃは、処理チャンバ２
の減圧に伴う差圧によりガス混合容器６に個別に流入し
てそこで混合し、混合状態で処理チャンバ２に導入され
る。 処理チャンバ２に導入された混合状態のガス４ｂ，４ｃ
と単独のガス４ａは、処理チャンバ２内で混合して第１
従来例の場合と同様に基板１上に膜を形成してガス排出
口２ｄから排出される。
の減圧に伴う差圧によりガス混合容器６に個別に流入し
てそこで混合し、混合状態で処理チャンバ２に導入され
る。 処理チャンバ２に導入された混合状態のガス４ｂ，４ｃ
と単独のガス４ａは、処理チャンバ２内で混合して第１
従来例の場合と同様に基板１上に膜を形成してガス排出
口２ｄから排出される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述の膜形
成を半導体装置の製造で行う場合には、基板１に対する
膜成長レート（速度）の確保と成長膜厚の面内分布均一
性が重要である。
成を半導体装置の製造で行う場合には、基板１に対する
膜成長レート（速度）の確保と成長膜厚の面内分布均一
性が重要である。
【００１０】しかしながら、後述のデータが示すように
、第１従来例では成長膜厚の面内分布が十分に均一にな
らず、第２従来例ではその面内分布の不均一性のみなら
ず膜成長レートが第１従来例より小さくなる問題点があ
る。
、第１従来例では成長膜厚の面内分布が十分に均一にな
らず、第２従来例ではその面内分布の不均一性のみなら
ず膜成長レートが第１従来例より小さくなる問題点があ
る。
【００１１】前者の面内分布の不均一性は、膜成長レー
トに最もセンシティブで流量を最も小さくするガス４ｂ
の混合にむらがあることに起因し、後者の膜成長レート
の低下は、ガス混合容器６に流入するガス４ｂと４ｃの
間で流量の大きなガス４ｃにより流量の小さなガス４ｂ
の流入が阻まれて、ガス４ｂの処理チャンバ２への導入
流量が見込みより小さくなることに起因するものと考え
られる。
トに最もセンシティブで流量を最も小さくするガス４ｂ
の混合にむらがあることに起因し、後者の膜成長レート
の低下は、ガス混合容器６に流入するガス４ｂと４ｃの
間で流量の大きなガス４ｃにより流量の小さなガス４ｂ
の流入が阻まれて、ガス４ｂの処理チャンバ２への導入
流量が見込みより小さくなることに起因するものと考え
られる。
【００１２】この問題は、上述と同様な構成をなす他の
気相処理装置例えばエッチング装置などにおいても同様
である。そこで本発明は、処理チャンバに複数のガスを
導入して基板を処理するＣＶＤ装置やエッチング装置な
どの気相処理装置に関して、基板に対する処理のレート
と面内分布均一性を確保するために、導入する複数のガ
スが見込み通りの流量で導入され且つ均一に混合される
ようにすることを目的とする。
気相処理装置例えばエッチング装置などにおいても同様
である。そこで本発明は、処理チャンバに複数のガスを
導入して基板を処理するＣＶＤ装置やエッチング装置な
どの気相処理装置に関して、基板に対する処理のレート
と面内分布均一性を確保するために、導入する複数のガ
スが見込み通りの流量で導入され且つ均一に混合される
ようにすることを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の気相処理装置は、処理チャンバに複数のガ
スを導入して基板を処理する装置であって、前記複数の
ガスの中の二つ以上のガスを前記処理チャンバへの導入
の前に混合させるガス混合容器を備え、該ガスの各々を
そのガス供給配管から該ガス混合容器へ流入させるガス
供給口の少なくとも一つは、開口の大きさが該ガス供給
配管の内径より小さく且つ該ガス混合容器内に突出して
いることを特徴としている。
に、本発明の気相処理装置は、処理チャンバに複数のガ
スを導入して基板を処理する装置であって、前記複数の
ガスの中の二つ以上のガスを前記処理チャンバへの導入
の前に混合させるガス混合容器を備え、該ガスの各々を
そのガス供給配管から該ガス混合容器へ流入させるガス
供給口の少なくとも一つは、開口の大きさが該ガス供給
配管の内径より小さく且つ該ガス混合容器内に突出して
いることを特徴としている。
【００１４】そして、前記ガス混合容器内に突出するガ
ス供給口は前記ガス供給配管の先端に接続したノズルに
より形成されていること、また、前記ノズルは前記ガス
供給配管に着脱可能であることが望ましい。
ス供給口は前記ガス供給配管の先端に接続したノズルに
より形成されていること、また、前記ノズルは前記ガス
供給配管に着脱可能であることが望ましい。
【００１５】
【作用】上記ガス混合容器において、その内に突出する
ガス流入口から流入するガスは、流量が小さくとも上記
開口の大きさにより流速が大きくなり然も流入箇所が内
部にあるので、他の流入流量の大きなガスにより阻まれ
ることなく見込み通りの流量で流入して均一に混合する
。
ガス流入口から流入するガスは、流量が小さくとも上記
開口の大きさにより流速が大きくなり然も流入箇所が内
部にあるので、他の流入流量の大きなガスにより阻まれ
ることなく見込み通りの流量で流入して均一に混合する
。
【００１６】従って、このガス流入口を膜成長レートに
最もセンシティブで流量を最も小さくするガスに用いる
ことにより、処理チャンバに導入する複数のガスが見込
み通りの流量で導入され且つ均一に混合されるようにな
る。
最もセンシティブで流量を最も小さくするガスに用いる
ことにより、処理チャンバに導入する複数のガスが見込
み通りの流量で導入され且つ均一に混合されるようにな
る。
【００１７】そして、上記ノズルは所望するガス供給口
の実現を容易にし、また、ノズルの着脱可能は、寸法の
異なるノズルとの交換によりガス流量に応じたガス供給
口の大きさと配置箇所の選択を可能にさせる。
の実現を容易にし、また、ノズルの着脱可能は、寸法の
異なるノズルとの交換によりガス流量に応じたガス供給
口の大きさと配置箇所の選択を可能にさせる。
【００１８】
【実施例】以下本発明による気相処理装置の実施例につ
いて図１を用いて説明する。図１は実施例の装置概略図
（ａ） とガス混合容器断面図（ｂ） であり、全図
を通し同一符号は同一対象物を示す。
いて図１を用いて説明する。図１は実施例の装置概略図
（ａ） とガス混合容器断面図（ｂ） であり、全図
を通し同一符号は同一対象物を示す。
【００１９】図１において、この実施例は先に説明した
第２従来例（図３）を改良したものであり、第２従来例
のガス混合容器６が図１（ｂ） に詳細を示すガス混合
容器７に変わっている。７ｂ，７ｃはガス混合容器７の
供給配管接続口、７ｄ，７ｅは同じくガス流出口、８ｂ
，８ｃはノズル、９ｂ，９ｃはガス供給口、である。
第２従来例（図３）を改良したものであり、第２従来例
のガス混合容器６が図１（ｂ） に詳細を示すガス混合
容器７に変わっている。７ｂ，７ｃはガス混合容器７の
供給配管接続口、７ｄ，７ｅは同じくガス流出口、８ｂ
，８ｃはノズル、９ｂ，９ｃはガス供給口、である。
【００２０】ガス混合容器７は、供給配管接続口７ｂ，
７ｃにガス供給配管３ｂ，３ｃが先端嵌入状態に接続さ
れ、ガス流出口７ｄ，７ｅが処理チャンバ２のガス導入
口２ｂ，２ｃに接続されている。そして、ガス供給配管
３ｂ，３ｃの先端にはノズル８ｂ，８ｃが螺合により着
脱可能に接続されている。
７ｃにガス供給配管３ｂ，３ｃが先端嵌入状態に接続さ
れ、ガス流出口７ｄ，７ｅが処理チャンバ２のガス導入
口２ｂ，２ｃに接続されている。そして、ガス供給配管
３ｂ，３ｃの先端にはノズル８ｂ，８ｃが螺合により着
脱可能に接続されている。
【００２１】ノズル８ｂ，８ｃは、先端がガス供給配管
３ｂ，３ｃの内径より小さな開口のガス供給口９ｂ，９
ｃとなっており、ガス混合容器７内に突出したガス供給
口９ｂ，９ｃからガス４ｂ，４ｃをガス混合容器７へ流
入させる。
３ｂ，３ｃの内径より小さな開口のガス供給口９ｂ，９
ｃとなっており、ガス混合容器７内に突出したガス供給
口９ｂ，９ｃからガス４ｂ，４ｃをガス混合容器７へ流
入させる。
【００２２】従って、ガス供給配管３ｂ，３ｃからのガ
ス４ｂ，４ｃは、処理チャンバ２の減圧に伴う差圧によ
りガス混合容器７に流入するが、一方の流量が他方のそ
れより小さくとも先に述べた理由により見込み通りの流
量で流入して均一に混合し、それぞれの流量が所望を満
たし且つ均一な混合状態で処理チャンバ２に導入される
。
ス４ｂ，４ｃは、処理チャンバ２の減圧に伴う差圧によ
りガス混合容器７に流入するが、一方の流量が他方のそ
れより小さくとも先に述べた理由により見込み通りの流
量で流入して均一に混合し、それぞれの流量が所望を満
たし且つ均一な混合状態で処理チャンバ２に導入される
。
【００２３】処理チャンバ２に導入された混合状態のガ
ス４ｂ，４ｃと単独のガス４ａは、処理チャンバ２内で
混合して第１従来例の場合と同様に基板１上に膜を形成
してガス排出口２ｄから排出される。
ス４ｂ，４ｃと単独のガス４ａは、処理チャンバ２内で
混合して第１従来例の場合と同様に基板１上に膜を形成
してガス排出口２ｄから排出される。
【００２４】以上のことから、膜成長レートに最もセン
シティブで流量を最も小さくするガスをガス４ｂまたは
４ｃに充当することにより、処理チャンバ２に導入する
複数のガス４ａ〜４ｃが見込み通りの流量で導入され且
つ均一に混合されるようになり、基板１に対する膜成長
レートと成長膜厚の面内分布均一性が確保される。
シティブで流量を最も小さくするガスをガス４ｂまたは
４ｃに充当することにより、処理チャンバ２に導入する
複数のガス４ａ〜４ｃが見込み通りの流量で導入され且
つ均一に混合されるようになり、基板１に対する膜成長
レートと成長膜厚の面内分布均一性が確保される。
【００２５】本発明者は、実施例及び第１第２従来例の
それぞれで以下に述べるタングステンの膜成長を行い、
実施例が優れていることを確認した。この膜成長は、導
入ガスにＷＦ６ ， ＳｉＨ４ ，Ｈ２ を用い、Ｓｉ
Ｈ４ が膜成長レートに極めてセンシティブで流量を最
も小さくするガスであることから、上記の確認に好適な
ものである。
それぞれで以下に述べるタングステンの膜成長を行い、
実施例が優れていることを確認した。この膜成長は、導
入ガスにＷＦ６ ， ＳｉＨ４ ，Ｈ２ を用い、Ｓｉ
Ｈ４ が膜成長レートに極めてセンシティブで流量を最
も小さくするガスであることから、上記の確認に好適な
ものである。
【００２６】膜成長の条件は次の通りである。
ガス４ａ ： ＷＦ６ ５ ｓｃｃｍ
配管３ａ内径 ９．５ｍｍφ ガス４ｂ
： ＳｉＨ４ ３ ｓｃｃｍ 配管３ｂ内径
６．４ｍｍφ 供給口９ｂ径 ０．５ｍｍφ
ガス４ｃ ： Ｈ２ １００ ｓｃｃｍ 配
管３ｃ内径 ６．４ｍｍφ 供給口９ｃ径 １．０ｍ
ｍφ チャンバ２圧力： ３０ ｍＴｏｒｒ
基板１温度 ： ３００ ℃そして得ら
れた結果は次の通りである。
配管３ａ内径 ９．５ｍｍφ ガス４ｂ
： ＳｉＨ４ ３ ｓｃｃｍ 配管３ｂ内径
６．４ｍｍφ 供給口９ｂ径 ０．５ｍｍφ
ガス４ｃ ： Ｈ２ １００ ｓｃｃｍ 配
管３ｃ内径 ６．４ｍｍφ 供給口９ｃ径 １．０ｍ
ｍφ チャンバ２圧力： ３０ ｍＴｏｒｒ
基板１温度 ： ３００ ℃そして得ら
れた結果は次の通りである。
【００２７】
実施例 第１従来例 第２従来
例 成長レート（Å／ｍ） １０００
１０００ ８
６０ 面内分布 （ ％ ）
５ １０
１３ 第１第２従来例による結果は先に問題
点として述べた通りであり、それと比べて実施例による
結果は格段に優れている。
実施例 第１従来例 第２従来
例 成長レート（Å／ｍ） １０００
１０００ ８
６０ 面内分布 （ ％ ）
５ １０
１３ 第１第２従来例による結果は先に問題
点として述べた通りであり、それと比べて実施例による
結果は格段に優れている。
【００２８】上述した実施例による膜成長においては、
先の説明から明らかなように流量が小さいガス４ｂのガ
ス混合容器７への流入と混合が肝心なところであること
から、流量が大きいガス４ｃのガス供給配管３ｃがノズ
ル８ｃを接続せず且つガス混合容器７内に嵌入なしで供
給配管接続口７ｃに接続されていても、ほぼ同様な結果
を得ることができる。
先の説明から明らかなように流量が小さいガス４ｂのガ
ス混合容器７への流入と混合が肝心なところであること
から、流量が大きいガス４ｃのガス供給配管３ｃがノズ
ル８ｃを接続せず且つガス混合容器７内に嵌入なしで供
給配管接続口７ｃに接続されていても、ほぼ同様な結果
を得ることができる。
【００２９】また、ノズル８ｂは、ガス供給配管３ｂに
螺合接続であることから、長さやガス供給口９ｂの開口
径を変えた他のノズル８ｂに交換可能であり、種々の寸
法のものを用意することによりガス４ｂの流量に応じて
最も適したものを選択することができる。この点はノズ
ル８ｃにおいても同様である。
螺合接続であることから、長さやガス供給口９ｂの開口
径を変えた他のノズル８ｂに交換可能であり、種々の寸
法のものを用意することによりガス４ｂの流量に応じて
最も適したものを選択することができる。この点はノズ
ル８ｃにおいても同様である。
【００３０】なお、実施例の気相処理装置はＣＶＤ装置
を例にとって説明したが、本発明がＣＶＤ装置に限定さ
れることなく他の気相処理装置例えばエッチング装置な
どにおいても有効であることは、改めて説明するまでも
なく明らかである。
を例にとって説明したが、本発明がＣＶＤ装置に限定さ
れることなく他の気相処理装置例えばエッチング装置な
どにおいても有効であることは、改めて説明するまでも
なく明らかである。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、処
理チャンバに複数のガスを導入して基板を処理するＣＶ
Ｄ装置やエッチング装置などの気相処理装置に関して、
導入する複数のガスが見込み通りの流量で導入され且つ
均一に混合されるようにすることができて、基板に対す
る処理のレートと面内分布均一性が確保され、例えば半
導体装置の品質向上を可能にさせる効果がある。
理チャンバに複数のガスを導入して基板を処理するＣＶ
Ｄ装置やエッチング装置などの気相処理装置に関して、
導入する複数のガスが見込み通りの流量で導入され且つ
均一に混合されるようにすることができて、基板に対す
る処理のレートと面内分布均一性が確保され、例えば半
導体装置の品質向上を可能にさせる効果がある。
【図１】 実施例の装置概略図（ａ） とガス混合容
器断面図（ｂ） である。
器断面図（ｂ） である。
【図２】 第１従来例の装置概略図である。
【図３】 第２従来例の装置概略図（ａ） とガス混
合容器断面図（ｂ）である。
合容器断面図（ｂ）である。
１ 基板
２ 処理チャンバ
２ａ〜２ｃ ガス導入口
２ｄ ガス排出口
３ａ〜３ｃ ガス供給配管
４ａ〜４ｃ 処理チャンバに導入するガス５ 加熱
ランプ ６，７ ガス混合容器 ６ｂ，６ｃ ガス供給口 ７ｂ，７ｃ 供給配管接続口 ６ｄ，７ｄ，７ｅ ガス流出口 ８ｂ，８ｃ ノズル ９ｂ，９ｃ ガス供給口
ランプ ６，７ ガス混合容器 ６ｂ，６ｃ ガス供給口 ７ｂ，７ｃ 供給配管接続口 ６ｄ，７ｄ，７ｅ ガス流出口 ８ｂ，８ｃ ノズル ９ｂ，９ｃ ガス供給口
Claims (3)
- 【請求項１】 処理チャンバに複数のガスを導入して
基板を処理する装置であって、前記複数のガスの中の二
つ以上のガスを前記処理チャンバへの導入の前に混合さ
せるガス混合容器を備え、該ガスの各々をそのガス供給
配管から該ガス混合容器へ流入させるガス供給口の少な
くとも一つは、開口の大きさが該ガス供給配管の内径よ
り小さく且つ該ガス混合容器内に突出していることを特
徴とする気相処理装置。 - 【請求項２】 前記ガス混合容器内に突出するガス供
給口は、前記ガス供給配管の先端に接続したノズルによ
り形成されていることを特徴とする請求項１記載の気相
処理装置。 - 【請求項３】 前記ノズルは前記ガス供給配管に着脱
可能であることを特徴とする請求項２記載の気相処理装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40471390A JP2949852B2 (ja) | 1990-12-21 | 1990-12-21 | 気相処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40471390A JP2949852B2 (ja) | 1990-12-21 | 1990-12-21 | 気相処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04221077A true JPH04221077A (ja) | 1992-08-11 |
| JP2949852B2 JP2949852B2 (ja) | 1999-09-20 |
Family
ID=18514369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP40471390A Expired - Lifetime JP2949852B2 (ja) | 1990-12-21 | 1990-12-21 | 気相処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2949852B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006302946A (ja) * | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理システム |
| WO2009104732A1 (ja) * | 2008-02-20 | 2009-08-27 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給装置 |
| WO2021157445A1 (ja) * | 2020-02-05 | 2021-08-12 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びガス流量調整方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101950988B1 (ko) * | 2017-05-11 | 2019-02-22 | (주)엔피홀딩스 | 혼상유체 분사노즐 |
-
1990
- 1990-12-21 JP JP40471390A patent/JP2949852B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006302946A (ja) * | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理システム |
| WO2009104732A1 (ja) * | 2008-02-20 | 2009-08-27 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給装置 |
| CN101772833B (zh) | 2008-02-20 | 2012-04-18 | 东京毅力科创株式会社 | 气体供给装置 |
| US8945306B2 (en) | 2008-02-20 | 2015-02-03 | Tokyo Electron Limited | Gas supply device |
| WO2021157445A1 (ja) * | 2020-02-05 | 2021-08-12 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びガス流量調整方法 |
| JP2021125566A (ja) * | 2020-02-05 | 2021-08-30 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びガス流量調整方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2949852B2 (ja) | 1999-09-20 |
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