JPH04221990A - 画像表示装置 - Google Patents

画像表示装置

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JPH04221990A
JPH04221990A JP2412914A JP41291490A JPH04221990A JP H04221990 A JPH04221990 A JP H04221990A JP 2412914 A JP2412914 A JP 2412914A JP 41291490 A JP41291490 A JP 41291490A JP H04221990 A JPH04221990 A JP H04221990A
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JP
Japan
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cathode
display device
thin film
picture element
matrix
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JP2412914A
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Inventor
Hidetoshi Watanabe
英俊 渡辺
Toshio Oboshi
敏夫 大星
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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    • H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
    • H01J29/48—Electron guns
    • H01J29/481—Electron guns using field-emission, photo-emission, or secondary-emission electron source
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
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    • H01J31/12—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばカラーディスプ
レイ装置等の薄型の画像表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、薄型のディスプレイ装置として、
例えばジャパン・ディスプレイ（ＪＡＰＡＮ　　ＤＩＳ
ＰＬＡＹ　　’８６　　Ｐ５１２〜Ｐ５１５）に微小冷
陰極をエミッション源として用いたマイクロチップ型の
ディスプレイ装置が提案されている。このディスプレイ
装置は、半導体製造プロセスにより基板上に形成した直
径１．０ミクロン以下のモリブデン等よりなる円錐状の
陰極をエミッション源とし、この陰極の下に設けられる
電極とこの陰極の周囲を取り囲むようにして設けられる
絶縁層上に形成されるゲート電極とをＸ−Ｙマトリック
スとなしていわゆるＸ−Ｙ駆動するように構成されたも
のである。このディスプレイ装置では、円錐状の陰極と
ゲート電極間に１０６　Ｖ／ｃｍ以上の電界をかけると
電界放出が起こり、上記陰極の先端部より電子ビームが
引き出される。そして、この電子ビームをＸ−Ｙ駆動に
より選択的に前面パネルの蛍光体に照射させることによ
って、画像表示するようになっている。
【０００３】ところが、Ｘ−Ｙ駆動では、ラインスキャ
ンとなり、実際の１画素当たりの発光時間が短いため、
どうしても暗くなり高輝度化が望めない。このため、発
光光量を大きく，つまりアノード電圧を高くする必要が
生ずるとともに、前面パネルに設けられる蛍光体を高速
電子線用のものとする必要が生じ、蛍光体の選択の幅が
狭まる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、かか
る従来の実情に鑑みて提案されたものであって、高輝度
化が望めるとともに、低速電子線用の蛍光体が使用でき
る画像表示装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明は、微小冷陰極からなる複数の画素がマト
リックス配置されてなり、上記各画素にスイッチング用
の薄膜トランジスタと付加容量が接続されてなるもので
ある。
【０００６】
【作用】マトリックス配置された各画素に、この画素を
駆動するスイッチング用の薄膜トランジスタと付加容量
とが設けられているので、複数のラインの同時点灯と、
各ラインについての複数の点の同時発光（以下、面発光
と称する。）が可能となり、輝度が向上する。
【０００７】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて説明する。
【０００８】本実施例の画像表示装置は、図１に示すよ
うに、内壁面に蛍光体ストライプが形成された前面パネ
ル１と、エミッション源となる陰極パネル２とを有して
構成されている。上記前面パネル１は、エミッション源
と対向するガラスプレート３の内壁面３ａにＩＴＯ（酸
化インジウム錫）等の透明アノード電極４を有し、この
透明アノード電極４上に赤色（Ｒ），緑色（Ｇ），青色
（Ｂ），黒色（ＢＫ）の蛍光体ストライプ５を所定パタ
ーンに形成して蛍光画面を構成している。
【０００９】一方、陰極パネル２は、微小冷陰極からな
る複数の画素がマトリックス配置されるとともに、これ
ら各画素にそれぞれスイッチング用の薄膜トランジスタ
と付加容量が接続されて構成されている。上記微小冷陰
極は、図２に示すように、エミッション源となる陰極６
と、この陰極６より電子ビームを引き出すためのゲート
電極７と、上記陰極６に電位を与える制御線８と、この
制御線８とゲート電極７とを絶縁する絶縁層９とを有し
てなり、これらが半導体製造プロセスによりガラスより
なるベースプレート１０上に形成されてなっている。上
記陰極６は、例えばモリブデンやタングステンあるいは
ランタンヘキサボライド（ＬａＢ６　）等によって直径
１．０ミクロン以下の微小な円錐状の突起として形成さ
れ、この突起の先端部より電界の印加によって電子ビー
ムが放出されるようになっている。一方、ゲート電極７
は、陰極６を中心としてその周囲を円弧状に取り囲むよ
うにして形成された絶縁層９上に形成され、上記各陰極
６に対応する位置にそれぞれこの陰極６の先端より電子
ビームを上記蛍光体ストライプ５へ向かって放出させる
ための円弧状の電子ビーム放出用孔７ａを有している。
【００１０】そして本例では、上記陰極６の数個〜数十
個よりなる集合を１画素として構成し、これら複数の画
素を上記ガラスプレート１０上にマトリックス配置させ
ている。そしてこれら各画素１１Ａ１　，１１Ａ２　，
１１Ｂ１　，１１Ｂ２　には、図３の等価回路で示すよ
うに、付加容量すなわちストレージ容量Ｃｓが並列に接
続されている。なお、このストレージ容量Ｃｓは、フリ
ッカー対策のために設けられるものである。そしてさら
に、垂直方向の画素列１１Ａ１　，１１Ａ２　及び１１
Ｂ１　，１１Ｂ２　は、それぞれスイッチング用の薄膜
トランジスタＴｒ１１，Ｔｒ１２及びＴｒ２１，Ｔｒ２
２を介して共通の信号線１２ａ及び１２ｂに接続されて
いる。上記薄膜トランジスタＴｒ１１，Ｔｒ１２，Ｔｒ
２１，Ｔｒ２２は、薄膜状の半導体に流れる電流をそれ
に垂直な電界を加えて制御するもので、上記微小冷陰極
と同様半導体プロセスによってこの微小冷陰極と同一平
面上に形成することができる。また、水平方向の画素列
１１Ａ１　，１１Ｂ１　及び１１Ａ２　，１１Ｂ２　に
接続された各薄膜トランジスタＴｒ１１，Ｔｒ２１及び
Ｔｒ１２，Ｔｒ２２のゲートは、共通の制御線１３ａ及
び１３ｂに接続されている。なお、上記各画素１１Ａ１
　，１１Ａ２　，１１Ｂ１　，１１Ｂ２　のゲート電極
７は、図４に１画素のみ取り出した模式的な等価回路で
示すように、共通のバイアス１５に接続されている。
【００１１】上述のようにして構成された画像表示装置
においては、例えば、水平方向のある画素列を接続する
制御線１３ａをハイにしたとき、各薄膜トランジスタＴ
ｒ１１，Ｔｒ２１がオン状態となって各信号線１２ａ，
１２ｂを介して各画素１１Ａ１　，１１Ｂ１　の輝度に
対応するストレージ容量Ｃｓに電荷が蓄積される。そし
て、このストレージ容量Ｃｓに蓄えられた電荷によって
上記各画素１１Ａ１　，１１Ｂ１　より電子ビームが放
出され、この電子ビームによって上記前面パネル１の内
壁面３ａに形成された蛍光体ストライプ５が例えば１／
６０Ｈｚ間連続して発光する。もちろん、一本の制御線
だけでなく、全ての制御線も同時にハイとすることがで
き、面発光が可能となる。
【００１２】したがって、本例の画像表示装置では、従
来のＸ−Ｙ駆動に比べ実発光時間が大きくなり、高輝度
化が望め高解像度の画像が得られる。また、発光時間が
大きくなることから、前面パネル１に設けた透明アノー
ド電極４に加える加速電圧を小さくすることができ、本
例の図１で示す如き構成をとった低電子線用の蛍光体を
使用することができる。この場合には、蛍光体からの脱
ガス量の軽減が図れ、真空度の悪化，コンタミの発生が
抑えられる。もちろん、高電圧の駆動では、通常のＣＲ
Ｔ用の蛍光体を用いることができる。つまり、本例の装
置では、高速用と低速用の蛍光体のいずれも使用するこ
とができる。なお、高速電子用の蛍光体を使用する場合
には、図５に示すように、ガラスプレート１６上に蛍光
体ストライプ１７を所定パターンに形成し、この上から
これら蛍光体ストライプ１７を覆ってアルミ等の金属膜
１８を形成する。また、本例の装置では、ゲート電極７
にバイアスを与え陰極６に信号を与えることで素子の付
加を軽減できる。
【００１３】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の画像表示装置においては、１画素毎にスイッチング
用の薄膜トランジスタと付加容量が設けられているので
、面発光が可能となり、高輝度化が望め、高解像度の画
質を得ることができる。また、本例の装置では、加速電
圧を小さくできるため、蛍光体の選択の幅を広げること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用した画像表示装置の一例を示す要
部拡大断面図。
【図２】微小冷陰極を一部破断して示す要部拡大斜視図
。
【図３】本発明を適用した画像表示装置の等価回路図。
【図４】１画素を拡大して示す模式的な等価回路図。
【図５】前面パネルの他の例を示す要部拡大断面図。
【符号の説明】
１・・・前面パネル ２・・・陰極パネル ５・・・蛍光体ストライプ ６・・・陰極 ７・・・ゲート電極

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　微小冷陰極からなる複数の画素がマト
    リックス配置されてなり、上記各画素にスイッチング用
    の薄膜トランジスタと付加容量が接続されてなる画像表
    示装置。
JP2412914A 1990-12-25 1990-12-25 画像表示装置 Pending JPH04221990A (ja)

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